JPH0778859B2 - 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース - Google Patents
犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピースInfo
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- JPH0778859B2 JPH0778859B2 JP2313035A JP31303590A JPH0778859B2 JP H0778859 B2 JPH0778859 B2 JP H0778859B2 JP 2313035 A JP2313035 A JP 2313035A JP 31303590 A JP31303590 A JP 31303590A JP H0778859 B2 JPH0778859 B2 JP H0778859B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は薄膜ヘッドの製造に関するものであり、特に、
ギャップ材料と下部極が削り取られる犠牲マスク層を用
いた薄膜磁気ヘッドにおける上下極先端を整合させる技
術に関するものである。
ギャップ材料と下部極が削り取られる犠牲マスク層を用
いた薄膜磁気ヘッドにおける上下極先端を整合させる技
術に関するものである。
＜従来の技術＞ 薄膜磁気読み取り／書き込みヘッドは、磁気ディスク磁
気テープ等の磁気記録媒体に磁気的に情報を読み取り／
書き込みするのに用いられる、磁気記録媒体に情報を高
密度に記録することは強く望まれている。
気テープ等の磁気記録媒体に磁気的に情報を読み取り／
書き込みするのに用いられる、磁気記録媒体に情報を高
密度に記録することは強く望まれている。
記録システムの記録密度を高めることは所定の記録面に
対しエリア密度をできるだけ高めることである。回転デ
ィスク駆動（フロッピーディスク及びハードディスク）
の場合、エリア密度は、径方向における単位長さ当りに
対し有効なトラックの数（１インチ当りのトラック密度
をトラックにそった単位長さ当りの磁束の数（１インチ
当りの時速の線密度）に掛けることで達成する。
対しエリア密度をできるだけ高めることである。回転デ
ィスク駆動（フロッピーディスク及びハードディスク）
の場合、エリア密度は、径方向における単位長さ当りに
対し有効なトラックの数（１インチ当りのトラック密度
をトラックにそった単位長さ当りの磁束の数（１インチ
当りの時速の線密度）に掛けることで達成する。
トラック密度は１インチ当り2400（約945/cm）に近づく
かまたはそれを越えると薄膜磁気読み取り書き込みヘッ
ドの上下の極先端の整合が重要になってくる。このよう
な高密度においては設計上磁気変換器は下方極先端の幅
が上方極先端の幅とほぼ等しくなければならない。また
上下の極は近づいて配置されなければならない。
かまたはそれを越えると薄膜磁気読み取り書き込みヘッ
ドの上下の極先端の整合が重要になってくる。このよう
な高密度においては設計上磁気変換器は下方極先端の幅
が上方極先端の幅とほぼ等しくなければならない。また
上下の極は近づいて配置されなければならない。
より好ましい極の配列を達成する技術として、上下の極
及びそれを分けるギャップ領域が全て所定幅より広くす
ることが始まっている。狭いマスク層が上側極に蒸着さ
れている。この構造は、高エネルギーのイオンが極先端
領域に噴射され余分な材料（上下の極及びギャップ材）
を除去するイオンミリングまたは反応イオンミリング等
の材料除去工程（ミリング）を経て整合されている。マ
スク層は上下の極及びギャップの部分だけを保護してお
り全体の極先端の幅はマスク層の幅とほぼ等しくなって
いる。
及びそれを分けるギャップ領域が全て所定幅より広くす
ることが始まっている。狭いマスク層が上側極に蒸着さ
れている。この構造は、高エネルギーのイオンが極先端
領域に噴射され余分な材料（上下の極及びギャップ材）
を除去するイオンミリングまたは反応イオンミリング等
の材料除去工程（ミリング）を経て整合されている。マ
スク層は上下の極及びギャップの部分だけを保護してお
り全体の極先端の幅はマスク層の幅とほぼ等しくなって
いる。
しかしながら上述の技術は時間と費用がかかる。例えば
上側極の厚さが４ミクロン、下側極の厚さが３ミクロン
及びギャップの厚さが0.5ミクロンでさらにギャップ層
材料が極先端層のミリング速度の約半分のミリング速度
を有している場合、全体の成形時間は８単位時間かか
る。これは次の式で算出される。
上側極の厚さが４ミクロン、下側極の厚さが３ミクロン
及びギャップの厚さが0.5ミクロンでさらにギャップ層
材料が極先端層のミリング速度の約半分のミリング速度
を有している場合、全体の成形時間は８単位時間かか
る。これは次の式で算出される。
ミリング時間＝（層の厚さ）×（ミリング速度）従っ
て、（４×１）＋（３×１）＋（0.5×２）＝８（単位
時間）。
て、（４×１）＋（３×１）＋（0.5×２）＝８（単位
時間）。
＜問題点を解決する手段＞ 本発明は、薄膜磁気変換器においてほぼ自己整合ポール
ピースを提供し、データ記憶密度を増大するものであ
る。本発明においては、二つの層（ギャップ材層と上部
ポールピース層）だけがミリング加工され整合される。
ピースを提供し、データ記憶密度を増大するものであ
る。本発明においては、二つの層（ギャップ材層と上部
ポールピース層）だけがミリング加工され整合される。
本発明においては、第１の下部極先端が蒸着される。次
にギャップ材が下部極先端上に蒸着される。２つのフォ
トレジストダムがギャップ材上に蒸着される。２つのダ
ムの分離により上部ポールピースの幅が形成され、最終
的にギャップ材と下部ポールピースの幅が決定される。
上部極先端は２つのフォトレジストダムの間のギャップ
材に蒸着される。上下の極の厚さ（フィルム深さ）は約
１ミクロンから５ミクロンである。ギャップ材の厚さは
約0.1ミクロンから１ミクロンである。
にギャップ材が下部極先端上に蒸着される。２つのフォ
トレジストダムがギャップ材上に蒸着される。２つのダ
ムの分離により上部ポールピースの幅が形成され、最終
的にギャップ材と下部ポールピースの幅が決定される。
上部極先端は２つのフォトレジストダムの間のギャップ
材に蒸着される。上下の極の厚さ（フィルム深さ）は約
１ミクロンから５ミクロンである。ギャップ材の厚さは
約0.1ミクロンから１ミクロンである。
最後に、犠牲マスクがフォトレジストダムの間の上層に
蒸着され、フォトレジストダムが極とは離れてエッチン
グされる。犠牲マスク層の全厚さは約１ミクロンから７
ミクロンであるが下部ポールピースの厚さとミリング速
度に応じて選択される。
蒸着され、フォトレジストダムが極とは離れてエッチン
グされる。犠牲マスク層の全厚さは約１ミクロンから７
ミクロンであるが下部ポールピースの厚さとミリング速
度に応じて選択される。
犠牲マスクは、上部ポールピースを形成する２つの同一
フォトレジストダムの間に形成されるので上部ポールピ
ースと整合する。構造体がミリング加工されるとき、露
出されたギャップ材と下部ポールピースが、マスクで上
部ポールピースを保護しながら除去される。マスクの厚
さとミリング速度は、上部ポールピースがミリング加工
中に十分保護されるように選択されなければならない。
ミリング加工に続いて、ギャップ材の露出部と下部ポー
ルピースは、上部ポールピース、ギャップ及び下部ポー
ルピースがほぼ同じ厚さで互いに整合するように除去さ
れる。
フォトレジストダムの間に形成されるので上部ポールピ
ースと整合する。構造体がミリング加工されるとき、露
出されたギャップ材と下部ポールピースが、マスクで上
部ポールピースを保護しながら除去される。マスクの厚
さとミリング速度は、上部ポールピースがミリング加工
中に十分保護されるように選択されなければならない。
ミリング加工に続いて、ギャップ材の露出部と下部ポー
ルピースは、上部ポールピース、ギャップ及び下部ポー
ルピースがほぼ同じ厚さで互いに整合するように除去さ
れる。
下部ポールピースとギャップ材は、ミリング加工前には
少し広くなるように蒸着される。あるいは、下部ポール
ピース及びギャップ材は、「無限幅」を有して、幅広く
蒸着される。マスク層は銅、ニッケル鉄（NiFe）及びリ
ン酸ニッケル（NiP）を有している。この技術はあらゆ
るメッキ可能な非磁性金属に適用できる。材料除去技術
は、イオンミリング加工、反応イオンミリング加工、ス
パッタエッチング及び化学エッチングが好ましい。本発
明は、下部ポールピースが基板材に実際に形成されてい
る無限幅の下部ポールピースを有する磁気ヘッドにも適
用できる。
少し広くなるように蒸着される。あるいは、下部ポール
ピース及びギャップ材は、「無限幅」を有して、幅広く
蒸着される。マスク層は銅、ニッケル鉄（NiFe）及びリ
ン酸ニッケル（NiP）を有している。この技術はあらゆ
るメッキ可能な非磁性金属に適用できる。材料除去技術
は、イオンミリング加工、反応イオンミリング加工、ス
パッタエッチング及び化学エッチングが好ましい。本発
明は、下部ポールピースが基板材に実際に形成されてい
る無限幅の下部ポールピースを有する磁気ヘッドにも適
用できる。
本発明によると、ミリング加工時間が短縮され、犠牲マ
スクは、２つの層（ギャップ層と下部ポールピース層）
が上部ポールピースを残したままミリング加工されるの
で、より薄くなる。
スクは、２つの層（ギャップ層と下部ポールピース層）
が上部ポールピースを残したままミリング加工されるの
で、より薄くなる。
＜実施例＞ 磁気記録媒体の記録密度を上昇させる要求は磁気ヘッド
の大きさを小さくすること通じる。磁気ヘッドは当技術
の半導体ICに用いられるヘツドと同様に組立てられる。
多くの薄膜ヘッドはエッチングおよびフォトリゾグラフ
技術を用いたウェーハーや基板に蒸着させるウェーハー
は多くの微視的個々の磁気ヘッドにスライスされ磁気デ
ィスク等の磁気記憶装置に用いられる。
の大きさを小さくすること通じる。磁気ヘッドは当技術
の半導体ICに用いられるヘツドと同様に組立てられる。
多くの薄膜ヘッドはエッチングおよびフォトリゾグラフ
技術を用いたウェーハーや基板に蒸着させるウェーハー
は多くの微視的個々の磁気ヘッドにスライスされ磁気デ
ィスク等の磁気記憶装置に用いられる。
これら小さな寸法においては、ヘッドの極先端間の整合
は特に極先端の寸法が蒸着技術の許容限界に近づいたと
き重要になる。本発明の犠牲マスク技術を用いると許容
限界に関する問題点は解決される。本発明は従来の整合
技術に対して時間及び費用を節約するものである。
は特に極先端の寸法が蒸着技術の許容限界に近づいたと
き重要になる。本発明の犠牲マスク技術を用いると許容
限界に関する問題点は解決される。本発明は従来の整合
技術に対して時間及び費用を節約するものである。
第１図は犠牲マスク層を除去する前の本発明による薄膜
磁気ヘッド10の平面図である。第１図は基板12、パドル
形の上部ポールピース14及び下部層16を示している。基
板12はAl2O3−TiC等のセラミック材を有している。第１
図の薄膜ヘッドは第２図の線２−２にそって第２図に断
面が示されている。上部ポールピース14は第２図におけ
る不要層18,20で被覆されている。上部ポールピース14
は上部極先端22を有している。薄膜読み取り／書き込み
磁気ヘッド10も下部極先端26を有する下部ポールピース
24を有している。上記のポールピース14,24は例えばNiF
e等の磁気薄膜により形成されている。上部ポールピー
ス14と下部ポールピース24との間の領域は絶縁材28で充
填されている。絶縁材28に導電体30,32が埋設されてい
る。上部極先端22と下部極先端26との間にはギャップ材
34が充填されている。ギャップ材34はAl2O3を有してい
る。上部ポールピース14と下部ポールピース24とは互い
にバックギャップ（via）（図示せず）を介して接触し
ており磁気ヘッドの２つの極を形成している。導電体3
0,32は上下のポールピース14,24の間の領域を介してコ
イル状に形成されており、バックギャップ（via）（図
示せず）のまわりに延在している。電流が導電体30,32
を流れると磁界が上下のポールピース14,24に形成され
る。この磁界はギャップ材34を介して上下の極先端22,2
6の間に発生する。上下の極先端22,26の形状により磁界
の末端部は上下の極先端22,26の境界まで延在するよう
に形成される。磁気記録媒体がこの末端の磁界を通過す
ると極先端22,26から発生した磁束は磁界を媒体面に向
ける。逆に、磁気記録媒体により発生する磁界が薄膜ヘ
ッド10の境界磁界領域を通って通過すると磁界は上下の
ポールピース14,24に発生し図示しないバックアップvia
を通過する。この磁界の変化により電流が発生し導電体
30,32を流れる、電流は電気的装置により検出され情報
信号に変換され磁気記録媒体に記録された情報を再生す
る。
磁気ヘッド10の平面図である。第１図は基板12、パドル
形の上部ポールピース14及び下部層16を示している。基
板12はAl2O3−TiC等のセラミック材を有している。第１
図の薄膜ヘッドは第２図の線２−２にそって第２図に断
面が示されている。上部ポールピース14は第２図におけ
る不要層18,20で被覆されている。上部ポールピース14
は上部極先端22を有している。薄膜読み取り／書き込み
磁気ヘッド10も下部極先端26を有する下部ポールピース
24を有している。上記のポールピース14,24は例えばNiF
e等の磁気薄膜により形成されている。上部ポールピー
ス14と下部ポールピース24との間の領域は絶縁材28で充
填されている。絶縁材28に導電体30,32が埋設されてい
る。上部極先端22と下部極先端26との間にはギャップ材
34が充填されている。ギャップ材34はAl2O3を有してい
る。上部ポールピース14と下部ポールピース24とは互い
にバックギャップ（via）（図示せず）を介して接触し
ており磁気ヘッドの２つの極を形成している。導電体3
0,32は上下のポールピース14,24の間の領域を介してコ
イル状に形成されており、バックギャップ（via）（図
示せず）のまわりに延在している。電流が導電体30,32
を流れると磁界が上下のポールピース14,24に形成され
る。この磁界はギャップ材34を介して上下の極先端22,2
6の間に発生する。上下の極先端22,26の形状により磁界
の末端部は上下の極先端22,26の境界まで延在するよう
に形成される。磁気記録媒体がこの末端の磁界を通過す
ると極先端22,26から発生した磁束は磁界を媒体面に向
ける。逆に、磁気記録媒体により発生する磁界が薄膜ヘ
ッド10の境界磁界領域を通って通過すると磁界は上下の
ポールピース14,24に発生し図示しないバックアップvia
を通過する。この磁界の変化により電流が発生し導電体
30,32を流れる、電流は電気的装置により検出され情報
信号に変換され磁気記録媒体に記録された情報を再生す
る。
第３図は第１図の線３−３にそった薄膜ヘッド10の断面
図である。第３図は第２図の極先端の断面図を示してい
る。第３図において不要マスク層18,20は上部極先端22
を覆い、ギャップ材34と下部極先端26を露出させてい
る。犠牲マスク層18,20はニッケル、鉄、銅、リン酸ニ
ッケル等を含んでいる。後述するように、ミリング工程
において犠牲マスク層18,20にそって露出されたギャッ
プ材34と下部極先端26とが除去され、ギャップ材34と下
部極先端26の保護部とともに上部極先端22がそのまま残
される。ギャップ層34は厚さ約0.1ミクロンから１ミク
ロンの範囲にある。極先端22,26の厚さは約１ミクロン
から５ミクロンの範囲にあり、全犠牲マスク部の厚さは
約１ミクロンから７ミクロンの範囲にある。
図である。第３図は第２図の極先端の断面図を示してい
る。第３図において不要マスク層18,20は上部極先端22
を覆い、ギャップ材34と下部極先端26を露出させてい
る。犠牲マスク層18,20はニッケル、鉄、銅、リン酸ニ
ッケル等を含んでいる。後述するように、ミリング工程
において犠牲マスク層18,20にそって露出されたギャッ
プ材34と下部極先端26とが除去され、ギャップ材34と下
部極先端26の保護部とともに上部極先端22がそのまま残
される。ギャップ層34は厚さ約0.1ミクロンから１ミク
ロンの範囲にある。極先端22,26の厚さは約１ミクロン
から５ミクロンの範囲にあり、全犠牲マスク部の厚さは
約１ミクロンから７ミクロンの範囲にある。
第4A図から第4H図は上部極先端22と整合した犠牲マスク
層18,20を有する第３図の構造を形成するステップを示
している。
層18,20を有する第３図の構造を形成するステップを示
している。
第4A図は蒸着が行なわれた基板12の断面図である。基板
12は薄膜ヘッド10に対してかなり大きいものであり、多
くのヘッド10のレプリカが基板12の前面に蒸着される。
12は薄膜ヘッド10に対してかなり大きいものであり、多
くのヘッド10のレプリカが基板12の前面に蒸着される。
第4B図は、フォトリゾグラフ技術を用いて基板12に蒸着
された下部極先端26を有する第4A図に示した基板12の図
である。第4B図は下部極先端26の幅を示すものである。
第4C図は基板12の一部を覆うギャップ材34の層を有する
下部ポールピース26を示している。ギャップ材34はAl2O
3を有している。
された下部極先端26を有する第4A図に示した基板12の図
である。第4B図は下部極先端26の幅を示すものである。
第4C図は基板12の一部を覆うギャップ材34の層を有する
下部ポールピース26を示している。ギャップ材34はAl2O
3を有している。
第4D図において２つのフォトレジストダム36はギャップ
材34に蒸着されるが上部極先端22が蒸着される部分は露
出されている。第4D図には示されていないがフォトレジ
ストダム36は第１図及び第２図の全面を被覆するもので
はなく上部ポールピース14が蒸着される薄膜ヘッド10の
部分は露出されている。フォトレジストダム36は通常の
フォトリゾグラフ及びマスキングにより蒸着できる。上
部ポールピース14及びその先端は第4E図に示すようにギ
ャップ材34の露出部分のフォトレジストダム36の間に蒸
着される。第4F図は犠牲マスク層18,20の蒸着ステップ
の後の極先端部を示している。第4G図は、犠牲マスク層
18,20の後の第１図の線4G−4Gにそった薄膜ヘッド10の
中間部の断面を示す。不要マスク層20はメッキ可能な磁
気金属であればどんなものでもよい。例えば犠牲マスク
層は他の材料も用いることができるが下部ポールピース
26及びギャップ材34のミリング加工に応じて選択するこ
ともできる。
材34に蒸着されるが上部極先端22が蒸着される部分は露
出されている。第4D図には示されていないがフォトレジ
ストダム36は第１図及び第２図の全面を被覆するもので
はなく上部ポールピース14が蒸着される薄膜ヘッド10の
部分は露出されている。フォトレジストダム36は通常の
フォトリゾグラフ及びマスキングにより蒸着できる。上
部ポールピース14及びその先端は第4E図に示すようにギ
ャップ材34の露出部分のフォトレジストダム36の間に蒸
着される。第4F図は犠牲マスク層18,20の蒸着ステップ
の後の極先端部を示している。第4G図は、犠牲マスク層
18,20の後の第１図の線4G−4Gにそった薄膜ヘッド10の
中間部の断面を示す。不要マスク層20はメッキ可能な磁
気金属であればどんなものでもよい。例えば犠牲マスク
層は他の材料も用いることができるが下部ポールピース
26及びギャップ材34のミリング加工に応じて選択するこ
ともできる。
第4G図は薄膜ヘッド10が、ギャップ材34の露出部及び下
部極先端26の露出部が除去されるべき極先端の領域の近
くを除いて犠牲層18及び20により完全に被覆保護され
る。第4F図に示さえたフォトレジストダム36はエッチン
グ工程により除去され第３図に示されるように極先端を
囲むように残される。
部極先端26の露出部が除去されるべき極先端の領域の近
くを除いて犠牲層18及び20により完全に被覆保護され
る。第4F図に示さえたフォトレジストダム36はエッチン
グ工程により除去され第３図に示されるように極先端を
囲むように残される。
第２の犠牲マスク層もミリング加工中コイルを保護する
ように用いられる。第4D図から第4F図に示されたフォト
レジストダム36は実際は薄膜ヘッド10のパドル形状全体
のまわりまで延在している。第１の犠牲マスク層が上部
極先端に蒸着される前に、極先端の近くにはないダム部
は化学処理の前の露光により除去される。フォトレジス
トのリリーフ領域は第２の犠牲マスク層により被覆され
第4G図に示されるコイルを保護する。ミリング加工の後
第２の層を除去することもできる。
ように用いられる。第4D図から第4F図に示されたフォト
レジストダム36は実際は薄膜ヘッド10のパドル形状全体
のまわりまで延在している。第１の犠牲マスク層が上部
極先端に蒸着される前に、極先端の近くにはないダム部
は化学処理の前の露光により除去される。フォトレジス
トのリリーフ領域は第２の犠牲マスク層により被覆され
第4G図に示されるコイルを保護する。ミリング加工の後
第２の層を除去することもできる。
第３図に示す極先端領域（薄膜ヘッド10）は、薄膜ヘッ
ド10の保護されていない領域が犠牲マスク層18,20にそ
って除去される材料除去工程（ミリング加工）に送られ
る。好ましくはミリング加工はイオンミリングであり、
アルゴンまたはキセノンイオンがイオン源により形成さ
れ電気グリッドの電解により加速される。他のイオン源
すなわち、ミリングイオンが加工材と反応する反応イオ
ンミリングも用いることもできる。化学エッチングまた
はスパッタリングも材料の除去に用いられる。ミリング
装置により形成された励起イオンは磁気薄膜ヘッド10の
面に衝突し材料を除去する。このようなミリング加工に
より犠牲マスク層18,20とともにギャップ材34と下部極
先端26の露出部が除去される。犠牲マスク層18,20は薄
膜ヘッド10と上部極先端22がミリング加工中に保護され
るような厚さとミリング速度を有している。本実施例で
はマスク18,20を有する材料は下部極先端26とギャップ
材34とに対応するように選択されている。
ド10の保護されていない領域が犠牲マスク層18,20にそ
って除去される材料除去工程（ミリング加工）に送られ
る。好ましくはミリング加工はイオンミリングであり、
アルゴンまたはキセノンイオンがイオン源により形成さ
れ電気グリッドの電解により加速される。他のイオン源
すなわち、ミリングイオンが加工材と反応する反応イオ
ンミリングも用いることもできる。化学エッチングまた
はスパッタリングも材料の除去に用いられる。ミリング
装置により形成された励起イオンは磁気薄膜ヘッド10の
面に衝突し材料を除去する。このようなミリング加工に
より犠牲マスク層18,20とともにギャップ材34と下部極
先端26の露出部が除去される。犠牲マスク層18,20は薄
膜ヘッド10と上部極先端22がミリング加工中に保護され
るような厚さとミリング速度を有している。本実施例で
はマスク18,20を有する材料は下部極先端26とギャップ
材34とに対応するように選択されている。
ミリング加工の後極先端構造は第4H図に示されるように
なる。ギャップ材34と下部極先端26の非整合部はミリン
グ加工により除去される。ミリング加工により犠牲層20
も、層18,20の厚さとミリング速度が最適であれば犠牲
層18にほぼそって除去される。必要に応じ犠牲層18の残
りの部分は化学エッチング等により除去される。
なる。ギャップ材34と下部極先端26の非整合部はミリン
グ加工により除去される。ミリング加工により犠牲層20
も、層18,20の厚さとミリング速度が最適であれば犠牲
層18にほぼそって除去される。必要に応じ犠牲層18の残
りの部分は化学エッチング等により除去される。
本発明は下部極先端とギャップ材が「無限の幅」をもっ
ている場合にも適用できる。第５図において、極先端領
域の断面は無限幅を有する下部極先端38とギャップ材40
を有している。上部極先端22、犠牲マスク層18,20及び
フォトレジストダム36は上述のように蒸着される。フォ
トレジストダム36は化学的にエッチング処理され下部極
先端38とギャップ材40との非整合部及び上部極先端22と
不要層18,20により被覆されたギャップ材40と下部極先
端38の整合部を残す。ミリング加工は上述のように行な
われ、ギャップ材40と下部極先端38の露出部は除去され
上部極先端22とギャップ材40及び下部極先端38の整合部
は犠牲層18,20により保護される。ミリング加工後の極
先端構造は第4H図に示したものと類似する。
ている場合にも適用できる。第５図において、極先端領
域の断面は無限幅を有する下部極先端38とギャップ材40
を有している。上部極先端22、犠牲マスク層18,20及び
フォトレジストダム36は上述のように蒸着される。フォ
トレジストダム36は化学的にエッチング処理され下部極
先端38とギャップ材40との非整合部及び上部極先端22と
不要層18,20により被覆されたギャップ材40と下部極先
端38の整合部を残す。ミリング加工は上述のように行な
われ、ギャップ材40と下部極先端38の露出部は除去され
上部極先端22とギャップ材40及び下部極先端38の整合部
は犠牲層18,20により保護される。ミリング加工後の極
先端構造は第4H図に示したものと類似する。
第６図は本発明による基板44により形成された下部ポー
ルピース42を有する極先端構造を示している。第６図に
おいて、基板44は磁気フェライトを有している。ミリン
グ加工において下部極先端42は、犠牲層46が上部ポール
ピース48を保護するので、基板44に形成される。ギャッ
プ材層50は下部ポールピース42上に形成される。犠牲層
46は本発明の自己整合技術により形成される。
ルピース42を有する極先端構造を示している。第６図に
おいて、基板44は磁気フェライトを有している。ミリン
グ加工において下部極先端42は、犠牲層46が上部ポール
ピース48を保護するので、基板44に形成される。ギャッ
プ材層50は下部ポールピース42上に形成される。犠牲層
46は本発明の自己整合技術により形成される。
本発明による同一幅を有する薄膜ヘッド用の極先端が積
層方向に整合して形成される。上下の極先端の整合が蒸
着技術のため不充分であっても本発明によると極先端と
ギャップ材が形成されこれらの非整合を無くすことがで
きる。本発明によると形成工程において時間と費用を節
約できる。本発明によると２つの層（ギャップ材層と下
部極先端層）のみがミリング加工されるのでミリング加
工時間がマスクの厚さにより短縮される。本発明におい
ては一対のフォトレジストダムが上部極先端と犠牲層の
両者を形成するのに用いられるだけなので製造時間と費
用も節約できる。
層方向に整合して形成される。上下の極先端の整合が蒸
着技術のため不充分であっても本発明によると極先端と
ギャップ材が形成されこれらの非整合を無くすことがで
きる。本発明によると形成工程において時間と費用を節
約できる。本発明によると２つの層（ギャップ材層と下
部極先端層）のみがミリング加工されるのでミリング加
工時間がマスクの厚さにより短縮される。本発明におい
ては一対のフォトレジストダムが上部極先端と犠牲層の
両者を形成するのに用いられるだけなので製造時間と費
用も節約できる。
以上本発明は実施例に基いて説明されたが当業者にとっ
て本発明の範囲で変更が可能なことはいうまでもない。
例えば異なる犠牲マスク層の材料や厚さが様々なミリン
グ加工及びエッチング加工により選択される。
て本発明の範囲で変更が可能なことはいうまでもない。
例えば異なる犠牲マスク層の材料や厚さが様々なミリン
グ加工及びエッチング加工により選択される。
第１図は不要なギャップ材と下部極先端とをミリング除
去する前の本発明の薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッド
の平面図、第２図は第１図の線２−２にそった薄膜磁気
変換器の側断面図、第３図は第１図の線３−３にそった
薄膜磁気ヘッドの断面図、第4A図から第4H図は本発明の
薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドを形成するステップ
を示す図、第５図は下部ポールピースとギャップ材が
「無限幅」を有する第4F図の領域に似た極先端領域の断
面図及び第６図は下部ポールピースが「無限幅」を有し
基板材と同一材料から構成された第4F図に似た断面図で
ある。 10……薄膜磁気ヘッド、12……基板、14……上部ポール
ピース、18,20……犠牲マスク層、22……上部極先端、2
4……下部ポールピース、26……下部極先端、28……絶
縁材、30,32……導電材、34……ギャップ材、36……フ
ォトレジストダム、38……下部極先端、40……ギャップ
材、42……下部ポールピース、44……基板、46……犠牲
マスク層、48……上部ポールピース、50……ギャップ
材。
去する前の本発明の薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッド
の平面図、第２図は第１図の線２−２にそった薄膜磁気
変換器の側断面図、第３図は第１図の線３−３にそった
薄膜磁気ヘッドの断面図、第4A図から第4H図は本発明の
薄膜読み取り／書き込み磁気ヘッドを形成するステップ
を示す図、第５図は下部ポールピースとギャップ材が
「無限幅」を有する第4F図の領域に似た極先端領域の断
面図及び第６図は下部ポールピースが「無限幅」を有し
基板材と同一材料から構成された第4F図に似た断面図で
ある。 10……薄膜磁気ヘッド、12……基板、14……上部ポール
ピース、18,20……犠牲マスク層、22……上部極先端、2
4……下部ポールピース、26……下部極先端、28……絶
縁材、30,32……導電材、34……ギャップ材、36……フ
ォトレジストダム、38……下部極先端、40……ギャップ
材、42……下部ポールピース、44……基板、46……犠牲
マスク層、48……上部ポールピース、50……ギャップ
材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 サイモン リアオ アメリカ合衆国カリフォルニア州サンタバ ーバラ，ビスタ バヒア 5296 (56)参考文献 特開 平１−173308（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−133516（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】薄膜磁気変換器を製造する方法において、
非磁性体の基板上に第１の磁気層を形成し、前記第１の
磁気層上にギャップ材層を形成し、前記ギャップ材層上
に所定構造の穴を有する層を蒸着し、前記ギャップ材層
と前記穴に第２の磁気層を形成し、前記第２の磁気層と
前記穴に犠牲マスク層を蒸着し、前記穴を有する前記層
を除去し、前記ギャップ材層の一部と前記第１の磁気層
の一部を露出させ、前記薄膜磁気変換器を材料除去工程
に露出することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US480278 | 1990-02-15 | ||
| US07/480,278 US4992901A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Self aligned magnetic poles using sacrificial mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03242810A JPH03242810A (ja) | 1991-10-29 |
| JPH0778859B2 true JPH0778859B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=23907350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2313035A Expired - Lifetime JPH0778859B2 (ja) | 1990-02-15 | 1990-11-20 | 犠牲マスクを用いた自己整合式磁気ポールピース |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4992901A (ja) |
| EP (1) | EP0442212B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0778859B2 (ja) |
| KR (1) | KR100264700B1 (ja) |
| DE (1) | DE69032935T2 (ja) |
| SG (1) | SG44623A1 (ja) |
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-
1990
- 1990-02-15 US US07/480,278 patent/US4992901A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-20 JP JP2313035A patent/JPH0778859B2/ja not_active Expired - Lifetime
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