JPH04115608A - 発振器 - Google Patents
発振器Info
- Publication number
- JPH04115608A JPH04115608A JP23083790A JP23083790A JPH04115608A JP H04115608 A JPH04115608 A JP H04115608A JP 23083790 A JP23083790 A JP 23083790A JP 23083790 A JP23083790 A JP 23083790A JP H04115608 A JPH04115608 A JP H04115608A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- tank circuit
- current
- oscillator
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば携帯電話、衛星通信等の通信システムに
適用する発振器に関するものである。
適用する発振器に関するものである。
第４図は従来のこの種の発振器であるコルピッツ発振器
の要部回路図である。このコルピッツ発振器はトランジ
スタＴＲとタンク回路（共振回路）ＲＣとにより構成さ
れている。タンク回路ＲＣは、コイルＬと、コイルＬの
各端部に一端を接続したコンデンサＣ，，Ｃ，とで構成
され、コンデンサＣ２゜Ｃ２の夫々の他端は接続されて
いる。そして、トランジスタＴＲのコレクタは、タンク
回路ＲＣのコイルＬとコンデンサＣＩとの接続部と接続
され、コイルＬとコンデンサＣ２との接続部はトランジ
スタＴＲのベースと接続されている。またコンデンサＣ
Ｉ、Ｃ２の接続部はトランジスタＴＲのエミッタと接続
されている。
の要部回路図である。このコルピッツ発振器はトランジ
スタＴＲとタンク回路（共振回路）ＲＣとにより構成さ
れている。タンク回路ＲＣは、コイルＬと、コイルＬの
各端部に一端を接続したコンデンサＣ，，Ｃ，とで構成
され、コンデンサＣ２゜Ｃ２の夫々の他端は接続されて
いる。そして、トランジスタＴＲのコレクタは、タンク
回路ＲＣのコイルＬとコンデンサＣＩとの接続部と接続
され、コイルＬとコンデンサＣ２との接続部はトランジ
スタＴＲのベースと接続されている。またコンデンサＣ
Ｉ、Ｃ２の接続部はトランジスタＴＲのエミッタと接続
されている。
次にこのコルピッツ発振器の発振動作を説明する。タン
ク回路ＲＣのコイルＬとコンデンサＣＩ。
ク回路ＲＣのコイルＬとコンデンサＣＩ。
Ｃ２とによる共振電圧がトランジスタＴＲのベースに与
えられて、ベース電流Ｉｎが流れるとトランジスタＴＲ
にコレクタ電流Ｉ、が流れる。するとコイルしに流れる
電流が変化し、コイルしに逆起電圧が生じる。その逆起
電圧がタンク回路ＲＣに充電々流を流しコンデンサＣ＋
、Ｃｔに電荷が溜まる。
えられて、ベース電流Ｉｎが流れるとトランジスタＴＲ
にコレクタ電流Ｉ、が流れる。するとコイルしに流れる
電流が変化し、コイルしに逆起電圧が生じる。その逆起
電圧がタンク回路ＲＣに充電々流を流しコンデンサＣ＋
、Ｃｔに電荷が溜まる。
コンデンサＣ２の両端に生じる電圧はトランジスタＴＲ
のベース、エミッタ電圧となりベース電流Ｉ。
のベース、エミッタ電圧となりベース電流Ｉ。
が流れる。そのような正帰還動作によってトランジスタ
ＴＲの発振動作が継続する。そして、トランジスタＴＲ
のベース電流！、の振幅が次第に増大していく。そのよ
うにしてベース電流１．の振幅が第５図に示すベース電
流、コレクタ電流特性曲線Ｐの非線形領域Ｐ１のより深
い位置に達するまで増大した状態、即ちコレクタ電流■
。が飽和状態になると、タンク回路ＲＣの発振動作が安
定することになる。
ＴＲの発振動作が継続する。そして、トランジスタＴＲ
のベース電流！、の振幅が次第に増大していく。そのよ
うにしてベース電流１．の振幅が第５図に示すベース電
流、コレクタ電流特性曲線Ｐの非線形領域Ｐ１のより深
い位置に達するまで増大した状態、即ちコレクタ電流■
。が飽和状態になると、タンク回路ＲＣの発振動作が安
定することになる。
ところで、トランジスタＴＲのコレクタ電流Ｉ。
が飽和して、第５図に示すようにベース電流１゜が、非
線形領域Ｐ１のより深い位置で変化するようになると、
ベース電流ＩＢの変化に応じてコレクタ電流ＩＣは変化
せず、コレクタ電流Ｉ、の波形は歪んだものになる。
線形領域Ｐ１のより深い位置で変化するようになると、
ベース電流ＩＢの変化に応じてコレクタ電流ＩＣは変化
せず、コレクタ電流Ｉ、の波形は歪んだものになる。
従来のコルピッツ発振器は第５図に示すようにトランジ
スタのベース電流、コレクタ電流特性曲線の非線形領域
の深い位置に達する大きい振幅のベース電流によりトラ
ンジスタが動作するから、コレクタ電流の歪みが大きく
なって高調波成分が多くなる。またトランジスタの内部
インピーダンスがタンク回路の回路定数に大きく影響し
て、Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）及びＳ／Ｎ （信号対雑
音比）が低下する。
スタのベース電流、コレクタ電流特性曲線の非線形領域
の深い位置に達する大きい振幅のベース電流によりトラ
ンジスタが動作するから、コレクタ電流の歪みが大きく
なって高調波成分が多くなる。またトランジスタの内部
インピーダンスがタンク回路の回路定数に大きく影響し
て、Ｃ／Ｎ（搬送波対雑音比）及びＳ／Ｎ （信号対雑
音比）が低下する。
そのためタンク回路のコンデンサの容量を小さくして、
タンク回路の電流を減少させて、トランジスタのベース
電流を小さくして高調波成分を低減さセることが考えら
れるが、発振周波数が高い場合は、コンデンサの機能を
損なわないように１、コンデンサの自己共振周波数が発
振周波数より低いコンデンサを選ぶ必要があり、そうす
るとコンデンサの容量は極めて小さいものになる。しか
し、このようにコンデンサの容量を小さくすれば、容量
許容差が発振周波数に大きく影響して発振器の歩留りが
大幅に低下するという問題がある。
タンク回路の電流を減少させて、トランジスタのベース
電流を小さくして高調波成分を低減さセることが考えら
れるが、発振周波数が高い場合は、コンデンサの機能を
損なわないように１、コンデンサの自己共振周波数が発
振周波数より低いコンデンサを選ぶ必要があり、そうす
るとコンデンサの容量は極めて小さいものになる。しか
し、このようにコンデンサの容量を小さくすれば、容量
許容差が発振周波数に大きく影響して発振器の歩留りが
大幅に低下するという問題がある。
本発明は斯かる問題に鑑み、Ｃ／Ｎ及びＳ／Ｎが低下せ
ず、また発振器の歩留りを高め得る発振器を提供するこ
とを目的とする。
ず、また発振器の歩留りを高め得る発振器を提供するこ
とを目的とする。
本発明に係る発振器は、増幅素子の入力側と出力側との
間にタンク回路を介装している発振器において、前記出
力側とタンク回路との間にインピーダンス素子を介装し
てあることを特徴とする。
間にタンク回路を介装している発振器において、前記出
力側とタンク回路との間にインピーダンス素子を介装し
てあることを特徴とする。
増幅素子の出力側の電流をタンク回路を介して増幅素子
の入力側へ正帰還させてタンク回路の発振動作を安定さ
せる。増幅素子の出力側に設けたインピーダンス素子は
、タンク回路内の充電環状電流を減少させ、増幅素子の
出力側の電流の歪みが僅かになる程度の電流値に抑制す
る。
の入力側へ正帰還させてタンク回路の発振動作を安定さ
せる。増幅素子の出力側に設けたインピーダンス素子は
、タンク回路内の充電環状電流を減少させ、増幅素子の
出力側の電流の歪みが僅かになる程度の電流値に抑制す
る。
これにより、増幅素子の出力側の電流に含まれる高調波
成分が減少する。またインピーダンス素子により、増幅
素子の内部インピーダンスがタンク回路の回路定数によ
り大きく影響しない。
成分が減少する。またインピーダンス素子により、増幅
素子の内部インピーダンスがタンク回路の回路定数によ
り大きく影響しない。
以下本発明をその実施例を示す図面により詳述する。
第１図は本発明に係る発振器の要部回路図である。この
発振器は、増幅素子たるトランジスタＴＲとタンク回路
（共振回路） ＲＣと、インピーダンス素子Ｚとにより
構成されている。タンク回路ＲＣは、コイルＬと、コイ
ルＬの各端部に一端を接続したコンデンサＣＩ、Ｃ２と
で構成され、コンデンサＣ＋、Ｃｚの夫々の他端は接続
されている。そして、トランジスタＴＲのコレクタは、
インピーダンス素子Ｚを介してタンク回路ＲＣのコイル
ＬとコンデンサＣＩとの接続部と接続され、コイルＬと
コンデンサＣ２との接続部はトランジスタＴＲのベース
と接続されている。このインピーダンス素子Ｚはトラン
ジスタＴＲのコレクタ電流の振幅を抑制するものであり
、例えばコンデンサを用いる。またインピーダンス素子
Ｚは、トランジスタＴＲのへ一ス電流１カの振幅を、第
２図に示すベース電流コレクタ電流特性曲ｖＡＰの非線
形領域Ｐ１の浅い領域になるよう抑制できる値に選定し
ている。
発振器は、増幅素子たるトランジスタＴＲとタンク回路
（共振回路） ＲＣと、インピーダンス素子Ｚとにより
構成されている。タンク回路ＲＣは、コイルＬと、コイ
ルＬの各端部に一端を接続したコンデンサＣＩ、Ｃ２と
で構成され、コンデンサＣ＋、Ｃｚの夫々の他端は接続
されている。そして、トランジスタＴＲのコレクタは、
インピーダンス素子Ｚを介してタンク回路ＲＣのコイル
ＬとコンデンサＣＩとの接続部と接続され、コイルＬと
コンデンサＣ２との接続部はトランジスタＴＲのベース
と接続されている。このインピーダンス素子Ｚはトラン
ジスタＴＲのコレクタ電流の振幅を抑制するものであり
、例えばコンデンサを用いる。またインピーダンス素子
Ｚは、トランジスタＴＲのへ一ス電流１カの振幅を、第
２図に示すベース電流コレクタ電流特性曲ｖＡＰの非線
形領域Ｐ１の浅い領域になるよう抑制できる値に選定し
ている。
次にこのように構成した発振器の発振動作をトランジス
タの動作説明図である第２図とともに説明する。タンク
回路ＲＣのコイルＬとコンデンサＣＩ＋０２とによる共
振電圧がトランジスタＴＲのベースに与えられて、ベー
ス電流Ｉ、が流れるとトランジスタＴＲにコレクタ電流
■。が流れる。するとコイルＬに流れる電流が変化し、
コイルしに逆起電圧が生じる。その逆起電圧がタンク回
路１７Ｃに充電々流を流し、コンデンサＣ＋、Ｃｚに電
荷が溜まる。コンデンサＣ２の両端に生しる電圧はトラ
ンジスタＴＲのベース、エミッタ間に加わりベース電ｉ
Ｉｎが流れる。そのような正帰還動作によりタンク回路
ＲＣの発振動作が継続する。そして、トランジスタＴＲ
のベース電流１．の振幅が次第に増大していく。
タの動作説明図である第２図とともに説明する。タンク
回路ＲＣのコイルＬとコンデンサＣＩ＋０２とによる共
振電圧がトランジスタＴＲのベースに与えられて、ベー
ス電流Ｉ、が流れるとトランジスタＴＲにコレクタ電流
■。が流れる。するとコイルＬに流れる電流が変化し、
コイルしに逆起電圧が生じる。その逆起電圧がタンク回
路１７Ｃに充電々流を流し、コンデンサＣ＋、Ｃｚに電
荷が溜まる。コンデンサＣ２の両端に生しる電圧はトラ
ンジスタＴＲのベース、エミッタ間に加わりベース電ｉ
Ｉｎが流れる。そのような正帰還動作によりタンク回路
ＲＣの発振動作が継続する。そして、トランジスタＴＲ
のベース電流１．の振幅が次第に増大していく。
このコレクタ電流１ｃはインピーダンス素子Ｚを通って
トランジスタＴＲのコレクタに流れるため、そのインピ
ーダンス素子Ｚによりコレクタ電流Ｉｃが制限されてタ
ンク回路ＲＣに流れる充電々流が減少し、コンデンサＣ
２の両端に生じる電圧が低下する。トランジスタＴＲへ
供給するベース電流ＩＩｌの振幅は、第２図に示すベー
ス電流、コレクタ電流特性曲線Ｐの非線形領域Ｐ、の浅
い領域になるような振幅に抑制される。それによりトラ
ンジスタＴＲのベース電流Ｉｓは抑制された振幅で安定
して、タンク回路ＲＣの発振動作が安定する。
トランジスタＴＲのコレクタに流れるため、そのインピ
ーダンス素子Ｚによりコレクタ電流Ｉｃが制限されてタ
ンク回路ＲＣに流れる充電々流が減少し、コンデンサＣ
２の両端に生じる電圧が低下する。トランジスタＴＲへ
供給するベース電流ＩＩｌの振幅は、第２図に示すベー
ス電流、コレクタ電流特性曲線Ｐの非線形領域Ｐ、の浅
い領域になるような振幅に抑制される。それによりトラ
ンジスタＴＲのベース電流Ｉｓは抑制された振幅で安定
して、タンク回路ＲＣの発振動作が安定する。
このようにトランジスタＴＲのコレクタ電流を抑制した
場合には、第２図から明らかなようにへ一ス電流１．が
ベース電流、コレクタ電流特性曲線Ｐの非線形領域Ｐ１
を僅かに含む直線領域で変化し、コレクタ電流Ｉ、はベ
ース電流■８の変化に応じて変化する。そのためコレク
タ電流Ｉ。の波形の歪みは小さくなり、コレクタ電流Ｉ
Ｃに含まれる高調波成分が大幅に低減する。
場合には、第２図から明らかなようにへ一ス電流１．が
ベース電流、コレクタ電流特性曲線Ｐの非線形領域Ｐ１
を僅かに含む直線領域で変化し、コレクタ電流Ｉ、はベ
ース電流■８の変化に応じて変化する。そのためコレク
タ電流Ｉ。の波形の歪みは小さくなり、コレクタ電流Ｉ
Ｃに含まれる高調波成分が大幅に低減する。
それにより、タンク回路ＲＣのコンデンサＣ１゜Ｃ２の
容量を小さくせずに、発振出力の高調波成分を低減させ
得るから、それらのコンデンサＣＣ２の容量を小さくし
た場合に問題となる容量許容差の影響が少なく発振周波
数にバラツキが生じず、簡単な回路で安価に発振器の歩
留りを大幅に向上させ得る。またインピーダンス素子Ｚ
を用いることによってトランジスタの内部インピーダン
スがタンク回路の回路定数に大きく影響せずＣ／Ｎ及び
Ｓ／Ｎが向上する。
容量を小さくせずに、発振出力の高調波成分を低減させ
得るから、それらのコンデンサＣＣ２の容量を小さくし
た場合に問題となる容量許容差の影響が少なく発振周波
数にバラツキが生じず、簡単な回路で安価に発振器の歩
留りを大幅に向上させ得る。またインピーダンス素子Ｚ
を用いることによってトランジスタの内部インピーダン
スがタンク回路の回路定数に大きく影響せずＣ／Ｎ及び
Ｓ／Ｎが向上する。
第３図は前述した発振器を用いた電圧制御発振器ＶＣＯ
の一例を示す実回路図である。
の一例を示す実回路図である。
発振周波数を制御する電圧たるチューニング電圧を与え
るチューニング電圧端子■アは、コンデンサＣ６を介し
て接地され、またコイルＬ２と可変容量ダイオードＶＤ
との直列回路を介して接地されている。可変容量ダイオ
ードＶＤにはコンデンサＣ５とコイルＬ＋ との直列回
路が並列接続されており、コイルＬ１にはコンデンサＣ
３、Ｃ２、ＣＩの直列回路が並列接続されている。そし
て可変容量ダイオードＶＤ、コンデンサＣｓ 、 Ｃ
３、Ｃｚ 。
るチューニング電圧端子■アは、コンデンサＣ６を介し
て接地され、またコイルＬ２と可変容量ダイオードＶＤ
との直列回路を介して接地されている。可変容量ダイオ
ードＶＤにはコンデンサＣ５とコイルＬ＋ との直列回
路が並列接続されており、コイルＬ１にはコンデンサＣ
３、Ｃ２、ＣＩの直列回路が並列接続されている。そし
て可変容量ダイオードＶＤ、コンデンサＣｓ 、 Ｃ
３、Ｃｚ 。
ＣＩ及びコイルし、によりタンク回路ＲＣが構成されて
いる。コンデンサＣ３と０２との接続部はインピーダン
ス素子ＺたるコンデンサＣ４を介してトランジスタＴＲ
，のコレクタと接続されており、そのベースは抵抗Ｒ２
及びコンデンサＣ１の並列回路を介して接地され、また
抵抗Ｒ３とＲ４との直列回路を介して電源端子ＶＣＣと
接続されている。
いる。コンデンサＣ３と０２との接続部はインピーダン
ス素子ＺたるコンデンサＣ４を介してトランジスタＴＲ
，のコレクタと接続されており、そのベースは抵抗Ｒ２
及びコンデンサＣ１の並列回路を介して接地され、また
抵抗Ｒ３とＲ４との直列回路を介して電源端子ＶＣＣと
接続されている。
トランジスタＴＲ，のエミッタは抵抗Ｒ１を介して接地
され、また前記コンデンサＣ１と０２との接続部と接続
されている。トランジスタＴＲＩのコレクタはコイルＬ
３を介してトランジスタＴＲｚのエミッタと接続され、
トランジスタＴＲ２のベースは前記抵抗Ｒ３とＲ４との
接続部と接続され、またコンデンサＣＩ＋を介して接地
されている。電源端子ＶＣｃは、コイルＬ４を介してト
ランジスタＴＲ２のコレクタと接続され、またコンデン
サＣＩＯを介して接地されている。トランジスタＴＲ２
のコレクタは出力端子Ｖ。ｕｔと接続されている。
され、また前記コンデンサＣ１と０２との接続部と接続
されている。トランジスタＴＲＩのコレクタはコイルＬ
３を介してトランジスタＴＲｚのエミッタと接続され、
トランジスタＴＲ２のベースは前記抵抗Ｒ３とＲ４との
接続部と接続され、またコンデンサＣＩ＋を介して接地
されている。電源端子ＶＣｃは、コイルＬ４を介してト
ランジスタＴＲ２のコレクタと接続され、またコンデン
サＣＩＯを介して接地されている。トランジスタＴＲ２
のコレクタは出力端子Ｖ。ｕｔと接続されている。
この電圧制御発振器ＶＣＯには、タンク回路ＲＣとイン
ピーダンス素子ＺとトランジスタＴＲ，とからなるコル
ピッツ発振器を用いており、電源端子Ｖ（（に電源を接
続してタンク回路ＲＣを発振動作させたところ、発振周
波数が１５００ＭＨｚの場合、Ｃ／Ｎは５ｄｂ改善され
、また高調波成分は１０ｄｂ改善されることが実験によ
り確認できた。
ピーダンス素子ＺとトランジスタＴＲ，とからなるコル
ピッツ発振器を用いており、電源端子Ｖ（（に電源を接
続してタンク回路ＲＣを発振動作させたところ、発振周
波数が１５００ＭＨｚの場合、Ｃ／Ｎは５ｄｂ改善され
、また高調波成分は１０ｄｂ改善されることが実験によ
り確認できた。
なお、本実施例では発振器にコルピッツ発振器を用いた
が、ハートレー発振器、ランプキン発振器、クラップ発
振器又は誘導結合発振器を用いてもよい。またトランジ
スタはそれに代えてＦＥＴを用いることができるのは言
うまでもない。更にインピーダンス素子はコンデンサ以
外にコイル又は抵抗を用いることもできる。
が、ハートレー発振器、ランプキン発振器、クラップ発
振器又は誘導結合発振器を用いてもよい。またトランジ
スタはそれに代えてＦＥＴを用いることができるのは言
うまでもない。更にインピーダンス素子はコンデンサ以
外にコイル又は抵抗を用いることもできる。
以上詳述したように本発明は、増幅素子の出力側とタン
ク回路との間にインピーダンス素子を設け、そのインピ
ーダンス素子で増幅素子の入力側の電流振幅を抑制する
。そのためタンク回路のコンデンサの容量を小さいもの
にして電流振幅を抑制する必要がない。それにより個々
の発振器の発振周波数のバラツキが生じず、発振器の歩
留りを向上させ得て発振器を安価に提供できる。またイ
ンピーダンス素子を用いたことにより、増幅素子の内部
インピーダンスがタンク回路の回路定数に影響されずＣ
／Ｎ及びＳ／Ｎが向上する等の優れた効果を奏する。
ク回路との間にインピーダンス素子を設け、そのインピ
ーダンス素子で増幅素子の入力側の電流振幅を抑制する
。そのためタンク回路のコンデンサの容量を小さいもの
にして電流振幅を抑制する必要がない。それにより個々
の発振器の発振周波数のバラツキが生じず、発振器の歩
留りを向上させ得て発振器を安価に提供できる。またイ
ンピーダンス素子を用いたことにより、増幅素子の内部
インピーダンスがタンク回路の回路定数に影響されずＣ
／Ｎ及びＳ／Ｎが向上する等の優れた効果を奏する。
第１図は本発明に係る発振器の要部回路図、第２図はそ
の発振器の発振動作を説明する説明図、第３図は本発明
の発振器を用いた電圧制御発振器の実回路図、第４図は
従来の発振器の要部回路図、第５図はその発振動作を説
明する説明図である。 ＴＲ・・・トランジスタ ＲＣ・・・タンク回路 Ｚ・
・・インピータンス素子 Ｌ・・・コイル Ｃ，、Ｃ２
・・・コンデンサ 特 許 出願人
の発振器の発振動作を説明する説明図、第３図は本発明
の発振器を用いた電圧制御発振器の実回路図、第４図は
従来の発振器の要部回路図、第５図はその発振動作を説
明する説明図である。 ＴＲ・・・トランジスタ ＲＣ・・・タンク回路 Ｚ・
・・インピータンス素子 Ｌ・・・コイル Ｃ，、Ｃ２
・・・コンデンサ 特 許 出願人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、増幅素子の入力側と出力側との間にタンク回路を介
装している発振器において、 前記出力側とタンク回路との間にインピー ダンス素子を介装してあることを特徴とする発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23083790A JPH04115608A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23083790A JPH04115608A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 発振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115608A true JPH04115608A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16914061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23083790A Pending JPH04115608A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04115608A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643912B2 (ja) * | 1976-12-17 | 1981-10-15 | ||
| US4904962A (en) * | 1989-01-31 | 1990-02-27 | North American Philips Corporation | Gated high stability LC stabilized oscillator |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23083790A patent/JPH04115608A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5643912B2 (ja) * | 1976-12-17 | 1981-10-15 | ||
| US4904962A (en) * | 1989-01-31 | 1990-02-27 | North American Philips Corporation | Gated high stability LC stabilized oscillator |
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