JPH0613488A - 回路基板とその製造方法 - Google Patents
回路基板とその製造方法Info
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- JPH0613488A JPH0613488A JP4166360A JP16636092A JPH0613488A JP H0613488 A JPH0613488 A JP H0613488A JP 4166360 A JP4166360 A JP 4166360A JP 16636092 A JP16636092 A JP 16636092A JP H0613488 A JPH0613488 A JP H0613488A
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- metal foil
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 ＩＣのような半導体素子を含む回路素子を実
装するための回路基板とその製造方法に関し、低コスト
で薄形の熱放散性の良い回路基板とその製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 樹脂基板１の面の上に金属箔を形成する工程
と、前記金属箔に該金属箔による回路パターン４と回路
素子２の放熱領域のパターンとを形成する工程と、前記
樹脂基板の前記放熱領域のパターンの反対側の面にレー
ザ光を照射して照射領域の前記樹脂基板部分を除去し、
前記回路素子が内包できるような穴を形成して前記放熱
領域の金属箔を露出させる工程と、前記穴に前記回路素
子を挿入して前記回路素子と前記放熱領域の露出した金
属箔とを接着する工程とを有する。
装するための回路基板とその製造方法に関し、低コスト
で薄形の熱放散性の良い回路基板とその製造方法を提供
することを目的とする。 【構成】 樹脂基板１の面の上に金属箔を形成する工程
と、前記金属箔に該金属箔による回路パターン４と回路
素子２の放熱領域のパターンとを形成する工程と、前記
樹脂基板の前記放熱領域のパターンの反対側の面にレー
ザ光を照射して照射領域の前記樹脂基板部分を除去し、
前記回路素子が内包できるような穴を形成して前記放熱
領域の金属箔を露出させる工程と、前記穴に前記回路素
子を挿入して前記回路素子と前記放熱領域の露出した金
属箔とを接着する工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣのような半導体素
子を含む回路素子を実装するための回路基板とその製造
方法に関する。
子を含む回路素子を実装するための回路基板とその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】回路基板は一般に樹脂製基板上に銅箔等
による回路パターンを形成し、ＩＣチップや抵抗素子あ
るいはコンデンサ素子のような電気回路素子を回路パタ
ーンの上にハンダ等により接着して形成される。
による回路パターンを形成し、ＩＣチップや抵抗素子あ
るいはコンデンサ素子のような電気回路素子を回路パタ
ーンの上にハンダ等により接着して形成される。
【０００３】近年、小型の電気製品や電卓あるいはＩＣ
カード等に代表されるように回路基板の小型化、特に薄
形化の要求が強くなっている。回路基板を薄くするため
には樹脂製基板を薄くしたり、回路部品自体を小型にす
る方法が行われる一方、回路基板への回路部品の実装方
法も改良されねばならない。
カード等に代表されるように回路基板の小型化、特に薄
形化の要求が強くなっている。回路基板を薄くするため
には樹脂製基板を薄くしたり、回路部品自体を小型にす
る方法が行われる一方、回路基板への回路部品の実装方
法も改良されねばならない。
【０００４】同時に、回路基板が小型化すると回路素子
とくに半導体素子のような発熱の大きな素子からの熱の
放出の問題も重要となるので、熱放散性の高い基板構造
が考えられねばならない。
とくに半導体素子のような発熱の大きな素子からの熱の
放出の問題も重要となるので、熱放散性の高い基板構造
が考えられねばならない。
【０００５】図４に示すものは、従来の技術による回路
基板の断面図である。樹脂基板４１の一方の面に半導体
素子４２が入るような穴４３を基板４１の途中まで機械
加工によりあけて、その中に半導体素子４２を配置して
熱伝導のよい接着材４４で基板４１と接着させる。そし
て半導体素子４２の端子（ボンディングパッド）と回路
パターン４５とをワイヤーボンディングする。穴４３に
半導体素子４２が入るので回路基板全体の高さが低くな
る。
基板の断面図である。樹脂基板４１の一方の面に半導体
素子４２が入るような穴４３を基板４１の途中まで機械
加工によりあけて、その中に半導体素子４２を配置して
熱伝導のよい接着材４４で基板４１と接着させる。そし
て半導体素子４２の端子（ボンディングパッド）と回路
パターン４５とをワイヤーボンディングする。穴４３に
半導体素子４２が入るので回路基板全体の高さが低くな
る。
【０００６】図５の回路基板は従来の技術によるプラス
チック・ピン・グリッドアレイの断面図である。ＰＣＢ
樹脂基板５１に半導体素子５２が配置される貫通孔５３
が機械加工により形成される。
チック・ピン・グリッドアレイの断面図である。ＰＣＢ
樹脂基板５１に半導体素子５２が配置される貫通孔５３
が機械加工により形成される。
【０００７】さらに貫通孔５３の周囲に貫通孔５３より
少し広い凹み部５４を機械加工により形成し、そこに熱
伝導率の良い材料でできたヒートシンク５５が接着さ
れ、ヒートシンク５５に半導体素子５２が熱伝導のよい
接着材５６で接着される。
少し広い凹み部５４を機械加工により形成し、そこに熱
伝導率の良い材料でできたヒートシンク５５が接着さ
れ、ヒートシンク５５に半導体素子５２が熱伝導のよい
接着材５６で接着される。
【０００８】その後、半導体素子５２の端子と回路パタ
ーン５７とをワイヤーボンディングし、半導体素子５２
を覆うように樹脂モールド５８を施す。５９は回路パタ
ーン５７と外部回路（図示せず）とを接続するためのリ
ードピンである。
ーン５７とをワイヤーボンディングし、半導体素子５２
を覆うように樹脂モールド５８を施す。５９は回路パタ
ーン５７と外部回路（図示せず）とを接続するためのリ
ードピンである。
【０００９】図５の構造では機械加工による貫通孔５３
によって回路基板の高さが押さえられ、かつヒートシン
ク５５により半導体素子５２からの熱放散が促進され
る。
によって回路基板の高さが押さえられ、かつヒートシン
ク５５により半導体素子５２からの熱放散が促進され
る。
【００１０】
【発明が解決する課題】図４の従来の技術における回路
基板構造では穴４３を穿った分だけ半導体素子４２によ
る高さが低くできるので薄形化には寄与するものの、機
械加工により穴４３をあけるために穴の深さすなわち基
板の薄い部分の厚みのばらつきが大きくなる。
基板構造では穴４３を穿った分だけ半導体素子４２によ
る高さが低くできるので薄形化には寄与するものの、機
械加工により穴４３をあけるために穴の深さすなわち基
板の薄い部分の厚みのばらつきが大きくなる。
【００１１】しかも樹脂基板を介して放熱するために熱
放散性がそれほど良くならなかった。また、基板４１の
機械的強度を保つためにある程度の基板の厚みを残して
穴を加工するために、その分、回路基板の薄形化には限
界があった。
放散性がそれほど良くならなかった。また、基板４１の
機械的強度を保つためにある程度の基板の厚みを残して
穴を加工するために、その分、回路基板の薄形化には限
界があった。
【００１２】また、図５の従来の技術における回路基板
構造では穴を穿った分だけ半導体素子５２による高さが
低くできるのは図４の基板構造と同様であるが、別体の
ヒートシンク５５を取り付けるためにヒートシンク５５
の厚み分だけ回路基板の高さを低くできない。
構造では穴を穿った分だけ半導体素子５２による高さが
低くできるのは図４の基板構造と同様であるが、別体の
ヒートシンク５５を取り付けるためにヒートシンク５５
の厚み分だけ回路基板の高さを低くできない。
【００１３】さらにヒートシンク５５により熱放散性は
向上するものの、機械加工の工程が増加し、しかもヒー
トシンク部品を別に製造して基板５１に接着しなければ
ならないために製造工程が複雑になりコスト増大とな
る。また、接着部分が多くなるので、その部分の信頼性
の確保がむずかしくなるといった問題が発生する。
向上するものの、機械加工の工程が増加し、しかもヒー
トシンク部品を別に製造して基板５１に接着しなければ
ならないために製造工程が複雑になりコスト増大とな
る。また、接着部分が多くなるので、その部分の信頼性
の確保がむずかしくなるといった問題が発生する。
【００１４】本発明の目的は、低コストで薄形の熱放散
性の良い回路基板とその製造方法を提供することにあ
る。
性の良い回路基板とその製造方法を提供することにあ
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明による回路基板の
製造方法は、樹脂基板の面の上に金属箔を形成する工程
と、前記金属箔に該金属箔による回路パターンと回路素
子の放熱領域のパターンとを形成する工程と、前記樹脂
基板の前記放熱領域のパターンの反対側の面にレーザ光
を照射して照射領域の前記樹脂基板部分を除去し、前記
回路素子が内包できるような穴を形成して前記放熱領域
の金属箔を露出させる工程と、前記穴に前記回路素子を
挿入して前記回路素子と前記放熱領域の露出した金属箔
とを接着する工程とを有する。
製造方法は、樹脂基板の面の上に金属箔を形成する工程
と、前記金属箔に該金属箔による回路パターンと回路素
子の放熱領域のパターンとを形成する工程と、前記樹脂
基板の前記放熱領域のパターンの反対側の面にレーザ光
を照射して照射領域の前記樹脂基板部分を除去し、前記
回路素子が内包できるような穴を形成して前記放熱領域
の金属箔を露出させる工程と、前記穴に前記回路素子を
挿入して前記回路素子と前記放熱領域の露出した金属箔
とを接着する工程とを有する。
【００１６】本発明による回路基板は、樹脂基板と、前
記樹脂基板の面に金属箔により形成された回路パターン
と回路素子の放熱領域と、前記樹脂基板の前記放熱領域
が形成された面と反対側の面に前記放熱領域の金属箔が
露出するように形成された前記回路素子を内包可能な穴
と、前記穴の底に露出した前記金属箔の面に接着された
前記回路素子とを有する。
記樹脂基板の面に金属箔により形成された回路パターン
と回路素子の放熱領域と、前記樹脂基板の前記放熱領域
が形成された面と反対側の面に前記放熱領域の金属箔が
露出するように形成された前記回路素子を内包可能な穴
と、前記穴の底に露出した前記金属箔の面に接着された
前記回路素子とを有する。
【００１７】
【作用】金属箔の放熱領域を回路パターンと同時に形成
し、樹脂基板に設けた穴の中に回路素子を埋設して穴の
底の露出した金属箔と回路素子とを接着することによっ
て回路基板が薄くなり、しかもより直接的に金属箔を介
して回路素子からの熱の放散が行われる。
し、樹脂基板に設けた穴の中に回路素子を埋設して穴の
底の露出した金属箔と回路素子とを接着することによっ
て回路基板が薄くなり、しかもより直接的に金属箔を介
して回路素子からの熱の放散が行われる。
【００１８】
【実施例】図１は本発明の実施例による回路基板の断面
図である。エポキシやポリイミド等の樹脂成分のみで形
成された樹脂基板１に半導体素子（ＩＣ）２が配置され
る穴すなわちデバイスホール３が形成されている。デバ
イスホール３はレーザにより樹脂基板１の樹脂を除去し
銅箔５の部分が露出するまで穴をあけて形成する。
図である。エポキシやポリイミド等の樹脂成分のみで形
成された樹脂基板１に半導体素子（ＩＣ）２が配置され
る穴すなわちデバイスホール３が形成されている。デバ
イスホール３はレーザにより樹脂基板１の樹脂を除去し
銅箔５の部分が露出するまで穴をあけて形成する。
【００１９】樹脂基板は一般的には熱膨張係数をＳｉに
近付ける目的でガラス布が含まれているが、本実施例で
は後で説明するレーザ加工を容易に施すためにガラス布
の含まれない樹脂成分のみの基板材料を用いる。
近付ける目的でガラス布が含まれているが、本実施例で
は後で説明するレーザ加工を容易に施すためにガラス布
の含まれない樹脂成分のみの基板材料を用いる。
【００２０】樹脂基板１の両面には回路パターン４が銅
箔により形成されており、同時に回路パターン４と同じ
銅箔により放熱板５も形成されている。さらに穴３内に
は半導体素子２が収納され熱伝導のよい接着材あるいは
ハンダ６により放熱板５と接着される。
箔により形成されており、同時に回路パターン４と同じ
銅箔により放熱板５も形成されている。さらに穴３内に
は半導体素子２が収納され熱伝導のよい接着材あるいは
ハンダ６により放熱板５と接着される。
【００２１】半導体素子２の端子（ボンディングパッ
ド）と回路パターン４とはワイヤーボンディングで接続
され、半導体素子２を覆うように樹脂モールド７が施さ
れている。図１の回路基板は図５の回路基板のようなリ
ードピンが不要なプラスチックリードレスチップキャリ
ア（ＰＬＣＣ）と呼ばれるものである。もちろん、本発
明は図５のようなプラスチック・ピン・グリッドアレイ
にも適用できることは言うまでもない。
ド）と回路パターン４とはワイヤーボンディングで接続
され、半導体素子２を覆うように樹脂モールド７が施さ
れている。図１の回路基板は図５の回路基板のようなリ
ードピンが不要なプラスチックリードレスチップキャリ
ア（ＰＬＣＣ）と呼ばれるものである。もちろん、本発
明は図５のようなプラスチック・ピン・グリッドアレイ
にも適用できることは言うまでもない。
【００２２】図１の回路基板においては、回路パターン
４と同じ工程で同じ銅箔材料により放熱板５が形成され
るので、図５の従来技術のようにわざわざヒートシンク
を別に用意して接着する必要がなく、ヒートシンクや樹
脂基板の厚みによって回路基板の高さが制限されない。
４と同じ工程で同じ銅箔材料により放熱板５が形成され
るので、図５の従来技術のようにわざわざヒートシンク
を別に用意して接着する必要がなく、ヒートシンクや樹
脂基板の厚みによって回路基板の高さが制限されない。
【００２３】したがって、回路基板の薄形化が効果的に
でき、しかも銅箔により半導体素子２の熱放散性が高め
られる。もちろん、熱放散が必要なのは半導体素子にか
ぎらないので、電流が流れることにより熱が発生する抵
抗素子や他の熱を多く発生して放熱が必要な回路素子を
図１の半導体素子２に置き換えても同様な効果が得られ
るであろう。
でき、しかも銅箔により半導体素子２の熱放散性が高め
られる。もちろん、熱放散が必要なのは半導体素子にか
ぎらないので、電流が流れることにより熱が発生する抵
抗素子や他の熱を多く発生して放熱が必要な回路素子を
図１の半導体素子２に置き換えても同様な効果が得られ
るであろう。
【００２４】次に、図２を参照して図１の回路基板の製
造方法の実施例について工程順に説明する。図２（Ａ）
で、樹脂基板１の全面に銅箔１４を張り付ける。銅箔の
厚みは通常の回路基板では１８μｍ程度であるが、本実
施例では放熱板としての機械強度を保つためにそれより
も厚く約３５μｍ程度あるいはそれ以上とする。
造方法の実施例について工程順に説明する。図２（Ａ）
で、樹脂基板１の全面に銅箔１４を張り付ける。銅箔の
厚みは通常の回路基板では１８μｍ程度であるが、本実
施例では放熱板としての機械強度を保つためにそれより
も厚く約３５μｍ程度あるいはそれ以上とする。
【００２５】次に図２（Ｂ）に示すように、必要なエッ
チングやスルーホール（図示せず）の孔開けを行ない、
パネルメッキ法で回路パターン４を形成する。その際に
回路パターン４と同時に放熱板５も形成する。さらに回
路パターン４にチップ部品接着とリード線接着のための
ソルダーレジスト印刷とＮｉ，Ａｕメッキをそれぞれ施
す。デバイスホール３の部分は樹脂基板１の表面を露出
させる。
チングやスルーホール（図示せず）の孔開けを行ない、
パネルメッキ法で回路パターン４を形成する。その際に
回路パターン４と同時に放熱板５も形成する。さらに回
路パターン４にチップ部品接着とリード線接着のための
ソルダーレジスト印刷とＮｉ，Ａｕメッキをそれぞれ施
す。デバイスホール３の部分は樹脂基板１の表面を露出
させる。
【００２６】さらに、図２（Ｃ）で示すように、エキシ
マレーザ光を放熱板５と反対側の基板部に照射し、エキ
シマレーザ光１０が照射された基板樹脂材に光化学反応
によって結合開裂（分解）を生じせしめる。
マレーザ光を放熱板５と反対側の基板部に照射し、エキ
シマレーザ光１０が照射された基板樹脂材に光化学反応
によって結合開裂（分解）を生じせしめる。
【００２７】そして図２（Ｄ）で示すように、レーザ照
射領域に放熱板５が露出するまで基板樹脂を除去し、デ
バイスホール３を形成する。エキシマレーザによるデバ
イスホール３の形成は後でさらに説明する。
射領域に放熱板５が露出するまで基板樹脂を除去し、デ
バイスホール３を形成する。エキシマレーザによるデバ
イスホール３の形成は後でさらに説明する。
【００２８】その後、図１に示すように、半導体素子２
を熱伝導の良い接着材６で放熱板５にダイボンディング
し、半導体素子２のアルミパッド８と基板の回路パター
ン４とをＡｕワイヤー９で結線し、半導体素子２及び結
線部分をトランスファー成形あるいは液状樹脂にて封止
する。また図示はしないが、半導体素子１以外の抵抗や
コンデンサといったチップ部品も回路パターン４に接着
される。
を熱伝導の良い接着材６で放熱板５にダイボンディング
し、半導体素子２のアルミパッド８と基板の回路パター
ン４とをＡｕワイヤー９で結線し、半導体素子２及び結
線部分をトランスファー成形あるいは液状樹脂にて封止
する。また図示はしないが、半導体素子１以外の抵抗や
コンデンサといったチップ部品も回路パターン４に接着
される。
【００２９】上記実施例においてデバイスホール３を形
成するのにはエキシマレーザを使用することが推奨され
る。エキシマレーザのような高強度の紫外線レーザを樹
脂のような有機高分子材料（ポリマ）表面に照射する
と、照射された部分が瞬間的に分解・飛散するアブレー
ションと呼ばれる現象が起こる。
成するのにはエキシマレーザを使用することが推奨され
る。エキシマレーザのような高強度の紫外線レーザを樹
脂のような有機高分子材料（ポリマ）表面に照射する
と、照射された部分が瞬間的に分解・飛散するアブレー
ションと呼ばれる現象が起こる。
【００３０】エキシマレーザの波長と強度を基板材料の
種類に応じて適切に選択すれば、このアブレーションに
よって、樹脂基板にデバイスホール３を精度よくシャー
プにあけ、かつ銅箔の放熱板５にはダメージを与えるこ
とがないようにできる。
種類に応じて適切に選択すれば、このアブレーションに
よって、樹脂基板にデバイスホール３を精度よくシャー
プにあけ、かつ銅箔の放熱板５にはダメージを与えるこ
とがないようにできる。
【００３１】次に、図３（Ａ），（Ｂ）を参照してエキ
シマレーザによるデバイスホール３の形成方法の実施例
について以下説明する。図３（Ａ）において、エキシマ
レーザヘッド２１は、たとえば、ＫｒＦレーザチューブ
を含み、レーザ駆動部２２によって駆動される。エキシ
マレーザヘッド２１から放射されるエキシマレーザビー
ムはミラー２３，２４によって光路（矢印）が調整され
マクス２５に入射する。
シマレーザによるデバイスホール３の形成方法の実施例
について以下説明する。図３（Ａ）において、エキシマ
レーザヘッド２１は、たとえば、ＫｒＦレーザチューブ
を含み、レーザ駆動部２２によって駆動される。エキシ
マレーザヘッド２１から放射されるエキシマレーザビー
ムはミラー２３，２４によって光路（矢印）が調整され
マクス２５に入射する。
【００３２】放熱板５の形状に対応する開口部３８（図
３（Ｂ））を有するマスク２５によって整形されたエキ
シマレーザビームは、ミラー２６によって下方に曲げら
れ、イメージングレンズ２７を通って図２（Ｂ）で示す
基板１のデバイスホール形成領域に結像する。
３（Ｂ））を有するマスク２５によって整形されたエキ
シマレーザビームは、ミラー２６によって下方に曲げら
れ、イメージングレンズ２７を通って図２（Ｂ）で示す
基板１のデバイスホール形成領域に結像する。
【００３３】所望の倍率で基板上に結像するよう、マス
ク２５、イメージングレンズ２７の位置は、コントロー
ラ３１からの制御信号により調整される。上方から撮像
モニタ２９により基板１が観測され基板表面のパターン
情報が信号化されてコントローラ３１に供給される。ま
た、高さモニタ３２は、基板１の高さをモニタし、測定
結果を高さ信号としてコントローラ３１に供給する。
ク２５、イメージングレンズ２７の位置は、コントロー
ラ３１からの制御信号により調整される。上方から撮像
モニタ２９により基板１が観測され基板表面のパターン
情報が信号化されてコントローラ３１に供給される。ま
た、高さモニタ３２は、基板１の高さをモニタし、測定
結果を高さ信号としてコントローラ３１に供給する。
【００３４】コントローラ３１は、撮像モニタ２９、高
さモニタ３２から供給されたモニタ信号に基づき、各制
御部分を制御するための信号を発生する。コントローラ
３１は、位置合わせ信号をＸステージ３３、Ｙステージ
３４を含む加工ステージ３５に送り、マスク２５で整形
されたエキシマレーザ光が正確にデバイスホール領域に
照射されるように基板１の位置決めを行う。なお、加工
ステージ３５はＸ，Ｙ調整の他、Ｚ調整やθ調整を行う
こともできる。
さモニタ３２から供給されたモニタ信号に基づき、各制
御部分を制御するための信号を発生する。コントローラ
３１は、位置合わせ信号をＸステージ３３、Ｙステージ
３４を含む加工ステージ３５に送り、マスク２５で整形
されたエキシマレーザ光が正確にデバイスホール領域に
照射されるように基板１の位置決めを行う。なお、加工
ステージ３５はＸ，Ｙ調整の他、Ｚ調整やθ調整を行う
こともできる。
【００３５】エキシマレーザヘッド２１は、ＫｒＦの場
合、たとえば８ｍｍ×２５ｍｍのレーザビームをパルス
繰り返し数２００ｐｐｓ、出力エネルギ２５０ｍＪ、平
均出力５０Ｗ、パルス幅１６ｎｓで発生する。
合、たとえば８ｍｍ×２５ｍｍのレーザビームをパルス
繰り返し数２００ｐｐｓ、出力エネルギ２５０ｍＪ、平
均出力５０Ｗ、パルス幅１６ｎｓで発生する。
【００３６】なお、ＫｒＦレーザの波長は約２４８ｎｍ
である。なお、エキシマレーザがＡｒＦの場合は、発振
波長は約１９３ｎｍであり、ＸｅＣｌレーザの場合は、
発振波長は約３０８ｎｍである。
である。なお、エキシマレーザがＡｒＦの場合は、発振
波長は約１９３ｎｍであり、ＸｅＣｌレーザの場合は、
発振波長は約３０８ｎｍである。
【００３７】次に、図３（Ｂ）にエキシマレーザビーム
の整形方法を概略的に示す。マスク２５は、銅合金やモ
リブデン等の金属で形成され、所望パターンの開口３８
を有する。マスク２５に入射したエキシマレーザビーム
は、マスク２５を新たな光源として、イメージングレン
ズ２７によって基板１上に結像される。
の整形方法を概略的に示す。マスク２５は、銅合金やモ
リブデン等の金属で形成され、所望パターンの開口３８
を有する。マスク２５に入射したエキシマレーザビーム
は、マスク２５を新たな光源として、イメージングレン
ズ２７によって基板１上に結像される。
【００３８】マスク２５とイメージングレンズ２７の間
の距離をａとし、イメージングレンズ２７と基板１との
間の距離をｂとすると、１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆ（ｆは
イメージングレンズ２７の焦点距離）の関係が成立す
る。光学系の焦点距離、倍率を変更するときは、イメー
ジングレンズ２７に設けられたＺ調整機構３６と、マス
ク２５の駆動機構を用い、これらの位置を調整すること
によって行う。
の距離をａとし、イメージングレンズ２７と基板１との
間の距離をｂとすると、１／ａ＋１／ｂ＝１／ｆ（ｆは
イメージングレンズ２７の焦点距離）の関係が成立す
る。光学系の焦点距離、倍率を変更するときは、イメー
ジングレンズ２７に設けられたＺ調整機構３６と、マス
ク２５の駆動機構を用い、これらの位置を調整すること
によって行う。
【００３９】以上説明した実施例ではデバイスホール３
の形成にエキシマレーザを用いた。理由は以下の通りで
ある。ＹＡＧレーザ、ＣＯ2 レーザあるいはＡｒレーザ
等の他の加工用レーザでの加工はレーザ光の熱エネルギ
により材料を加工するものであるのに対し、エキシマレ
ーザでは先に説明したようにエキシマレーザ光による樹
脂材料の光化学変化を利用する。
の形成にエキシマレーザを用いた。理由は以下の通りで
ある。ＹＡＧレーザ、ＣＯ2 レーザあるいはＡｒレーザ
等の他の加工用レーザでの加工はレーザ光の熱エネルギ
により材料を加工するものであるのに対し、エキシマレ
ーザでは先に説明したようにエキシマレーザ光による樹
脂材料の光化学変化を利用する。
【００４０】そのため、加工部分の形状が他のレーザ加
工に比べ非常にシャープで所望の領域を正確に加工でき
る。しかも非加工物以外の材料例えば銅箔にはダメージ
を与えない。
工に比べ非常にシャープで所望の領域を正確に加工でき
る。しかも非加工物以外の材料例えば銅箔にはダメージ
を与えない。
【００４１】しかし、放熱板となる銅箔部分を損傷しな
いように加工制御できればエキシマレーザ以外のレーザ
でデバイスホールを形成することも可能である。また、
デバイスホールの加工制御が可能であればレーザ加工で
なく、ドリル等の機械加工も利用できる。
いように加工制御できればエキシマレーザ以外のレーザ
でデバイスホールを形成することも可能である。また、
デバイスホールの加工制御が可能であればレーザ加工で
なく、ドリル等の機械加工も利用できる。
【００４２】また、デバイスホールの大部分を機械加工
で行い、銅箔に近い部分の樹脂基板についてはレーザ加
工を行うといった２段階の加工工程を採用することもで
きる。
で行い、銅箔に近い部分の樹脂基板についてはレーザ加
工を行うといった２段階の加工工程を採用することもで
きる。
【００４３】本発明は上記開示の実施例に限るものでは
なく、当業者であれば開示にもとづきて様々な改良や変
更が可能であることは言うまでもない。
なく、当業者であれば開示にもとづきて様々な改良や変
更が可能であることは言うまでもない。
【００４４】
【発明の効果】金属箔の放熱領域を回路パターンと同時
に形成し、樹脂基板に設けた穴の中に回路素子を埋設し
て穴の底の露出した金属箔と回路素子とを接着すること
によって回路基板を薄く製造できる。
に形成し、樹脂基板に設けた穴の中に回路素子を埋設し
て穴の底の露出した金属箔と回路素子とを接着すること
によって回路基板を薄く製造できる。
【００４５】しかも回路パターンと同じ材料で同時に作
った金属箔の放熱板を介して回路素子からの熱の放散が
行われるので、わざわざヒートシンクを別に用意して基
板に接着する必要がなく、信頼性が高く薄形化と放熱性
の向上とを実現した回路基板を低コストで得ることがで
きる。
った金属箔の放熱板を介して回路素子からの熱の放散が
行われるので、わざわざヒートシンクを別に用意して基
板に接着する必要がなく、信頼性が高く薄形化と放熱性
の向上とを実現した回路基板を低コストで得ることがで
きる。
【図１】 本発明の実施例による回路基板の断面図であ
る。
る。
【図２】 図１の回路基板の製造工程を説明するための
図である。
図である。
【図３】 エキシマレーザによるデバイスホールの加工
装置の外観図である。
装置の外観図である。
【図４】 従来の技術による回路基板の断面図である。
【図５】 従来の技術による回路基板の断面図である。
１・・・・・樹脂基板 ２・・・・・半導体素子（ＩＣ） ３・・・・・デバイスホール ４・・・・・回路パターン ５・・・・・放熱板 ６・・・・・接着材 ７・・・・・封止樹脂 ８・・・・・アルミパッド ９・・・・・Ａｕ線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/00 Ｎ 6921−4Ｅ
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂基板の面の上に金属箔を形成する工
程と、 前記金属箔に該金属箔による回路パターンと回路素子の
放熱領域のパターンとを形成する工程と、 前記樹脂基板の前記放熱領域のパターンの反対側の面に
レーザ光を照射して照射領域の前記樹脂基板部分を除去
し、前記回路素子が内包できるような穴を形成して前記
放熱領域の金属箔を露出させる工程と、 前記穴に前記回路素子を挿入して前記回路素子と前記放
熱領域の露出した金属箔とを接着する工程とを有する回
路基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記レーザ光がエキシマレーザの出力光
であり、前記樹脂基板の前記放熱領域のパターンの反対
側の面に該エキシマレーザの出力光を照射して照射領域
の前記樹脂基板部分を分解して除去する請求項１記載の
回路基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記回路素子が半導体素子である請求項
１ないし２記載の回路基板の製造方法。 - 【請求項４】 樹脂基板と、 前記樹脂基板の面に金属箔により形成された回路パター
ンと回路素子の放熱領域と、 前記樹脂基板の前記放熱領域が形成された面と反対側の
面に前記放熱領域の金属箔が露出するように形成され、
前記回路素子を内包可能な穴と、 前記穴の底に露出した前記金属箔の面に接着された前記
回路素子とを有する回路基板。 - 【請求項５】 前記回路素子が半導体素子である請求項
４記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166360A JPH0613488A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 回路基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4166360A JPH0613488A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 回路基板とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613488A true JPH0613488A (ja) | 1994-01-21 |
Family
ID=15829950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4166360A Withdrawn JPH0613488A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 回路基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0613488A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685102A (ja) * | 1992-08-31 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
| JPH09107167A (ja) * | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Hitachi Aic Inc | プリント配線板の製造方法 |
| JPH09130038A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Hitachi Aic Inc | プリント配線板の製造方法 |
| EP0756444A3 (en) * | 1995-07-24 | 1997-11-05 | International Business Machines Corporation | Computer system peripheral cartridges with welded seams |
| US5826330A (en) * | 1995-12-28 | 1998-10-27 | Hitachi Aic Inc. | Method of manufacturing multilayer printed wiring board |
| US5935399A (en) * | 1996-01-31 | 1999-08-10 | Denso Corporation | Air-fuel ratio sensor |
| US6068746A (en) * | 1996-09-04 | 2000-05-30 | Denso Corporation | Oxygen sensor having a solid electrolyte applicable to an internal combustion engine |
| KR20010058584A (ko) * | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지 |
| JP2015053465A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-03-19 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| KR20180112480A (ko) * | 2017-04-04 | 2018-10-12 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 레이저 다이렉트 패터닝 시스템 및 방법 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP4166360A patent/JPH0613488A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2015053465A (ja) * | 2013-08-05 | 2015-03-19 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| KR20180112480A (ko) * | 2017-04-04 | 2018-10-12 | 한국산업기술대학교산학협력단 | 레이저 다이렉트 패터닝 시스템 및 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |