JPH0411312A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0411312A JPH0411312A JP11293590A JP11293590A JPH0411312A JP H0411312 A JPH0411312 A JP H0411312A JP 11293590 A JP11293590 A JP 11293590A JP 11293590 A JP11293590 A JP 11293590A JP H0411312 A JPH0411312 A JP H0411312A
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- Japan
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- insulating film
- film
- core
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002633 protecting effect Effects 0.000 abstract 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 38
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はハードディスク装置等に使用する薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
ドに関する。
（従来、の技術）
薄膜磁気ヘッドを適用した浮上型磁気ヘッドとして、第
４図に示すように下コア１０１と上コア１０２との間に
層間絶縁膜１０３を介して薄膜コイル１０４を介在し、
上コア１０２上を保護膜１０５にて保護してなる電磁変
換素子１００を基板１０６上に絶縁膜１０７を介して積
層形成したものがある。
４図に示すように下コア１０１と上コア１０２との間に
層間絶縁膜１０３を介して薄膜コイル１０４を介在し、
上コア１０２上を保護膜１０５にて保護してなる電磁変
換素子１００を基板１０６上に絶縁膜１０７を介して積
層形成したものがある。
この場合、層間絶縁膜１０３としては有機絶縁膜を使用
しているが、この有機絶縁膜は耐熱性が低いために、コ
ア１０１，１０２の材料としては低温で成膜できてかつ
成膜後の熱処理を施すことなく所望の磁気特性が得られ
やすいパーマロイの電解メツキ膜が用いられている。一
方、基板１０６としては高硬度でかつ加工性の良いＡｌ
ｚＯｓＴｉＣが用いられているが、Ａ Ｉ２０．Ｔ ｉ
Ｃ基板は導電性の基板である。
しているが、この有機絶縁膜は耐熱性が低いために、コ
ア１０１，１０２の材料としては低温で成膜できてかつ
成膜後の熱処理を施すことなく所望の磁気特性が得られ
やすいパーマロイの電解メツキ膜が用いられている。一
方、基板１０６としては高硬度でかつ加工性の良いＡｌ
ｚＯｓＴｉＣが用いられているが、Ａ Ｉ２０．Ｔ ｉ
Ｃ基板は導電性の基板である。
そこで、下コア１０１及び上コア１０２を電解メツキで
形成するに際しては、Ａ１２０ｓＴｉＣ基板１０６上に
非磁性絶縁膜１０７の層を形成して、その非磁性絶縁膜
１０７の上に下コア１０１を形成するようにしている。
形成するに際しては、Ａ１２０ｓＴｉＣ基板１０６上に
非磁性絶縁膜１０７の層を形成して、その非磁性絶縁膜
１０７の上に下コア１０１を形成するようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記した薄膜磁気ヘッドにおいては、下
コアと導電性基板を絶縁膜で分離しているので、磁気ヘ
ッドの製造過程で発生する静電気によって磁気ヘッドが
静電破壊を起こすことがある。これを解消すべく特開平
１−１１６９１０号にあっては導電性基板とコアとを導
電体で電気的に接続するようにしているが、工数が増加
し製作に手間がかかる。また下コアと導電静基板との間
の絶縁膜は通常２０〜３０μｍの厚さに形成されるが、
絶縁膜の成膜には長時間かかるのでコストが高くなる。
コアと導電性基板を絶縁膜で分離しているので、磁気ヘ
ッドの製造過程で発生する静電気によって磁気ヘッドが
静電破壊を起こすことがある。これを解消すべく特開平
１−１１６９１０号にあっては導電性基板とコアとを導
電体で電気的に接続するようにしているが、工数が増加
し製作に手間がかかる。また下コアと導電静基板との間
の絶縁膜は通常２０〜３０μｍの厚さに形成されるが、
絶縁膜の成膜には長時間かかるのでコストが高くなる。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するため本発明は、上下コアと薄膜コイ
ルを絶縁する層間絶縁膜を無機絶縁膜にて形成し、電磁
変換素子の下コアを導電性非磁性基板上に直接形成した
。
ルを絶縁する層間絶縁膜を無機絶縁膜にて形成し、電磁
変換素子の下コアを導電性非磁性基板上に直接形成した
。
（作用）
上・下コアと薄膜コイルを絶縁する層間絶縁膜を無機絶
縁膜にて形成したので、磁気コアの磁気特性を薄膜成形
後熱処理によって回復させることができて、磁気コアを
スパッタリングあるいは蒸着法で成膜を行うことができ
、下コアを導電性非磁性基板上に直接形成することがで
きる。
縁膜にて形成したので、磁気コアの磁気特性を薄膜成形
後熱処理によって回復させることができて、磁気コアを
スパッタリングあるいは蒸着法で成膜を行うことができ
、下コアを導電性非磁性基板上に直接形成することがで
きる。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部拡大断面図
、第２図は同薄膜磁気ヘッドの全体断面図、第３図は電
磁変換素子部を下方から見た斜視図である。
、第２図は同薄膜磁気ヘッドの全体断面図、第３図は電
磁変換素子部を下方から見た斜視図である。
薄膜磁気ヘッド１は、電磁変換素子部２を導電性非磁性
基板からなるスライダ３上に形成してなる。
基板からなるスライダ３上に形成してなる。
電磁変換素子部２は、Ａ Ｉ ２０ ｓＴ ｉＣからな
るスライダ３上に直接下コア４をスパッタリングあるい
は蒸着法で成膜形成し、この下コア４の上面及び周囲に
第１の無機絶縁膜５を形成し、この第１の無機絶縁膜５
の上に薄膜コイル６を、この薄膜コイル６上に第２の無
機絶縁膜７を、この第２の無機絶縁膜７上に上コア８を
順次スパッタリングあるいは蒸着法で成膜形成し、上コ
ア８は前方部をギャップ層９を介して下コア４と対向し
、後方部を下コア４と磁気的に結合している。そして、
上コア８上には上コア８を保護する非磁性無機絶縁膜か
らなる保護膜１０を堆積している。
るスライダ３上に直接下コア４をスパッタリングあるい
は蒸着法で成膜形成し、この下コア４の上面及び周囲に
第１の無機絶縁膜５を形成し、この第１の無機絶縁膜５
の上に薄膜コイル６を、この薄膜コイル６上に第２の無
機絶縁膜７を、この第２の無機絶縁膜７上に上コア８を
順次スパッタリングあるいは蒸着法で成膜形成し、上コ
ア８は前方部をギャップ層９を介して下コア４と対向し
、後方部を下コア４と磁気的に結合している。そして、
上コア８上には上コア８を保護する非磁性無機絶縁膜か
らなる保護膜１０を堆積している。
このように、上コア８及び下コア４と薄膜コイル６を絶
縁する層間絶縁膜を無機絶縁膜５，７にて形成したので
、磁気コアの磁気特性を薄膜成形後熱処理によって回復
させることができるから、磁気コア用軟磁性膜の成膜方
法としてスパッタリングあるいは蒸着法を用いることが
でき、パーマロイ以外の高Ｂｓ高μの優れた磁気特性を
持つ軟磁性膜をコア材として用いることができるので、
下コアを導電性非磁性基板上に直接形成することができ
るとともに、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
縁する層間絶縁膜を無機絶縁膜５，７にて形成したので
、磁気コアの磁気特性を薄膜成形後熱処理によって回復
させることができるから、磁気コア用軟磁性膜の成膜方
法としてスパッタリングあるいは蒸着法を用いることが
でき、パーマロイ以外の高Ｂｓ高μの優れた磁気特性を
持つ軟磁性膜をコア材として用いることができるので、
下コアを導電性非磁性基板上に直接形成することができ
るとともに、高密度記録に適した薄膜磁気ヘッドを得る
ことができる。
そして、下コアを導電性非磁性基板上に直接形成するこ
とによって、磁気ヘッドの製造過程で発生する静電気に
より磁気コアと導電性基板間で静電破壊の生じるおそれ
がなくなり、しかも絶縁膜を成膜する工程が不要になる
。
とによって、磁気ヘッドの製造過程で発生する静電気に
より磁気コアと導電性基板間で静電破壊の生じるおそれ
がなくなり、しかも絶縁膜を成膜する工程が不要になる
。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、上・下コアと薄膜
コイルを絶縁する層間絶縁膜を無機絶縁膜にて形成した
ので、磁気コアをスパッタリングあるいは蒸着法で成膜
することで下コアを導電性非磁性基板上に直接形成する
ことができ、磁気ヘッドの製造過程での静電破壊を防止
でき、しがち絶縁膜を成膜する工程が不要になってコス
トが廉価になる。
コイルを絶縁する層間絶縁膜を無機絶縁膜にて形成した
ので、磁気コアをスパッタリングあるいは蒸着法で成膜
することで下コアを導電性非磁性基板上に直接形成する
ことができ、磁気ヘッドの製造過程での静電破壊を防止
でき、しがち絶縁膜を成膜する工程が不要になってコス
トが廉価になる。
第１図は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの要部拡大断面図
、第２図は同薄膜磁気ヘッドの全体断面図、第３図は電
磁変換素子部を下方がら見た斜視図、第４図は従来の薄
膜磁気ヘッドの要部拡大断面図である。 １・・・薄膜磁気ヘッド、２・・・ヘッド、３・・・ス
ライダ（導電性非磁性体基板）、４・・・下コア、５・
・・第１の無機絶縁膜、６・・・薄膜コイル、７・・・
第２の無機絶縁膜、８・・・上コア、９・・・ギャップ
層。 特 許 出 願 人 日本ビクター株式会社薄膜磁気ヘ
ッド ヘッド スライダ（導電性非磁性体基板） 下コア 第１の無機絶縁膜 薄膜コイル 第２の無機絶縁膜 上コア ギャップ層 第１ 第２図
、第２図は同薄膜磁気ヘッドの全体断面図、第３図は電
磁変換素子部を下方がら見た斜視図、第４図は従来の薄
膜磁気ヘッドの要部拡大断面図である。 １・・・薄膜磁気ヘッド、２・・・ヘッド、３・・・ス
ライダ（導電性非磁性体基板）、４・・・下コア、５・
・・第１の無機絶縁膜、６・・・薄膜コイル、７・・・
第２の無機絶縁膜、８・・・上コア、９・・・ギャップ
層。 特 許 出 願 人 日本ビクター株式会社薄膜磁気ヘ
ッド ヘッド スライダ（導電性非磁性体基板） 下コア 第１の無機絶縁膜 薄膜コイル 第２の無機絶縁膜 上コア ギャップ層 第１ 第２図
Claims (1)
- 軟磁性膜からなる上・下コア間に層間絶縁膜を介して薄
膜コイルを介在してなる電磁変換素子部を導電性非磁性
基板に積層形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記層間
絶縁膜は無機絶縁膜にて形成し、また下コアは前記導電
性非磁性基板上に成膜法により形成したことを特徴とす
る薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11293590A JPH0411312A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11293590A JPH0411312A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0411312A true JPH0411312A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14599178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11293590A Pending JPH0411312A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0411312A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0612624A (ja) * | 1990-05-09 | 1994-01-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11293590A patent/JPH0411312A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0612624A (ja) * | 1990-05-09 | 1994-01-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
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