JPH04107933A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH04107933A JPH04107933A JP2227217A JP22721790A JPH04107933A JP H04107933 A JPH04107933 A JP H04107933A JP 2227217 A JP2227217 A JP 2227217A JP 22721790 A JP22721790 A JP 22721790A JP H04107933 A JPH04107933 A JP H04107933A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要］
半導体チップをリードフレームに接着して樹脂で封止し
てなる半導体装置の製造方法に関し、リードフレームと
封止樹脂との密着性を強め、吸収された水分の気化膨張
によるクラックの発生を防止することを目的とし、 半導体チップを前記樹脂で封止する前に、リードフレー
ムに遠紫外線を照射し７て、リードフレームの表面に形
成されている酸化物層を除去するようにする。
てなる半導体装置の製造方法に関し、リードフレームと
封止樹脂との密着性を強め、吸収された水分の気化膨張
によるクラックの発生を防止することを目的とし、 半導体チップを前記樹脂で封止する前に、リードフレー
ムに遠紫外線を照射し７て、リードフレームの表面に形
成されている酸化物層を除去するようにする。
［産業上の利用分野］
本発明は半導体チップをリードフレームに接着して樹脂
で封止してなる半導体装置の製造方法に関する。
で封止してなる半導体装置の製造方法に関する。
［従来の技術］
従来、半導体チップをリードフレームに接着して樹脂で
封止してなる半導体装置の製造方法として第３図にその
工程図を示すようなものが提案されている。
封止してなる半導体装置の製造方法として第３図にその
工程図を示すようなものが提案されている。
この方法によれば、まず、第３図Ａに示すように、リー
ドフレームｌを用意する。なお、図中、２は半導体チッ
プを接着するステージ（アイランド、ダイパッド）、３
は外部端子たるリード、４はポンディングパッドの部分
を示している。また、このリードフレーム１は銅（Ｃｕ
）で形成され、第４図にその平面図を示すように、ステ
ージ２の部分及びポンディングパッド４の部分にアルミ
ニウム（ＡＩ）２６をメツキされている。
ドフレームｌを用意する。なお、図中、２は半導体チッ
プを接着するステージ（アイランド、ダイパッド）、３
は外部端子たるリード、４はポンディングパッドの部分
を示している。また、このリードフレーム１は銅（Ｃｕ
）で形成され、第４図にその平面図を示すように、ステ
ージ２の部分及びポンディングパッド４の部分にアルミ
ニウム（ＡＩ）２６をメツキされている。
次に、第３図Ｂに示すように、ステージ２に銀ペースト
５を塗布した後、第３図Ｃに示すように、半導体チップ
６をステージ２に接着する。
５を塗布した後、第３図Ｃに示すように、半導体チップ
６をステージ２に接着する。
次に、全体を加熱し、銀ペースト５の溶剤を蒸発させた
後、第３図りに示すように、金線７を使用したワイヤボ
ンディングを行う。
後、第３図りに示すように、金線７を使用したワイヤボ
ンディングを行う。
次に、第３図Ｅに示すように、エポキシ樹脂等の樹脂８
を使用して半導体チップ６を封止した後、ボストキュア
を行い、即ち、所定温度の下に所定時間数１して樹脂８
を硬化させ、その後、リードフレーム１の不必要な部分
の切断、リード３の部分の折り曲げ、メツキ等の工程を
経て、第３図Ｆに示すように、半導体チップ６をリード
フレーム１に接着して樹脂８で封止してなる半導体装置
を得ることができる。
を使用して半導体チップ６を封止した後、ボストキュア
を行い、即ち、所定温度の下に所定時間数１して樹脂８
を硬化させ、その後、リードフレーム１の不必要な部分
の切断、リード３の部分の折り曲げ、メツキ等の工程を
経て、第３図Ｆに示すように、半導体チップ６をリード
フレーム１に接着して樹脂８で封止してなる半導体装置
を得ることができる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、かかる従来の半導体装置の製造方法にお
いては、半導体チップ６をステージ２に接着した後、銀
ペースト５中の溶剤を蒸発させる工程やワイヤボンディ
ングを行う工程で、リードフレーム１に熱が加わるため
、第５図Ａ、Ｂに示すように、リードフレーム１のアル
ミニウムメツキがされていない部分に酸化銅９が形成さ
れてしまう。このなめ、リードフレーム１と樹脂８との
密着性が劣化し、湿気の吸収により、ステージ２の裏面
の樹脂部分にクラックが発生してしまう場合があるとい
う問題点があった。なお、第６図は、吸湿によるクラッ
クの発生過程を示す図であって、第６図Ａに示すように
、パッケージに水分が吸収されると、第６図Ｂに示すよ
うに、吸収された水分が気化ｍ張し、ステージ２の裏面
に、部分的に樹脂８の剥離部分１０が発生する。そして
、第６図Ｃに示すように、ステージ２の裏面の樹脂８の
剥離部分１０が大きくなると、第６図りに示すように、
樹脂８にクラック１１が発生してしまう。
いては、半導体チップ６をステージ２に接着した後、銀
ペースト５中の溶剤を蒸発させる工程やワイヤボンディ
ングを行う工程で、リードフレーム１に熱が加わるため
、第５図Ａ、Ｂに示すように、リードフレーム１のアル
ミニウムメツキがされていない部分に酸化銅９が形成さ
れてしまう。このなめ、リードフレーム１と樹脂８との
密着性が劣化し、湿気の吸収により、ステージ２の裏面
の樹脂部分にクラックが発生してしまう場合があるとい
う問題点があった。なお、第６図は、吸湿によるクラッ
クの発生過程を示す図であって、第６図Ａに示すように
、パッケージに水分が吸収されると、第６図Ｂに示すよ
うに、吸収された水分が気化ｍ張し、ステージ２の裏面
に、部分的に樹脂８の剥離部分１０が発生する。そして
、第６図Ｃに示すように、ステージ２の裏面の樹脂８の
剥離部分１０が大きくなると、第６図りに示すように、
樹脂８にクラック１１が発生してしまう。
特に、近年、半導体チップ６の大型化や、実装密度の向
上を図ろうとすることから、樹脂８の膜厚を薄く形成す
る傾向にあり、この点からしても、かかる吸湿によるク
ラックの発生は重要な問題となっており、その対策が急
がれていた。
上を図ろうとすることから、樹脂８の膜厚を薄く形成す
る傾向にあり、この点からしても、かかる吸湿によるク
ラックの発生は重要な問題となっており、その対策が急
がれていた。
本発明は、かかる点に鑑み、リードフレームと封止樹脂
との密着性を強め、吸収された水分の気化膨張によるク
ラックの発生を防止することができるようにした半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
との密着性を強め、吸収された水分の気化膨張によるク
ラックの発生を防止することができるようにした半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
「課題を解決するための手段］
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体チップを
リードフレームに接着して樹脂で封止してなる半導体装
置の製造方法において、前記半導体チップを前記樹脂で
封止する前に、前記リードフレームに遠紫外線を照射し
て、前記リードフレームの表面に形成されている酸化物
層を除去する工程を設けるというものである。
リードフレームに接着して樹脂で封止してなる半導体装
置の製造方法において、前記半導体チップを前記樹脂で
封止する前に、前記リードフレームに遠紫外線を照射し
て、前記リードフレームの表面に形成されている酸化物
層を除去する工程を設けるというものである。
［作用］
本発明によれば、リードフレームの表面に形成されてい
る酸化物層を除去した後、半導体チップの樹脂封止が行
われるので、リードフレームと樹脂との密着性を高める
ことができる。
る酸化物層を除去した後、半導体チップの樹脂封止が行
われるので、リードフレームと樹脂との密着性を高める
ことができる。
［実施例］
以下、第１図及び第２図を参照して、本発明の一実施例
につき説明する。なお、第１図において第３図に対応す
る部分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。
につき説明する。なお、第１図において第３図に対応す
る部分には同一符号を付し、その重複説明は省略する。
第１図は本発明による半導体装置の製造方法の一実施例
を示す図であって、本実施例においては、第１図Ａ〜第
１図りに示すように、第３図Ａ〜第３図りに示すと同様
の工程を実行して、リードフレーム１のステージ２上に
半導体チップ６を接着し、ワイヤボンディングを行う。
を示す図であって、本実施例においては、第１図Ａ〜第
１図りに示すように、第３図Ａ〜第３図りに示すと同様
の工程を実行して、リードフレーム１のステージ２上に
半導体チップ６を接着し、ワイヤボンディングを行う。
次に、第１図Ｅに示すように、マスク１２を使用して、
半導体チップ６の表面及びリードフレーム１のポンディ
ングパッド４の部分を除き、即ち、リードフレーム１の
アルミニウムメツキがされていない部分にのみ遠紫外線
を照射し、この部分に形成されている酸化＠９を除去す
る。なお、この遠紫外線の照射は、波長１０７〜３５３
．３ｎｍのエキシマレーザを５０Ｊ／ｃｍ２の照射エネ
ルギーで照射して行うことが好適である。
半導体チップ６の表面及びリードフレーム１のポンディ
ングパッド４の部分を除き、即ち、リードフレーム１の
アルミニウムメツキがされていない部分にのみ遠紫外線
を照射し、この部分に形成されている酸化＠９を除去す
る。なお、この遠紫外線の照射は、波長１０７〜３５３
．３ｎｍのエキシマレーザを５０Ｊ／ｃｍ２の照射エネ
ルギーで照射して行うことが好適である。
次に、第１図Ｆに示すように、エポキシ樹脂等の樹脂８
を使用して半導体チップ６を封止した後、ボストキュア
を行い、即ち、所定温度の下に所定時間放置して樹脂８
を硬化させ、その後、リードフレーム１の不必要な部分
の切断、リード３の部分の折り曲げ、メツキ等の工程を
経て、第１図Ｇに示すように、半導体チップ６をリード
フレーム１に接着して樹脂８で封止してなる半導体装置
を得ることができる。
を使用して半導体チップ６を封止した後、ボストキュア
を行い、即ち、所定温度の下に所定時間放置して樹脂８
を硬化させ、その後、リードフレーム１の不必要な部分
の切断、リード３の部分の折り曲げ、メツキ等の工程を
経て、第１図Ｇに示すように、半導体チップ６をリード
フレーム１に接着して樹脂８で封止してなる半導体装置
を得ることができる。
第２図は、本実施例において、遠紫外線を照射する場合
に使用することができる遠紫外線照射装置の一例の要部
を示す図である。
に使用することができる遠紫外線照射装置の一例の要部
を示す図である。
図中、１３は波長２４８ｎｍのＫｒ（クリプトン）Ｆ（
フッ素）レーザを発生するＫｒＦレーザ発生部、１４は
ＫｒＦレーザ発生部１３から発生したＫｒＦレーザ、１
５．１６．１７はミラー、１８はＫｒＦレーザ１４の通
過を制御するシャッタ、１９はシャッタ１５の開閉を制
御するシャッタコントローラ、２０は照射光学系、２１
はＫｒＦレーザ１４が半導体チップ６やリードフレーム
１のポンディングパッド４の部分に照射しないようにす
るためのマスク、２２は投影レンズ系、２３は半導体チ
ップ６を接着したリードフレームｌを搭載するためのス
テージ、２４はステージ２３のＸＹ力方向移動を制御す
るステージコントローラ、２５は真空吸引器であって、
この遠紫外線照射装置は、ステージ２３上に搭載された
リードフレーム１をいわゆるステップ・アンド・リピー
ト方式で露光しようとするものである。
フッ素）レーザを発生するＫｒＦレーザ発生部、１４は
ＫｒＦレーザ発生部１３から発生したＫｒＦレーザ、１
５．１６．１７はミラー、１８はＫｒＦレーザ１４の通
過を制御するシャッタ、１９はシャッタ１５の開閉を制
御するシャッタコントローラ、２０は照射光学系、２１
はＫｒＦレーザ１４が半導体チップ６やリードフレーム
１のポンディングパッド４の部分に照射しないようにす
るためのマスク、２２は投影レンズ系、２３は半導体チ
ップ６を接着したリードフレームｌを搭載するためのス
テージ、２４はステージ２３のＸＹ力方向移動を制御す
るステージコントローラ、２５は真空吸引器であって、
この遠紫外線照射装置は、ステージ２３上に搭載された
リードフレーム１をいわゆるステップ・アンド・リピー
ト方式で露光しようとするものである。
なお、このＫｒＦレーザ１４等、遠紫外線の露光は、ス
テップ・アンド・リピート露光の他に、−括露光やスキ
ャン露光でも良く、このスキャン露光の場合はレーザス
キャン方式でも、ステージスキャン方式でも良い。
テップ・アンド・リピート露光の他に、−括露光やスキ
ャン露光でも良く、このスキャン露光の場合はレーザス
キャン方式でも、ステージスキャン方式でも良い。
かかる本実施例によれば、リードフレーム１のステージ
２上に半導体チップ６を接着し、ワイヤボンディングを
行った後、樹脂８による封止を行う前に、リードフレー
ム１のアルミニウムメツキがされていない部分に遠紫外
線を照射し、この部分に形成されている酸化銅９を除去
するようにしているので、リードフレーム１と樹脂８と
の密着性を高めることができる。したがって、吸収され
た水分の気化膨張によるクラックの発生を効果的に防止
することができる。
２上に半導体チップ６を接着し、ワイヤボンディングを
行った後、樹脂８による封止を行う前に、リードフレー
ム１のアルミニウムメツキがされていない部分に遠紫外
線を照射し、この部分に形成されている酸化銅９を除去
するようにしているので、リードフレーム１と樹脂８と
の密着性を高めることができる。したがって、吸収され
た水分の気化膨張によるクラックの発生を効果的に防止
することができる。
なお、ここに、アルゴン（Ａｒ）等のスパッタによって
酸化銅９を除去する方法が考えられるが、この方法では
、半導体チップ６に対するスパッタを避けることができ
ず、半導体チップ６の破壊を招くため、結局、この方法
は採用することができない。
酸化銅９を除去する方法が考えられるが、この方法では
、半導体チップ６に対するスパッタを避けることができ
ず、半導体チップ６の破壊を招くため、結局、この方法
は採用することができない。
［発明の効果コ
以上のように、本発明によれば、半導体チップを樹脂で
封止する前に、リードフレームに遠紫外線を照射して、
リードフレームの表面に形成されている酸化物層を除去
するという方法を採用したことにより、即ち、リードフ
レームの表面に形成されている酸化物層を除去した後、
半導体チップの樹脂封止を行うとしたことにより、リー
ドフレームと封止樹脂との密着性を高めることができる
ので、吸収された水分の気化膨張によるクラックの発生
を防止することができる。
封止する前に、リードフレームに遠紫外線を照射して、
リードフレームの表面に形成されている酸化物層を除去
するという方法を採用したことにより、即ち、リードフ
レームの表面に形成されている酸化物層を除去した後、
半導体チップの樹脂封止を行うとしたことにより、リー
ドフレームと封止樹脂との密着性を高めることができる
ので、吸収された水分の気化膨張によるクラックの発生
を防止することができる。
第１図は本発明による半導体装置の製造方法の一実施例
を示す図、 第２図は本発明の一実施例で使用される遠紫外線照射装
置の一例の要部を示す図、 第３図は従来の半導体装置の製造方法の一例を示す図、 第４図は第３図従来例で使用しているリードフレームを
示す平面図、 第５図は第３図従来例の半導体装置の製造方法が有して
いる問題点を説明するための図、第６図は吸湿によるク
ラックの発生過程を示す図である。 １・・・リードフレーム ６・・・半導体チップ ８・・・樹脂 ９・・・酸化銅 （Ａ） ４ ４（Ｂ） （Ｃ） 本発明による半導体装置の製造方法の一実施例第１図 遠紫外線 遠紫外線 本発明による半導体装置の製造方法の一実施例第１図 本発明の一実施例で使用される 遠紫外線照射装置の一例の要部 第２図 （Ａ） ４ ４ 従来の半導体装置の製造方法の一例 従来の半導体装置の製造方法の一例 第３図従来例で使用しているリードフレームの平面図第
４図 （Ａ） が有している問題点を説明するための図第５図
を示す図、 第２図は本発明の一実施例で使用される遠紫外線照射装
置の一例の要部を示す図、 第３図は従来の半導体装置の製造方法の一例を示す図、 第４図は第３図従来例で使用しているリードフレームを
示す平面図、 第５図は第３図従来例の半導体装置の製造方法が有して
いる問題点を説明するための図、第６図は吸湿によるク
ラックの発生過程を示す図である。 １・・・リードフレーム ６・・・半導体チップ ８・・・樹脂 ９・・・酸化銅 （Ａ） ４ ４（Ｂ） （Ｃ） 本発明による半導体装置の製造方法の一実施例第１図 遠紫外線 遠紫外線 本発明による半導体装置の製造方法の一実施例第１図 本発明の一実施例で使用される 遠紫外線照射装置の一例の要部 第２図 （Ａ） ４ ４ 従来の半導体装置の製造方法の一例 従来の半導体装置の製造方法の一例 第３図従来例で使用しているリードフレームの平面図第
４図 （Ａ） が有している問題点を説明するための図第５図
Claims (1)
- 半導体チップをリードフレームに接着して樹脂で封止し
てなる半導体装置の製造方法において、前記半導体チッ
プを前記樹脂で封止する前に、前記リードフレームに遠
紫外線を照射して、前記リードフレームの表面に形成さ
れている酸化物層を除去することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227217A JPH04107933A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227217A JPH04107933A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107933A true JPH04107933A (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16857334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2227217A Pending JPH04107933A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04107933A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150551A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Orc Mfg Co Ltd | リードフレームの表面処理機構およびその方法 |
| JP2012523685A (ja) * | 2009-04-08 | 2012-10-04 | タイコ エレクトロニクス アンプ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハウツンク | 電子ハウジング用の導体グリッドおよび製造方法 |
| US8298869B2 (en) * | 2008-03-21 | 2012-10-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin package and production method thereof |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP2227217A patent/JPH04107933A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000150551A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Orc Mfg Co Ltd | リードフレームの表面処理機構およびその方法 |
| US8298869B2 (en) * | 2008-03-21 | 2012-10-30 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resin package and production method thereof |
| JP2012523685A (ja) * | 2009-04-08 | 2012-10-04 | タイコ エレクトロニクス アンプ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハウツンク | 電子ハウジング用の導体グリッドおよび製造方法 |
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