JPH04112412A - 強誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
強誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPH04112412A JPH04112412A JP2228362A JP22836290A JPH04112412A JP H04112412 A JPH04112412 A JP H04112412A JP 2228362 A JP2228362 A JP 2228362A JP 22836290 A JP22836290 A JP 22836290A JP H04112412 A JPH04112412 A JP H04112412A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、キャパシター、メモリー素子、センサー等に
利用可能な強誘電体薄膜の製造方法に関するものである
。
利用可能な強誘電体薄膜の製造方法に関するものである
。
［従来の技術］
従来、鉛、ジルコニウム、チタン系酸化物（以下ＰＺＴ
と略称する）等の強誘電体薄膜の製造方法として、スパ
ッタリング法や真空蒸着法、更にゾル・ゲル法が用いら
れている。これらの方法においては、得られる薄膜を構
成する成分の粒径を制御する方法として、得られた薄膜
を焼成する方法、或いは薄膜をアニールする際の温度お
よび時間を調節することによる制御方法であった。近時
、強誘電体薄膜の利用範囲が拡大するにつれて、薄膜の
基板として用いられる材料も種々のものが用いられるよ
うになってきた。
と略称する）等の強誘電体薄膜の製造方法として、スパ
ッタリング法や真空蒸着法、更にゾル・ゲル法が用いら
れている。これらの方法においては、得られる薄膜を構
成する成分の粒径を制御する方法として、得られた薄膜
を焼成する方法、或いは薄膜をアニールする際の温度お
よび時間を調節することによる制御方法であった。近時
、強誘電体薄膜の利用範囲が拡大するにつれて、薄膜の
基板として用いられる材料も種々のものが用いられるよ
うになってきた。
しかし、上記したように薄膜の構成成分の粒径制御方法
が加熱による方法である以上、基板の選択によっては制
御の際の加熱温度に限りかあり、そのため、広い範囲に
亘り任意に粒径を制御することが困難であった。
が加熱による方法である以上、基板の選択によっては制
御の際の加熱温度に限りかあり、そのため、広い範囲に
亘り任意に粒径を制御することが困難であった。
［発明が解決しようとする課題］
前記した、薄膜の製法の内ゾル・ゲル法は、比較的粒径
の小さい強誘電体薄膜を得易いが、強誘電体は必要以上
に粒径が小さすぎると、材質本来の特性を引き出すこと
が困難である。
の小さい強誘電体薄膜を得易いが、強誘電体は必要以上
に粒径が小さすぎると、材質本来の特性を引き出すこと
が困難である。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、同一の焼成条件
によっても任意に粒径を制御することが可能な薄膜の製
造方法を提供するものである。
によっても任意に粒径を制御することが可能な薄膜の製
造方法を提供するものである。
５課題を解決するための手段］
本発明者らは、強誘電体薄膜の製造方法を鋭意検討した
結果、一般式Ｐｂ（Ｚｒ、 Ｔｔ＋ −）０３（ただし
０≦ｘ≦１）で表わされる強誘電体薄膜の製造に際し、
Ｐｂ ＳＴｉ、Ｚｒ成分と有機物との複合化反応混合液
から、これらの複合化反応により生成する複合化物以外
の反応生成物量の１７４〜３／４を反応系から除去した
ものを基板上に塗布し、塗布面を焼成することにより、
得られる薄膜成分の粒径を０．０２〜１μｍの範囲で任
意に制御することが可能であることを見出だし本発明を
完成した。
結果、一般式Ｐｂ（Ｚｒ、 Ｔｔ＋ −）０３（ただし
０≦ｘ≦１）で表わされる強誘電体薄膜の製造に際し、
Ｐｂ ＳＴｉ、Ｚｒ成分と有機物との複合化反応混合液
から、これらの複合化反応により生成する複合化物以外
の反応生成物量の１７４〜３／４を反応系から除去した
ものを基板上に塗布し、塗布面を焼成することにより、
得られる薄膜成分の粒径を０．０２〜１μｍの範囲で任
意に制御することが可能であることを見出だし本発明を
完成した。
以下、その詳細について説明する。
本発明では、前記した一般式で表わされる組成となるよ
うにＰｂ、 Ｚｒ、 Ｔｉ成分を有機物と混合し、得ら
れた混合溶液を加熱することによってこれらの複合化合
物としたものを基板上に塗布するが、ここで用いるＰｉ
ｅｒ、 Ｚｒ、 Ｔｉ成分は例えば次のＡ−Ｃ群で表さ
れるものである。
うにＰｂ、 Ｚｒ、 Ｔｉ成分を有機物と混合し、得ら
れた混合溶液を加熱することによってこれらの複合化合
物としたものを基板上に塗布するが、ここで用いるＰｉ
ｅｒ、 Ｚｒ、 Ｔｉ成分は例えば次のＡ−Ｃ群で表さ
れるものである。
また、これらと混合する有機物は下記り群に示す溶媒か
ら選択されるものである。
ら選択されるものである。
Ａ群：酢酸鉛・３水和物
酸化鉛
Ｐｂ（ＯＲ） ２
Ｂ群： Ｔｉ（ＯＲ−） 。
Ｃ群： Ｚｒ（ＯＲ−）、＋
（Ｒ５Ｒ−１Ｒ−′は炭素数２以上のアルキル基）
Ｄ群： ｔｌＯｃＨ２ＣＨ２０Ｒ
Ｒ２Ｃ００Ｈ
１？”０Ｈ
（Ｒ’ 、Ｒ’ 、Ｒ’は炭素数１以上のアルキル基）
本発明で用いる塗布液の調製は、まず、Ａ群より選択さ
れる少なくとも一種の鉛化合物を、Ｄ群より選択される
少なくとも一種の有機物中に混合する、この時鉛化合物
が結晶水を含む場合には加熱によりそれを除去しておく
ことが好ましい。又用いるＤ群より選択される少なくと
も一種の有機物の量は少なくともＡ−Ｃ群の化合物と反
応し得る量以上用いれば良い。この混合溶液中にＢ群お
よびＣ群より選択される少なくとも一種のＴｉおよびＺ
ｒアルコキシドを所定量（前記一般式で表される化学量
論量）添加した後攪拌しながら加熱し各成分間で−の複
合化反応例えば縮重合反応によりＰｂ、 Ｚｒ、 Ｔｉ
金属元素を含む複合化物溶液とする。
れる少なくとも一種の鉛化合物を、Ｄ群より選択される
少なくとも一種の有機物中に混合する、この時鉛化合物
が結晶水を含む場合には加熱によりそれを除去しておく
ことが好ましい。又用いるＤ群より選択される少なくと
も一種の有機物の量は少なくともＡ−Ｃ群の化合物と反
応し得る量以上用いれば良い。この混合溶液中にＢ群お
よびＣ群より選択される少なくとも一種のＴｉおよびＺ
ｒアルコキシドを所定量（前記一般式で表される化学量
論量）添加した後攪拌しながら加熱し各成分間で−の複
合化反応例えば縮重合反応によりＰｂ、 Ｚｒ、 Ｔｉ
金属元素を含む複合化物溶液とする。
この際の加熱条件は５０℃から前記り群の化合物の沸点
までの温度で、０．５〜２４時間である。本発明はこの
Ｐｂ、、Ｚｒ、 Ｔｉ金属元素を含む複合化合物溶液を
基板上への塗布液とする。
までの温度で、０．５〜２４時間である。本発明はこの
Ｐｂ、、Ｚｒ、 Ｔｉ金属元素を含む複合化合物溶液を
基板上への塗布液とする。
本発明における複合化反応は、構成成分であるｐ’ｏ、
Ｚｒ、 Ｔｉが、酸素またはＣ００を介して連結した
構造とするためであり、本発明は、この連結の度合いを
調節することにより薄膜の構成成分の粒径を制御するこ
とが特徴である。
Ｚｒ、 Ｔｉが、酸素またはＣ００を介して連結した
構造とするためであり、本発明は、この連結の度合いを
調節することにより薄膜の構成成分の粒径を制御するこ
とが特徴である。
この際の連結の度合いの調節は、前記複合化反応中にお
いて又は反応後に、複合化物以外の反応成分の反応系か
らの除去量を調節することにより制御する。この成分は
、前記したＡ、Ｂ５Ｃ５Ｄ群の反応により生成するもの
で、例えばアルコール、カルボン酸、エステルなどであ
る。
いて又は反応後に、複合化物以外の反応成分の反応系か
らの除去量を調節することにより制御する。この成分は
、前記したＡ、Ｂ５Ｃ５Ｄ群の反応により生成するもの
で、例えばアルコール、カルボン酸、エステルなどであ
る。
反応系からこれらを除去する際の除去量は、除去量が少
ないと反応が充分に進行せず、この反応溶液を用いて目
的とする強誘電体を形成する際に高い処理温度が必要と
なり、又、過度に除去すると反応溶液の粘度が上昇し、
後の工程における操作が容易でなくなる。本発明では、
複合化物以外の反応生成物量の１７４〜３／４を除去す
ることが必要である。
ないと反応が充分に進行せず、この反応溶液を用いて目
的とする強誘電体を形成する際に高い処理温度が必要と
なり、又、過度に除去すると反応溶液の粘度が上昇し、
後の工程における操作が容易でなくなる。本発明では、
複合化物以外の反応生成物量の１７４〜３／４を除去す
ることが必要である。
前記に示した反応生成物の除去量の範囲において、この
反応溶液を用い、後の処理を経て得られる薄膜構成成分
の粒径は、例えば膜の熱処理温度を６５０℃に固定した
場合、除去量が生成量の１７４量で約０．０２〜０．０
５μｍ 、 １／２量でＯ，ｂｚｍ 、 ３／４量で１
μｍ程度となる。
反応溶液を用い、後の処理を経て得られる薄膜構成成分
の粒径は、例えば膜の熱処理温度を６５０℃に固定した
場合、除去量が生成量の１７４量で約０．０２〜０．０
５μｍ 、 １／２量でＯ，ｂｚｍ 、 ３／４量で１
μｍ程度となる。
本発明においてＤ群にあげた有機物は、沸点が１００℃
〜１８０℃のものが好ましく、沸点が１００℃より低い
ものを用いると、塗布液を基板へ塗布する際、塗布中に
溶液の濃度変化が起き易く、厚みむらの原因となる。ま
た、過度に沸点が高いものでは、基板に塗布した後の乾
燥工程で溶媒か膜面に残存し易く薄膜面に細孔か生ずる
原因となる。
〜１８０℃のものが好ましく、沸点が１００℃より低い
ものを用いると、塗布液を基板へ塗布する際、塗布中に
溶液の濃度変化が起き易く、厚みむらの原因となる。ま
た、過度に沸点が高いものでは、基板に塗布した後の乾
燥工程で溶媒か膜面に残存し易く薄膜面に細孔か生ずる
原因となる。
又、Ａ〜Ｃ群にあげた各構成成分の原料は前記した複合
化反応により生成するアルコール、カルボン酸、又、こ
れらからのエーテル、エステル等の反応生成物の沸点が
Ｄ群より選択した有機物よりも低い生成物となるように
選択するのか、複合化反応の進行を容易にし、これを用
いて目的とする薄膜を得る上で好ましい。
化反応により生成するアルコール、カルボン酸、又、こ
れらからのエーテル、エステル等の反応生成物の沸点が
Ｄ群より選択した有機物よりも低い生成物となるように
選択するのか、複合化反応の進行を容易にし、これを用
いて目的とする薄膜を得る上で好ましい。
また、Ｂおよび０群より選択されるＴｉおよびＺｒに関
しては、これらのアルコキシドを用いる場合は、複合化
反応が同時に起こり易くするために、同種のアルコキシ
ル基を選択して用いるのが好ましい。なお、Ａ−Ｃおよ
びＤ群の中から二種以上を選択して用いても何等さしつ
かえない。
しては、これらのアルコキシドを用いる場合は、複合化
反応が同時に起こり易くするために、同種のアルコキシ
ル基を選択して用いるのが好ましい。なお、Ａ−Ｃおよ
びＤ群の中から二種以上を選択して用いても何等さしつ
かえない。
本発明では、上記した方法で得られた塗布液を基板上に
塗布し薄膜を形成する。実際の塗布の際の塗布液は複合
化物の濃度として０．３〜１モル％となるように前記り
群の化合物で調節して用いる。
塗布し薄膜を形成する。実際の塗布の際の塗布液は複合
化物の濃度として０．３〜１モル％となるように前記り
群の化合物で調節して用いる。
コノ際ノ薄膜の形成方法はスピンコード法、塗布溶液中
に基板を浸漬して引き上げるデイツプ法あるいはスプレ
ーによる塗布法などが用いられる。
に基板を浸漬して引き上げるデイツプ法あるいはスプレ
ーによる塗布法などが用いられる。
次に、基板上に形成した薄膜を乾燥し、非晶質薄膜とす
る。この乾燥工程は薄膜と基板との付着強度の面から考
えると、瞬時に行うのか好ましく、通常所定の乾燥温度
で一分以内加熱することか好ましい。故にホットプレー
ト上において行うのか好ましい。この際の乾燥温度は過
度に高いと薄膜成分が結晶化し、冷却時に立方晶から正
方晶への相転移が起こりクラック発生等の原因となる。
る。この乾燥工程は薄膜と基板との付着強度の面から考
えると、瞬時に行うのか好ましく、通常所定の乾燥温度
で一分以内加熱することか好ましい。故にホットプレー
ト上において行うのか好ましい。この際の乾燥温度は過
度に高いと薄膜成分が結晶化し、冷却時に立方晶から正
方晶への相転移が起こりクラック発生等の原因となる。
又、過度に低いと溶媒が完全に除去できないので２００
℃〜４５０℃の範囲で行うのか好ましい。
℃〜４５０℃の範囲で行うのか好ましい。
次に上記非晶質薄膜を焼成して、ＰＺＴ強誘電体薄膜と
する。この焼成工程は、−回の焼成の際の薄膜の厚さを
０，５μｍ以下とすることが好ましく、例えば非晶質薄
膜を基板ごと電気炉に入れ１〜２０’Ｃ／ｍｉｎの速度
で５００℃以上まで昇温し、その温度で１分〜４時間保
持した後、昇温速度と同程度の速度で冷却して行う。こ
の際、−回の焼成による厚さが０５μｍより厚いと、焼
成による膜の収縮が大きくクラック発生の原因となる。
する。この焼成工程は、−回の焼成の際の薄膜の厚さを
０，５μｍ以下とすることが好ましく、例えば非晶質薄
膜を基板ごと電気炉に入れ１〜２０’Ｃ／ｍｉｎの速度
で５００℃以上まで昇温し、その温度で１分〜４時間保
持した後、昇温速度と同程度の速度で冷却して行う。こ
の際、−回の焼成による厚さが０５μｍより厚いと、焼
成による膜の収縮が大きくクラック発生の原因となる。
又より厚い膜を必要とする場合には、前記の塗布、乾燥
、焼成の工程を繰り返すことにより所望の厚さの薄膜を
得ることができる。又、焼成の際の昇温、降温速度は、
上記した範囲内であれは特に問題となることはないが、
降温速度を過度に速くするとキュリー温度での立方晶か
ら正方晶への相転移か急激に起こり、クラック発生の原
因となる。また焼成温度は５００°Ｃより低い温度では
膜を構成する酸化物がペロブスカイト型構造とならず従
って強誘電性を示さず、更に、熱分解により生成する炭
素質が薄膜中に残留し、膜の誘電損失の増大の原因とな
る。
、焼成の工程を繰り返すことにより所望の厚さの薄膜を
得ることができる。又、焼成の際の昇温、降温速度は、
上記した範囲内であれは特に問題となることはないが、
降温速度を過度に速くするとキュリー温度での立方晶か
ら正方晶への相転移か急激に起こり、クラック発生の原
因となる。また焼成温度は５００°Ｃより低い温度では
膜を構成する酸化物がペロブスカイト型構造とならず従
って強誘電性を示さず、更に、熱分解により生成する炭
素質が薄膜中に残留し、膜の誘電損失の増大の原因とな
る。
本発明での焼成工程における雰囲気は、基本的には大気
中あるいは酸素気流中で行うのが好ましいが、例えば下
部電極として使用する金属か酸化され易い場合にはアル
ゴン等の不活性ガスあるいは窒素気流中でまず焼成を行
い、次いで、その焼成温度以下の温度で再酸化処理を行
うことも可能である。
中あるいは酸素気流中で行うのが好ましいが、例えば下
部電極として使用する金属か酸化され易い場合にはアル
ゴン等の不活性ガスあるいは窒素気流中でまず焼成を行
い、次いで、その焼成温度以下の温度で再酸化処理を行
うことも可能である。
Ｌ発明の効果］
以上で説明したように本発明は、基板への塗布液の調製
工程において、その構成成分の複合化反応により生成す
る複合化以外の反応生成物量の１／４〜３／４の量を反
応系から除去した反応液を用いることにより、得られる
薄膜構成成分の粒径を、同一の焼成条件においても０．
０２〜１μｍの範囲で任意に選択することか可能であり
、薄膜構成成分の粒径による膜の強誘電特性の制御を行
うことができる。
工程において、その構成成分の複合化反応により生成す
る複合化以外の反応生成物量の１／４〜３／４の量を反
応系から除去した反応液を用いることにより、得られる
薄膜構成成分の粒径を、同一の焼成条件においても０．
０２〜１μｍの範囲で任意に選択することか可能であり
、薄膜構成成分の粒径による膜の強誘電特性の制御を行
うことができる。
従って、広い範囲の種類の基板に適応可能である。
［実施例および比較例］
実施例１
酢酸鉛・３水和物１１３．７９９ｇをエチレングリコー
ルモノメチルエーテル２００ｍ１中に溶解した後１２０
℃まで加熱して結晶水の除去を行った。除去後９０℃以
下まで冷却し酢酸１８ｇを添加し、さらにジルコニウム
プロポキシド５２．０８０ｇ、チタニウムイソプロポキ
シド４０．０７６ｇを添加し再び加熱して反応系全体の
体積が１５０ｍ１になるまで溶媒を蒸発除去した後室温
まで冷却してＰＺＴ濃度で１．５ｍｏｌ／１となるよう
エチレングリコールモノメチルエーテルを添加して溶液
を調製した。この溶液を１６．７ｍ１分取し、エチレン
グリコールモノメチルエーテル８、３ｍｌ、水０．９ｍ
ｌを添加して塗布液とし、これをスピンコーターで白金
をコーティングしたシリコンウェハー上に塗布し３００
℃で乾燥し非晶質薄膜を得た。この非晶質薄膜を６５０
℃、２０分焼成を行い結晶化させＰＺＴ薄膜を作製した
。得られた薄膜の粒径は走査型電子顕微鏡観察の結果０
．１μｍであった。
ルモノメチルエーテル２００ｍ１中に溶解した後１２０
℃まで加熱して結晶水の除去を行った。除去後９０℃以
下まで冷却し酢酸１８ｇを添加し、さらにジルコニウム
プロポキシド５２．０８０ｇ、チタニウムイソプロポキ
シド４０．０７６ｇを添加し再び加熱して反応系全体の
体積が１５０ｍ１になるまで溶媒を蒸発除去した後室温
まで冷却してＰＺＴ濃度で１．５ｍｏｌ／１となるよう
エチレングリコールモノメチルエーテルを添加して溶液
を調製した。この溶液を１６．７ｍ１分取し、エチレン
グリコールモノメチルエーテル８、３ｍｌ、水０．９ｍ
ｌを添加して塗布液とし、これをスピンコーターで白金
をコーティングしたシリコンウェハー上に塗布し３００
℃で乾燥し非晶質薄膜を得た。この非晶質薄膜を６５０
℃、２０分焼成を行い結晶化させＰＺＴ薄膜を作製した
。得られた薄膜の粒径は走査型電子顕微鏡観察の結果０
．１μｍであった。
実施例２
酢酸鉛・３水和物１８．９６７ｇ、を酢酸１０ｍ１中に
溶解した後１２０℃まで加熱して結晶水の除去を行った
。除去後、９０℃以下まで冷却しジルコニウムブトキシ
ド１０．１６７ｇ、チタニウムブトキシド７、９９８ｇ
を添加し再び加熱して反応系の体積が２０１ｕ１になる
まで溶媒を蒸発除去し、この溶液に酢酸６２ｍ１、水１
３ｍ１添加して塗布液とし、これをスピンコーターで白
金をコーティングしたシリコンウェハーに塗布し３００
℃で乾燥し非晶質薄膜を得た。さらに実施例１と同様に
して焼成を行いＰＺＴ薄膜としたところ、得られた薄膜
の粒径は０．０２μｍであった。
溶解した後１２０℃まで加熱して結晶水の除去を行った
。除去後、９０℃以下まで冷却しジルコニウムブトキシ
ド１０．１６７ｇ、チタニウムブトキシド７、９９８ｇ
を添加し再び加熱して反応系の体積が２０１ｕ１になる
まで溶媒を蒸発除去し、この溶液に酢酸６２ｍ１、水１
３ｍ１添加して塗布液とし、これをスピンコーターで白
金をコーティングしたシリコンウェハーに塗布し３００
℃で乾燥し非晶質薄膜を得た。さらに実施例１と同様に
して焼成を行いＰＺＴ薄膜としたところ、得られた薄膜
の粒径は０．０２μｍであった。
実施例３
鉛ブトキシド（トルエン溶液） ４８．５４４ｇをｎ
−ブタノール１８ｇ中に添加した後１１０℃まで加熱し
てトルエンの除去を行った。除去後、９０℃以下まで冷
却し酢酸２０ｇを添加し、さらにジルコニウムブトキシ
ド１０．１６７ｇ、チタニウムブトキシド７、９９８ｇ
を添加し再び加熱して反応系の体積が５９ｍ１になるま
で溶媒を蒸発除去し、この溶液にブタノール５０ｍ１．
水１．８ｍｌ添加して塗布液とし、これをスピンコータ
ーでシリコンウェハーに塗布し３００℃で乾燥し非晶質
薄膜を得た。さらに実施例１と同様にして焼成を行いＰ
ＺＴ薄膜としたところ、得られた薄膜の粒径・は０．０
５μｍであった。
−ブタノール１８ｇ中に添加した後１１０℃まで加熱し
てトルエンの除去を行った。除去後、９０℃以下まで冷
却し酢酸２０ｇを添加し、さらにジルコニウムブトキシ
ド１０．１６７ｇ、チタニウムブトキシド７、９９８ｇ
を添加し再び加熱して反応系の体積が５９ｍ１になるま
で溶媒を蒸発除去し、この溶液にブタノール５０ｍ１．
水１．８ｍｌ添加して塗布液とし、これをスピンコータ
ーでシリコンウェハーに塗布し３００℃で乾燥し非晶質
薄膜を得た。さらに実施例１と同様にして焼成を行いＰ
ＺＴ薄膜としたところ、得られた薄膜の粒径・は０．０
５μｍであった。
実施例４
酢酸鉛・３水和物３６．ＯＯｇ 、を酢酸３５ｍ１中に
溶解した後１２０℃まで加熱して結晶水の除去を行った
。除去後、９０℃以下まで冷却しジルコニウムブトキシ
ド１６．６０ｇ、チタニウムブトキシド６、５０ｇを添
加し再び加熱して反応系の体積が２０ｍ１になるまで溶
媒を蒸発除去し、この溶液に酢酸６２ｍ１ 。
溶解した後１２０℃まで加熱して結晶水の除去を行った
。除去後、９０℃以下まで冷却しジルコニウムブトキシ
ド１６．６０ｇ、チタニウムブトキシド６、５０ｇを添
加し再び加熱して反応系の体積が２０ｍ１になるまで溶
媒を蒸発除去し、この溶液に酢酸６２ｍ１ 。
水１８ｍ１添加して塗布液とし、これを実施例３と同様
にして薄膜化し３００℃で乾燥し非晶質薄膜を得た。さ
らに実施例１と同様にして焼成を行いＰＺＴ薄膜とした
ところ、得られた薄膜の粒径は１μｍであった。
にして薄膜化し３００℃で乾燥し非晶質薄膜を得た。さ
らに実施例１と同様にして焼成を行いＰＺＴ薄膜とした
ところ、得られた薄膜の粒径は１μｍであった。
Claims (1)
- 一般式Ｐｂ（Ｚｒ＿ｘＴｉ＿１＿ｘ）Ｏ＿３（ただし
０≦ｘ≦１）で表わされる強誘電体薄膜の製造に際し、
Ｐｂ、Ｔｉ、Ｚｒ成分と有機物との複合化反応混合液か
ら、これらの複合化反応により生成する複合化物以外の
反応生成物量の１／４〜３／４を反応系から除去したも
のを基板上に塗布し、塗布面を焼成することを特徴とす
る強誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22836290A JP3013411B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22836290A JP3013411B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04112412A true JPH04112412A (ja) | 1992-04-14 |
| JP3013411B2 JP3013411B2 (ja) | 2000-02-28 |
Family
ID=16875273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22836290A Expired - Fee Related JP3013411B2 (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 強誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3013411B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996029725A1 (en) * | 1995-03-21 | 1996-09-26 | Northern Telecom Limited | Ferroelectric dielectric for integrated circuit applications at microwave frequencies |
| JPH11315041A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-11-16 | Samsung Display Devices Co Ltd | 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法 |
| JP2002265224A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Ｂｌｔ系強誘電体薄膜とその作製方法とその為の塗布液 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP22836290A patent/JP3013411B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5886867A (en) * | 1995-03-21 | 1999-03-23 | Northern Telecom Limited | Ferroelectric dielectric for integrated circuit applications at microwave frequencies |
| JPH11315041A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-11-16 | Samsung Display Devices Co Ltd | 金属酸化物前駆体組成物及びその製造方法 |
| JP2002265224A (ja) * | 2001-03-09 | 2002-09-18 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | Ｂｌｔ系強誘電体薄膜とその作製方法とその為の塗布液 |
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| JP3013411B2 (ja) | 2000-02-28 |
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