JPH04110944A - 透明材料のマーキング方法 - Google Patents

透明材料のマーキング方法

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JPH04110944A
JPH04110944A JP2229890A JP22989090A JPH04110944A JP H04110944 A JPH04110944 A JP H04110944A JP 2229890 A JP2229890 A JP 2229890A JP 22989090 A JP22989090 A JP 22989090A JP H04110944 A JPH04110944 A JP H04110944A
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JP
Japan
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transparent material
marking
energy beam
energy
quartz glass
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JP2229890A
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English (en)
Inventor
Shin Kuzuu
伸 葛生
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NIPPON SEKIEI GLASS KK
YAMAGUCHI NIPPON SEKIEI KK
Original Assignee
NIPPON SEKIEI GLASS KK
YAMAGUCHI NIPPON SEKIEI KK
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、フォトマスク基板などの種々の透明材料にお
いて、他の透明材料と識別するため、また、その透明材
料の履歴や特性を記録するためのマーキング方法に関す
る。
[従来の技術] 従来、フォトマスクなどにマーキングする方法としては
、基板のコーナーを切り欠く方法、基板のパターン領域
外に識別記号をレーザーなどで記録する方法(特開昭6
2−75532)特開昭58−56315、特開昭57
−104934)同じく領域外にバーコードや磁気記録
領域を設ける方法があった。
さらには、基板の側面に反射面と粗面を設け。
識別マークとする方法(特公昭62−40700)があ
った。
しかし、これらの方法は、すべて、透明材料の表面にな
んらかの方法でマーキングするものであった・ [発明が解決しようとする課題] フォトマスク基板等の透明材料は、スパッタリングを受
けたり、侵食性の化学薬品にエッチング時に曝されたり
されるので、従来の透明材料の表面にマーキングする方
法では、マークの部分から変質を受は易いという欠点が
あった。
また、LSIの高集積化に伴いダストフリーが要求され
、表面にマーキングするとマーキング部分にゴミが付着
しやすく、これを洗浄すると洗浄液を汚し、再付着のお
それが生じ、これを完全に除去することが困難になる。
さらに、石英ガラスマスクは、特開昭59−20023
8、特開昭59−83950および特開昭59−883
32などにに示されるように、研磨などでリサイクルが
なされているが、表面のマーキングでは研磨などによっ
てマークが削れて消滅し判読不能になってしまう。
基板の側面にマーキングした場合においても。
リサイクル時にキャリヤーとワークの間に研磨剤が入り
込むことにより、側面のマーキングが消滅しやすい。
また、マーキング部分のクロム膜が剥離しやすいという
欠点がある。
本願発明は、透明材料の内部にマーキングすることによ
って、マーキング部分にゴミが付着せず、製膜工程やリ
ソグラフィー工程に悪影響を及ぼさず、また、透明材料
の表面が過酷な環境下におかれても永遠に消滅すること
のないマーキング方法の提供を目的とするものである。
[課題を解決するための手段] そこで、本願発明は、フォトマスク基板などの透明材料
に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部に焦
点を結ばせて照射し、透明材料内部に微小なりラックま
たは微結晶を発生させることによって透明材料にマーキ
ングするものである。
マーキングは、数字、アルファベットなどの文字を、従
来のレーザによるマーキング方法と同様に、マスクを介
して結像させてもよく、またドツト状にクラックまたは
微結晶を発生させ、このドツトを組み合わせて文字、数
字を形成しても良い。
さらに、ドツト列をCDなどと同様に文字、数字等に対
応させることも可能である。また、バーコード状に記号
を作成しても良い。
透明材料としては、例えば、光学ガラス、石英ガラスな
どの無機ガラス、アクリル樹脂などの透明樹脂等が挙げ
られる。
高エネルギービームとしては、Xe F (351nm
)、XeC1(308nm)、KrF (248n m
 ) 、 A r F (193n m )等のエキシ
マレーザ−や、YAGレーザ及びその高調波等が挙げら
れる6 透明材料の高エネルギービームに対する吸収特性に応じ
て、適切な高エネルギービームを選択する必要がある。
高エネルギービームの照射時間は、そのパワーにもよる
が、数パルスから数十パルスでよい。
[作用コ 透明材料に吸収されない高エネルギービームを、レンズ
やミラーから構成される光学系を介して透明材料の内部
に焦点を合せ、高エネルギービームを透明材料内部に照
射する。すると、高エネルギービームの照射された個所
に微小なりラックまたは微結晶が発生する。このクラッ
クまたは微結晶を文字状に形成したり、バーコード状と
することによって透明材料の内部にマーキングが施され
る。
クラックまたは微結晶の発生について更に詳しく説明す
る。
固体中では、荷電子のエネルギー準位は帯状のいわゆる
バンド構造をとっている。絶縁体ではバンドギャップ以
下のフォトンエネルギーのフォトン、すなわち、長波長
の光は吸収しない。
しかし、バンドギャップよりも低エネルギーの光でも、
レンズで集光するなどしてフォトン密度を極端に高くす
ると、2個あるいは、それ以上のフォトンを同時に吸収
することにより、電子が充満帯(エネルギーギャップよ
りエネルギーの低いエネルギーバンド)から伝導帯(エ
ネルギーギャップよりエネルギーが高く、通常の状態で
は電子の存在しないエネルギーバンド)に励起される。
このように、フォトンを同時に2個吸収することを2光
子吸収、さらに一般に複数個吸収することを多光子吸収
という。
この発明においては、多光子吸収を利用して、バンドギ
ャップよりエネルギーが低く、本来、吸収の起こらない
波長の光を透明材料に吸収させることにより、透明材料
の結合ボンドを切断したり。
あるいは、発熱を利用して微小なりラックまたは微結晶
を透明材料内部に発生させるのである。
石英ガラスでは、このバンドギャップは約9eV(14
0nm)である。石英ガラス中に不純物や欠陥構造が無
い限り、バンドギャップよりも低エネルギー、すなわち
、長波長の光は、通常吸収しない。
ここでエキシマレーザの波長とフォトンエネルギーを以
下に示す。
種 類  波長(n+=) ArF   193 KrF   248 XeC1308 XeF   351 フォトンエネルギー(eV) 6.4 5.0 4.0 3.5 励起に必要な フォトン数 したがって、エキシマレーザはすべて波長が140nm
より長いので1通常は吸収が起きないはずである。しか
し、前記の多光子吸収によって吸収が起こり、このため
、結合ボンドの開裂、あるいは発熱作用を生じ、微細な
りラックまたは微結晶が内部に発生するのである。
荷電子を充満帯から伝導帯に励起するのに必要なフォト
ン数は、石英ガラスのバンドギャップ9eVを超えるた
めに必要な個数である。
[実施例] 次に、本発明を実施例によってさらに詳しく説明する。
実施例1 透明材料として両面を研磨した合成石英ガラス(OH1
300ppm含有:厚さ5 m m )を使用し、高エ
ネルギービームとしては、不安定共振器を用いたエキシ
マレーザ(KrF  248nm)を使用し、エネルギ
ー密度 50mJ/cm2パルス、くり返し周波数 1
0Hzで発振させ、焦点距離2cmのレンズ系で合成石
英ガラスの内部の中央付近にエキシマレーザビームの焦
点を合せエキシマレーザを1ドツト当り0.5秒照射し
た。そして、合成石英ガラスの内部に生成されたクラッ
クを数字の1の形にドツトで形成した。
その結果肉眼で視認できるパターンが合成石英ガラスの
内部に形成された。
実施例2 透明材料としてフォトマスク石英ガラス基板(5” X
25’ /100.合成石英ガラス製:OH1300p
pm含有)を使用し、高エネルギービームとしては、不
安定共振器を用いたエキシマレーザ(K r F  2
48 n m )を使用し、エネルギー密度 50mJ
/cm”・パルス、くり返し周波数 10 Hzで発振
させた。
フォトマスク基板の角部の5 m m角の部分において
、焦点距離2cmのレンズ系で石英ガラス基板の内部の
中央付近にエキシマレーザの焦点を合せ、エキシマレー
ザを照射し石英ガラス内部にクラックを発生させ、ドツ
トを形成した。このドツト径は約0.1mmであり、ド
ツトの形成位置をずらしてゆき、アルファベットでNS
Gと描いた。
実施例3 透明材料としてフォトマスク石英ガラス基板(5” x
25’ /100、合成石英ガラス製;OH1300p
pm含有)を使用し、高エネルギービームとしては、不
安定共振器を用いたエキシマレーザ(KrF  248
nm)をエネルギー密度 50mJ/cm”・パルス、
くり返し周波数 150Hzで使用した。
マーキング用マスクとしてアルファベットでNSGの形
に孔を形成したマスクを使用し、焦点距離21のレンズ
系でフォトマスク基板の角部5mm角の部分の内部の中
央付近に焦点を合せ、エキシマレーザを2秒間照射し石
英ガラス内部にクラックを発生させ、基板の内部にアル
ファベット文字NSGを形成した。
実施例4 透明材料として溶融石英ガラス板(100■×5■:O
H110ppm含有)を使用し、高エネルギービームと
しては、不安定共振器を用いたエキシマレーザ(X e
 CL  308 n m、エネルギー密度 100m
J/cm”・パルス、くり返し周波数 150Hz)を
使用した。
マーキング用マスクとしてアルファベットで○Xの形に
孔を形成したマスクを使用し、焦点距離2amのレンズ
系で溶融石英ガラス板の角部5mm角の部分の内部の中
央付近に焦点を合せ、エキシマレーザを照射し石英ガラ
ス内部にクラックを発生させ、基板の内部にアルファベ
ット文字○Xを形成した。
溶融石英ガラスは、KrFエキシマレーザに対し吸収が
あり、照射してもクラックを発生しないのでXeClエ
キシマレーザを使用した。
[効果] 以上、述べてきたように、透明材料の内部に焦点をあわ
せ、透明材料に対し吸収の無い高エネルギービーム、例
えば1石英ガラスに対しエキシマレーザを照射すると、
微細なりラックまたは微結晶が透明材料の内部に発生す
る。これを文字状、ドツト列、または、バーコードにす
ることによって識別マーク等に利用することができる。
このマークは、透明材料の内部に形成されているので外
部からの影響をほとんど受けることが無く、透明材料の
表面はなんら傷つけられていないので永久的と言って良
い。
また、透明材料の内部に形成されているので、マーキン
グ部分へのゴミの付着がなく、工程への影響がなくマー
キングできる。
特許出願人 日本石英硝子株式会社 山口日本石英株式会社

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)透明材料にマーキングを施す方法において、透明
    材料に吸収されない高エネルギービームを透明材料内部
    に焦点を結ばせて照射することを特徴とする透明材料の
    マーキング方法。
  2. (2)特許請求の範囲第1項において、透明材料は石英
    ガラスである透明材料のマーキング方法。
  3. (3)特許請求の範囲第1項において、透明材料はフォ
    トマスク石英ガラス基板である透明材料のマーキング方
    法。
  4. (4)特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに
    おいて、高エネルギービームはエキシマレーザである透
    明材料のマーキング方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5767483A (en) * 1993-08-19 1998-06-16 United Distillers Plc Method of laser marking a body of material having a thermal conductivity approximately equal to that of glass
JPH11156568A (ja) * 1997-09-26 1999-06-15 Sumitomo Heavy Ind Ltd 透明材料のマーキング方法
US6322958B1 (en) 1998-11-26 2001-11-27 Sumitomo Heavy Industries Ltd. Laser marking method and apparatus, and marked member
US6392683B1 (en) 1997-09-26 2002-05-21 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Method for making marks in a transparent material by using a laser
EP1293490A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Internally marked quartz glass and marking method
JP2004083377A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 内部マーキングされた石英ガラス、光学部材用石英ガラス基板及びその製造方法
US7211354B2 (en) 2002-02-26 2007-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask substrate and its manufacturing method
JP2008216958A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Samsung Electronics Co Ltd 絶縁体からなるマザー基板(絶縁マザー基板)にアラインマークを形成することを含む液晶表示装置の製造方法。
JP2009214182A (ja) * 2000-09-13 2009-09-24 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
JPWO2016084902A1 (ja) * 2014-11-27 2017-11-09 テクノクオーツ株式会社 管理情報を設けた製品
JP2018106147A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 Hoya株式会社 表示装置製造用のマスクブランク用基板、マスクブランク及びマスク、並びにそれらの製造方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5767483A (en) * 1993-08-19 1998-06-16 United Distillers Plc Method of laser marking a body of material having a thermal conductivity approximately equal to that of glass
US6587136B2 (en) 1997-09-26 2003-07-01 Sumitomo Heavy Industries Ltd. Method for making marks in a transparent material by using a laser
US6392683B1 (en) 1997-09-26 2002-05-21 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Method for making marks in a transparent material by using a laser
US6417879B2 (en) 1997-09-26 2002-07-09 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Method for making marks in a transparent material by using a laser
US6501499B2 (en) 1997-09-26 2002-12-31 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Method for making marks in a transparent material by using a laser
JPH11156568A (ja) * 1997-09-26 1999-06-15 Sumitomo Heavy Ind Ltd 透明材料のマーキング方法
US6322958B1 (en) 1998-11-26 2001-11-27 Sumitomo Heavy Industries Ltd. Laser marking method and apparatus, and marked member
JP2009241154A (ja) * 2000-09-13 2009-10-22 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物の切断方法
JP2009214182A (ja) * 2000-09-13 2009-09-24 Hamamatsu Photonics Kk 加工対象物切断方法
EP1293490A1 (en) * 2001-09-13 2003-03-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Internally marked quartz glass and marking method
US6744458B2 (en) 2001-09-13 2004-06-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Internally marked quartz glass, quartz glass substrate for optical member, and marking method
JP2003089553A (ja) * 2001-09-13 2003-03-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 内部マーキングされた石英ガラス、光学部材用石英ガラス基板及びマーキング方法
US7211354B2 (en) 2002-02-26 2007-05-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Mask substrate and its manufacturing method
JP2004083377A (ja) * 2002-08-29 2004-03-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 内部マーキングされた石英ガラス、光学部材用石英ガラス基板及びその製造方法
JP2008216958A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Samsung Electronics Co Ltd 絶縁体からなるマザー基板(絶縁マザー基板)にアラインマークを形成することを含む液晶表示装置の製造方法。
JPWO2016084902A1 (ja) * 2014-11-27 2017-11-09 テクノクオーツ株式会社 管理情報を設けた製品
US10572860B2 (en) 2014-11-27 2020-02-25 Techno Quartz Inc. Product provided with management information
JP2018106147A (ja) * 2016-12-22 2018-07-05 Hoya株式会社 表示装置製造用のマスクブランク用基板、マスクブランク及びマスク、並びにそれらの製造方法

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