JPH0721570Y2 - 縦型減圧ｃｖｄ膜製造装置 - Google Patents
縦型減圧ｃｖｄ膜製造装置Info
- Publication number
- JPH0721570Y2 JPH0721570Y2 JP1797791U JP1797791U JPH0721570Y2 JP H0721570 Y2 JPH0721570 Y2 JP H0721570Y2 JP 1797791 U JP1797791 U JP 1797791U JP 1797791 U JP1797791 U JP 1797791U JP H0721570 Y2 JPH0721570 Y2 JP H0721570Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- inner tube
- boat
- cvd film
- low pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は半導体製造装置に係り、
特に縦型減圧ＣＶＤ膜製造装置に関する。
特に縦型減圧ＣＶＤ膜製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来装置は図１を参照して説明すると、
石英インナーチューブ１と石英ボート２との間に反応ガ
スを通し、石英インナーチューブ１と石英アウターチュ
ーブ３との間より排気することにより石英ボート２のウ
ェーハ支持溝６に載置されヒータ８により加熱されたウ
ェーハ４にＣＶＤ膜を生成する構成になっている。
石英インナーチューブ１と石英ボート２との間に反応ガ
スを通し、石英インナーチューブ１と石英アウターチュ
ーブ３との間より排気することにより石英ボート２のウ
ェーハ支持溝６に載置されヒータ８により加熱されたウ
ェーハ４にＣＶＤ膜を生成する構成になっている。
【０００３】ＳｉＨ4 ＋Ｎ2 Ｏ系ＳｉＯ2 膜やＳｉＨ4
＋ＮＨ3 系Ｓｉ3 Ｎ4 膜の生成には、ウェーハ４間の間
隔とガス流路にあたるウェーハ４とインナーチューブ１
間の間隔の関係がウェーハ４の膜厚の均一性に依存す
る。実験によるとウェーハ４とインナーチューブ１との
間を狭くした場合良い結果が得られている。
＋ＮＨ3 系Ｓｉ3 Ｎ4 膜の生成には、ウェーハ４間の間
隔とガス流路にあたるウェーハ４とインナーチューブ１
間の間隔の関係がウェーハ４の膜厚の均一性に依存す
る。実験によるとウェーハ４とインナーチューブ１との
間を狭くした場合良い結果が得られている。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
例にあっては、ウェーハ４がボート２を構成する，例え
ば３本の石英支持柱７のウェーハ支持溝６に載置される
ため、支持柱７の厚み以下に間隔を狭くすることができ
ず、膜厚の均一性が劣るという課題がある。
例にあっては、ウェーハ４がボート２を構成する，例え
ば３本の石英支持柱７のウェーハ支持溝６に載置される
ため、支持柱７の厚み以下に間隔を狭くすることができ
ず、膜厚の均一性が劣るという課題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案装置は上記の課題
を解決するため、図１に示すようにインナーチューブ１
とボート２との間に反応ガスを通し、前記インナーチュ
ーブ１とアウターチューブ３との間より排気することに
より前記ボート２のウェーハ支持溝６に載置され加熱さ
れたウェーハ４にＣＶＤ膜を生成する縦型減圧ＣＶＤ膜
製造装置において、前記インナーチューブ１にウェーハ
支持部溝５を設け、このウェーハ支持部溝５に前記ボー
ト２のウェーハ支持溝６を有する支持柱７を嵌挿してな
る。
を解決するため、図１に示すようにインナーチューブ１
とボート２との間に反応ガスを通し、前記インナーチュ
ーブ１とアウターチューブ３との間より排気することに
より前記ボート２のウェーハ支持溝６に載置され加熱さ
れたウェーハ４にＣＶＤ膜を生成する縦型減圧ＣＶＤ膜
製造装置において、前記インナーチューブ１にウェーハ
支持部溝５を設け、このウェーハ支持部溝５に前記ボー
ト２のウェーハ支持溝６を有する支持柱７を嵌挿してな
る。
【０００６】
【作用】このような構成にすることにより従来装置とは
異なり、支持柱７の厚みに依存されないので、ウェーハ
４とインナーチューブ１との間の間隔ｔを最小限に保つ
ことができることになり、膜厚の均一性を高めることが
できることになる。
異なり、支持柱７の厚みに依存されないので、ウェーハ
４とインナーチューブ１との間の間隔ｔを最小限に保つ
ことができることになり、膜厚の均一性を高めることが
できることになる。
【０００７】図１（Ａ）は本考案装置の１実施例の構成
を示す概略断面図、図１（Ｂ）は本考案におけるボート
及びインナーチューブの斜視図、図２はそのインナーチ
ューブにボートを嵌挿した状態を示す横断面図である。
１は石英インナーチューブ、３は石英アウターチューブ
で反応管を構成している。２は石英ボートで、内側に多
数のウェーハ支持溝６を有する３本の石英支持柱７と、
これらの支持柱７の上下部に固定された支持板９とより
なる。
を示す概略断面図、図１（Ｂ）は本考案におけるボート
及びインナーチューブの斜視図、図２はそのインナーチ
ューブにボートを嵌挿した状態を示す横断面図である。
１は石英インナーチューブ、３は石英アウターチューブ
で反応管を構成している。２は石英ボートで、内側に多
数のウェーハ支持溝６を有する３本の石英支持柱７と、
これらの支持柱７の上下部に固定された支持板９とより
なる。
【０００８】インナーチューブ１にこれを外方に凹状に
折曲して縦方向に形成された３つのウェーハ支持部溝５
が設けられ、これらのウェーハ支持部溝５にそれぞれボ
ート２の支持柱７が嵌挿されている。ウェーハ支持部溝
５はインナーチューブ１の内面に縦方向に形成された溝
であってもよい。
折曲して縦方向に形成された３つのウェーハ支持部溝５
が設けられ、これらのウェーハ支持部溝５にそれぞれボ
ート２の支持柱７が嵌挿されている。ウェーハ支持部溝
５はインナーチューブ１の内面に縦方向に形成された溝
であってもよい。
【０００９】４はボート２の多数のウェーハ支持溝６に
載置されたウェーハ、１０は反応ガス導入口、１１は排
気口、１２は反応管内にボート２を搬入，出する昇降部
で、膜生成前，後のウェーハの挿入，取出しを行う。
載置されたウェーハ、１０は反応ガス導入口、１１は排
気口、１２は反応管内にボート２を搬入，出する昇降部
で、膜生成前，後のウェーハの挿入，取出しを行う。
【００１０】本実施例はこのような構成であるから、図
１において反応ガス導入口１０よりＳｉＨ4 ＋Ｎ2 Ｏ系
ガス又はＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 系ガスを導入してインナーチ
ューブ１とボート２との間を通しインナーチューブ１と
アウターチューブ３との間を通して排気口１１より排気
すると、ボート２のウェーハ支持溝６に載置されヒータ
８により加熱されたウェーハ４にＳｉＯ2 膜又はＳｉ3
Ｎ4 膜が生成される。
１において反応ガス導入口１０よりＳｉＨ4 ＋Ｎ2 Ｏ系
ガス又はＳｉＨ4 ＋ＮＨ3 系ガスを導入してインナーチ
ューブ１とボート２との間を通しインナーチューブ１と
アウターチューブ３との間を通して排気口１１より排気
すると、ボート２のウェーハ支持溝６に載置されヒータ
８により加熱されたウェーハ４にＳｉＯ2 膜又はＳｉ3
Ｎ4 膜が生成される。
【００１１】この生成膜の膜厚は、図２に示すように従
来装置とは異なり、支持柱７の厚みに依存されないの
で、ウェーハ４とインナーチューブ１との間の間隔ｔを
最小限に保つことができることになり、膜厚の均一性を
高めることができることになる。
来装置とは異なり、支持柱７の厚みに依存されないの
で、ウェーハ４とインナーチューブ１との間の間隔ｔを
最小限に保つことができることになり、膜厚の均一性を
高めることができることになる。
【００１２】
【考案の効果】上述のように本考案によれば、インナー
チューブ１とボート２との間に反応ガスを通し、前記イ
ンナーチューブ１とアウターチューブ３との間より排気
することにより前記ボート２のウェーハ支持溝６に載置
され加熱されたウェーハ４にＣＶＤ膜を生成する縦型減
圧ＣＶＤ膜製造装置において、前記インナーチューブ１
にウェーハ支持部溝５を設け、このウェーハ支持部溝５
に前記ボート２のウェーハ支持溝６を有する支持柱７を
嵌挿してなるので、インナーチューブ１とウェーハ４と
の間の間隔ｔを最小限に保つことができ、均一な膜厚の
膜を生成することができる。
チューブ１とボート２との間に反応ガスを通し、前記イ
ンナーチューブ１とアウターチューブ３との間より排気
することにより前記ボート２のウェーハ支持溝６に載置
され加熱されたウェーハ４にＣＶＤ膜を生成する縦型減
圧ＣＶＤ膜製造装置において、前記インナーチューブ１
にウェーハ支持部溝５を設け、このウェーハ支持部溝５
に前記ボート２のウェーハ支持溝６を有する支持柱７を
嵌挿してなるので、インナーチューブ１とウェーハ４と
の間の間隔ｔを最小限に保つことができ、均一な膜厚の
膜を生成することができる。
【図１】（Ａ）は本考案装置の１実施例の構成を示す概
略断面図、（Ｂ）は本考案におけるボート及びインナー
チューブの斜視図である。
略断面図、（Ｂ）は本考案におけるボート及びインナー
チューブの斜視図である。
【図２】そのインナーチューブにボートを嵌挿した状態
を示す横断面図である。
を示す横断面図である。
１ （石英）インナーチューブ ２ （石英）ボート ３ （石英）アウターチューブ ４ ウェーハ ５ ウェーハ支持部溝 ６ ウェーハ支持溝 ７ 支持柱 ８ ヒータ
Claims (2)
- 【請求項１】 インナーチューブ（１）とボート（２）
との間に反応ガスを通し、前記インナーチューブ（１）
とアウターチューブ（３）との間より排気することによ
り前記ボート（２）のウェーハ支持溝（６）に載置され
加熱されたウェーハ（４）にＣＶＤ膜を生成する縦型減
圧ＣＶＤ膜製造装置において、前記インナーチューブ
（１）にウェーハ支持部溝（５）を設け、このウェーハ
支持部溝（５）に前記ボート（２）のウェーハ支持溝
（６）を有する支持柱（７）を嵌挿してなる縦型減圧Ｃ
ＶＤ膜製造装置。 - 【請求項２】 反応ガスがＳｉＨ4 ＋Ｎ2 Ｏ系, ＳｉＨ
4 ＋ＮＨ3 系のガスである請求項１の縦型減圧ＣＶＤ膜
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797791U JPH0721570Y2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 縦型減圧ｃｖｄ膜製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1797791U JPH0721570Y2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 縦型減圧ｃｖｄ膜製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114560U JPH04114560U (ja) | 1992-10-08 |
| JPH0721570Y2 true JPH0721570Y2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=31904614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1797791U Expired - Lifetime JPH0721570Y2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 縦型減圧ｃｖｄ膜製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721570Y2 (ja) |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP1797791U patent/JPH0721570Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04114560U (ja) | 1992-10-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |