JPH0411726A - 高周波放電利用装置とこれを用いた半導体の製造方法 - Google Patents
高周波放電利用装置とこれを用いた半導体の製造方法Info
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- JPH0411726A JPH0411726A JP11477990A JP11477990A JPH0411726A JP H0411726 A JPH0411726 A JP H0411726A JP 11477990 A JP11477990 A JP 11477990A JP 11477990 A JP11477990 A JP 11477990A JP H0411726 A JPH0411726 A JP H0411726A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高精度な放電処理を可能とした高周波放電
利用装置とこれを用いた半導体の製造方法に関するもの
である。
利用装置とこれを用いた半導体の製造方法に関するもの
である。
第３図は高周波放電利用装置の全体構成を示す断面図で
あり、第４図は、第３図のＡ部分の詳細断面構造図であ
る。
あり、第４図は、第３図のＡ部分の詳細断面構造図であ
る。
第３図において、１は下部電極、２はこの下部電極１に
対向して配電された上部電極、３は前記画電極１，２を
収納し、真空を構成するための容器、４は高周波発生電
源、５ばこの高周波発生電源４からの電圧を下部電極１
に伝えろ給電板、６は前記容器３内を真空とするための
真空ポンプ、７は前記容器３内の真空を保持するため、
下部電極１と容器３に各々ポル！−にて接合されている
真空ノール管、８は前記下部電極１の上下動用の駆動シ
リンダ、９は前記下部電極１の上下動用のガイド軸であ
る。
対向して配電された上部電極、３は前記画電極１，２を
収納し、真空を構成するための容器、４は高周波発生電
源、５ばこの高周波発生電源４からの電圧を下部電極１
に伝えろ給電板、６は前記容器３内を真空とするための
真空ポンプ、７は前記容器３内の真空を保持するため、
下部電極１と容器３に各々ポル！−にて接合されている
真空ノール管、８は前記下部電極１の上下動用の駆動シ
リンダ、９は前記下部電極１の上下動用のガイド軸であ
る。
第４図において、１０．１２，１５．１６は前配下部電
極１と他の構成部品との間で絶縁を行う絶縁生、１１は
電極カバー、１７は電極部である。
極１と他の構成部品との間で絶縁を行う絶縁生、１１は
電極カバー、１７は電極部である。
次に、動作について説明する。
真空ポンプ６により容器３内を真空状態に保つ。
次に、上部電極２と下部電極１の距離を目標設定値とす
るために駆動シリンダ８を動作させ、下部電極１を上昇
させる。この状態において、下部電極１に給電板５を介
し高周波電源４より高電圧を印加し、上部電極２と下部
電極１０間で放電させ、下部電極２上に載置された半導
体基板（図示せず）等の被エツチング体のエツチング等
のプラズマ処理が行われる。
るために駆動シリンダ８を動作させ、下部電極１を上昇
させる。この状態において、下部電極１に給電板５を介
し高周波電源４より高電圧を印加し、上部電極２と下部
電極１０間で放電させ、下部電極２上に載置された半導
体基板（図示せず）等の被エツチング体のエツチング等
のプラズマ処理が行われる。
従来の高周波放電利用装置の電極構造は、以上のように
構成されており、下部電極１は上下動を行うため移動寸
法を考慮して長い形状となっている。さらに絶縁生の材
質もセラミックを使用していた。このため電極部分が同
軸ケーブル構造となり、これによって特性インピーダン
スが小さくなり、放電インピーダンスとの整合が取りに
くい等の問題点があった。
構成されており、下部電極１は上下動を行うため移動寸
法を考慮して長い形状となっている。さらに絶縁生の材
質もセラミックを使用していた。このため電極部分が同
軸ケーブル構造となり、これによって特性インピーダン
スが小さくなり、放電インピーダンスとの整合が取りに
くい等の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、電極部分の特性インピーダンスを太き（シ
、放電インピーダンスとの整合を取りやすくした高周波
放電利用装置とこれを用いた半導体の製造方法を得るこ
とを目的とするものである。
れたもので、電極部分の特性インピーダンスを太き（シ
、放電インピーダンスとの整合を取りやすくした高周波
放電利用装置とこれを用いた半導体の製造方法を得るこ
とを目的とするものである。
この発明の請求項（１）に係る高周波放電利用装置は、
下部電極に配設される絶縁生の材質を誘電率の小さい絶
縁体とするとともに、絶縁生を分割して配電したもので
ある。
下部電極に配設される絶縁生の材質を誘電率の小さい絶
縁体とするとともに、絶縁生を分割して配電したもので
ある。
また、請求項（２）に係る発明は、下部電極に配設され
る絶縁生の材質を誘電率の小さい絶縁体とするとともに
、絶縁生を分割して配電し、この下部電極に対向する上
部電極との間に高電圧を印加して放電させ、放電時の放
電インピーダンスと下部電極部の特性インピーダンスの
整合をとり、下部電極上に載置された半導体を放電処理
するものである。
る絶縁生の材質を誘電率の小さい絶縁体とするとともに
、絶縁生を分割して配電し、この下部電極に対向する上
部電極との間に高電圧を印加して放電させ、放電時の放
電インピーダンスと下部電極部の特性インピーダンスの
整合をとり、下部電極上に載置された半導体を放電処理
するものである。
この発明の請求項（１）に記載の発明においては、下部
電極の絶縁生の材質を誘電率の小さいものにするととも
に、前記絶縁生を分割して配電したことから、電極部分
の特性（＞ビーダンスが大きくなり、放電イノビーダン
スとの整合がとりやすくなる。
電極の絶縁生の材質を誘電率の小さいものにするととも
に、前記絶縁生を分割して配電したことから、電極部分
の特性（＞ビーダンスが大きくなり、放電イノビーダン
スとの整合がとりやすくなる。
また、請求項（２）に記載の発明においては、放電イン
ピーダンスと特性インピーダンスとの整合がなされた装
置により半導体の処理が行われることから、精度の高い
処理が安定して行える。
ピーダンスと特性インピーダンスとの整合がなされた装
置により半導体の処理が行われることから、精度の高い
処理が安定して行える。
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す下部電極部分の拡大
断面構造図である。なお、第１図中の第２図、第３図と
同一符号は同一構成部分を示す。
断面構造図である。なお、第１図中の第２図、第３図と
同一符号は同一構成部分を示す。
第１図において、１３．１４は前記下部電極１と他の構
成部品との間で絶縁を行う誘電率の小さい材質、例えば
フッ素樹脂材からなる絶縁生であり、この絶縁生１３．
１４は図示のように分割して配電されている。
成部品との間で絶縁を行う誘電率の小さい材質、例えば
フッ素樹脂材からなる絶縁生であり、この絶縁生１３．
１４は図示のように分割して配電されている。
同軸ケーブル状の特性インピーダンスＺｏは、第（１）
式で示される。すなわち、 ε３ 材料の比誘電率 この発明は、比誘電率ε３を小さなものを採用するとと
もに、分割挿入により構造的に、より小さな等価ε３を
作り出し、特性インピーダンスＺ０を大ぎくなるように
改善したものである。
式で示される。すなわち、 ε３ 材料の比誘電率 この発明は、比誘電率ε３を小さなものを採用するとと
もに、分割挿入により構造的に、より小さな等価ε３を
作り出し、特性インピーダンスＺ０を大ぎくなるように
改善したものである。
次に、動作について説明する。
この動作は第４図に示した従来例と同しであるが、この
発明のように、電極構造を下部電極１の絶縁用として絶
縁生１３．１４の材質を誘電率の小さな材質とすること
で、上部電極２と下部電極１間の放電インビータンスと
高周波電源部のイノビーグ、ス値を近づけて高周波放電
の安定化を実現することができろ。
発明のように、電極構造を下部電極１の絶縁用として絶
縁生１３．１４の材質を誘電率の小さな材質とすること
で、上部電極２と下部電極１間の放電インビータンスと
高周波電源部のイノビーグ、ス値を近づけて高周波放電
の安定化を実現することができろ。
ここで、従来例との特性インピーダンスを比較すると、
従来例で絶縁材として使用しているセラミックの誘電率
ε＾は約９であり、これに対しフッ素樹脂の誘電率ε−
は約２．１である。したがって、この誘電率の小さいフ
ッ素樹脂を使用することにより、特性インピーダンスは
第（１）式より渭倍大きくなる。また、第１図で示すよ
うに、絶縁生１３．１４のように、分割することにより
、等両部電率ε３は第（２）式で示される。
従来例で絶縁材として使用しているセラミックの誘電率
ε＾は約９であり、これに対しフッ素樹脂の誘電率ε−
は約２．１である。したがって、この誘電率の小さいフ
ッ素樹脂を使用することにより、特性インピーダンスは
第（１）式より渭倍大きくなる。また、第１図で示すよ
うに、絶縁生１３．１４のように、分割することにより
、等両部電率ε３は第（２）式で示される。
εき＝ε＾ （１−ｘ ）＋ε−ｘ −−（２
）例えば、第２図に示すＸ寸法が全体の１０％で他が空
気の場合は、空気の誘電率ε８ば１であるから、第（２
）式よりε、＝１．１１となり、一体に形成された従来
例に比べさらに、ｆ己肩倍特性インピーダンスが大きく
なり、放電インピーダンスと整合がとりやすくなる。な
お、第（１）式より明らかなように、第１図の電極部ａ
と絶縁生部すとの比５を改善することによっても効果が
でるのは明らかである。
）例えば、第２図に示すＸ寸法が全体の１０％で他が空
気の場合は、空気の誘電率ε８ば１であるから、第（２
）式よりε、＝１．１１となり、一体に形成された従来
例に比べさらに、ｆ己肩倍特性インピーダンスが大きく
なり、放電インピーダンスと整合がとりやすくなる。な
お、第（１）式より明らかなように、第１図の電極部ａ
と絶縁生部すとの比５を改善することによっても効果が
でるのは明らかである。
以上説明したように、この発明は、下部電極に配設され
る絶縁生の材質を誘電率の小さい絶縁体とするとともに
、絶縁生を分割して配電したので、放電インピーダンス
値と高周波電源部のインピーダンス値とを近づけること
がてき、したがって、高周波放電の安定した精度の高い
装置が安価に得られる効果がある。
る絶縁生の材質を誘電率の小さい絶縁体とするとともに
、絶縁生を分割して配電したので、放電インピーダンス
値と高周波電源部のインピーダンス値とを近づけること
がてき、したがって、高周波放電の安定した精度の高い
装置が安価に得られる効果がある。
また、請求項（２）に記載の発明は、下部電極に配設さ
れる絶縁生の材質を誘電率の小さい絶縁体とするととも
に、絶縁生を分割して配電し、この下部電極に対向する
上部電極との間に高電圧を印加して放電させ、放電時の
放電インピーダンスと下部電極部の特性インピーダンス
の整合をとり、下部電極上に載置された半導体を放電処
理するので、放電イノビーダンスと特性インピーダンス
の整合のとれた装置により半導体の処理を行うことがで
き、高品質の製品が得られる効果がある。
れる絶縁生の材質を誘電率の小さい絶縁体とするととも
に、絶縁生を分割して配電し、この下部電極に対向する
上部電極との間に高電圧を印加して放電させ、放電時の
放電インピーダンスと下部電極部の特性インピーダンス
の整合をとり、下部電極上に載置された半導体を放電処
理するので、放電イノビーダンスと特性インピーダンス
の整合のとれた装置により半導体の処理を行うことがで
き、高品質の製品が得られる効果がある。
第１図は乙の発明の一実施例を示す電極部分の詳細断面
図、第２図は特性イノビーダンスを説明するための模式
図、第３図は高周波放電利用装置の全体構造図、第４図
は、第３図中の電極部分の詳細断面図である。 図において、１は下部電極、２は上部電極、１３．１４
は絶縁生である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 第 図 第 図
図、第２図は特性イノビーダンスを説明するための模式
図、第３図は高周波放電利用装置の全体構造図、第４図
は、第３図中の電極部分の詳細断面図である。 図において、１は下部電極、２は上部電極、１３．１４
は絶縁生である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 第１図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第 図 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）上部電極とこれに対向する下部電極との間に高電
圧を印加して放電させ、前記下部電極上に載置された被
エッチング体をプラズマ処理する高周波放電利用装置に
おいて、前記下部電極を他の構成部材と絶縁するために
、この下部電極に配設される絶縁坐の材質を誘電率の小
さい絶縁体とするとともに、前記絶縁坐を分割して配電
したことを特徴とする高周波放電利用装置。 - （２）請求項（１）の高周波放電利用装置を用い、下部
電極に対向する上部電極との間に高電圧を印加して放電
させ、前記放電時の放電インピーダンスと前記下部電極
部の特性インピーダンスとの整合をとり、前記下部電極
上に載置された半導体を放電処理することを特徴とする
半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114779A JP2611489B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 高周波放電利用装置とこれを用いた半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114779A JP2611489B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 高周波放電利用装置とこれを用いた半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0411726A true JPH0411726A (ja) | 1992-01-16 |
| JP2611489B2 JP2611489B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=14646474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114779A Expired - Lifetime JP2611489B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 高周波放電利用装置とこれを用いた半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611489B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131738U (ja) * | 1983-02-20 | 1984-09-04 | 富士写真光機株式会社 | カメラのシヤツタ−ボタン安全ロツク機構 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56158847A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Hitachi Ltd | Heat resistant chromium steel |
| JPS57149734A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Plasma applying working device |
| JPS59143328A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6083330A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
| JPS6273720A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP2114779A patent/JP2611489B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56158847A (en) * | 1980-05-09 | 1981-12-07 | Hitachi Ltd | Heat resistant chromium steel |
| JPS57149734A (en) * | 1981-03-12 | 1982-09-16 | Anelva Corp | Plasma applying working device |
| JPS59143328A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS6083330A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | エツチング装置 |
| JPS6273720A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131738U (ja) * | 1983-02-20 | 1984-09-04 | 富士写真光機株式会社 | カメラのシヤツタ−ボタン安全ロツク機構 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611489B2 (ja) | 1997-05-21 |
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