JPH0410980A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JPH0410980A JPH0410980A JP2113382A JP11338290A JPH0410980A JP H0410980 A JPH0410980 A JP H0410980A JP 2113382 A JP2113382 A JP 2113382A JP 11338290 A JP11338290 A JP 11338290A JP H0410980 A JPH0410980 A JP H0410980A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- thin film
- optical recording
- dielectric layer
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はレーザービーム等により、情報を高密嵐 大容
量で記録再生及び消去できる光記録媒体に関するもので
あも 従来の技術 光デイスクメモリに関してｉ友 ＴｅとＴｅＯ２を主成
分とするＴ ｅ ０ｘ（０＜ ｘ ＜２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがあも また繰り返し記録・消去
が可能な消去ディスクが実用化されつつあムこの消去デ
ィスクはレーザ光により記録薄膜を加熱し 溶融し 急
冷することにより、非晶質化して情報を記録し またこ
れを加熱し徐冷することにより結晶化して消去すること
ができるものである力交 この記録薄膜の材料としては
Ｓ、 Ｒ，○ＶＳｈ １ｎｓｋｙ （ニス・アール・
オプシンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ１５Ｔｅ８
１Ｓ ｂ２Ｓ２等が知られていも ま？＝Ａｓ２Ｓ３や
Ａｓ２Ｓｅ３あるいはＳｂ２Ｓｅ３等カルコゲン元素と
周期律表第Ｖ族あるいはＧｅ等の第 族元素等の組み合
せからなる薄膜等が広く知られていも これらの記録薄膜をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板
に形成し 光ディスクとして用いることができる。
量で記録再生及び消去できる光記録媒体に関するもので
あも 従来の技術 光デイスクメモリに関してｉ友 ＴｅとＴｅＯ２を主成
分とするＴ ｅ ０ｘ（０＜ ｘ ＜２．０）薄膜を用
いた追記型のディスクがあも また繰り返し記録・消去
が可能な消去ディスクが実用化されつつあムこの消去デ
ィスクはレーザ光により記録薄膜を加熱し 溶融し 急
冷することにより、非晶質化して情報を記録し またこ
れを加熱し徐冷することにより結晶化して消去すること
ができるものである力交 この記録薄膜の材料としては
Ｓ、 Ｒ，○ＶＳｈ １ｎｓｋｙ （ニス・アール・
オプシンスキー）氏等のカルコゲン材料Ｇｅ１５Ｔｅ８
１Ｓ ｂ２Ｓ２等が知られていも ま？＝Ａｓ２Ｓ３や
Ａｓ２Ｓｅ３あるいはＳｂ２Ｓｅ３等カルコゲン元素と
周期律表第Ｖ族あるいはＧｅ等の第 族元素等の組み合
せからなる薄膜等が広く知られていも これらの記録薄膜をレーザ光ガイド用の溝を設けた基板
に形成し 光ディスクとして用いることができる。
これらのディスクにレーザ光で情報を記録し その情報
を消去する方法としては あらかじめ記録薄膜を結晶化
させておき、これに約１μｍに絞ったレーザ光を情報に
対応させて強度変調を施し例えば円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射した場合、このピークパワーレーザ
光照射部位は記録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し
非晶質化したマークとして情報の記録がおこなえもま
たこの変調バイアスパワーレーザ光照射部位は記録薄膜
の結晶化温度以上に昇温し徐冷して結晶化を行し＼ 既
記緑信号情報を消去する働きがありオーバライドできも
このように記録薄膜はレーザ光によって融点以上に昇
温し また結晶化温度以上に昇温されるものであム こ
のため記録薄膜の下面および上面＆へ 耐熱性のすぐれ
た誘電体層を基板および接着層に対する保護層として設
けているのが一般的であム これらの誘電体層の熱伝導
特性により、昇温および急冷 徐冷の特性が変わるもの
であるか収 誘電体層の材質あるいは層構成を選ぶこと
によって記録および消去の特性を決めることができるも
のであム 発明が解決しようとする課題 記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温徐冷結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な
オーバライド記録媒体における課題１表 記録・消去の
繰り返し特性と消去特性であも 記録・消去の繰り返し特性について（友 記録・消去の
加肱 冷却の多数回の繰り返しによるディスク基板ある
いは誘電体層の熱的な損傷によるノイズの増犬 また損
傷は無くてＬ 記録・消去の繰り返しに伴う加肱 冷却
の繰り返しによる誘電体層の脈動によって、記録薄膜材
料がディスク回転方向の案内溝に沿って脈動し移動する
等 記録・消去の繰り返し特性の劣化が課題であっ九消
去特性についてはＴｅを含む非晶質膜は その融点は代
表的なもので４００℃〜９００℃と広い温度範囲にある
。
を消去する方法としては あらかじめ記録薄膜を結晶化
させておき、これに約１μｍに絞ったレーザ光を情報に
対応させて強度変調を施し例えば円盤状の記録ディスク
を回転せしめて照射した場合、このピークパワーレーザ
光照射部位は記録薄膜の融点以上に昇温し かつ急冷し
非晶質化したマークとして情報の記録がおこなえもま
たこの変調バイアスパワーレーザ光照射部位は記録薄膜
の結晶化温度以上に昇温し徐冷して結晶化を行し＼ 既
記緑信号情報を消去する働きがありオーバライドできも
このように記録薄膜はレーザ光によって融点以上に昇
温し また結晶化温度以上に昇温されるものであム こ
のため記録薄膜の下面および上面＆へ 耐熱性のすぐれ
た誘電体層を基板および接着層に対する保護層として設
けているのが一般的であム これらの誘電体層の熱伝導
特性により、昇温および急冷 徐冷の特性が変わるもの
であるか収 誘電体層の材質あるいは層構成を選ぶこと
によって記録および消去の特性を決めることができるも
のであム 発明が解決しようとする課題 記録薄膜を加熱昇温し 溶融急冷非晶質化および加熱昇
温徐冷結晶化の手段を用いる情報記録および消去可能な
オーバライド記録媒体における課題１表 記録・消去の
繰り返し特性と消去特性であも 記録・消去の繰り返し特性について（友 記録・消去の
加肱 冷却の多数回の繰り返しによるディスク基板ある
いは誘電体層の熱的な損傷によるノイズの増犬 また損
傷は無くてＬ 記録・消去の繰り返しに伴う加肱 冷却
の繰り返しによる誘電体層の脈動によって、記録薄膜材
料がディスク回転方向の案内溝に沿って脈動し移動する
等 記録・消去の繰り返し特性の劣化が課題であっ九消
去特性についてはＴｅを含む非晶質膜は その融点は代
表的なもので４００℃〜９００℃と広い温度範囲にある
。
これらの記録薄膜にレーザ光を照射し 昇温徐冷するこ
とにより結晶化が行える。この温度は一般的に融点より
低い結晶化温度領域である。またこの結晶化した膜に高
いパワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱
するとその部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマー
クが形成できム記録マークとして非晶質化を選ぶと、こ
のマークは記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるか収 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅が向上すも 冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生ず４
次に結晶化消去に際して（よ レーザ光の照射により既
に記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温度以
上に昇温し結晶化させてこのマークを消去すも この消去の時、マークの非晶質状態が均一な場合は均一
に結晶化されやすくなり消去特性が向上する力曳 記録
マークの非晶質状態が不均一な場合（よ結晶化消去の状
態が不均一となって消去特性が低下するという課題があ
り九 本発明の目的は記録消去特性に優れ 記録・消去
の繰り返し特性の安定な光ディスクを提供することであ
も 課題を解決するための手段 本発明はレーザ光の照射により、そのエネルギーを吸収
して昇風 溶融し 急冷して非晶質化する性質と、非晶
質の状態を昇温することにより結晶化する性質を有する
記録薄膜層を、Ｔｅ、Ｇｅ、ｓｂとＴｅ、Ｇｅ、 Ｓ
ｂの中の少なくとも一つの元素の窒化物または酸化物と
のマトリックス構成にするものである。
とにより結晶化が行える。この温度は一般的に融点より
低い結晶化温度領域である。またこの結晶化した膜に高
いパワーレベルのレーザ光をあて、その融点以上に加熱
するとその部分は溶融し急冷し 再び非晶質化してマー
クが形成できム記録マークとして非晶質化を選ぶと、こ
のマークは記録薄膜が溶融し急冷されて形成されるもの
であるか収 冷却速度が速いほど非晶質状態の均一なも
のが得られ信号振幅が向上すも 冷却速度が遅い場合は
マークの中心と周辺で非晶質化の程度に差が発生ず４
次に結晶化消去に際して（よ レーザ光の照射により既
に記録が行われている非晶質マーク部を、結晶化温度以
上に昇温し結晶化させてこのマークを消去すも この消去の時、マークの非晶質状態が均一な場合は均一
に結晶化されやすくなり消去特性が向上する力曳 記録
マークの非晶質状態が不均一な場合（よ結晶化消去の状
態が不均一となって消去特性が低下するという課題があ
り九 本発明の目的は記録消去特性に優れ 記録・消去
の繰り返し特性の安定な光ディスクを提供することであ
も 課題を解決するための手段 本発明はレーザ光の照射により、そのエネルギーを吸収
して昇風 溶融し 急冷して非晶質化する性質と、非晶
質の状態を昇温することにより結晶化する性質を有する
記録薄膜層を、Ｔｅ、Ｇｅ、ｓｂとＴｅ、Ｇｅ、 Ｓ
ｂの中の少なくとも一つの元素の窒化物または酸化物と
のマトリックス構成にするものである。
作用
すなわち記録薄膜層をＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、Ｇｅ、
Ｓｂの中の少なくとも一つの元素の窒化物または酸化物
とのマトリックス構成にすることで、記録消去の繰り返
しに伴う誘電体層の脈動によって、記録薄膜材料が案内
溝に沿って移動する現象を抑制することができ、これに
よって記録・消去の繰り返し特性を向上することができ
るものであ４ また透明基板の一方の面に第一の誘電体
層と、記録薄膜層と、第二の誘電体層と、反射層とを順
次形成し 第二の誘電体層の膜厚を第一の誘電体層の膜
厚より薄くすることによって、熱拡散層である反射層と
記録薄膜層を近づけることになり、記録薄膜層が急冷さ
れるものであるから記録マークが均一な非晶質状態とな
って、記録マークが不均一な場合に生じる結晶化消去時
の不均一な状態の発生を防止することができ、消去特性
を向上させることが出来るものであム 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図においてｌはディスク基板でポリカーボネイト等の
樹脂基板からなっていも このディスク基板１はあらか
じめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるいはフ
ォトポリマーを用いゑ いわゆる２Ｐ法で溝を形成した
ガラス板、ガラス板に直接溝を形成した基板であっても
よしも２は第一の誘電体層でＺｎＳ−８ｉ０２の混合膜
からなっており、膜厚は約１５０ｒｖであも ３は記録
薄膜層でＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、 Ｇｅ、 Ｓｂ
の中の一つの元素の窒化物または酸化物のマトリックス
構成になっており、膜厚は約３０ｎｍである。
Ｓｂの中の少なくとも一つの元素の窒化物または酸化物
とのマトリックス構成にすることで、記録消去の繰り返
しに伴う誘電体層の脈動によって、記録薄膜材料が案内
溝に沿って移動する現象を抑制することができ、これに
よって記録・消去の繰り返し特性を向上することができ
るものであ４ また透明基板の一方の面に第一の誘電体
層と、記録薄膜層と、第二の誘電体層と、反射層とを順
次形成し 第二の誘電体層の膜厚を第一の誘電体層の膜
厚より薄くすることによって、熱拡散層である反射層と
記録薄膜層を近づけることになり、記録薄膜層が急冷さ
れるものであるから記録マークが均一な非晶質状態とな
って、記録マークが不均一な場合に生じる結晶化消去時
の不均一な状態の発生を防止することができ、消去特性
を向上させることが出来るものであム 実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図においてｌはディスク基板でポリカーボネイト等の
樹脂基板からなっていも このディスク基板１はあらか
じめレーザ光案内用の溝を形成した樹脂基板あるいはフ
ォトポリマーを用いゑ いわゆる２Ｐ法で溝を形成した
ガラス板、ガラス板に直接溝を形成した基板であっても
よしも２は第一の誘電体層でＺｎＳ−８ｉ０２の混合膜
からなっており、膜厚は約１５０ｒｖであも ３は記録
薄膜層でＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、 Ｇｅ、 Ｓｂ
の中の一つの元素の窒化物または酸化物のマトリックス
構成になっており、膜厚は約３０ｎｍである。
４は第二の誘電体層で第一の誘電体層２と同じ材料から
なっており、膜厚は約２０ｎｍであム ５はＡ１合金か
らなる反射層で膜厚は約６０ｎｍであムロは保護板で接
着剤７によってディスク基板１に貼り合わせていＺ 第１図の構成において記録・消去及び再生は矢印８の方
向より、情報に応じて強度変調を施したレーザ光を照射
して、また反射光を検出して行うものである。この誘電
体層 記録薄膜層 反射層の形成方法どして（戴 一般
的には真空蒸着あるいはスパッタ法が用いるられる。こ
の時、記録薄膜層３をＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、Ｇｅ、
Ｓｂの中の一つの元素の窒化物または酸化物のマトリッ
クス構成にすることによって、記録消去の繰り返しに伴
う誘電体層の脈動によって、記録薄膜材料が案内溝に沿
って移動する現象を抑制することができ、これによって
記録・消去の繰り返し特性を向上することができるもの
であり池 第一、第二の誘電体層２、４のＺｎＳ−３
ｉ０２混合膜はＳｉＯ２の比率を２０ｍｏｌ％にしてい
るがこれに限定するものではなＬｓ ＬかしなからＳ
ｉＯ２の比率を５ ｍｏｌ％以下にすると、ＺｎＳにＳ
ｉＯ２を混合した時に得られる効果 すなわち結晶粒径
を小さくするという効果が小さくなり、 ５０ｍｏｌ％
以上にすると、５１０２膜の性質が大きくなるものであ
るか収Ｓｉ○２の比率は５〜４０ｍｏｌ％の範囲にする
のが適当であっ九 さらに第二の誘電体層４の膜厚を約２０ｎｍと薄くして
いる力（これよって熱拡散層となる反射層５と記録薄膜
層３が近くなり、記録・消去時の記録薄膜層３の熱が急
速に反射層５に伝達されることになって、記録薄膜層３
を急冷する上で効果があるものである。
なっており、膜厚は約２０ｎｍであム ５はＡ１合金か
らなる反射層で膜厚は約６０ｎｍであムロは保護板で接
着剤７によってディスク基板１に貼り合わせていＺ 第１図の構成において記録・消去及び再生は矢印８の方
向より、情報に応じて強度変調を施したレーザ光を照射
して、また反射光を検出して行うものである。この誘電
体層 記録薄膜層 反射層の形成方法どして（戴 一般
的には真空蒸着あるいはスパッタ法が用いるられる。こ
の時、記録薄膜層３をＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、Ｇｅ、
Ｓｂの中の一つの元素の窒化物または酸化物のマトリッ
クス構成にすることによって、記録消去の繰り返しに伴
う誘電体層の脈動によって、記録薄膜材料が案内溝に沿
って移動する現象を抑制することができ、これによって
記録・消去の繰り返し特性を向上することができるもの
であり池 第一、第二の誘電体層２、４のＺｎＳ−３
ｉ０２混合膜はＳｉＯ２の比率を２０ｍｏｌ％にしてい
るがこれに限定するものではなＬｓ ＬかしなからＳ
ｉＯ２の比率を５ ｍｏｌ％以下にすると、ＺｎＳにＳ
ｉＯ２を混合した時に得られる効果 すなわち結晶粒径
を小さくするという効果が小さくなり、 ５０ｍｏｌ％
以上にすると、５１０２膜の性質が大きくなるものであ
るか収Ｓｉ○２の比率は５〜４０ｍｏｌ％の範囲にする
のが適当であっ九 さらに第二の誘電体層４の膜厚を約２０ｎｍと薄くして
いる力（これよって熱拡散層となる反射層５と記録薄膜
層３が近くなり、記録・消去時の記録薄膜層３の熱が急
速に反射層５に伝達されることになって、記録薄膜層３
を急冷する上で効果があるものである。
本実施例のディスク構成で、外径１３０ｍａ１８００
ｒｐｍ回Ｌ 線速度８ ｍ／ｓｅｃでｆ １ ＝３．４
３ＭＨｚの信号ｆ ２ ＝ １．０ＭＨｚの信号のオー
バーライド特性を測定しｋ オーバーライド（友 １個
のサークルスポットで約１μｍのレーザ光により、高い
パワーレベル１ロｍＷ、 低いパワーレベル８ｍＷの
間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化マークを形成
し 低いパワーレベルで非晶質化マークを結晶化して消
去する同時消録の方法で行つ九 この結果 記録信号の
Ｃ／Ｎ比として（よ ５５ｄＢ以上が得られ 消去特性
として、オーバライド消去率３０ｄＢ以上が得られた
オーバライドのサイクル特性については 特にピットエ
ラーレイトの特性を測定した結果 従来では１００００
０サイクルで劣化していたのが１００００００サイクル
以上劣化が見られなかっに 発明の効果 以上 説明したように記録薄膜層をＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂｃ
！＝Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂの中の一つ元素の窒化物または酸
化物のマトリックス構成にすることによって、記録・消
去の繰り返しに伴い発生する誘電体層の脈動によ衣 記
録薄膜材料の案内溝に沿っての移動を抑制することがで
き、繰り返し特性を向上することができるものであム また 記録薄膜と反射層の間の誘電体層を薄くした急冷
構成にすることによって、熱衝撃の低減による繰り返し
特性の向上 記録マークの均一化による消去特性の向上
をはかることができるものである。
ｒｐｍ回Ｌ 線速度８ ｍ／ｓｅｃでｆ １ ＝３．４
３ＭＨｚの信号ｆ ２ ＝ １．０ＭＨｚの信号のオー
バーライド特性を測定しｋ オーバーライド（友 １個
のサークルスポットで約１μｍのレーザ光により、高い
パワーレベル１ロｍＷ、 低いパワーレベル８ｍＷの
間の変調で、高いパワーレベルで非晶質化マークを形成
し 低いパワーレベルで非晶質化マークを結晶化して消
去する同時消録の方法で行つ九 この結果 記録信号の
Ｃ／Ｎ比として（よ ５５ｄＢ以上が得られ 消去特性
として、オーバライド消去率３０ｄＢ以上が得られた
オーバライドのサイクル特性については 特にピットエ
ラーレイトの特性を測定した結果 従来では１００００
０サイクルで劣化していたのが１００００００サイクル
以上劣化が見られなかっに 発明の効果 以上 説明したように記録薄膜層をＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂｃ
！＝Ｔｅ、Ｇｅ、Ｓｂの中の一つ元素の窒化物または酸
化物のマトリックス構成にすることによって、記録・消
去の繰り返しに伴い発生する誘電体層の脈動によ衣 記
録薄膜材料の案内溝に沿っての移動を抑制することがで
き、繰り返し特性を向上することができるものであム また 記録薄膜と反射層の間の誘電体層を薄くした急冷
構成にすることによって、熱衝撃の低減による繰り返し
特性の向上 記録マークの均一化による消去特性の向上
をはかることができるものである。
第１図は本発明の一実施例における光記録媒体の一部省
略断面図であも １・・・ディスク基板、 ２・・・第一の誘電体層 ３
・・・記録薄膜層 ４・・・第二の誘電体層 ５・・・
反射胤代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１
図 ６保１桶
略断面図であも １・・・ディスク基板、 ２・・・第一の誘電体層 ３
・・・記録薄膜層 ４・・・第二の誘電体層 ５・・・
反射胤代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１
図 ６保１桶
Claims (8)
- （１）レーザ光の照射により、そのエネルギーを吸収し
て昇温、溶融し、急冷して非晶質化する性質と、非晶質
の状態を昇温することにより、結晶化する性質を有する
記録薄膜層を有した光記録媒体であって、前記記録薄膜
層がＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂの中の少なく
とも一つの元素の窒化物とのマトリックス構成であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - （２）透明基板の一方の面に第一の誘電体層と、レーザ
光の照射により、そのエネルギーを吸収して昇温、溶融
し、急冷して非晶質化する性質と非晶質の状態を昇温す
ることにより結晶化する性質を有する記録薄膜層と、第
二の誘電体層と、反射層とを順次形成した光記録媒体で
あって、前記記録薄膜層がＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、Ｇ
ｅ、Ｓｂの中の少なくとも一つの元素の窒化物とのマト
リックス構成であることを特徴とする光記録媒体。 - （３）第二の誘電体層の膜厚を第一の誘電体層より薄く
し、第二の誘電体層の膜厚を３０ｎｍ以下にすることを
特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - （４）第一と第二の誘電体層としてＺｎＳとＳｉＯ＿２
の混合膜のＳｉＯ＿２比が５〜４０ｍｏｌ％の材料を用
いることを特徴とする請求項２記載の光記録媒体。 - （５）レーザ光の照射により、そのエネルギーを吸収し
て昇温、溶融し、急冷して非晶質化する性質と、非晶質
の状態を昇温することにより、結晶化する性質を有する
記録薄膜層を有した光記録媒体であって、前記記録薄膜
層がＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、Ｇｅ、Ｓｂの中の少なく
とも一つの元素の酸化物とのマトリックス構成であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - （６）透明基板の一方の面に第一の誘電体層と、レーザ
光の照射により、そのエネルギーを吸収して昇温、溶融
し、急冷して非晶質化する性質と非晶質の状態を昇温す
ることにより結晶化する性質を有する記録薄膜層と、第
二の誘電体層と、反射層とを順次形成した光記録媒体で
あって、前記記録薄膜層がＴｅ、Ｇｅ、ＳｂとＴｅ、Ｇ
ｅ、Ｓｂの中の少なくとも一つの元素の酸化物とのマト
リックス構成であることを特徴とする光記録媒体。 - （７）第二の誘電体層の膜厚を第一の誘電体層より薄く
し、第二の誘電体層の膜厚を３０ｎｍ以下にすることを
特徴とする請求項６記載の光記録媒体。 - （８）第一と第二の誘電体層としてＺｎＳとＳｉＯ＿２
の混合膜のＳｉＯ＿２比が５〜４０ｍｏｌ％の材料を用
いることを特徴とする請求項６記載の光記録媒体。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113382A JP2639174B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光記録媒体 |
| US07/559,166 US5194363A (en) | 1990-04-27 | 1990-07-30 | Optical recording medium and production process for the medium |
| US07/573,246 US5230973A (en) | 1990-04-27 | 1990-08-24 | Method of recording and erasing information in an erasible optical recording medium |
| KR1019910006821A KR950006840B1 (ko) | 1990-04-27 | 1991-04-27 | 광기록매체와 광기록매체의 제법 |
| US08/904,983 USRE36383E (en) | 1990-04-27 | 1997-08-01 | Optical recording medium and production process for the medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113382A JP2639174B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410980A true JPH0410980A (ja) | 1992-01-16 |
| JP2639174B2 JP2639174B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=14610885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113382A Expired - Lifetime JP2639174B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2639174B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5948496A (en) * | 1996-09-06 | 1999-09-07 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144693A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書替型光記録媒体 |
| JPS6358636A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
| JPS6473896A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-20 | Nissin Electric Co Ltd | Formation of instrumental monitor control picture |
| JPH01116937A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生消去部材 |
| JPH0256746A (ja) * | 1988-08-19 | 1990-02-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報担体ディスク |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2113382A patent/JP2639174B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2639174B2 (ja) | 1997-08-06 |
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