JPH04112587A - ホール素子 - Google Patents
ホール素子Info
- Publication number
- JPH04112587A JPH04112587A JP2231789A JP23178990A JPH04112587A JP H04112587 A JPH04112587 A JP H04112587A JP 2231789 A JP2231789 A JP 2231789A JP 23178990 A JP23178990 A JP 23178990A JP H04112587 A JPH04112587 A JP H04112587A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gaas
- film
- ions
- buffer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はホール素子に関する。
〈従来の技術〉
ホール素子は磁気センサとして広く利用されている。特
に、モータの回転数およびその位相角を検出するための
センサとして利用されることが多く、この場合、センサ
出力をモータ回転のフィードバックを行う信号として利
用している。
に、モータの回転数およびその位相角を検出するための
センサとして利用されることが多く、この場合、センサ
出力をモータ回転のフィードバックを行う信号として利
用している。
このようなホール素子の材料としは、ＧａＡｓやＩ ｎ
Ｓｂが用いられている。このうちＩ ｎＳｂはモビリテ
ィか大きいのて、感度に優れているといった利点がある
ものの、温度に対する感度変化が大きく、しかも１００
°Ｃ以上の高温環境では使用できないという制限がある
。このため、高温環境での磁気検出には、専らＧａＡｓ
ホール素子か用いられている。
Ｓｂが用いられている。このうちＩ ｎＳｂはモビリテ
ィか大きいのて、感度に優れているといった利点がある
ものの、温度に対する感度変化が大きく、しかも１００
°Ｃ以上の高温環境では使用できないという制限がある
。このため、高温環境での磁気検出には、専らＧａＡｓ
ホール素子か用いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、従来のＧａＡｓホール素子においては、以下
の問題か残されている。
の問題か残されている。
（１）基板として、通常ＧａＡｓが使用されており、こ
のため、基板の材料費がＳｉ基板に比して非常に高価で
ある。しかも、ＧａＡｓ基板は強度か弱く、素子製造プ
ロセス中において壊れることかあり、このため歩留りが
悪く、デバイス・コストか高くつく。
のため、基板の材料費がＳｉ基板に比して非常に高価で
ある。しかも、ＧａＡｓ基板は強度か弱く、素子製造プ
ロセス中において壊れることかあり、このため歩留りが
悪く、デバイス・コストか高くつく。
（２）ＧａＡｓは高温で使用できる材料ではあるものの
、その熱伝導率が低いため基板からの放熱効果があまり
よくなく、より厳しい高温環境で使用する場合には素子
動作の安定性が悪くなる。
、その熱伝導率が低いため基板からの放熱効果があまり
よくなく、より厳しい高温環境で使用する場合には素子
動作の安定性が悪くなる。
本発明は、以上の従来の問題点を一挙に解決すへくなさ
れたもので、その目的とするところは、コストか易く、
しかも、従来よりさらに高温環境においても安定に動作
する、ＧａＡｓホール素子を提供することにある。
れたもので、その目的とするところは、コストか易く、
しかも、従来よりさらに高温環境においても安定に動作
する、ＧａＡｓホール素子を提供することにある。
〈課題を解決するだめの手段〉
上記の目的を達成するために、本発明では、実施例に対
応する第１図に示すように、ＳｉもしくはＧｅ基板１上
にＧａＡｓ薄膜２を形成し、二〇〇ａＡｓ薄膜２を素子
材料として用いるよう構成している。
応する第１図に示すように、ＳｉもしくはＧｅ基板１上
にＧａＡｓ薄膜２を形成し、二〇〇ａＡｓ薄膜２を素子
材料として用いるよう構成している。
〈作用〉
ＧａＡｓ素子の基板をＳｉもしくはＧｅとすることで、
その材料費が低減し、かつ、基板の強度か向上して製造
プロセスにおける歩留りも高くなるとともに、素子の放
熱効果も向上する。なお、ＳｉやＧｅ基板へのＧａＡａ
薄膜の形成は、ヘテロエピタキシャル技術を用いること
によって実現可能である。
その材料費が低減し、かつ、基板の強度か向上して製造
プロセスにおける歩留りも高くなるとともに、素子の放
熱効果も向上する。なお、ＳｉやＧｅ基板へのＧａＡａ
薄膜の形成は、ヘテロエピタキシャル技術を用いること
によって実現可能である。
〈実施例〉
本発明の実施例を、以下、図面に基ついて説明する。
第１図は本発明実施例の構造を示す図である。
Ｓｉ基板１上にＧａＡｓバッファ層３か積層されている
。このバッファ層３上にＳｉドープトＧａＡｓ薄膜２か
形成されており、全体としてセンサエレメント１０を構
成している。このセンサエレメント１０の形状寸法は例
えは１ｍ［ｎ角程度である。
。このバッファ層３上にＳｉドープトＧａＡｓ薄膜２か
形成されており、全体としてセンサエレメント１０を構
成している。このセンサエレメント１０の形状寸法は例
えは１ｍ［ｎ角程度である。
以上の構造のセンサエレメント１０は、例えは第２図に
示すように、リードフレームｌｌａ上に実装される。そ
してＧａＡｓ薄膜２の４辺か、それぞれリードフレーム
１１ａ、ｌｌｂ、１１ｃもしくはｌｉｄにＡｕワイヤ１
２・・・１２によって接続され、例えは、互いに対向す
るリードフレーム１１ａ、ｌｌｃが電流入力端子として
、また他方の一対のリードフレームｌｌｂ、ｌｉｄが信
号取り出し端子として使用される。なお、１３はエポキ
シ樹脂によるパッケージである。
示すように、リードフレームｌｌａ上に実装される。そ
してＧａＡｓ薄膜２の４辺か、それぞれリードフレーム
１１ａ、ｌｌｂ、１１ｃもしくはｌｉｄにＡｕワイヤ１
２・・・１２によって接続され、例えは、互いに対向す
るリードフレーム１１ａ、ｌｌｃが電流入力端子として
、また他方の一対のリードフレームｌｌｂ、ｌｉｄが信
号取り出し端子として使用される。なお、１３はエポキ
シ樹脂によるパッケージである。
次に、センサエレメント１０の製造手順を説明する。第
３図はその手順を説明する図である。
３図はその手順を説明する図である。
なお、この製造手順に使用する装置としては、蒸発源か
らのＧａおよびＡｓクラスタをイオン化し、さらにその
イオンを加速する機構を備えた、いわゆるＩＣＢ （ク
ラスタイオンビーム）法を採用した装置で、しかもその
真空槽内にＳｉ蒸発源を備えたものを使用する。
らのＧａおよびＡｓクラスタをイオン化し、さらにその
イオンを加速する機構を備えた、いわゆるＩＣＢ （ク
ラスタイオンビーム）法を採用した装置で、しかもその
真空槽内にＳｉ蒸発源を備えたものを使用する。
まず、Ｓｉ基板１を有機脱脂洗浄・フッ酸による酸化膜
除去の処理を順次行い、次いで水洗いを行った後、その
基板を真空槽内の所定位置に配置する。次に槽内の真空
引きを行って槽内を高真空にした後、Ｓｉ基板およびイ
オン源等のベーキングを行っておく。
除去の処理を順次行い、次いで水洗いを行った後、その
基板を真空槽内の所定位置に配置する。次に槽内の真空
引きを行って槽内を高真空にした後、Ｓｉ基板およびイ
オン源等のベーキングを行っておく。
この状態で、第３図（ａ）に示すように、まずは、Ａｓ
クラスタ・イオンのみを１．３ＫＶで加速してＳｉ基板
１に照射し、その基板表面のクリーニングを行ってその
基板１表面をＳｉの清浄面とする。
クラスタ・イオンのみを１．３ＫＶで加速してＳｉ基板
１に照射し、その基板表面のクリーニングを行ってその
基板１表面をＳｉの清浄面とする。
次いで、（ｂ）に示すようにＧａおよびＡｓクラスタ・
イオンをともに加速して基板１上に照射してＧａＡｓバ
ッファ層３を１．５μｍ程度積層する。
イオンをともに加速して基板１上に照射してＧａＡｓバ
ッファ層３を１．５μｍ程度積層する。
次に、（Ｃ）に示すように、ＧａおよびＡｓクラスタを
イオン化・加速せずに基板１表面に照射して、先に積層
したバッファ層３上にＧａＡｓ薄膜２を成長させる。こ
のとき同時に、基板１表面上にＳｉ蒸発源からＳｉ蒸気
を導いて、成長しつつあるＧａＡｓ薄膜中にＳｉをドー
プする。このＳｉドープＧａＡｓ薄膜２の膜厚も１．５
μｍ程度とする。
イオン化・加速せずに基板１表面に照射して、先に積層
したバッファ層３上にＧａＡｓ薄膜２を成長させる。こ
のとき同時に、基板１表面上にＳｉ蒸発源からＳｉ蒸気
を導いて、成長しつつあるＧａＡｓ薄膜中にＳｉをドー
プする。このＳｉドープＧａＡｓ薄膜２の膜厚も１．５
μｍ程度とする。
なお、以上の手順において各蒸発源からの蒸発粒子の基
板への照射・停止は、例えば、各蒸発源のそれぞれの上
方位置に配置したシャッタを開閉制御することによって
行う。
板への照射・停止は、例えば、各蒸発源のそれぞれの上
方位置に配置したシャッタを開閉制御することによって
行う。
そして、このような手順によって作製されたＧａＡｓ／
Ｓｉ基板のサンプルを、１ｍｍ角に切り出してセンサエ
レメント１０を得た後、そのエレメント１０を、第２図
に示すようにリードフレームに実装し、次いで接続配線
のワイヤボンディングを行い、最後に全体をエポキシ等
の樹脂でモールドする。
Ｓｉ基板のサンプルを、１ｍｍ角に切り出してセンサエ
レメント１０を得た後、そのエレメント１０を、第２図
に示すようにリードフレームに実装し、次いで接続配線
のワイヤボンディングを行い、最後に全体をエポキシ等
の樹脂でモールドする。
なお、以上の手順においては、ＩＣＢ法に基づく装置を
使用した例について説明したが、例えばＭＢＥ法あるい
はＭＯＣＶＤ法等、Ｓｉ基板上にＧａＡｓをヘテロエピ
タキシャル成長を行える方法を用いた装置であれば特に
限定されない。
使用した例について説明したが、例えばＭＢＥ法あるい
はＭＯＣＶＤ法等、Ｓｉ基板上にＧａＡｓをヘテロエピ
タキシャル成長を行える方法を用いた装置であれば特に
限定されない。
また、Ｓｉ基板に代えてＧｅ基板を用いても、同様なＧ
ａＡｓホール素子を得ることも可能である。
ａＡｓホール素子を得ることも可能である。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、センサ材料をＧ
ａＡｓ薄膜とし、かつ、その基板としてはＳｉもしくは
Ｇｅ基板を用いたので、従来のＧａＡｓホール素子に比
して、基板の材料費を、約１１５程度に抑えることがで
き、しかも製造プロセス中における歩留りも向上するこ
とから、コストが非常に安くなる。また、基板の放熱効
果が向上し、これにより、従来よりもさらに厳しい高温
環境であっても使用可能となる。
ａＡｓ薄膜とし、かつ、その基板としてはＳｉもしくは
Ｇｅ基板を用いたので、従来のＧａＡｓホール素子に比
して、基板の材料費を、約１１５程度に抑えることがで
き、しかも製造プロセス中における歩留りも向上するこ
とから、コストが非常に安くなる。また、基板の放熱効
果が向上し、これにより、従来よりもさらに厳しい高温
環境であっても使用可能となる。
第１図は本発明実施例の構造を示す図で、第２図はその
実施例の実装構造を示す斜視図である。 第３図は本発明実施例の製造手順を説明するための図で
ある。 ・Ｓｉ基板 ・ＳｉドープトＧａＡｓ ＮＧａＡＳバッファ層 ・センサエレメント
実施例の実装構造を示す斜視図である。 第３図は本発明実施例の製造手順を説明するための図で
ある。 ・Ｓｉ基板 ・ＳｉドープトＧａＡｓ ＮＧａＡＳバッファ層 ・センサエレメント
Claims (1)
- 電流を通電し、この状態で磁場をかけることによって起
電力を発生する素子において、ＳｉもしくはＧｅ基板上
にＧａＡｓ薄膜を形成し、このＧａＡｓ薄膜を素子材料
として用いるよう構成したことを特徴とするホール素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231789A JPH04112587A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ホール素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231789A JPH04112587A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ホール素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04112587A true JPH04112587A (ja) | 1992-04-14 |
Family
ID=16929049
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231789A Pending JPH04112587A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | ホール素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04112587A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007108011A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
| EP1535324A4 (en) * | 2002-06-26 | 2008-02-27 | Semequip Inc | METHOD OF MANUFACTURING CMOS COMPONENTS BY IMPLANTING N- AND P-CLUSTERIONS AND NEGATIVE IONES |
| CN105115570A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-12-02 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种用于微重力环境的囊式贮箱指示装置 |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2231789A patent/JPH04112587A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1535324A4 (en) * | 2002-06-26 | 2008-02-27 | Semequip Inc | METHOD OF MANUFACTURING CMOS COMPONENTS BY IMPLANTING N- AND P-CLUSTERIONS AND NEGATIVE IONES |
| JP2007108011A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサ及びその製造方法 |
| CN105115570A (zh) * | 2015-07-16 | 2015-12-02 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种用于微重力环境的囊式贮箱指示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Humphreys et al. | Physical vapour deposition techniques for the growth of YBa2Cu3O7 thin films | |
| JPH01305894A (ja) | 薄膜結晶成長装置および成長方法 | |
| Hata et al. | High rate deposition of thick piezoelectric ZnO films using a new magnetron sputtering technique | |
| Cho et al. | Influence of growth conditions on the threshold current density of double-heterostructure lasers prepared by molecular-beam epitaxy | |
| JPH04112587A (ja) | ホール素子 | |
| US5264412A (en) | Laser ablation method for forming oxide superconducting thin films using a homogenized laser beam | |
| US3632439A (en) | Method of forming thin insulating films particularly for piezoelectric transducer | |
| JPS62123716A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Berus et al. | Preparation and electrical properties of InSb thin films heavily doped with tellurium, selenium and sulphur | |
| JPS6362313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Eltoukhy et al. | Growth and electrical properties of sputter‐deposited single‐crystal GaSb films on GaAs substrates | |
| CN118039490A (zh) | 狄拉克半金属纳米颗粒的制备方法及其产品和在光局域增强型异质结光电探测器中的应用 | |
| JPS61280610A (ja) | 分子線エピタキシヤル成長装置 | |
| EP0276914A2 (en) | Anti-flaking measures in molecular-beam-epitaxy apparatus, and method of manufacture | |
| JPH0672800B2 (ja) | 焦電型赤外線センサ | |
| Becker et al. | Change in stoichiometry by laser-induced plasma deposition of high-Tc superconducting thin films | |
| JP3180378B2 (ja) | 半導体薄膜の製造方法および半導体磁気抵抗素子の製造方法 | |
| JPS6228568B2 (ja) | ||
| Yamamoto et al. | Properties of InAs thin films grown on (100)-oriented GaAs substrate with various tilted angles and directions of misorientation | |
| JPH0494179A (ja) | 酸化物超伝導薄膜デバイスの作製方法 | |
| JP3780297B2 (ja) | 結晶配向膜製造装置とその成膜方法 | |
| JPH03257818A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6026456B2 (ja) | ガス・湿度センサおよびその製造方法 | |
| Lorenza et al. | Three Source Electron-Beam Co-deposited Thermoelectric BiSbTe Thin Films. | |
| Iida | InP single crystal film fabrication on a glass substrate |