JPH04114560U - 縦型減圧cvd膜製造装置 - Google Patents
縦型減圧cvd膜製造装置Info
- Publication number
- JPH04114560U JPH04114560U JP1797791U JP1797791U JPH04114560U JP H04114560 U JPH04114560 U JP H04114560U JP 1797791 U JP1797791 U JP 1797791U JP 1797791 U JP1797791 U JP 1797791U JP H04114560 U JPH04114560 U JP H04114560U
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- JP
- Japan
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- wafer
- inner tube
- boat
- support groove
- wafer support
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Abstract
(57)【要約】
〔目的〕 インナーチューブとウェーハとの間の間隔を
最小限に保ち、均一な膜厚の膜を生成する。 〔構成〕 インナーチューブ1に設けたウェーハ支持部
溝5にボート2のウェーハ支持溝6を有する支持柱7を
嵌挿せしめることによりインナーチューブ1とウェーハ
4との間の間隔を最小限に保ち、均一な膜厚の膜を生成
することができる。
最小限に保ち、均一な膜厚の膜を生成する。 〔構成〕 インナーチューブ1に設けたウェーハ支持部
溝5にボート2のウェーハ支持溝6を有する支持柱7を
嵌挿せしめることによりインナーチューブ1とウェーハ
4との間の間隔を最小限に保ち、均一な膜厚の膜を生成
することができる。
Description
【0001】
本考案は半導体製造装置に係り、特に縦型減圧CVD膜製造装置に関する。
【0002】
従来装置は図1を参照して説明すると、石英インナーチューブ1と石英ボート
2との間に反応ガスを通し、石英インナーチューブ1と石英アウターチューブ3
との間より排気することにより石英ボート2のウェーハ支持溝6に載置されヒー
タ8により加熱されたウェーハ4にCVD膜を生成する構成になっている。
【0003】
SiH4 +N2 O系SiO2 膜やSiH4 +NH3 系Si3 N4 膜の生成には
、ウェーハ4間の間隔とガス流路にあたるウェーハ4とインナーチューブ1間の
間隔の関係がウェーハ4の膜厚の均一性に依存する。実験によるとウェーハ4と
インナーチューブ1との間を狭くした場合良い結果が得られている。
【0004】
しかしながら上記従来例にあっては、ウェーハ4がボート2を構成する,例え
ば3本の石英支持柱7のウェーハ支持溝6に載置されるため、支持柱7の厚み以
下に間隔を狭くすることができず、膜厚の均一性が劣るという課題がある。
【0005】
本考案装置は上記の課題を解決するため、図1に示すようにインナーチューブ
1とボート2との間に反応ガスを通し、前記インナーチューブ1とアウターチュ
ーブ3との間より排気することにより前記ボート2のウェーハ支持溝6に載置さ
れ加熱されたウェーハ4にCVD膜を生成する縦型減圧CVD膜製造装置におい
て、前記インナーチューブ1にウェーハ支持部溝5を設け、このウェーハ支持部
溝5に前記ボート2のウェーハ支持溝6を有する支持柱7を嵌挿してなる。
【0006】
このような構成にすることにより従来装置とは異なり、支持柱7の厚みに依存
されないので、ウェーハ4とインナーチューブ1との間の間隔tを最小限に保つ
ことができることになり、膜厚の均一性を高めることができることになる。
【0007】
図1(A)は本考案装置の1実施例の構成を示す概略断面図、図1(B)は本
考案におけるボート及びインナーチューブの斜視図、図2はそのインナーチュー
ブにボートを嵌挿した状態を示す横断面図である。1は石英インナーチューブ、
3は石英アウターチューブで反応管を構成している。2は石英ボートで、内側に
多数のウェーハ支持溝6を有する3本の石英支持柱7と、これらの支持柱7の上
下部に固定された支持板9とよりなる。
【0008】
インナーチューブ1にこれを外方に凹状に折曲して縦方向に形成された3つの
ウェーハ支持部溝5が設けられ、これらのウェーハ支持部溝5にそれぞれボート
2の支持柱7が嵌挿されている。ウェーハ支持部溝5はインナーチューブ1の内
面に縦方向に形成された溝であってもよい。
【0009】
4はボート2の多数のウェーハ支持溝6に載置されたウェーハ、10は反応ガ
ス導入口、11は排気口、12は反応管内にボート2を搬入,出する昇降部で、
膜生成前,後のウェーハの挿入,取出しを行う。
【0010】
本実施例はこのような構成であるから、図1において反応ガス導入口10より
SiH4 +N2 O系ガス又はSiH4 +NH3 系ガスを導入してインナーチュー
ブ1とボート2との間を通しインナーチューブ1とアウターチューブ3との間を
通して排気口11より排気すると、ボート2のウェーハ支持溝6に載置されヒー
タ8により加熱されたウェーハ4にSiO2 膜又はSi3 N4 膜が生成される。
【0011】
この生成膜の膜厚は、図2に示すように従来装置とは異なり、支持柱7の厚み
に依存されないので、ウェーハ4とインナーチューブ1との間の間隔tを最小限
に保つことができることになり、膜厚の均一性を高めることができることになる
。
【0012】
上述のように本考案によれば、インナーチューブ1とボート2との間に反応ガ
スを通し、前記インナーチューブ1とアウターチューブ3との間より排気するこ
とにより前記ボート2のウェーハ支持溝6に載置され加熱されたウェーハ4にC
VD膜を生成する縦型減圧CVD膜製造装置において、前記インナーチューブ1
にウェーハ支持部溝5を設け、このウェーハ支持部溝5に前記ボート2のウェー
ハ支持溝6を有する支持柱7を嵌挿してなるので、インナーチューブ1とウェー
ハ4との間の間隔tを最小限に保つことができ、均一な膜厚の膜を生成すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本考案装置の1実施例の構成を示す概
略断面図、(B)は本考案におけるボート及びインナー
チューブの斜視図である。
略断面図、(B)は本考案におけるボート及びインナー
チューブの斜視図である。
【図2】そのインナーチューブにボートを嵌挿した状態
を示す横断面図である。
を示す横断面図である。
1 (石英)インナーチューブ
2 (石英)ボート
3 (石英)アウターチューブ
4 ウェーハ
5 ウェーハ支持部溝
6 ウェーハ支持溝
7 支持柱
8 ヒータ
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成3年7月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
Claims (2)
- 【請求項1】 インナーチューブ(1)とボート(2)
との間に反応ガスを通し、前記インナーチューブ(1)
とアウターチューブ(3)との間より排気することによ
り前記ボート(2)のウェーハ支持溝(6)に載置され
加熱されたウェーハ(4)にCVD膜を生成する縦型減
圧CVD膜製造装置において、前記インナーチューブ
(1)にウェーハ支持部溝(5)を設け、このウェーハ
支持部溝(5)に前記ボート(2)のウェーハ支持溝
(6)を有する支持柱(7)を嵌挿してなる縦型減圧C
VD膜製造装置。 - 【請求項2】 反応ガスがSiH4 +N2 O系, SiH
4 +NH3 系のガスである請求項1の縦型減圧CVD膜
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797791U JPH0721570Y2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 縦型減圧cvd膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797791U JPH0721570Y2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 縦型減圧cvd膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114560U true JPH04114560U (ja) | 1992-10-08 |
| JPH0721570Y2 JPH0721570Y2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=31904614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1797791U Expired - Lifetime JPH0721570Y2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 縦型減圧cvd膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721570Y2 (ja) |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP1797791U patent/JPH0721570Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0721570Y2 (ja) | 1995-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |