JPH0471792A - マーキング方法 - Google Patents

マーキング方法

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JPH0471792A
JPH0471792A JP2183681A JP18368190A JPH0471792A JP H0471792 A JPH0471792 A JP H0471792A JP 2183681 A JP2183681 A JP 2183681A JP 18368190 A JP18368190 A JP 18368190A JP H0471792 A JPH0471792 A JP H0471792A
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JP
Japan
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laser beam
base plate
opaque
transparent substrate
marking
Prior art date
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Pending
Application number
JP2183681A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoichi Usui
洋一 臼井
Setsuo Nagashima
長島 節夫
Takao Takahashi
伯夫 高橋
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 マーキング方法に関し、更に詳しく言えば、ガラスマス
クなどの透明基板にマーキングする方法に関し、 マーキングの際、マーキングされる透明基板から塵など
が発生するのを防止することができるマーキング方法を
提供することを目的とし、透明基板内部に焦点を結ぶよ
うにレーザ光を照射して透明基板内部を選択的に不透明
化することによりマーキングすることを含み構成する。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、マーキング方法に関し、更に詳しく言えば、
ガラスマスクなどの透明基板にマーキングする方法に関
する。
〔従来の技術〕
ガラスマスク用の透明基板を購入した場合、透明基板の
製造品質を管理するため、個々の透明基板に製造ロフト
を示す記号をマーキングしている。
従来、このマーキング方法としてダイヤモンドカッタ等
を用いて第2図に示すガラスマスクの周辺部のマーク形
成領域7の石英基板5の表面に傷を付け、製造ロフトを
示す記号を描いている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかし、石英基板5の表面に傷を付けることにより、石
英基板5から微細なガラス片が発生し、マスクパターン
形成領域6に付着したまま残存する場合がある。このた
め、マスクパターン形成領域6に形成されるマスクパタ
ーンに傷などが生じ、このマスクパターンを用いて半導
体基板に転写されたパターンにピンホールなどが発生す
るという問題がある。
本発明は、かかる従来例の問題点に鑑みてなされたもの
であって、マーキングの際、マーキングされる透明基板
から塵などが発生するのを防止することができるマーキ
ング方法を提供することを目的とするものである。
[課題を解決するための手段] 上記課題は、透明基板内部に焦点を結ぶようにレーザ光
を照射して透明基板内部を選択的に不透明化することに
よりマーキングする方法によって解決される。
〔作用〕
本発明の透明基板のマーキング方法によれば、透明基板
内部に焦点を結ぶようにレーザ光を照射しているので、
レーザ光の電界が透明基板内部で最も高くなり、この部
分の電界が透明基板材料の絶縁破壊の臨界電界に達する
とき、絶縁破壊により不透明化する。また、この不透明
化は、通常、高電界領域及びその周辺に局限して発生す
るので、ガラスマスクなどに用いられる十分に厚い透明
基板においては、透明基板内部にのみこの不透明な部分
を形成することができる。
これにより、マーキングする際、従来のように透明基板
の表面を物理的に傷つける必要がないので、透明基板か
ら塵などが発生するのを防止することができる。
〔実施例〕
以下、図面を参照しながら本発明の実施例について説明
する。
第1図は、本発明の実施例の透明基板のマーキング方法
に用いるレーザ照射装置の構成図である。
同図において、1はYAGレーザ発振器、2aはスイッ
チング用偏向器、2bはピンホールで、スイッチング用
偏向器2aとピンホール2bとを用いてレーザ光のスイ
ッチングを行うものである。
また、2Cはマークする文字パターンに合わせてレーザ
光を偏向するパターン発生用偏向器、2dはスイッチン
グ用偏向器2aとパターン発生用偏向器2Cとを制御す
るマークパターンコントローラ、3はレーザ光4を所定
の箇所に焦点を結ばせるレンズ等の光学系である。
次に、この装置を用いて本発明の実施例の透明基板のマ
ーキング方法について、第1図および第2図を参照しな
がら説明する。
まず、識別記号を描く厚さ約2.3閣の石英基板5のマ
ーク形成領域7の所定の位置にレーザ光4が照射される
ように石英基板5を移動し、かつレーザ光4の焦点が石
英基板5の内部に位置するように光学系3を調整する。
次に、ピークパワー10酔のYAGレーザ発振器1を作
動させ、レンズ3を用いてレーザ光4の焦点距離に相当
する部分のスポット直径を約5μmに絞る。更に、YA
Gレーザ発振器1の出力を100に−から徐々に上げて
いく、このとき、焦点距離に相当する部分の電界が最も
高くなる。そして、この電界はレーザ光のパワーに比例
し、かつスポットの直径の2乗に反比例して変化する。
次いで、焦点距離に相当する部分でレーザ光4の電界が
約100kV/c−以上の石英の臨界電界に達すると、
石英基板5の絶縁破壊が起こり、数百μ−の幅にわたっ
てガラスが不透明化する。従って、スイッチング用偏向
器2a、 ピンホール2b、パターン発生用偏向器2c
及びマークパターンコントローラ2dを用いて、この不
透明な部分がロフトを表す符号の形になるように連ねて
いく。これにより、表面から見ると白い符号として識別
できるようになる。
以上のように、本発明の実施例によれば、透明基板5内
部に焦点を結ぶようにレーザ光4を照射しているので、
レーザ光4の電界が透明基板5内部で最も高くなり、こ
の部分で絶縁破壊によりガラスが不透明化する。この不
透明化は、通常、高電界領域及びその周辺に局限して発
生するので、通常のガラスマスクなどに用いられる十分
に厚い透明基板5においては、透明基板5内部にのみこ
の不透明な部分を形成することができる。
これにより、従来のように、透明基板5を物理的に傷つ
けることによりマーキングして塵などが発生するのを防
止することができる。従って、ピンホールなどのマスク
パターンの不良を防止することができるので、これを用
いて作成される半導体装置の製造歩留りの向上を図るこ
とができる。
なお、実施例では、ガラスマスクについて本発明を適用
しているが、液晶用のソーダライムガラス基板その他の
透明基板に対しても適用可能である。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明の透明基板のマーキング方法によ
れば、透明基板内部に焦点を結ぶようにレーザ光を照射
し、透明基板内部にのみ不透明な部分を形成することに
よりマーキングしているので、従来のように、透明基板
を物理的に傷つけることによりマーキングして塵などが
発生するのを防止することができる。これにより、透明
幕板場に形成されるマスクパターンにピンホールなどが
発生するのを防止することができるので、これを用いて
作成される半導体装置の製造歩留りの向上を図ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例の透明基板のマーキング方法
に用いるレーザマーキング装置の構成図、第2図は、マ
ーキングするガラスマスクの平面図である。 [符号の説明] 1・・・YAGレーザ発振器、 2a・・・スイッチング用偏向器、 2b・・・ピンホール、 2c・・・パターン発生用偏向器、 2d・・・マークパターンコントローラ、3・・・光学
系(レンズ)、 4・・・レーザ光、 5・・・石英基板、 6・・・マスクパターン形成HM、 7・・・マーク形成領域。 レーザマーキング装置の構成図 第1図 マーキングするガラスマスクの平面図 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 透明基板内部に焦点を結ぶようにレーザ光を照射して透
    明基板内部を選択的に不透明化することによりマーキン
    グする方法。
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