JPH04106975A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH04106975A JPH04106975A JP2224608A JP22460890A JPH04106975A JP H04106975 A JPH04106975 A JP H04106975A JP 2224608 A JP2224608 A JP 2224608A JP 22460890 A JP22460890 A JP 22460890A JP H04106975 A JPH04106975 A JP H04106975A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像装置の製造方法に関する。
第３図（ａ）〜（ｄ）は、縦型オーバフロードレイン構
造、埋込みホトタイオートを有するＣＣＤ型の固体撮像
装置の製造方法の従来例を説明するための工程順に配置
した半導体チップの断面図である。
造、埋込みホトタイオートを有するＣＣＤ型の固体撮像
装置の製造方法の従来例を説明するための工程順に配置
した半導体チップの断面図である。
まず、第３図（ａ）に示すように、単結晶Ｓｉからなる
Ｎ型半導体基板１の表面部にドース量１ｏ１２／ｃｍ２
程度のＰ型ウェル２を形成し、Ｐ＋型チャネルストッパ
４（ドース量１０１３／ｃｍ２程度）を形成して素子分
離を行ない、Ｎ型の電荷転送領域３（ドーズ量１ｏ１２
／ｃｍ２程度）を形成し、電荷転送パルスを加える電極
となる３００ｎｍ膜厚のリンドープされたポリシリコン
膜からなる電荷転送電極７を形成する 次に第３図（ｂ
）に示すように、電荷転送電極７及びその表面の酸化シ
リコン膜をマスクにしてＮ型不純′Ｓ（例えばリン）を
ドーズ量Ｉ Ｑ １２′ｃ ｍ”程度イオン注入し、光
信号蓄積部にあたるＮ−型のホトダイオ−１−領域８を
形成する、 次に第３図（ｃ）に示すように、ホトレジスト膜９をマ
スクにしてＰ型不純物（例えばホロン）をイオン注入し
、浅くＰ＋型半導体層１０を形成し、第３図（ｄ）に示
すように、ホトレジスト膜９を剥離する。
Ｎ型半導体基板１の表面部にドース量１ｏ１２／ｃｍ２
程度のＰ型ウェル２を形成し、Ｐ＋型チャネルストッパ
４（ドース量１０１３／ｃｍ２程度）を形成して素子分
離を行ない、Ｎ型の電荷転送領域３（ドーズ量１ｏ１２
／ｃｍ２程度）を形成し、電荷転送パルスを加える電極
となる３００ｎｍ膜厚のリンドープされたポリシリコン
膜からなる電荷転送電極７を形成する 次に第３図（ｂ
）に示すように、電荷転送電極７及びその表面の酸化シ
リコン膜をマスクにしてＮ型不純′Ｓ（例えばリン）を
ドーズ量Ｉ Ｑ １２′ｃ ｍ”程度イオン注入し、光
信号蓄積部にあたるＮ−型のホトダイオ−１−領域８を
形成する、 次に第３図（ｃ）に示すように、ホトレジスト膜９をマ
スクにしてＰ型不純物（例えばホロン）をイオン注入し
、浅くＰ＋型半導体層１０を形成し、第３図（ｄ）に示
すように、ホトレジスト膜９を剥離する。
一発明か解決しようとする課題〕
上述した従来の固体撮像装置の製造方法によると、Ｐ゛
型型厚導体層１０ホトレジスト膜をマスクにしてイオン
注入により形成するため、埋込みホトダイオード領域８
′ のうち、表面にＰ°型型半体体層１０形成されてい
ない領域の面積は、ホトレジスト膜の目合せ工程でのず
れにより工程毎にばらついてしまう可能性が大きい。こ
のため暗電流、光信号蓄積容量の残像などの緒特性のは
らつきかさけられないという欠点かある、５課題を解決
するための手段ミ 本発明は、第１導電型半導体基板の表面部に設けられた
第２導電型ウェルに第２導電型チャ本ルストッパて光電
変換領域及び電荷転送領域３区両し、前記電荷転送領域
上にゲート絶縁膜を介して電荷転送電極を形成し、前記
光電変換領域に表面か前記電荷転送領域近傍を除き第２
導電型半導体層で覆われた第１導電型の埋込みホトダイ
オード領域を形成する固体撮像装置の製造方法において
、前記第２導電型半導体層を前記電荷転送電極と自己整
合して形成するというものである。
型型厚導体層１０ホトレジスト膜をマスクにしてイオン
注入により形成するため、埋込みホトダイオード領域８
′ のうち、表面にＰ°型型半体体層１０形成されてい
ない領域の面積は、ホトレジスト膜の目合せ工程でのず
れにより工程毎にばらついてしまう可能性が大きい。こ
のため暗電流、光信号蓄積容量の残像などの緒特性のは
らつきかさけられないという欠点かある、５課題を解決
するための手段ミ 本発明は、第１導電型半導体基板の表面部に設けられた
第２導電型ウェルに第２導電型チャ本ルストッパて光電
変換領域及び電荷転送領域３区両し、前記電荷転送領域
上にゲート絶縁膜を介して電荷転送電極を形成し、前記
光電変換領域に表面か前記電荷転送領域近傍を除き第２
導電型半導体層で覆われた第１導電型の埋込みホトダイ
オード領域を形成する固体撮像装置の製造方法において
、前記第２導電型半導体層を前記電荷転送電極と自己整
合して形成するというものである。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための工程順に配置した半導体チップの断面図である
６ 従来例において、第３図（ａ）、（ｂ）を参照して説明
した工程の後に第１図（ａ）に示すように、ポリシリコ
ン膜１１を厚さ４００ｎｍ程度堆積し、リンドープを行
なった後に、第１図（ｂ）に示すように、巽方性工・ソ
チングを行ない電荷転送電極７の側面に酸化シリコン膜
１４を介してサイドウオール１２１１２−２を形成する
、次に、第１図（ｃ）に示すように、電荷転送電極７及
びサイドウオール１２−１．１２−２をマスクにしてＰ
型不純Ｓ（例えばホロン）を１０１３ｃｍ２程度イオン
注入し自己整合的にＰ＋型半導体層１０ａを形成する。
るための工程順に配置した半導体チップの断面図である
６ 従来例において、第３図（ａ）、（ｂ）を参照して説明
した工程の後に第１図（ａ）に示すように、ポリシリコ
ン膜１１を厚さ４００ｎｍ程度堆積し、リンドープを行
なった後に、第１図（ｂ）に示すように、巽方性工・ソ
チングを行ない電荷転送電極７の側面に酸化シリコン膜
１４を介してサイドウオール１２１１２−２を形成する
、次に、第１図（ｃ）に示すように、電荷転送電極７及
びサイドウオール１２−１．１２−２をマスクにしてＰ
型不純Ｓ（例えばホロン）を１０１３ｃｍ２程度イオン
注入し自己整合的にＰ＋型半導体層１０ａを形成する。
サイドウオールの幅がなだらかに上方へ向って小さくな
っているので、Ｐ゛型型半体体層１０ａ不純物濃度プロ
ファイルはサイドウオール直下近辺で電荷転送電極７へ
向って減少する傾斜を持つことになる。次に、第１図（
ｄ）に示すように、サイドウオールをウエットエ・ソチ
て除去する。
っているので、Ｐ゛型型半体体層１０ａ不純物濃度プロ
ファイルはサイドウオール直下近辺で電荷転送電極７へ
向って減少する傾斜を持つことになる。次に、第１図（
ｄ）に示すように、サイドウオールをウエットエ・ソチ
て除去する。
サイドウオールの幅はポリシリコン膜１１の厚さで決定
されるので高精度に制御でき、再現性よく埋込みホトタ
イオート領域８’ ｂを形成できる。
されるので高精度に制御でき、再現性よく埋込みホトタ
イオート領域８’ ｂを形成できる。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示す半導体チップの断面図である。
るための工程順に示す半導体チップの断面図である。
第１の実施例と同様にサイドウオールを形成した後、第
２図（ａ）に示すように、電荷転送電極７に付随したサ
イドウオールのうちホトダイオード領域８ａから信号を
読出す部分に存在するサイドウオール１２−１以外は不
要であるために、ホトレジスト膜１３てサイドウオール
１２−また（す遮へいし、サイドウオール１２−２はウ
ェットエツチングて除去してしまう。次に、第２図（ｂ
）に示すように、電極転送電極７及びサイドウオール１
２−１をマスクにしてＰ型不純物（例えばホロン）を１
０１３／ｃｍ２程度イオン注入し、自己整合的にＰ＋型
半導体層１０ｂを形成する。次に第２図（Ｃ）に示すよ
うに、サイドウオール１２−１をウェットエッチして除
去してしまう。この実施例では、サイドウオール１２−
２をエツチングしてしまってからイオン注入を行うので
、Ｐ＋型半導体層１０ｂとＰ＋型チャネルストッパ４の
重なりを十分確保し電気的導通を十分に図れるという利
点がある。
２図（ａ）に示すように、電荷転送電極７に付随したサ
イドウオールのうちホトダイオード領域８ａから信号を
読出す部分に存在するサイドウオール１２−１以外は不
要であるために、ホトレジスト膜１３てサイドウオール
１２−また（す遮へいし、サイドウオール１２−２はウ
ェットエツチングて除去してしまう。次に、第２図（ｂ
）に示すように、電極転送電極７及びサイドウオール１
２−１をマスクにしてＰ型不純物（例えばホロン）を１
０１３／ｃｍ２程度イオン注入し、自己整合的にＰ＋型
半導体層１０ｂを形成する。次に第２図（Ｃ）に示すよ
うに、サイドウオール１２−１をウェットエッチして除
去してしまう。この実施例では、サイドウオール１２−
２をエツチングしてしまってからイオン注入を行うので
、Ｐ＋型半導体層１０ｂとＰ＋型チャネルストッパ４の
重なりを十分確保し電気的導通を十分に図れるという利
点がある。
３発明の効果］
以上説明したように本発明は、電荷転送電極の側部にサ
イドウオールを設けた後イオン注入を行ないＰ“型半導
体層を形成して埋込みホトダイオード領域を形成する二
とにより、Ｐ＋型半導体層は、電荷転送領域に対して自
己整合して形成できるため、量体撮像装置の暗電流、光
信号蓄積容量、残像なとの諸特性のばらつきを抑えるこ
とかできる効果かある。
イドウオールを設けた後イオン注入を行ないＰ“型半導
体層を形成して埋込みホトダイオード領域を形成する二
とにより、Ｐ＋型半導体層は、電荷転送領域に対して自
己整合して形成できるため、量体撮像装置の暗電流、光
信号蓄積容量、残像なとの諸特性のばらつきを抑えるこ
とかできる効果かある。
イオード領域、８’ 、８’ ａ、８′ｂ・・埋込みホ
トダイオード領域、９・ホトレジスト膜、］０］、Ｏａ
、１０ｂ・Ｐ“型半導体層、１１・・ポリシリコン′膜
、１２−１．１２−２・・サイドウオール、１３・・・
ホトレジスト膜、１４・・酸化シリコン膜。
トダイオード領域、９・ホトレジスト膜、］０］、Ｏａ
、１０ｂ・Ｐ“型半導体層、１１・・ポリシリコン′膜
、１２−１．１２−２・・サイドウオール、１３・・・
ホトレジスト膜、１４・・酸化シリコン膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型半導体基板の表面部に設けられた第２導
電型ウェルに第２導電型チャネルストッパで光電変換領
域及び電荷転送領域を区画し、前記電荷転送領域上にゲ
ート絶縁膜を介して電荷転送電極を形成し、前記光電変
換領域に表面が前記電荷転送領域近傍を除き第２導電型
半導体層で覆われた第１導電型の埋込みホトダイオード
領域を形成する固体撮像装置の製造方法において、前記
第２導電型半導体層を前記電荷転送電極と自己整合して
形成することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 ２、電荷転送電極の側面に絶縁膜を介してサイドウォー
ルを形成したのち、前記電荷転送電極及びサイドウォー
ルをマスクにしてイオン注入を行ない第２導電型半導体
層を形成する請求項１記載の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224608A JPH04106975A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224608A JPH04106975A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106975A true JPH04106975A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16816395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2224608A Pending JPH04106975A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04106975A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288496A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP2224608A patent/JPH04106975A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288496A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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