JPH04114560U - 縦型減圧cvd膜製造装置 - Google Patents

縦型減圧cvd膜製造装置

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JPH04114560U
JPH04114560U JP1797791U JP1797791U JPH04114560U JP H04114560 U JPH04114560 U JP H04114560U JP 1797791 U JP1797791 U JP 1797791U JP 1797791 U JP1797791 U JP 1797791U JP H04114560 U JPH04114560 U JP H04114560U
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Japan
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wafer
inner tube
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wafer support
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幸二 遠目塚
幹夫 小泉
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Kokusai Denki Electric Inc
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Hitachi Kokusai Electric Inc
Kokusai Denki Electric Inc
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Abstract

(57)【要約】 〔目的〕 インナーチューブとウェーハとの間の間隔を
最小限に保ち、均一な膜厚の膜を生成する。 〔構成〕 インナーチューブ1に設けたウェーハ支持部
溝5にボート2のウェーハ支持溝6を有する支持柱7を
嵌挿せしめることによりインナーチューブ1とウェーハ
4との間の間隔を最小限に保ち、均一な膜厚の膜を生成
することができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は半導体製造装置に係り、特に縦型減圧CVD膜製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来装置は図1を参照して説明すると、石英インナーチューブ1と石英ボート 2との間に反応ガスを通し、石英インナーチューブ1と石英アウターチューブ3 との間より排気することにより石英ボート2のウェーハ支持溝6に載置されヒー タ8により加熱されたウェーハ4にCVD膜を生成する構成になっている。
【0003】 SiH4 +N2 O系SiO2 膜やSiH4 +NH3 系Si3 4 膜の生成には 、ウェーハ4間の間隔とガス流路にあたるウェーハ4とインナーチューブ1間の 間隔の関係がウェーハ4の膜厚の均一性に依存する。実験によるとウェーハ4と インナーチューブ1との間を狭くした場合良い結果が得られている。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら上記従来例にあっては、ウェーハ4がボート2を構成する,例え ば3本の石英支持柱7のウェーハ支持溝6に載置されるため、支持柱7の厚み以 下に間隔を狭くすることができず、膜厚の均一性が劣るという課題がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本考案装置は上記の課題を解決するため、図1に示すようにインナーチューブ 1とボート2との間に反応ガスを通し、前記インナーチューブ1とアウターチュ ーブ3との間より排気することにより前記ボート2のウェーハ支持溝6に載置さ れ加熱されたウェーハ4にCVD膜を生成する縦型減圧CVD膜製造装置におい て、前記インナーチューブ1にウェーハ支持部溝5を設け、このウェーハ支持部 溝5に前記ボート2のウェーハ支持溝6を有する支持柱7を嵌挿してなる。
【0006】
【作用】
このような構成にすることにより従来装置とは異なり、支持柱7の厚みに依存 されないので、ウェーハ4とインナーチューブ1との間の間隔tを最小限に保つ ことができることになり、膜厚の均一性を高めることができることになる。
【0007】 図1(A)は本考案装置の1実施例の構成を示す概略断面図、図1(B)は本 考案におけるボート及びインナーチューブの斜視図、図2はそのインナーチュー ブにボートを嵌挿した状態を示す横断面図である。1は石英インナーチューブ、 3は石英アウターチューブで反応管を構成している。2は石英ボートで、内側に 多数のウェーハ支持溝6を有する3本の石英支持柱7と、これらの支持柱7の上 下部に固定された支持板9とよりなる。
【0008】 インナーチューブ1にこれを外方に凹状に折曲して縦方向に形成された3つの ウェーハ支持部溝5が設けられ、これらのウェーハ支持部溝5にそれぞれボート 2の支持柱7が嵌挿されている。ウェーハ支持部溝5はインナーチューブ1の内 面に縦方向に形成された溝であってもよい。
【0009】 4はボート2の多数のウェーハ支持溝6に載置されたウェーハ、10は反応ガ ス導入口、11は排気口、12は反応管内にボート2を搬入,出する昇降部で、 膜生成前,後のウェーハの挿入,取出しを行う。
【0010】 本実施例はこのような構成であるから、図1において反応ガス導入口10より SiH4 +N2 O系ガス又はSiH4 +NH3 系ガスを導入してインナーチュー ブ1とボート2との間を通しインナーチューブ1とアウターチューブ3との間を 通して排気口11より排気すると、ボート2のウェーハ支持溝6に載置されヒー タ8により加熱されたウェーハ4にSiO2 膜又はSi3 4 膜が生成される。
【0011】 この生成膜の膜厚は、図2に示すように従来装置とは異なり、支持柱7の厚み に依存されないので、ウェーハ4とインナーチューブ1との間の間隔tを最小限 に保つことができることになり、膜厚の均一性を高めることができることになる 。
【0012】
【考案の効果】
上述のように本考案によれば、インナーチューブ1とボート2との間に反応ガ スを通し、前記インナーチューブ1とアウターチューブ3との間より排気するこ とにより前記ボート2のウェーハ支持溝6に載置され加熱されたウェーハ4にC VD膜を生成する縦型減圧CVD膜製造装置において、前記インナーチューブ1 にウェーハ支持部溝5を設け、このウェーハ支持部溝5に前記ボート2のウェー ハ支持溝6を有する支持柱7を嵌挿してなるので、インナーチューブ1とウェー ハ4との間の間隔tを最小限に保つことができ、均一な膜厚の膜を生成すること ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本考案装置の1実施例の構成を示す概
略断面図、(B)は本考案におけるボート及びインナー
チューブの斜視図である。
【図2】そのインナーチューブにボートを嵌挿した状態
を示す横断面図である。
【符号の説明】
1 (石英)インナーチューブ 2 (石英)ボート 3 (石英)アウターチューブ 4 ウェーハ 5 ウェーハ支持部溝 6 ウェーハ支持溝 7 支持柱 8 ヒータ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年7月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 インナーチューブ(1)とボート(2)
    との間に反応ガスを通し、前記インナーチューブ(1)
    とアウターチューブ(3)との間より排気することによ
    り前記ボート(2)のウェーハ支持溝(6)に載置され
    加熱されたウェーハ(4)にCVD膜を生成する縦型減
    圧CVD膜製造装置において、前記インナーチューブ
    (1)にウェーハ支持部溝(5)を設け、このウェーハ
    支持部溝(5)に前記ボート(2)のウェーハ支持溝
    (6)を有する支持柱(7)を嵌挿してなる縦型減圧C
    VD膜製造装置。
  2. 【請求項2】 反応ガスがSiH4 +N2 O系, SiH
    4 +NH3 系のガスである請求項1の縦型減圧CVD膜
    製造装置。
JP1797791U 1991-03-25 1991-03-25 縦型減圧cvd膜製造装置 Expired - Lifetime JPH0721570Y2 (ja)

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JPH04114560U true JPH04114560U (ja) 1992-10-08
JPH0721570Y2 JPH0721570Y2 (ja) 1995-05-17

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