JPH04111380A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH04111380A JPH04111380A JP2229609A JP22960990A JPH04111380A JP H04111380 A JPH04111380 A JP H04111380A JP 2229609 A JP2229609 A JP 2229609A JP 22960990 A JP22960990 A JP 22960990A JP H04111380 A JPH04111380 A JP H04111380A
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- Japan
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- light
- emitting points
- light emitting
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は半導体レーザ装置に関し、特に物体の微小変位
を検出するセンサの光源に適する。
を検出するセンサの光源に適する。
（ロ）従来の技術
半導体レーザを用いて物体の微小変位を検出する方法の
一つに、２つ以上の発光点を光軸方向にずらした構造の
マルチビーム半導体レーザ素子を用いる方法があり、例
えば゛８９年秋季応用物理学会予稿集、９７５頁、 ３
０ａ−ＰＢ−１１に開示されている。
一つに、２つ以上の発光点を光軸方向にずらした構造の
マルチビーム半導体レーザ素子を用いる方法があり、例
えば゛８９年秋季応用物理学会予稿集、９７５頁、 ３
０ａ−ＰＢ−１１に開示されている。
第３図に斯る方法を用いた微小変位検出用の半導体レー
ザ装置を示す。
ザ装置を示す。
図において、（１０ａ）（１０ｂ）は半導体レーザチッ
プ、（１１）（１１）は各半導体レーザチップ（１０ａ
）（１０ｂ）に電流を供給する電極、（１２）はＳｉか
らなるサブマウントで、半導体レーザチップ（］０ａ）
（Ｊｏｂ）は、各々の発光点（１３ａ）（１３ｂ）がレ
ーザ光（１４ａ）（１４ｂ）の光軸方向にずれるように
サブマウント（１２）上に配置される。（１５ａ）（１
５ｂ）は夫々半導体レーザチップ（１０ａ）（１０ｂ）
の後方光を受光する受光素子、（１６）は半導体レーザ
チップ（１０ａ）（１０ｂ）のレーザ光（１４ａ）（１
４ｂ）を集光する単一のレンズである。
プ、（１１）（１１）は各半導体レーザチップ（１０ａ
）（１０ｂ）に電流を供給する電極、（１２）はＳｉか
らなるサブマウントで、半導体レーザチップ（］０ａ）
（Ｊｏｂ）は、各々の発光点（１３ａ）（１３ｂ）がレ
ーザ光（１４ａ）（１４ｂ）の光軸方向にずれるように
サブマウント（１２）上に配置される。（１５ａ）（１
５ｂ）は夫々半導体レーザチップ（１０ａ）（１０ｂ）
の後方光を受光する受光素子、（１６）は半導体レーザ
チップ（１０ａ）（１０ｂ）のレーザ光（１４ａ）（１
４ｂ）を集光する単一のレンズである。
而して、半導体レーザチップ（１０ａ）（１０ｂ）から
出射されるレーザ光（１４ａ）（１４ｂ）がレンズ（１
６）で集光されると、発光点（１３ａ）（１３ｂ）の光
軸方向のずれに対応して各レーザ光（１４ａ）（１４ｂ
）の焦点（１７ａ）（１７ｂ）は光軸方向にずれること
となる。ここで、焦点（１７ａ）（１７ｂ）の付近で光
軸方向（図中矢印の方向）に反射面（１８）を移動させ
ると、この反射面（１８）で反射されたレーザ光（１４
ａ）（１４ｂ）は再びレンズ（１６）で集光され、夫々
のレーザ光（１４ａ）（１４ｂ）を出射した半導体レー
ザチップ（１０ａ）（１０ｂ）に入射する。この入射光
の光量に応じて半導体レーザチップ（１０ａ）（１０ｂ
）の出力は変動し、反射面（１８）が一方の焦点に一致
したとき、その焦点に対応する半導体レーザチップの出
力は最大となる。即ち、各半導体レーザチップ（１０ａ
）（１０ｂ）の後方光をモニタする受光素子（１５ａ）
（１５ｂ）の出力Ｐ ａ、 Ｐ ｂは、第４図に示すよ
うに、反射面が焦点に一致したときに最大となるガウス
分布型の変化を生じる。そして、これらの出力の差Ｐａ
−Ｐｂをとると、同じく第４図に示すように、所謂Ｓ曲
線が得られる。従って、この出力差Ｐａ−Ｐｂを測定す
ることによって、反射面（１８）が焦点（１７ａ）（１
７ｂ）の間に存在する範囲内で、焦点（１７ａ）（１７
ｂ）の中間位置に対する反射面（１８）のずれ量又は変
位量を検出することができる。
出射されるレーザ光（１４ａ）（１４ｂ）がレンズ（１
６）で集光されると、発光点（１３ａ）（１３ｂ）の光
軸方向のずれに対応して各レーザ光（１４ａ）（１４ｂ
）の焦点（１７ａ）（１７ｂ）は光軸方向にずれること
となる。ここで、焦点（１７ａ）（１７ｂ）の付近で光
軸方向（図中矢印の方向）に反射面（１８）を移動させ
ると、この反射面（１８）で反射されたレーザ光（１４
ａ）（１４ｂ）は再びレンズ（１６）で集光され、夫々
のレーザ光（１４ａ）（１４ｂ）を出射した半導体レー
ザチップ（１０ａ）（１０ｂ）に入射する。この入射光
の光量に応じて半導体レーザチップ（１０ａ）（１０ｂ
）の出力は変動し、反射面（１８）が一方の焦点に一致
したとき、その焦点に対応する半導体レーザチップの出
力は最大となる。即ち、各半導体レーザチップ（１０ａ
）（１０ｂ）の後方光をモニタする受光素子（１５ａ）
（１５ｂ）の出力Ｐ ａ、 Ｐ ｂは、第４図に示すよ
うに、反射面が焦点に一致したときに最大となるガウス
分布型の変化を生じる。そして、これらの出力の差Ｐａ
−Ｐｂをとると、同じく第４図に示すように、所謂Ｓ曲
線が得られる。従って、この出力差Ｐａ−Ｐｂを測定す
ることによって、反射面（１８）が焦点（１７ａ）（１
７ｂ）の間に存在する範囲内で、焦点（１７ａ）（１７
ｂ）の中間位置に対する反射面（１８）のずれ量又は変
位量を検出することができる。
この方法においては、変位検出装置の小型化が図れ、光
学系も簡単であるという点で優れている。しかし、第３
図の装置では、各半導体レーザチップ（ｌａ）（ｌｂ）
の発光点（５ａ）（５ｂ）を光軸方向にずらす必要があ
り、直接チップで調整しなければならない。ところが、
半導体レーザチップ（ｌａ）（ｌｂ）の結晶は壊れ易く
、共振器端面にキズがついたり、ｐｎ接合が短絡したり
するため、その取扱は難しい。このため、チップ間の光
軸合わせや発光点のずれ量の調整は煩雑となり、正確な
組立ては困難であった。
学系も簡単であるという点で優れている。しかし、第３
図の装置では、各半導体レーザチップ（ｌａ）（ｌｂ）
の発光点（５ａ）（５ｂ）を光軸方向にずらす必要があ
り、直接チップで調整しなければならない。ところが、
半導体レーザチップ（ｌａ）（ｌｂ）の結晶は壊れ易く
、共振器端面にキズがついたり、ｐｎ接合が短絡したり
するため、その取扱は難しい。このため、チップ間の光
軸合わせや発光点のずれ量の調整は煩雑となり、正確な
組立ては困難であった。
そこで、半導体レーザチップとして、１つのチップに２
つのレーザ共振器を持つモノリシック型のものを用いた
場合、■一方のレーザ共振器の端面をエツチング除去し
て発光点をずらす、■第５図に示すように、各レーザ共
振器（２０ａ）（２０ｂ）のレーザ光出射方向に厚さの
異なる透明板（２１）を配置することによって、発光点
（２２ａ）（２２ｂ）を等価的に光軸方向にずれた位置
（２２’ａ）（２２’ｂ）に変換する方法が考えられる
。
つのレーザ共振器を持つモノリシック型のものを用いた
場合、■一方のレーザ共振器の端面をエツチング除去し
て発光点をずらす、■第５図に示すように、各レーザ共
振器（２０ａ）（２０ｂ）のレーザ光出射方向に厚さの
異なる透明板（２１）を配置することによって、発光点
（２２ａ）（２２ｂ）を等価的に光軸方向にずれた位置
（２２’ａ）（２２’ｂ）に変換する方法が考えられる
。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかし乍ら、■の方法では、エツチングにより形成した
共振器端面の平坦性が悪く、しきい値電流が大きく増加
するため実用的でない。また、■の方法では、透明板へ
の入射面側境界と出射面側境界で反射が起こるため、透
明板を透過する光が少なくなると共に、透明板による反
射光が半導体レーザチップに入射するため、本来検出す
べき変位の信号が正確に得られないといった問題が生じ
る。さらに、■の方法で３０μｍの位置ずれを形成する
には、屈折率１．５の透明板を用いた場合で透明板の厚
みの差Δを約９０μｍにする必要がある。
共振器端面の平坦性が悪く、しきい値電流が大きく増加
するため実用的でない。また、■の方法では、透明板へ
の入射面側境界と出射面側境界で反射が起こるため、透
明板を透過する光が少なくなると共に、透明板による反
射光が半導体レーザチップに入射するため、本来検出す
べき変位の信号が正確に得られないといった問題が生じ
る。さらに、■の方法で３０μｍの位置ずれを形成する
には、屈折率１．５の透明板を用いた場合で透明板の厚
みの差Δを約９０μｍにする必要がある。
そして、このような大きな段差を有する平板を光の波長
以下の精度で形成することは技術的に困難であり、また
面積の異なる複数の平板を張り合わせて段差を形成する
ことは平板の接合面での反射が余分に増えることになる
ため好ましくない。
以下の精度で形成することは技術的に困難であり、また
面積の異なる複数の平板を張り合わせて段差を形成する
ことは平板の接合面での反射が余分に増えることになる
ため好ましくない。
従って、本発明は、モノリシック型の半導体レーザチッ
プを用いた場合に、発光点のずれを容易に形成でき、且
つＳ／Ｎ比の良い信号が得られる微小変位検出用の半導
体レーザ装置を提供するものである。
プを用いた場合に、発光点のずれを容易に形成でき、且
つＳ／Ｎ比の良い信号が得られる微小変位検出用の半導
体レーザ装置を提供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、同一面上に複数の発光点を有し、各発光点か
ら同一方向にレーザ光を出射するモノリシック型の半導
体レーザチップと、上記各レーザ光の出射方向に配され
、これらのレーザ光を夫々同一方向に反射する反射鏡と
、を備え、上記反射鏡は夫々対応する発光点との距離が
異なるように配置されていることを特徴とする。
ら同一方向にレーザ光を出射するモノリシック型の半導
体レーザチップと、上記各レーザ光の出射方向に配され
、これらのレーザ光を夫々同一方向に反射する反射鏡と
、を備え、上記反射鏡は夫々対応する発光点との距離が
異なるように配置されていることを特徴とする。
（ホ）作用
本発明によれば、反射鏡を夫々対応する発光点との距離
が興なるように配置し、半導体レーザチップから出射さ
れるレーザ光を反射鏡で反射させて出力することによっ
て、反射鏡で反射されたレーザ光の等価的な発光点がそ
の光軸方向にずれる。
が興なるように配置し、半導体レーザチップから出射さ
れるレーザ光を反射鏡で反射させて出力することによっ
て、反射鏡で反射されたレーザ光の等価的な発光点がそ
の光軸方向にずれる。
（へ）実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。
図において、（１）は２つのレーザ共振Ｋ （１ａ ）
（１ｂ）が設けられたモノリシック型の半導体レーザ
チップで、その発光点（２ａ）（２ｂ）は同一面上に存
在する。また、（３）は半導体レーザチップ（１）の活
性層、（４）（４）は各レーザ共振器（ｌａ）（ｌｂ）
に個別に電流を供給する電極である。（５）はＳｌから
なるサブマウントで、この上に半導体レーザチップ（１
）が載置固着される。
（１ｂ）が設けられたモノリシック型の半導体レーザ
チップで、その発光点（２ａ）（２ｂ）は同一面上に存
在する。また、（３）は半導体レーザチップ（１）の活
性層、（４）（４）は各レーザ共振器（ｌａ）（ｌｂ）
に個別に電流を供給する電極である。（５）はＳｌから
なるサブマウントで、この上に半導体レーザチップ（１
）が載置固着される。
（６ａ）（６ｂ）は各発光点（２ａ）（２ｂ）から出射
されるレーザ光（７ａ）（７ｂ）の進行方向に夫々対応
して配された反射鏡となるマイクロプリズムで、各レー
ザ光（７ａ）（７ｂ）を直角方向に反射する。さらに、
マイクロプリズム（６ａ）（６ｂ）は夫々対応する発光
点（２ａ）（２ｂ）との距離が互いに異なるように光軸
方向にずれて配置される。また、斯るマイクロプリズム
（６ａ）（６ｂ）の各反射面に金属を蒸着して、この面
を全反射面としても良い。
されるレーザ光（７ａ）（７ｂ）の進行方向に夫々対応
して配された反射鏡となるマイクロプリズムで、各レー
ザ光（７ａ）（７ｂ）を直角方向に反射する。さらに、
マイクロプリズム（６ａ）（６ｂ）は夫々対応する発光
点（２ａ）（２ｂ）との距離が互いに異なるように光軸
方向にずれて配置される。また、斯るマイクロプリズム
（６ａ）（６ｂ）の各反射面に金属を蒸着して、この面
を全反射面としても良い。
ここで、第１図では、マイクロプリズム（６ａ）（６ｂ
）によって反射されたレーザ光（７ａ）（７ｂ）の進行
方向に設けられる集光レンズ（第３図のレンズ（１６）
に対応）、及び半導体レーザチップ（１）の後方光を検
出する受光素子（第３図の受光素子（１５ａ）（１５ｂ
）に対応）を省略し図示していない。
）によって反射されたレーザ光（７ａ）（７ｂ）の進行
方向に設けられる集光レンズ（第３図のレンズ（１６）
に対応）、及び半導体レーザチップ（１）の後方光を検
出する受光素子（第３図の受光素子（１５ａ）（１５ｂ
）に対応）を省略し図示していない。
而して、本実施例装置においては、マイクロプリズム（
６ａ）（６ｂ）によって反射されたレーザ光（７ａ）（
７ｂ）の等価的な発光点が、第１図（ｂ）に示すように
、夫々（２’ａ）（２’ｂ）となり、マイクロプリズム
（６ａ）（６ｂ）の光軸方向のずれ量と同じだけずれ、
これによって第３図の装置と同様、物体の微小変位を検
出することができる。
６ａ）（６ｂ）によって反射されたレーザ光（７ａ）（
７ｂ）の等価的な発光点が、第１図（ｂ）に示すように
、夫々（２’ａ）（２’ｂ）となり、マイクロプリズム
（６ａ）（６ｂ）の光軸方向のずれ量と同じだけずれ、
これによって第３図の装置と同様、物体の微小変位を検
出することができる。
本実施例装置では、等価的な発光点（２’ａ）（２’ｂ
）の形成方法が、マイクロプリズム（６ａ）（６ｂ）の
反射を利用するものであるので、レーザ光（７ａ）（７
ｂ）を有効に利用することができ、且つマイクロプリズ
ム（６ａ）（６ｂ）による反射によって半導体レーザチ
ップに帰還する光もないため、図示していない受光素子
からＳ／Ｎ比の良い信号が得られる。また、半導体レー
ザチップ（１）のような能動素子でないマイクロプリズ
ム（６ａ）（６ｂ）においてはその取扱いが簡単である
ため、ずれ量を正確に調整することがきる。さらに、等
価的な発光点（２’ａ）（２’ｂ）のずれ量がマイクロ
プリズム（６ａ）（６ｂ）のずれ量と等しいので、等価
的な発光点（２’ａ）（２’ｂ）のずれ量の調整が正確
且つ容易にでき、その設定範囲も広くとれるので、ずれ
量を容易に大きくすることができる。
）の形成方法が、マイクロプリズム（６ａ）（６ｂ）の
反射を利用するものであるので、レーザ光（７ａ）（７
ｂ）を有効に利用することができ、且つマイクロプリズ
ム（６ａ）（６ｂ）による反射によって半導体レーザチ
ップに帰還する光もないため、図示していない受光素子
からＳ／Ｎ比の良い信号が得られる。また、半導体レー
ザチップ（１）のような能動素子でないマイクロプリズ
ム（６ａ）（６ｂ）においてはその取扱いが簡単である
ため、ずれ量を正確に調整することがきる。さらに、等
価的な発光点（２’ａ）（２’ｂ）のずれ量がマイクロ
プリズム（６ａ）（６ｂ）のずれ量と等しいので、等価
的な発光点（２’ａ）（２’ｂ）のずれ量の調整が正確
且つ容易にでき、その設定範囲も広くとれるので、ずれ
量を容易に大きくすることができる。
第２図（ａ）は本発明の他の実施例を示し、本発明を光
デイスク用ピックアップの７オーカスエラー検出装置に
適用した例である。
デイスク用ピックアップの７オーカスエラー検出装置に
適用した例である。
図において、（１）は５つのレーザ共振器（１ａ）〜（
１ｅ）が設けられたモノリシック型の半導体レーザチッ
プで、その発光点（２ａ）〜（２ｅ）は同一面上に存在
する。また、（４）（４）・・・は各レーザ共振器（１
ａ）〜（１ｅ）に個別に電流を供給する電極である。（
３）はＳｉからなるサブマウントで、この上に半導体レ
ーザチップ（１）が載置固着される。
１ｅ）が設けられたモノリシック型の半導体レーザチッ
プで、その発光点（２ａ）〜（２ｅ）は同一面上に存在
する。また、（４）（４）・・・は各レーザ共振器（１
ａ）〜（１ｅ）に個別に電流を供給する電極である。（
３）はＳｉからなるサブマウントで、この上に半導体レ
ーザチップ（１）が載置固着される。
（６ａ）（６ｂ）（６ｃ）は各発光点（２ａ）−（２ｅ
）から出射されるレーザ光（７ａ）〜（７ｅ）の進行方
向に夫々対応して配された反射鏡となるマイクロプリズ
ムで、各レーザ光（７ａ）〜（７ｅ）を直角方向に反射
する。さらに、マイクロプリズム（６ａ） （６ｂ）
（６ｃ）は夫々対応する発光点（２ａ）〜（２ｅ）との
距離が互いに異なるように光軸方向にずれて配置される
。
）から出射されるレーザ光（７ａ）〜（７ｅ）の進行方
向に夫々対応して配された反射鏡となるマイクロプリズ
ムで、各レーザ光（７ａ）〜（７ｅ）を直角方向に反射
する。さらに、マイクロプリズム（６ａ） （６ｂ）
（６ｃ）は夫々対応する発光点（２ａ）〜（２ｅ）との
距離が互いに異なるように光軸方向にずれて配置される
。
斯る実施例において、各レーザ光（２ａ）〜（２ｅ）は
、図示しない集光レンズによって、第２図（ｂ）に示す
ように光ディスク（８）（図中紙面）上に集光される。
、図示しない集光レンズによって、第２図（ｂ）に示す
ように光ディスク（８）（図中紙面）上に集光される。
ここで、図中（９）（９）（９）は記録信号が書き込ま
れた信号トラックである。
れた信号トラックである。
而して、本実施例装置では、レーザ光（２ａ）（２ｂ）
で、光ディスク（８）の変位、即ち７オーカスエラーが
検出され、レーザ光（２ｃ）で記録信号が検出され、レ
ーザ光（２ｄ）（２ｅ）でトラッキングエラーが検出さ
れる。
で、光ディスク（８）の変位、即ち７オーカスエラーが
検出され、レーザ光（２ｃ）で記録信号が検出され、レ
ーザ光（２ｄ）（２ｅ）でトラッキングエラーが検出さ
れる。
以上、本実施例では反射鏡としてマイクロプリズムを用
いたが、これを平板ミラー等、他の反射板で構成しても
良いことは明らかである。
いたが、これを平板ミラー等、他の反射板で構成しても
良いことは明らかである。
（ト）発明の効果
本発明によれば、反射鏡を夫々対応する発光点との距離
が異なるように配置し、半導体レーザチップから出射さ
れるレーザ光を反射鏡で反射させて出力することによっ
て、反射鏡で反射されたレーザ光の等価的な発光点をそ
の先軸方向にずらすことができる。即ち、取扱いの難し
い半導体レーザチップで直接発光点のずれを調整する必
要がなくなり、取扱いの容易な反射鏡を用いてずれ量を
調整することができる。また、等価的な発光点のずれ量
は反射鏡のずれ量と等しいので、等価的な発光点のずれ
量の調整が正確且つ容易にできる。さらに、本発明装置
では、反射鏡による反射光が直接半導体レーザチップに
戻らないため、受光素子からＳ／Ｎ比の良い微小変位信
号を得ることができる。
が異なるように配置し、半導体レーザチップから出射さ
れるレーザ光を反射鏡で反射させて出力することによっ
て、反射鏡で反射されたレーザ光の等価的な発光点をそ
の先軸方向にずらすことができる。即ち、取扱いの難し
い半導体レーザチップで直接発光点のずれを調整する必
要がなくなり、取扱いの容易な反射鏡を用いてずれ量を
調整することができる。また、等価的な発光点のずれ量
は反射鏡のずれ量と等しいので、等価的な発光点のずれ
量の調整が正確且つ容易にできる。さらに、本発明装置
では、反射鏡による反射光が直接半導体レーザチップに
戻らないため、受光素子からＳ／Ｎ比の良い微小変位信
号を得ることができる。
第１図（ａ）は本発明装置の一実施例を示す平面図、第
１図（ｂ）はその側面図、第２図（ａ）は本発明装置の
他の実施例を示す平面図、第２図（ｂ）は斯る実施例装
置から出力されるレーザ光の光デイスク面上での集光位
置を示す模式図、第３図は従来装置を示す平面図、第４
図は第３図の装置において反射板の位置と各出力値を示
す特性図、第５１１！ｊｆｒＩ１ 図は他の従来装置を示す平面図である。
１図（ｂ）はその側面図、第２図（ａ）は本発明装置の
他の実施例を示す平面図、第２図（ｂ）は斯る実施例装
置から出力されるレーザ光の光デイスク面上での集光位
置を示す模式図、第３図は従来装置を示す平面図、第４
図は第３図の装置において反射板の位置と各出力値を示
す特性図、第５１１！ｊｆｒＩ１ 図は他の従来装置を示す平面図である。
Claims (1)
- （１）同一面上に複数の発光点を有し、各発光点から同
一方向にレーザ光を出射するモノリシック型の半導体レ
ーザチップと、上記各レーザ光の出射方向に配され、こ
れらのレーザ光を夫々同一方向に反射する反射鏡と、を
備え、上記反射鏡は夫々対応する発光点との距離が異な
るように配置されていることを特徴とする半導体レーザ
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2229609A JPH04111380A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2229609A JPH04111380A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111380A true JPH04111380A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16894860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2229609A Pending JPH04111380A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111380A (ja) |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP2229609A patent/JPH04111380A/ja active Pending
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