JPH04106925A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の目的 ［産業上の利用分野］ 本発明は、シリコンウェーハの製造方法に関し、特に、
機械研磨工程で表裏両面が機械研磨された未鏡面研磨の
引上シリコンウェーハに対し平行偏光をブリュースター
角で入射せしめて測定した光透過特性と表裏両面が鏡面
研磨された対間としての浮遊帯域シリコンウェーハに対
し平行偏光をブリュースター角で入射せしめて測定した
光透過特性とから引上シリコンウェーハの格子間酸素濃
度を算出し基準値と比較することにより格子間酸素濃度
が不良の引上シリコンウェーハを排除してなるシリコン
ウェーハの製造方法に関するものである。

［従来の技術］ 従来、この種のシリコンウェーハの製造方法としては、
表裏両面が機械研磨され未だ化学研磨されていない製造
ラインから抜き取られた引上シリコンウェーハと、表裏
両面が鏡面研磨されかつ機械研磨によって引上シリコン
ウェーハの表裏両面と同一の光学的挙動を確保するよう
加工された対照としての浮遊帯域シリコンウェーハとに
対して赤外光を同時に入射せしめることにより、引上シ
リコンウェーハの光透過特性および浮遊帯域シリコンウ
ェーハの光透過特性を測定して引上シリコンウェーハの
格子間酸素濃度を求め、その求められた格子間酸素濃度
に応じて不良の引上シリコンウェーハか否かを判断する
ものが、提案されていた。

［解決すべき問題点コ しかしながら、従来のシリコンウェーハの製造方法では
、引上シリコンウェーハと浮遊帯域シリコンウェーハと
が光学的挙動を同一とされていたので、（１）測定作業
が煩雑で時間を要する欠点があり、ひいては（ｉｉ）製
造ライン中で引上シリコンウェーハを全数検査すること
が事実上不可能となる欠点があって、（ｉｉｉｌ不良の
引上シリコンウェーハに不必要な加工処理を施してしま
う欠点があり、結果的に（１ｖ）製造ラインの生産性を
改善できない欠点があった。

そこで、本発明は、これらの欠点を除去する目的で、表
裏両面が鏡面研磨された浮遊帯域シリコンウェーハをそ
のまま対照として使用可能とすることにより測定作業を
簡潔としかつ引上シリコンウェーハの格子間酸素濃度を
製造ライン中の所望の箇所で全数検査可能としてなるシ
リコンウェーハの製造方法を提供せんとするものである
。

（２）発明の構成 ［問題点の解決手段］ 本発明により提供される問題点の解決手段は、「引上シ
リコン単結晶から切り出されたウェーハに対し機械研磨
工程を含む一連の処理工程を施すことにより引上シリコ
ンウェーハを作成してなるシリコンウェーハの製造方法
において、 （ａ１機械研磨工程で表裏両面が機械研磨された未鏡面
研磨の引上シリコン ウェーハに対し平行偏光をブリュー スター角で入射せしめることにより 引上シリコンウェーハの光透過特性 を測定するための第１の工程と、 ｆｂ１表裏両面が鏡面研磨された対照としての浮遊帯域
シリコンウェーハに 対し平行偏光をブリュースター角で 入射せしめることにより浮遊帯域シ リコンウェーへの光透過特性を測定 するための第２の工程と、 （ｃ）第１の工程によって測定された引上シリコンウェ
ーハの光透過特性と 第２の工程によって測定された浮遊 帯域シリコンウェーハの光透過特性 とから引上シリコンウェーハの格子 間酸素濃度を算出するための第３の 工程と、 （ｄ）第３の工程によって算出された引上シリコンウェ
ーハの格子間酸素濃 度を基準値と比較するための第４の 工程と、 （ｅｌ第４の工程によって比較された結果に応じ格子間
酸素濃度が不良の引 上シリコンウェーハを排除するため の第５の工程と を備えてなることを特徴とするシリコンウェーハの製造
方法」 である。

［作用３ 本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法は、上述の
［問題点の解決手段］の欄に開示したごとく、機械研磨
工程で表裏両面が機械研磨された未鏡面研磨の引上シリ
コンウェーハの光透過特性と表裏両面が鏡面研磨された
浮遊帯域シリコンウェーハの光透過特性とから引上シリ
コンウェーハの格子間酸素濃度を算出し基準値と比較す
ることにより格子間酸素濃度が不良の引上シリコンウェ
ーハを排除しているので、 ｆｉ）表裏両面が鏡面研磨された浮遊帯域シリコンウェ
ーハを加工することなく鏡面のままで使用可能とする作
用 をなし、ひいては ｆｉｉｌ引上シリコンウェーハの格子間酸素濃度の測定
作業を簡潔とする作用 をなし、これにより ｆｉｉｉｌ引上シリコンウェーハの格子間酸素１度を製
造ライン中の所望の箇所で全数検査によって測定可能と
する作用 をなし、結果的に （１ｖ）製造ラインの生産性を改善する作用をなす。

［実施例コ 次に、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法につ
いて、その好ましい実施例を挙げ、添付図面を参照しつ
つ、具体的に説明する。

工匡江２皿五韮」工 第１図は、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法
の第１の実施例を実行する測定装置を示すための簡略構
成図である。

第２図は、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法
の第１の実施例を実行する搬送装置を示すための簡略構
成図である。

第３図および第４図は、本発明にかかるシリコンウェー
ハの製造方法の一実施例を説明するための説明図である
。

第１の　　例の　　・ まず、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法の第
１の実施例について、その構成および作用を詳細に説明
する。

本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法は、製造ラ
イン中の機械研磨工程に付随して実行される洗浄工程の
のち、ゲッタリング工程に先行して格子間酸素濃度の測
定工程が実行される。

すなわち、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法
における測定工程は、製造ライン中の機械研磨工程によ
って表裏両面が機械研磨され洗浄工程で洗浄された引上
シワコンウェーハ（゛機械研磨引上シリコンウェーハ”
という）に対し平行偏光をブリュースター角φ１で入射
せしめることにより引上シリ」ンウェーハ（すなわち機
械研磨引上シリコンウェーハ）の光透過特性（ここでは
透過光強度Ｉ　ａｓｓ；以下同様）を測定するための第
１の工程と、表裏両面が鏡面研磨された対照としての浮
遊帯域シリコンウェーハ（“鏡面研磨浮遊帯域シリコン
ウェーハ”という）に対し平行偏光をブリュースター角
ψ、で入射せしめることにより浮遊帯域シリコンウェー
ハ（すなわち鏡面研磨浮遊帯域シリコンウェーハ）の光
透過特性（ここでは透過光強度工。、以下同様）を測定
するための第２の工程と、第１の工程によって測定され
た引上シリコンウェーハ（すなわち機械研磨引上シリコ
ンウェーハ）の光透過特性（ここでは透過光強度工。□
）と第２の工程によって測定された浮遊帯域シリコンウ
ェーハ（すなわち鏡面研磨浮遊帯域シリコンウェーハ）
の光透過特性（ここでは透過光強度工。）とから引上シ
リコンウェーハの格子間酸素濃度［０＋ｃ］を算出する
ための第３の工程と、第３の工程によって算出された引
上シリコンウェーハの格子間酸素濃度［０，、］を基準
値と比較するための第４の工程と、第４の工程によって
比較された結果に応じて格子間酸素濃度［０，ｃｌが不
良の　（たとえば基準値を超えた）引上シリコンウェー
ハを排除するための第５の工程とを備えている。

第１．第２の工程で、それぞれ、引上シリコンウェーハ
（すなわち機械研磨引上シリコンウエーハ）および浮遊
帯域シリコンウェーハ（すなわち鏡面研磨浮遊帯域シリ
コンウェーハ）に対してそれぞれブリュースター角φ６
で平行偏光を入射せしめる根拠は、引上シリコンウェー
ハ（すなわち機械研磨引上シリコンウェーハ）および浮
遊帯域シリコンウェーハ（すなわち鏡面研磨浮遊帯域シ
リコンウェーハ）への平行偏光の入射および出射に際し
て反射が生じることを実質的に阻止し、引上シリコンウ
ェーハ（すなわち機械研磨引上シリコンウェーハ）およ
び浮遊帯域シリコンウェーハ（すなわち鏡面研磨浮遊帯
域シリコンウェーハ）の内部で多重反射が生じることを
防止することにある。ここで、平行偏光とは、入射対象
（ここでは機械研磨引上シリコンウェーハならびに鏡面
研磨浮遊帯域シリコンウェーハ）への入射面に平行な成
分のみを有する偏光をいう。また、引上シリコンウェー
ハとは、引上法（いわゆる゛°チョクラルスキー法″）
によって製造されたシリコン単結晶（°“引上シリコン
単結晶°°という）から切り出されたウェーハに対し機
械研磨工程を含む一連の処理工程を施すことにより加工
されたシリコンウェーハをいい、通常はシリコン単結晶
の切断工程によって発生した表裏両面の破砕層を除去す
るための化学研磨工程に先立ち平坦度を確保するために
表裏両面が機械研磨されている。更に、浮遊帯域シリコ
ンウェーハとは、浮遊帯域溶融法によって製造されたシ
リコン単結晶から作成されたシリコンウェーハをいう。

第２の工程で、浮遊帯域シリコンウェーハが対照として
採用されている根拠は、その格子間酸素濃度［○ＩＦ］
が引上シリコンウェーハの格子間酸素濃度［０，ｅ］に
比べて極めて小さいことにある。また、浮遊帯域シリコ
ンウェーハの表裏両面が鏡面研磨されている根拠は、入
射光（ここでは平行偏光）が表裏両面で散乱されること
を防止することにある。

第３の工程で、第１の工程によって測定された引上シリ
コンウェーハ（すなわち機械研磨引上シリコンウェーハ
）の光透過特性（ここでは透過光強度工◇、）と第２の
工程によって測定された浮遊帯域シリコンウェーハ（す
なわち鏡面研磨浮遊帯域シリコンウェーハ）の光透過特
性（ここでは透過光強度Ｉ。）とから引上シソコンウェ
ーハの格子間酸素濃度［０，ｃ］を算出する要領は、以
下のとおりである。

まず、引上シリコンウェーハの格子間酸素濃度［０，。

１は、引上シリコンウェーハの格子間酸素の振動に起因
した光吸収係数（°°引上シリコンウェーハの光吸収係
数”ともいう）α、と変換係数ｋ（現在３．０３Ｘ１０
”個／ｃｍ”と考えられている；以下同様）とを用いて ［０，ｃ］＝にα、 のごとく表現できる。ここで、引上シリコンウェーハの
光吸収係数α、は、格子間酸素の振動に起因した波数１
１０６ｃｍ−’における肉厚ｄの引上シリコンウェーハ
の吸光度Ａとブリュースター角φ、で入射された平行偏
光の光路長ｆｆ＝　１．０４２ｄとを用いて、ランベル
ト−ベールの法則から、のどと（表現できる。

引上シリコンウェーハの吸光度Ａは、表裏両面が鏡面研
磨された引上シリコンウェーハ（”８面研磨引上シリコ
ンウェーハーともいう）の光透過特性（ここでは透過光
強度Ｉ）と浮遊帯域シリコンウェーハ（すなわち鏡面研
磨浮遊帯域シリコンウェーハ）の光透過特性（ここでは
透過光強度工。）とを用いて のごとく表現できるので、機械研磨引上シワコンウェー
ハの格子間酸素による光吸収に伴なう光透過特性（ここ
では透過光強度工。、３）と鏡面研磨浮遊帯域シリコン
ウェーハの光透過特性（ここでは透過光強度工。）と機
械研磨引上シリコンウェーハの表面における光散乱特性
（ここでは散乱光強度Ｉ　、、）と機械研磨引上シリコ
ンウェーハの裏面における光散乱特性（ここでは散乱光
強度工、□）とを用いて のごと（表現できる。

したがって、引上シリコンウェーハの格子間酸素１度［
０，１は、 と求められる。

研磨引上シリコンウェーハの光透過特性（ここでは透過
光強度■。□）と機械研磨引上シリコンウェーハの表面
における光散乱特性（ここでは散乱光強度工１．）と機
械研磨引上シリコンウェーハの裏面における光散乱特性
（ここでは散乱光強度Ｉ　−Ｊ　との和と鏡面研磨浮遊
帯域シリコンウェーハの光透過特性（ここでは透過光強
度■。）との比の逆数の自然対数である吸光度特性から
算出すればよく、具体的には格子間酸素濃度［０，ｃ］
がＯでない場合の吸光度特性（実線で示す）の波数１１
０６ｃｍ−’における値（すなわちピーク値）と格子間
酸素濃度［０□ｃ１がＯである場合の吸光度特性（破線
で示す）の波数１１０６ｃｍ−’における値とから第２
図に示したごとく求めればよい。

第１の　　の　′−１ また、第１図および第２図を参照しつつ、本発明にかか
るシリコンウェーハの製造方法の第１の実施例を実行す
るための測定装置について、その構成および作用を詳細
に説明する。

厘は、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法を実
行するための測定装置（単に°゛測定装置”ともいう）
であって、グローバー灯などの光源１１と、光源１１か
ら与えられた光を半透明ｆｉ１２Ａによって２つに分け
て可動鏡１２Ｂおよび固定鏡１２Ｇによって反射せしめ
たのち重ね合わせることにより干渉光を形成するマイケ
ルソン干渉計１２と、マイケルソン干渉計１２から与え
られた光（すなわち干渉光）を偏光せしめて得た平行偏
光を後述の搬送装置践によって供給された試料（ここで
は機械研磨引上シリコンウェーハ）Ｍおよび対照　（こ
こでは鏡面研磨浮遊帯域シリコンウェーハ）Ｒに与える
ための偏光子１３と、試料Ｍの光透過特性（ここでは平
行偏光の透過光強度Ｉ。ｍｓｌおよび対照Ｒの光透過特
性にこては平行偏光の透過光強度ＩＯ＋を検出するため
の検出器１４と、検出器１４に接続されており試料Ｍの
光透過特性（すなわち透過光強度Ｉ。ｍｓｌおよび対照
Ｒの光透過特性（すなわち透過光強度■。）から吸光度
特性を算出したのち試＄−４Ｍの格子間酸素濃度を算出
するための計算装置１５と、計ＩＥ装置１５によって算
出された格子間酸素濃度を基準値（たとえば上限基準値
および下限基準値）と比較するための比較袋２１６とを
備えている。試料Ｍおよび対照Ｒと検出器１４との間に
は、必要に応じ、反射鏡１７Ａ、　１７Ｂが挿入されて
いる。ちなみに、マイケルソン干渉計１２と偏光子１３
との間には、必要に応じ、反射鏡（図示せず）が挿入さ
れていてもよい。

搬送装置輩は、試料Ｍおよび対照Ｒをそれぞれ搬送容器
Ｔ　Ｉ　ｌ　＋　Ｔ　ｌ　２から１つずつ押し出すため
の押出部材２１と、押出部材２１によって押し出された
試料Ｍおよび対照Ｒを１つずつ一端部から他端部へ搬送
するための搬送ベルト２２と、搬送ベルト２２の他端部
において試料Ｍおよび対照Ｒを１つずつ把持して測定領
域まで搬送し測定領域で回転装置２３Ａにより試料Ｍお
よび対照Ｒを回転せしめて平行偏光に対しブリュースタ
ー角φ６に保持し格子間酸素濃度の測定が終了したのち
再び回転装置２３Ａにより試料Ｍおよび対照Ｒを当初の
状態まで回転せしめて測定領域から除去するための把持
部材２３と、把持部材２３によって測定領域から除去さ
れ解放された試料Ｍおよび対照Ｒを一端部で受は取って
他端部に配置された搬送容器Ｔ　１１．Ｔａ２゜Ｔ、３
．Ｔ、。まで搬送するための他の搬送ベルト２４とを備
えている。対照Ｒは、搬送容器ＴＩ２に対して収容され
ているが、搬送容器Ｔ、に試料Ｍとともに収容されてい
てもよいにのときには搬送容器ＴＩ２が除去される）。

搬送容器Ｔｘ＋ｒ　Ｔｚａ＋Ｔｔ３．　Ｔａ４は、それ
ぞれ、たとえば格子間酸素濃度が上限の基準値を超えた
不良の試料Ｍを収容するための搬送容器と、格子間酸素
濃度が上限の基準値と下限の基準値との間にある良好な
試料Ｍを収容するための搬送容器と、格子間酸素濃度が
下限の基準値に達しない不良の試料Ｍを収容するための
搬送容器と、対照Ｒを収容するための搬送容器として準
備されており、測定装雪匹の比較装置１６による比較の
結果に応じて試料Ｒを受は取り、また対照Ｒを受は取る
ために搬送ベルト２４の他端部に移動される。

しかして、測定装置厘では、光源１１から与えられた光
からマイケルソン干渉計１２によって作成された干渉光
が、偏光子１３によって平行偏光とされたのち、搬送装
置赳によって搬送容器Ｔ、、、Ｔ、□から１つずつ押し
出されたのち測定領域まで搬送され保持された試料Ｍお
よび対照Ｒに対しブリュースター角φ６で入射される。

試料Ｍおよび対照Ｒでは、その光学特性に応じて吸収な
らびに散乱が行なわれるので、検出器１４による検出結
果から計算装置１５によって算出された吸光度特性は、
第３図に示したごとき形状となる。

計算装置１５は、第３図もしくはこれに相当する料（す
なわち機械研磨引上シリコンウェーハ）Ｍの光吸収係数
αＥを １．０４２ｄ のごとく算出し、更に試料　（すなわち機械研磨引上シ
リコンウェーハ）Ｍの格子間酸素濃度［０，ｃ］を のごとく算出する。

そののち、比較装置１６が、計算装置１５によって算出
された試料（すなわち機械研磨引上シリコンウェーハ）
Ｍの格子間酸素濃度［０，，１を基準値（たとえば上限
基準値および下限基準値）と比較する。

比較装置１６の比較結果は、搬送装置翻に与えられてお
り、試料Ｍおよび対照Ｒを搬送容器Ｔ２１゜Ｔ２□＋　
Ｔｚｓ、　Ｔ２４に収容するために利用される。

ユ東ス二叉通±１ 更に、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法の第
２の実施例゛について、その構成および作用を詳細に説
明する。

第２の実施例は、ブックリング工程に先行する格子間酸
素濃度の測定工程に加え、ゲッタリング工程に後続して
格子間酸素濃度の測定工程を実行してなることを除き、
第１の実施例と同一の構成を有している。

ゲッタリング工程に後続する格子間酸素濃度の測定工程
は、ゲッタリング工程に先行する格子間酸素濃度の測定
工程すなわち第１の実施例のｉ＋ｊ定工程と同一の構成
を有している。

したがって、第２の実施例は、上述の第１の実施例を参
照すれば容易に理解できようから、ここでは、これ以上
の説明を省略する。

ユ１１凶！施土工 加えて、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法の
第３の実施例について、その構成および作用を詳細に説
明する。

第３の実施例は、ゲッタリング工程に先行する格子間酸
素濃度の測定工程に代え、ゲッタリング工程に後続して
格子間酸素濃度の測定工程を実行してなることを除き、
第１の実施例と同一の構成を有している。

ゲッタリング工程に後続する格子間酸素濃度の測定工程
は、第１の実施例の測定工程と同一の構成を有している
。

したがって、第３の実施例は、上述の第１の実施例を参
照すれば容易に理解できようから、ここでは、これ以上
の説明を省略する。

ユ且生豊り 併せて、本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法の
理解を促進する目的で、具体的な数値などを挙げて説明
する。ここでは、便宜上、上述の第１の実施例の場合に
ついて説明する。

夾五五上二亙 引上シリコンウェーハは、まず、表裏両面が機械研磨さ
れた状態（すなわちｍ械研磨引上シリコンウェーハの状
態）で、本発明にががる製造方法にしたがって格子間酸
素濃度［０，ｃ］が測定された（第１表参照）。

そののち、引上シリコンウェーハは、表裏両面が化学研
磨されたのち鏡面研磨され、この状態（すなわち鏡面研
磨引上シリコンウェーハの状態）で、本発明にかかる製
造方法にしたがって格子間酸素濃度［０，ｃｌ”が測定
された（第１表参照）。

機械研磨引上シリコンウェーハについて測定された格子
間酸素濃度［０，ｃｌ　と鏡面研磨引上シリコンウェー
ハについて測定された格子間酸素濃度［０１ｅ］°とは
、それぞれを縦軸Ｙおよび横軸Ｘとするグラフ上にプロ
ットしたところ、第４図に示すとおり、直線Ｙ＝Ｘ上に
あって十分に一致していた。

これにより、本発明によれば、機械研磨引上シリコンウ
ェーハおよび鏡面研磨浮遊帯域シリコンウェーハをその
まま試料および対照として採用することにより、引上シ
リコンウェーハの格子間酸素濃度［０，Ｃ］を製造ライ
ン中で直接に測定できることが判明した。

」良形血圧 なお、上述では、マイケルソン干渉計１２を利用した場
合についてのみ説明したが、本発明は、これに限定され
るものではなく、マイケルソン干渉計に代え分光器を利
用する場合をも包摂している。

また、格子間酸素濃度の測定工程が鏡面研磨工程に後続
したゲッタリング工程の前後で実行される場合について
のみ説明したが、本発明は、これらに限定されるもので
はなく、格子間酸素濃度の測定工程が鏡面研磨工程に後
続した他の所望の箇所　（たとえばシリコンウェーハの
検査工程）で実行される場合も包摂している。

（３）発明の効果 上述より明らかなように、本発明にかかるシリコンウェ
ーハの製造方法は、上述の［問題点の解決手段］の欄に
開示したごとく、機械研磨工程によって表裏両面が機械
研磨され未鏡面研磨の引上シリコンウェーハの光透過特
性と表裏両面が鏡面研磨された浮遊帯域シリコンウェー
ハの光透過特性とから引上シリコンウェーハの格子間酸
素濃度を算出し基準値と比較することにより格子間酸素
濃度が不良の引上シリコンウェーハを排除しているので
、 ｆｉ１表裏両面が鏡面研磨された浮遊帯域シリコンウェ
ーハを加工することなく鏡面のままで使用可能とできる
効果 を有し、ひいては （１１）引上シリコンウェーハの格子間酸素濃度の測定
作業を簡潔とできる効果 を有し、これにより （ｉｉｉｌ引上シリコンウェーハの格子間酸素濃度を製
造ライン中の所望の箇所で全数検査によって測定可能と
できる効果 を有し、結果的に ｆｉｖｌ製造ラインの生産性を改善できる効果を有する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかるシリコンウェーハの製造方法の
第１の実施例を実行するための製造装置を示す簡略構成
図、第２図は本発明にかかるシリコンウェーハの製造方
法の第１の実施例を実行するための搬送装置を示す簡略
構成図、第３図および第４図は本発明にかかるシリコン
ウェーハの製造方法の一実施例を説明するための説明図
である。 ｌＯ・・・・・・・・・・・・・・・測定装置１１・・
・・・・・・・・・・光源 １２・・・・・・・・・・・・マイケルソン干渉計１２
Ａ　　・　・　・半透明鏡 １２Ｂ　　　　　・　可動鏡 １２ｃｍ−・固定鏡 １３・・・　・　　　・偏光子 １４　　・・・・・・・・・検出器 １５・・・・・・・・・・計算装置 １６・・・・　・　・比較装置 １７Ａ、１７Ｂ・　・・・・反射鏡 ２０・・・・・・　・・・・・搬送装置２１・・・・・
・・・・・押出部材 ２２・・・　　・・・・搬送ベルト ２３・・・・　　・・・把持部材 ２３Ａ　　　　・・回転装置 ２４・・・　・・　・・　搬送ベルト Ｍ・・・・・・・・・・　試料 Ｒ・・・・・・・・・　・・・・対照 Ｔ　１１　、　Ｔ　Ｉ２・・・・・・・搬送容器Ｔｅｌ
〜Ｔ２４・・　・・・搬送容器 第２図 毅

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　引上シリコン単結晶から切り出されたウェーハに対し
   機械研磨工程を含む一連の処理工程を施すことにより引
   上シリコンウェーハを作成してなるシリコンウェーハの
   製造方法において、 （ａ）機械研磨工程で表裏両面が機械研磨された未鏡面
   研磨の引上シリコンウェーハに対し平行偏光をブリュー
   スター角で入射せしめることにより引上シリコンウェー
   ハの光透過特性を測定するための第１の工程と、 （ｂ）表裏両面が鏡面研磨された対照としての浮遊帯域
   シリコンウェーハに対し平行偏光をブリュースター角で
   入射せしめることにより浮遊帯域シリコンウェーハの光
   透過特性を測定するための第２の工程と、 （ｃ）第１の工程によって測定された引上シリコンウェ
   ーハの光透過特性と第２の工程によって測定された浮遊
   帯域シリコンウェーハの光透過特性とから引上シリコン
   ウェーハの格子間酸素濃度を算出するための第３の工程
   と、 （ｄ）第３の工程によって算出された引上シリコンウェ
   ーハの格子間酸素濃度を基準値と比較するための第４の
   工程と、 （ｅ）第４の工程によって比較された結果に応じ格子間
   酸素濃度が不良の引上シリコンウェーハを排除するため
   の第５の工程とを備えてなることを特徴とするシリコン
   ウェーハの製造方法。