JPH04112433A - 撮像管およびその動作方法 - Google Patents
撮像管およびその動作方法Info
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- JPH04112433A JPH04112433A JP23066190A JP23066190A JPH04112433A JP H04112433 A JPH04112433 A JP H04112433A JP 23066190 A JP23066190 A JP 23066190A JP 23066190 A JP23066190 A JP 23066190A JP H04112433 A JPH04112433 A JP H04112433A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光導電層の少なくとも一部がＳｅを主体とす
る非晶質半導体から成る撮像管およびその動作方法に関
する。
る非晶質半導体から成る撮像管およびその動作方法に関
する。
［従来の技術］
非晶質Ｓｅは光導電性を示し、一般にｐ形厚電性を有す
るとともに、ｎ形厚電性の材料と整流性接触をなすこと
から、非晶質Ｓｅを光導電層として用い、この特徴を生
かした阻止型撮像管ターゲットを作ることができる。
るとともに、ｎ形厚電性の材料と整流性接触をなすこと
から、非晶質Ｓｅを光導電層として用い、この特徴を生
かした阻止型撮像管ターゲットを作ることができる。
また、上記阻止型撮像管ターゲットに高電界を印加する
と、材料内部で電荷のアバランシェ増倍が誘起され、撮
像管の光感度がめざましく増大することが知られている
。これについては、例えば、特開昭６３−３０４５５１
号公報に述べられている。
と、材料内部で電荷のアバランシェ増倍が誘起され、撮
像管の光感度がめざましく増大することが知られている
。これについては、例えば、特開昭６３−３０４５５１
号公報に述べられている。
［発明が解決しようとする課題１
さて、非晶質Ｓｅは室温近傍にガラス転移温度を持つた
め、非晶質Ｓｅを用いた撮像管を長時間連続動作させる
と、温度上昇、光照射、電界印加に由来する局所的な結
晶化が起こり、再生画像に白点状の画面欠陥（以下、こ
れを単に白キズと呼ぶ）が発生する。
め、非晶質Ｓｅを用いた撮像管を長時間連続動作させる
と、温度上昇、光照射、電界印加に由来する局所的な結
晶化が起こり、再生画像に白点状の画面欠陥（以下、こ
れを単に白キズと呼ぶ）が発生する。
これを改善する手段として、ＳｅにＡｓを添加し、ガラ
ス転移点を上昇させる方法か知られている。しかし、Ａ
ｓ添加は、非晶質Ｓｅ内に電子捕獲準位の形成を伴うの
で、非晶質Ｓｅ系先導電層全体にわたって一様に多量の
Ａｓを添加することは、暗電流や残像等の増加をもたら
すため、得策ではない。
ス転移点を上昇させる方法か知られている。しかし、Ａ
ｓ添加は、非晶質Ｓｅ内に電子捕獲準位の形成を伴うの
で、非晶質Ｓｅ系先導電層全体にわたって一様に多量の
Ａｓを添加することは、暗電流や残像等の増加をもたら
すため、得策ではない。
上記従来技術は、結晶化に起因する白キズの発生の防止
には有効であるが、撮像管を高電界下で長時間動作する
と、暗電流が大きくなる問題があった。
には有効であるが、撮像管を高電界下で長時間動作する
と、暗電流が大きくなる問題があった。
本発明の目的は、非晶質Ｓｅを主体とする光導電層を用
いた撮像管において、長時間連続動作させても白キズが
発生せず、かつ高電界下においても暗電流を小さくする
ことができる構造を提供することにある。
いた撮像管において、長時間連続動作させても白キズが
発生せず、かつ高電界下においても暗電流を小さくする
ことができる構造を提供することにある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために、本発明の撮像管は、Ｓｅを
主体とする非晶質半導体から成る光導電層の、電子注入
阻止層または正孔注入阻止層との界面または界面近傍の
少なくともいずれかの光導電層内の狭い領域のＡｓ添加
量を極力低減し、また、この狭い領域を除く中央部の領
域のＡｓ添加量は該狭い領域よりも少なくすることによ
り達成される。
主体とする非晶質半導体から成る光導電層の、電子注入
阻止層または正孔注入阻止層との界面または界面近傍の
少なくともいずれかの光導電層内の狭い領域のＡｓ添加
量を極力低減し、また、この狭い領域を除く中央部の領
域のＡｓ添加量は該狭い領域よりも少なくすることによ
り達成される。
すなわち、本発明では、Ｓｅを主体とする非晶質半導体
層から成る光導電層内の電子注入阻止層の界面から、ま
たは界面近傍から層厚１０ｎｍ以上・４００ｎｍ以下の
領域に、Ａｓを２２重量％以上・３８重量％以下添加す
る。また、光導電層内の正孔注入阻止層の界面から、ま
たは界面近傍から層厚１０ｎｍ以上・ｌｏｏｎｍ以下の
領域に、Ａｓを１重量％以上・５重量％以下添加する。
層から成る光導電層内の電子注入阻止層の界面から、ま
たは界面近傍から層厚１０ｎｍ以上・４００ｎｍ以下の
領域に、Ａｓを２２重量％以上・３８重量％以下添加す
る。また、光導電層内の正孔注入阻止層の界面から、ま
たは界面近傍から層厚１０ｎｍ以上・ｌｏｏｎｍ以下の
領域に、Ａｓを１重量％以上・５重量％以下添加する。
さらに、上記特定の領域以外の領域に、Ａｓを１重量％
以下添加し、非晶質半導体層全体の層厚を２〜１０μｍ
としたものである。
以下添加し、非晶質半導体層全体の層厚を２〜１０μｍ
としたものである。
また、本発明の撮像管の動作方法は、光導電層の内部で
、電荷のアバランシェ増倍が誘起される電界領域で撮像
管を動作させることを特徴とする。
、電荷のアバランシェ増倍が誘起される電界領域で撮像
管を動作させることを特徴とする。
［作用１
第１図は、本発明の撮像管の一例を示す断面図である。
１は透光性基板、２は透光性導電膜、３は正孔注入阻止
層、４はＳｅを主体とする非晶質半導体層から成る光導
電層、５は電子注入阻止層である。光導電層４は、５ｅ
−Ａｓ （１）層４１、Ｓ ｅ−Ａ ｓ （Ｕ）層４
２、Ｓ ｅ−Ａ ｓ （Ｉ［Ｉ）層４３から構成されて
いる。Ａは入射光側、Ｂは電子ビーム走査側である。
層、４はＳｅを主体とする非晶質半導体層から成る光導
電層、５は電子注入阻止層である。光導電層４は、５ｅ
−Ａｓ （１）層４１、Ｓ ｅ−Ａ ｓ （Ｕ）層４
２、Ｓ ｅ−Ａ ｓ （Ｉ［Ｉ）層４３から構成されて
いる。Ａは入射光側、Ｂは電子ビーム走査側である。
本発明者らの最近の研究によれば、非晶質Ｓｅ膜におけ
る結晶化の核発生は、他層と接する界面領域でのみ起こ
り、内部で起こることはほとんどない。この核発生の物
理的機構は、まだ充分解明されていないが、核発生に必
要な転移エネルギーが、他層との界面で最も低くなって
いるためと考えられる。
る結晶化の核発生は、他層と接する界面領域でのみ起こ
り、内部で起こることはほとんどない。この核発生の物
理的機構は、まだ充分解明されていないが、核発生に必
要な転移エネルギーが、他層との界面で最も低くなって
いるためと考えられる。
上記の事実は、撮像管動作時の暗電流を小さくし、かつ
結晶化に起因する白キズを防止するためには、非晶質半
導体層内の電子注入阻止層または正孔注入阻止層の、界
面または界面近傍の領域のみを結晶化しにくい材料組成
とすることが重要であることを示唆している。
結晶化に起因する白キズを防止するためには、非晶質半
導体層内の電子注入阻止層または正孔注入阻止層の、界
面または界面近傍の領域のみを結晶化しにくい材料組成
とすることが重要であることを示唆している。
そこで本発明は、第１図の５ｅ−Ａｓ （１）層４１に
より正孔注入阻止層３との界面領域での結晶化を防止し
、Ｓ ｅ −Ａ ｓ層（ｍ）４３により電子注入阻止層
５との界面領域での結晶化を防止している。
より正孔注入阻止層３との界面領域での結晶化を防止し
、Ｓ ｅ −Ａ ｓ層（ｍ）４３により電子注入阻止層
５との界面領域での結晶化を防止している。
５ｅ−Ａｓ層（１） ４１．５ｅ−Ａｓ層（Ｉ［１，）
４３の層厚とＡｓ添加量は、前記目的のために、実験的
に定められたものである。
４３の層厚とＡｓ添加量は、前記目的のために、実験的
に定められたものである。
なお、第１図の例では、Ａｓ高濃度領域と正孔注入阻止
層３、あるいは電子注入阻止層５を隣接させたが、その
間に、ごく薄い（１００ｎｍ以下、３０〜６０ｎｍが望
ましい）、Ａｓ添加量が１重量％以下の５ｅ−Ａｓ層（
図示せず）を介在させても、結晶化に対する効果はほと
んど変わらないことが判っている。また、第１図の例で
は、５ｅ−Ａｓ（１）層４１とＳ ｅ −Ａ ｓ （ｍ
）層４３以外の半導体層をＳｅ、Ａｓより成る層とした
が、この層にＡｓ以外の添加物、たとえばＴｅなどの元
素を添加しても、上記の結晶化防止効果は不変であるこ
とは明らかである。
層３、あるいは電子注入阻止層５を隣接させたが、その
間に、ごく薄い（１００ｎｍ以下、３０〜６０ｎｍが望
ましい）、Ａｓ添加量が１重量％以下の５ｅ−Ａｓ層（
図示せず）を介在させても、結晶化に対する効果はほと
んど変わらないことが判っている。また、第１図の例で
は、５ｅ−Ａｓ（１）層４１とＳ ｅ −Ａ ｓ （ｍ
）層４３以外の半導体層をＳｅ、Ａｓより成る層とした
が、この層にＡｓ以外の添加物、たとえばＴｅなどの元
素を添加しても、上記の結晶化防止効果は不変であるこ
とは明らかである。
すなわち、本発明の撮像管では、光導電層のＳｅにＡｓ
を添加することにより、カラス転移点を上昇させること
ができるので、長時間連続動作させても白キスが発生せ
ず、また、上記のような界面近傍の特定の領域のみにＡ
ｓを高濃度に導入したので、高電界下においても暗電流
を小さく抑えることができる。
を添加することにより、カラス転移点を上昇させること
ができるので、長時間連続動作させても白キスが発生せ
ず、また、上記のような界面近傍の特定の領域のみにＡ
ｓを高濃度に導入したので、高電界下においても暗電流
を小さく抑えることができる。
〔実施例］
実施例１
第１図を用いて、本発明の撮像管の第１の実施例を説明
する。
する。
ガラス基板１上に、酸化インジウムを主体とする透明導
電膜２を形成し、その上に、Ｃｅ○、を３０ｎｍの厚さ
に蒸着し、正孔注入阻止層３を形成する。その上に、Ｓ
ｅ％Ａｓから成る厚さ６０ｎｍの非晶質半導体層４１を
真空蒸着法により形成する。
電膜２を形成し、その上に、Ｃｅ○、を３０ｎｍの厚さ
に蒸着し、正孔注入阻止層３を形成する。その上に、Ｓ
ｅ％Ａｓから成る厚さ６０ｎｍの非晶質半導体層４１を
真空蒸着法により形成する。
膜形成に際しては、Ｓｅ、Ａｓ、Ｓｅ、をそれぞれ別の
ボートから同時に蒸着させて蒸着し、Ａｓ濃度が３重量
％となるようにする。その上に、Ｓｅ、Ａｓから成る非
晶質半導体層４２を真空蒸着法により形成する。このと
きのＡｓ濃度は０．５重量％とする。その上に、やはり
、Ｓｅ、Ａｓから成る非晶質半導体層４３を真空蒸着法
により形成する。
ボートから同時に蒸着させて蒸着し、Ａｓ濃度が３重量
％となるようにする。その上に、Ｓｅ、Ａｓから成る非
晶質半導体層４２を真空蒸着法により形成する。このと
きのＡｓ濃度は０．５重量％とする。その上に、やはり
、Ｓｅ、Ａｓから成る非晶質半導体層４３を真空蒸着法
により形成する。
このとき、Ａｓ濃度は、１０〜３９重量％、膜厚は５〜
５００ｎｍの間で変化させ、光導電層全体の膜厚を５μ
ｍとする。その上に電子注入阻止層５としてｓｂ、ｓ、
をＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電ターゲ
ットを得る。さらに、得られたターゲットを電子銃を内
蔵した撮像管置体中に組込み、光導電型撮像管を得る。
５００ｎｍの間で変化させ、光導電層全体の膜厚を５μ
ｍとする。その上に電子注入阻止層５としてｓｂ、ｓ、
をＩ Ｘ １０ ’ Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電ターゲ
ットを得る。さらに、得られたターゲットを電子銃を内
蔵した撮像管置体中に組込み、光導電型撮像管を得る。
得られた撮像管に、青色光を当て、徐々に電界強度を大
きくすると、全ての撮像管で約７×１０“Ｖ ／ ｍで
、アバランシェ増倍を開始し、約１．１×ｌＯ°Ｖ ／
ｍで増倍率１０が得られた。各撮像管を寿命試験装置
に入れ、増倍率１０を与える電界下で２０００時間、連
続動作させた。そして、寿命試験終了後、高電界での暗
電流値と寿命試験による白キズ発生の有無を調べた。
きくすると、全ての撮像管で約７×１０“Ｖ ／ ｍで
、アバランシェ増倍を開始し、約１．１×ｌＯ°Ｖ ／
ｍで増倍率１０が得られた。各撮像管を寿命試験装置
に入れ、増倍率１０を与える電界下で２０００時間、連
続動作させた。そして、寿命試験終了後、高電界での暗
電流値と寿命試験による白キズ発生の有無を調べた。
以上の結果を、第２図に示す。−点鎖線Ａは、増倍率が
１０となる電界を印加したとき、暗電流がほぼ１ｎＡと
なる点を結ぶ特性線であり、暗電流は一点鎖線Ａより上
方ではｌｎＡより大きく、点鎖線Ａより下方では１ｎＡ
より小さい。同様に、破線Ｂは、増倍率が３０となる電
界を印加したとき、暗電流がほぼ１ｎＡとなる点を結ぶ
特性線であり、暗電流は破線Ｂより上方では１．ｎＡよ
り大きく、破線Ｂより下方では１ｎＡより小さい。
１０となる電界を印加したとき、暗電流がほぼ１ｎＡと
なる点を結ぶ特性線であり、暗電流は一点鎖線Ａより上
方ではｌｎＡより大きく、点鎖線Ａより下方では１ｎＡ
より小さい。同様に、破線Ｂは、増倍率が３０となる電
界を印加したとき、暗電流がほぼ１ｎＡとなる点を結ぶ
特性線であり、暗電流は破線Ｂより上方では１．ｎＡよ
り大きく、破線Ｂより下方では１ｎＡより小さい。
一方、実線Ｃは、上記の寿命試験を行った後、白キズの
発生が認められた否かを区別する特性線で、実線Ｃより
上方では白キズが発生せず、実線Ｃより下方では白キズ
が発生したことを示す。
発生が認められた否かを区別する特性線で、実線Ｃより
上方では白キズが発生せず、実線Ｃより下方では白キズ
が発生したことを示す。
すなわち、−点鎖線Ａと実線Ｃとによって囲まれた領域
が適正範囲であり、破線Ｂと実線Ｃとによって囲まれた
領域が最適範囲である。
が適正範囲であり、破線Ｂと実線Ｃとによって囲まれた
領域が最適範囲である。
なお、−点鎖線Ａについて、ｙ＝３８（ｘ≦３５０）、
ｙ ＝−０，３２ｘ ＋１５０ （ｘ≧３５０） 、破
線Ｂについて、ｙ＝３６（ｘ≦１５０） 、ｙ＝−０，
２８ｘ＋７８ （ｘ≧１５０）、また、実線Ｃについて
、ｙ ＝−０，８ｘ ＋４６ （ｘ≦３０） 、 ｙ＝
２２ （ｘ≧３０）である。
ｙ ＝−０，３２ｘ ＋１５０ （ｘ≧３５０） 、破
線Ｂについて、ｙ＝３６（ｘ≦１５０） 、ｙ＝−０，
２８ｘ＋７８ （ｘ≧１５０）、また、実線Ｃについて
、ｙ ＝−０，８ｘ ＋４６ （ｘ≦３０） 、 ｙ＝
２２ （ｘ≧３０）である。
実施例２
ガラス基板１ （第１図参照）上に、酸化スズを主体と
する透明導電膜２を形成し、その上にＧｅｍ、を４０ｎ
ｍ、その上にＣｅ Ｏ２を４Ｏｎｉｎの厚さに蒸着し、
正孔注入阻止層３を形成する。その上に、Ｓｅ、Ａｓと
ＬｉＦから成る膜厚６０ｎｍの非晶質半導体層４１を真
空蒸着法により形成する。膜形成に際しては、Ｓｅ、Ａ
ｓ、Ｓｅ、およびＬｉＦをそれぞれ別々のボートから同
時に蒸発させて蒸着し、Ａｓ濃度を２重量％とし、Ｌ
ｉ Ｆ濃度は、２０００ｐｐｍ重量％となるようにする
。次に、Ｓｅ。
する透明導電膜２を形成し、その上にＧｅｍ、を４０ｎ
ｍ、その上にＣｅ Ｏ２を４Ｏｎｉｎの厚さに蒸着し、
正孔注入阻止層３を形成する。その上に、Ｓｅ、Ａｓと
ＬｉＦから成る膜厚６０ｎｍの非晶質半導体層４１を真
空蒸着法により形成する。膜形成に際しては、Ｓｅ、Ａ
ｓ、Ｓｅ、およびＬｉＦをそれぞれ別々のボートから同
時に蒸発させて蒸着し、Ａｓ濃度を２重量％とし、Ｌ
ｉ Ｆ濃度は、２０００ｐｐｍ重量％となるようにする
。次に、Ｓｅ。
Ａｓとから成る非晶質半導体層４２を真空蒸着法で形成
する。このときのＡｓｆｉ度は０．５重量％とする。そ
の上にＳｅ、Ａｓとから成る非晶質半導体層４３を２０
〜５００ｎｍの厚さの範囲で変化させ、真空蒸着法によ
り形成する。このときのＡｓ濃度は３０重量％とする。
する。このときのＡｓｆｉ度は０．５重量％とする。そ
の上にＳｅ、Ａｓとから成る非晶質半導体層４３を２０
〜５００ｎｍの厚さの範囲で変化させ、真空蒸着法によ
り形成する。このときのＡｓ濃度は３０重量％とする。
その上に、Ｓｅのみから成る非晶質半導体層（図示せず
）を５０ｎｍの厚さに、真空蒸着法により形成し、非晶
質半導体層全体の厚さが５μｍとなるようにする。その
上に、電子注入阻止層５として、ｓｂ、ｓ、を２ ｘ
１０−” Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＯｊμｍの
厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電ターゲットを得る。
）を５０ｎｍの厚さに、真空蒸着法により形成し、非晶
質半導体層全体の厚さが５μｍとなるようにする。その
上に、電子注入阻止層５として、ｓｂ、ｓ、を２ ｘ
１０−” Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＯｊμｍの
厚さに蒸着し、阻止型構造の光導電ターゲットを得る。
さらに、これを電子銃を内蔵した撮像管国体に組込み、
光導電型撮像管を得る。
光導電型撮像管を得る。
得られた撮像管を、実施例１と同様に、寿命試験装置内
で、青色光照射時に増倍率１０を与える電界下で、２０
００時間、連続動作させた。
で、青色光照射時に増倍率１０を与える電界下で、２０
００時間、連続動作させた。
連続動作後、白キズの発生の有無を調べたところ実施例
１の結果とほぼ同様であった。また、暗電流に関するデ
ータ値は、概ね、実施例１の０．８〜１．０倍径度と実
施例１と同等もしくは優れた結果が得られた。
１の結果とほぼ同様であった。また、暗電流に関するデ
ータ値は、概ね、実施例１の０．８〜１．０倍径度と実
施例１と同等もしくは優れた結果が得られた。
本実施例により、ｓｂ、ｓ、の電子注入阻止層５と、Ａ
ｓを高濃度に含む層４３との間に純Ｓｅを５０ｎｍ程度
介在させても、Ａｓ高濃度層の暗電流低減、白キズ発生
の抑止効果は十分有効であることが判る。
ｓを高濃度に含む層４３との間に純Ｓｅを５０ｎｍ程度
介在させても、Ａｓ高濃度層の暗電流低減、白キズ発生
の抑止効果は十分有効であることが判る。
実施例３
ガラス基板１ （第１図参照）上に、酸化インジウムを
主体とする透明光導電層２を形成し、その上に、正孔注
入阻止層３としてＣｅ○、を５０ｎｍの厚さに蒸着する
。その上に、Ｓｅ、ＡｓとＬｉＦから成る５０ｎｍの厚
さの非晶質半導体層４１を真空蒸着法により形成する。
主体とする透明光導電層２を形成し、その上に、正孔注
入阻止層３としてＣｅ○、を５０ｎｍの厚さに蒸着する
。その上に、Ｓｅ、ＡｓとＬｉＦから成る５０ｎｍの厚
さの非晶質半導体層４１を真空蒸着法により形成する。
膜形成に際しては、Ｓｅ、Ａ ｓ、 Ｓ ｅ、およびＬ
ｉＦをそれぞれ別のボートから蒸発させて蒸着し、Ａｓ
濃度を２．０重量％、ＬｉＦをｌｏｏｏｐｐｍ重量％と
なるようにする。次に、その上に、Ｓｅ、Ａｓ、および
Ｔｅ （赤の増感）から成る５０ｎｍの厚さの非晶質半
導体層（図示せず）を形成する。このときのＡｓ濃度は
２．０重量％、Ｔｅ濃度は１０重量％とする。その上に
、Ｓｅ、Ａｓから成る非晶質半導体層４２を形成する。
ｉＦをそれぞれ別のボートから蒸発させて蒸着し、Ａｓ
濃度を２．０重量％、ＬｉＦをｌｏｏｏｐｐｍ重量％と
なるようにする。次に、その上に、Ｓｅ、Ａｓ、および
Ｔｅ （赤の増感）から成る５０ｎｍの厚さの非晶質半
導体層（図示せず）を形成する。このときのＡｓ濃度は
２．０重量％、Ｔｅ濃度は１０重量％とする。その上に
、Ｓｅ、Ａｓから成る非晶質半導体層４２を形成する。
このときのＡｓ濃度は、１．０重量％とする。その上に
、Ｓｅ、ＡｓおよびＧａＦ、よりなる２００ｎｍの膜厚
の非晶質半導体層４３を形成する。このときのＡｓ濃度
は２５重量％、ＧａＦ、の濃度は、２０００ｐｐｍ重量
％とする。その上に、ＳｅとＧａＦ、よりなる５０ｎｍ
の非晶質半導体層（図示せず）を形成する。
、Ｓｅ、ＡｓおよびＧａＦ、よりなる２００ｎｍの膜厚
の非晶質半導体層４３を形成する。このときのＡｓ濃度
は２５重量％、ＧａＦ、の濃度は、２０００ｐｐｍ重量
％とする。その上に、ＳｅとＧａＦ、よりなる５０ｎｍ
の非晶質半導体層（図示せず）を形成する。
このときのＧａＦお濃度は、２０００ｐｐｍとし、光導
電層全体の膜厚を５μｍとする。次に、電子注入阻止層
５として、ｓｂ、ｓ、をＩ ＸＩＯ’ Ｔｏｒｒの不活
性ガス雰囲気中で０．２μｍの厚さに蒸着し、阻止型構
造の光導電ターゲットを得る。さらに、これを電子銃を
内蔵した撮像管国体に組込み、光導電型撮像管を得る。
電層全体の膜厚を５μｍとする。次に、電子注入阻止層
５として、ｓｂ、ｓ、をＩ ＸＩＯ’ Ｔｏｒｒの不活
性ガス雰囲気中で０．２μｍの厚さに蒸着し、阻止型構
造の光導電ターゲットを得る。さらに、これを電子銃を
内蔵した撮像管国体に組込み、光導電型撮像管を得る。
得られた撮像管を実施例１．２と同様に、青色光を当て
たとき増倍率１０となる電界で２０００時間連続動作さ
せた。連続動作後の暗電流を、実施例１．２と同様にし
て測定した結果、暗電流はｌｎＡ以下と良好であった。
たとき増倍率１０となる電界で２０００時間連続動作さ
せた。連続動作後の暗電流を、実施例１．２と同様にし
て測定した結果、暗電流はｌｎＡ以下と良好であった。
また、白キズも発生していなかった。
本実施例により、Ｔｅを含む非晶質Ｓｅ系光導電層にお
いても、本発明が有効であることが判る。
いても、本発明が有効であることが判る。
実施例４
ガラス基板１ （第１図参照）上に、Ａｌ製の透明光導
電層２を形成し、その上にＣｅ Ｏ，を３０ｎｍの厚さ
に蒸着し、正孔注入阻止層３を形成する。
電層２を形成し、その上にＣｅ Ｏ，を３０ｎｍの厚さ
に蒸着し、正孔注入阻止層３を形成する。
その上に、ＳｅとＬｉＦがら成る１１００ｎの厚さの非
晶質半導体（図示せず）を真空蒸着法により形成する。
晶質半導体（図示せず）を真空蒸着法により形成する。
膜形成に際しては、ＳｅおよびＬｉＦをそれぞれ別のボ
ートから蒸発させて蒸着し、ＬｉＦを１１０００ｐｐ重
量％となるようにする。次に、その上に、Ｓｅ、Ａｓか
ら成る非晶質半導体層４２を形成する。このときのＡｓ
濃度は、１．０重量％とする。その上に、Ｓｅ、Ａｓよ
りなる２５０ｎｍ膜厚の非晶質半導体層４３を形成する
。このときのＡｓ濃度は、２５重量％とじ、光導電層全
体の膜厚を６μｍとする。次に、電子注入阻止層５とし
て、ｓｂ、ｓ、を２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの不活性
ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止型ター
ゲットを得る。これを電子銃を内蔵した撮像管国体に組
込み、撮像管を得る。
ートから蒸発させて蒸着し、ＬｉＦを１１０００ｐｐ重
量％となるようにする。次に、その上に、Ｓｅ、Ａｓか
ら成る非晶質半導体層４２を形成する。このときのＡｓ
濃度は、１．０重量％とする。その上に、Ｓｅ、Ａｓよ
りなる２５０ｎｍ膜厚の非晶質半導体層４３を形成する
。このときのＡｓ濃度は、２５重量％とじ、光導電層全
体の膜厚を６μｍとする。次に、電子注入阻止層５とし
て、ｓｂ、ｓ、を２ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒの不活性
ガス雰囲気中で０．１μｍの厚さに蒸着し、阻止型ター
ゲットを得る。これを電子銃を内蔵した撮像管国体に組
込み、撮像管を得る。
得られた撮像管を実施例１〜３と同様に、青色光を当て
たとき増倍率ｌＯとなる電界で１０００時間連続動作さ
せた。連続動作後の暗電流を、実施例１．２と同様にし
て測定した結果、暗電流は１ｎＡ以下と良好であった。
たとき増倍率ｌＯとなる電界で１０００時間連続動作さ
せた。連続動作後の暗電流を、実施例１．２と同様にし
て測定した結果、暗電流は１ｎＡ以下と良好であった。
また、白キズも発生していなかった。
本実施例により、第１図の５ｅ−Ａｓ層（１）４１が、
必ずしも無くとも、長時間安定な撮像管動作が可能であ
ることが判る。
必ずしも無くとも、長時間安定な撮像管動作が可能であ
ることが判る。
以上本発明を上記実施例に基づいて具体的に説明したが
、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は勿論である。
、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は勿論である。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、非晶質Ｓｅを主
体とする光導電層を用いた撮像管において、高電界印加
時の暗電流が低く、かつ、長時間連続動作させても白キ
ズを発生しない効果がある。
体とする光導電層を用いた撮像管において、高電界印加
時の暗電流が低く、かつ、長時間連続動作させても白キ
ズを発生しない効果がある。
第１図は、本発明の非晶質Ｓｅ系光導電層を用いた撮像
管ターゲットの断面構造の一例を示す図、第２図は、本
発明の実施例の結果を示す説明図である。 ｌ・・・透光性基板 ２・・・透光性導電膜 ３・・・正孔注入阻止層 ４・・・光導電層 ５・・・電子注入阻止層 ４１−・・５ｅ−Ａｓ （１）層 ４２−−−８ｅ−Ａｓ （ＩＩ）層 ４３−８ｅ−Ａｓ （ｍ）層
管ターゲットの断面構造の一例を示す図、第２図は、本
発明の実施例の結果を示す説明図である。 ｌ・・・透光性基板 ２・・・透光性導電膜 ３・・・正孔注入阻止層 ４・・・光導電層 ５・・・電子注入阻止層 ４１−・・５ｅ−Ａｓ （１）層 ４２−−−８ｅ−Ａｓ （ＩＩ）層 ４３−８ｅ−Ａｓ （ｍ）層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透光性基板上に透光性導電膜、正孔注入阻止層、少
なくとも一部がＳｅを主体とする非晶質半導体から成る
光導電層、および電子注入阻止層を少なくとも形成して
成るターゲットと、電子ビームにより上記ターゲットを
走査する電子ビーム制御部とを有する撮像管において、
上記光導電層内の上記電子注入阻止層との界面から、ま
たは界面近傍から層厚１０ｎｍ以上・４００ｎｍ以下の
領域に、Ａｓを２２重量％以上・３８重量％以下添加し
たことを特徴とする撮像管。 ２、透光性基板上に透光性導電膜、正孔注入阻止層、少
なくとも一部がＳｅを主体とする非晶質半導体から成る
光導電層、および電子注入阻止層を少なくとも形成して
成るターゲットと、電子ビームにより上記ターゲットを
走査する電子ビーム制御部とを有する撮像管において、
上記光導電層内の上記電子注入阻止層との界面から、ま
たは界面近傍から層厚１２．５ｎｍ以上・２００ｎｍ以
下の領域に、Ａｓを２２重量％以上・３６重量％以下添
加したことを特徴とする撮像管。 ３、上記光導電層の上記正孔注入阻止層との界面から、
または界面近傍から層厚１０ｎｍ以上・１００ｎｍ以下
の領域に、Ａｓを１重量％以上・５重量％以下添加した
ことを特徴とする請求項１または２記載の撮像管。 ４、上記光導電層の上記特定の領域以外の領域に、Ａｓ
を１重量％以下添加したことを特徴とする請求項１、２
または３記載の撮像管。 ５、上記光導電層の内部で、電荷のアバランシェ増倍が
誘起される電界領域で上記撮像管を動作させることを特
徴とする請求項１、２、３または４記載の撮像管の動作
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066190A JP2945732B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 撮像管およびその動作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23066190A JP2945732B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 撮像管およびその動作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04112433A true JPH04112433A (ja) | 1992-04-14 |
| JP2945732B2 JP2945732B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=16911311
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23066190A Expired - Lifetime JP2945732B2 (ja) | 1990-09-03 | 1990-09-03 | 撮像管およびその動作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2945732B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123544A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置及び撮像方法 |
-
1990
- 1990-09-03 JP JP23066190A patent/JP2945732B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123544A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 撮像装置及び撮像方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2945732B2 (ja) | 1999-09-06 |
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