JPH04109501U - セラミツク電子部品 - Google Patents

セラミツク電子部品

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JPH04109501U
JPH04109501U JP2087391U JP2087391U JPH04109501U JP H04109501 U JPH04109501 U JP H04109501U JP 2087391 U JP2087391 U JP 2087391U JP 2087391 U JP2087391 U JP 2087391U JP H04109501 U JPH04109501 U JP H04109501U
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JP
Japan
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electrode
ceramic electronic
metal layer
ceramic
electronic component
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Pending
Application number
JP2087391U
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English (en)
Inventor
章 沢崎
信悦 柴田
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 当該部品の諸特性安定化及び量産性向上を図
ることのできるセラミック電子部品を提供すること。 【構成】 金属層4をセラミック素体2の電極3に被着
することにより、金属層4が電極3の酸化を防止する。
また金属層4の融点は、半田5の融点に近似しているた
め、リード線6接続前にセラミック素体2を半田5の融
点近傍まで余熱しておけば、半田付け性が向上する。

Description

【考案の詳細な説明】
[考案の目的]
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、バリスタ等のセラミック電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
セラミック電子部品は、セラミック素体の表面に銅等の電極を形成し、この電 極に半田付け等によりリード線を接続したものである。ところで電極表面が酸化 すると、電子部品の諸特性の劣化を招くことがある。この酸化を防止するため、 通常セラミック素体の表面に電極を形成した直後に電極表面を酸化防止膜で覆い 、その後リード線を接続している。また量産性を考慮してリード線接続に際し、 電極を形成したセラミック素体を余熱しておき、半田付け作業が容易に行えるよ うにもしている。
【0003】 セラミック電子部品の内特にバリスタは、諸特性を発揮する上で電極表面の酸 化防止が重要となってくる。 すなわち、電極が酸化すると、半田付け性が悪くなり、導通不良や十分な半田付 け強度が得られないことにもなる。
【0004】 一方酸化防止膜として特公昭58-22545号公報に開示されたイミダゾール化合物 (商品名「グリコート」)が知られているが、余熱温度が150 °C以上になると 防止膜としての機能を果たさなくなる。本来半田の融点(200 乃至300 °C)ま で余熱温度を高くした方が量産する上で好ましいが、イミダゾール化合物の酸化 防止膜を用いた場合は、150 °C以下で余熱を行っていた。
【0005】
【考案が解決しようとする課題】
上述したように、イミダゾール化合物による酸化防止膜では、余熱温度に制限 があるため、効率良く半田付け作業ができないという問題があった。
【0006】 そこで本考案は、上記事情に鑑みてなされたものであり、当該部品の諸特性安 定化及び量産性向上を図ることのできるセラミック電子部品を提供することを目 的とするものである。
【0007】 [考案の構成]
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本考案は、セラミック素体と、この素体の表面に形 成された電極と、この電極にろう付合金により電気的に接続されたリード線とか らなるセラミック電子部品において、ろう付け性が良好で、かつ、融点が前記ろ う付合金に近似した金属層を前記電極の表面に被着し、その上から前記リード線 を前記ろう付合金によりろう付けしたことを特徴とするものである。
【0009】
【作用】
このように構成されたセラミック電子部品によれば、金属層を電極に被着する ことにより、金属層が電極の酸化を防止する。また金属層の融点は、ろう付合金 の融点に近似しているため、リード線接続前にセラミック素体をろう付合金の融 点近傍まで余熱しておけば、ろう付合金によるろう付け性が向上する。
【0010】
【実施例】
以下に本考案の実施例を図面を参照して詳述する。
【0011】 図1は本考案の一実施例のセラミック電子部品1の平面図、図2は図1におけ るA−A線断面図である。
【0012】 本電子部品1は、スタン酸ストロンチウム(SrTiO3 )を主成分とするリ ング状に形成された非直線性抵抗素子としてのセラミック素体2と、この素体2 の表面に設けられ銅より形成された電極3と、この電極3の表面に被着された金 属層4と、この金属層4にろう付合金として50%以上のすずを含有した半田5に より接続されたリード線6とからなるものである。
【0013】 前記金属層4は、半田付け性が良好で、かつ、半田の融点に近似した融点(23 2 °C)を有するすずとしている。また金属層4は、例えば無電解すずめっきに より形成される。金属層4の被着面積は、バリスタ特性に影響を与えない範囲で 、電極3の外側にはみ出して電極3を完全に覆うようにしてもよく、僅かに電極 3より小さい面積としてもよい。
【0014】 次に上記実施例部品1の一製造方法について説明する。
【0015】 まずセラミック素体2を焼成してリング状に形成した後、電極3をセラミック 素体2の表面に設け、電極3に金属層4を被着する。次に金属層4を被着したセ ラミック素体2全体を250 乃至300 °Cで余熱する。余熱が十分できた後、リー ド線6を半田5により電極3に接続する。その後洗浄等をしてセラミック電子部 品1が完成する。
【0016】 このように製造された外径10.7mmのセラミック電子部品1について、本考案者 らが余熱温度条件300 °C下で行った実験によれば、リード線(又は端子)への 従来半田付けの不良率が、85%であったものが、0%とすることができた。また 半田付けの広がり面積は、従来0.03cm2 であったものが、0.08cm2 に広げること ができた。この半田付けの広がり面積が広いということは、余熱温度によりリー ド線6との十分な半田付け強度が得られることを意味する。従って半田6を半田 線としてリード線接続面に自動的に供給することも可能となり、量産性向上が図 れる。
【0017】 なお、本考案は上記実施例に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々 に変形実施可能である。
【0018】
【考案の効果】
以上詳述した本考案によれば、融点がろう付合金に近似し金属層を電極に被着 しているので、金属層が電極の酸化を妨げ、リード線接続前にセラミック素体を ろう付合金の融点近傍まで余熱しておけば、ろう付合金によるろう付け性が向上 するので、効率良くリード線を接続できるため、当該部品の諸特性安定化及び量 産性向上を図ることのできるセラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例のセラミック電子部品の平面
図である。
【図2】図1におけるA−A線断面図である。
【符号の説明】
1 セラミック電子部品 2 セラミック素体 3 電極 4 金属層 5 半田(ろう付合金) 6 リード線

Claims (4)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セラミック素体と、この素体の表面に形
    成された電極と、この電極にろう付合金により電気的に
    接続されたリード線とからなるセラミック電子部品にお
    いて、ろう付け性が良好で、かつ、融点が前記ろう付合
    金に近似した金属層を前記電極の表面に被着し、その上
    から前記リード線を前記ろう付合金によりろう付けした
    ことを特徴とするセラミック電子部品。
  2. 【請求項2】 前記ろう付合金を50%以上のすずを含
    有する半田とし、前記金属層をすずとする請求項1記載
    のセラミック電子部品。
  3. 【請求項3】 前記セラミック素体を電圧非直線性抵抗
    素子とする請求項1又は2記載のセラミック電子部品。
  4. 【請求項4】 前記電極を銅電極とする請求項3記載の
    セラミック電子部品。
JP2087391U 1991-03-08 1991-03-08 セラミツク電子部品 Pending JPH04109501U (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55115276A (en) * 1979-02-26 1980-09-05 Tdk Electronics Co Ltd Voltage nonnlinear resistance element
JPH01289213A (ja) * 1988-05-17 1989-11-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電圧依存性非直線抵抗体素子の製造法

Patent Citations (2)

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970430