JPH04117463U - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は、抵抗体の中間点から中間電圧を精度
よく取り出すようにした半導体装置を提供することにあ
る。 【構成】分割して形成された複数の抵抗体（抵抗値
Ｒ₁ ，Ｒ₂ ）のうち高い抵抗値Ｒ₁ を有する抵抗体を更
に分割し、かつ分割された抵抗体の各々を別々の抵抗島
内分離層１３内に形成する。 【効果】抵抗体を分割して形成された複数の抵抗体の相
対比の電圧依存性を最小限に抑え、これにより分割点
（中間点）での中間電圧を精度よく取り出す。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は電圧検出回路等に使用される半導体装置に係り、特に抵抗体を分割し て形成された複数の抵抗体の相対比の電圧依存性が最小限に抑えられ、これによ り分割点での中間電圧を精度よく取り出されるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】

従来例を図２、図３、図４に従って説明する。図２は半導体装置の構造を示す もので、同図中、１はＰタイプの半導体基板、２はＮ⁺ タイプの埋込層、３はＰ タイプの分割層、４，５はＮタイプ層、６，７はＰタイプ層、８，９はＮ⁺ 層、 １０，１１はＮ⁺ 層である。

【０００３】 符号Ａ，Ｂ，Ｃは電極端子であり、端子Ａ，Ｂ間はＰタイプ層６によって抵抗 値Ｒ₁ を有する抵抗体が形成され、端子Ｂ，Ｃ間はＰタイプ層７によって抵抗値 Ｒ₂ を有する抵抗体が形成される。そして、端子Ｂは端子Ａ，Ｃ間に電圧Ｖが印 加された際の中間電位Ｖ_B ｛Ｒ₂ ／（Ｒ₁ ＋Ｒ₂ ）｝Ｖを取り出す電位取り出し 端子を構成する。図３は等価回路図である。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、図４に示す如く、印加電圧ＶとＰタイプ層６，７を流れる電流 Ｉとの関係がリニアでなく印加電圧Ｖが大きくなると電流１の変化が少なくなっ てくる傾向がある。このことは、印加電圧Ｖが変化する事により、ＰＮ接合に空 乏層が生じて抵抗値Ｒ₁ ，Ｒ₂ に電圧依存性があることを示している。

【０００５】 従って、上記従来の構成によると、中間電位Ｖ_B が印加電圧によって変化する ので精度良く取り出せないという課題がある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】 本考案は、分割して形成された複数の抵抗体のうち高い抵抗値を有する抵抗体 を更に分割し、かつ分割された抵抗体の各々を別々の抵抗島内に形成した構成に したものである。

【０００７】

【作用】

この半導体装置は、抵抗体を分割して形成された複数の抵抗体の相対比｛Ｒ₂ ／（Ｒ₁ ＋Ｒ₂ ）｝の電圧依存性を最小限に抑え、これにより分割点での中間電 位を精度よく取り出す。

【０００８】

【実施例】

次に、本考案に係る半導体装置の実施例について説明する。図１は本考案に係 る半導体装置の実施例を示す図である。

【０００９】 図１中、１１はＰタイプの半導体基板、１２はそれぞれＮ⁺ タイプの埋込層、 １３はそれぞれＰタイプの分離層、１４，１５，１６はそれぞれＮタイプ層、１ ７，１８，１９はＰタイプ層、２０，２１，２２はそれぞれＮ⁺ 層、２３，２４ ，２５はそれぞれＮ⁺ タイプ層である。

【００１０】 符号Ａ，Ｂ，Ｃは電極端子であり、端子Ａ，Ｂ間はＰタイプ層１８，１９によ って抵抗値Ｒ₁ を有する抵抗体が形成され、端子Ｂ，Ｃ間はＰタイプ層１７によ って抵抗値Ｒ₂ を有する抵抗体が形成される。そして、端子Ｂは端子Ａ，Ｃ間に 電圧Ｖが印加された際の中間電位Ｖ_B ｛Ｒ₂ ／（Ｒ₁ ＋Ｒ₂ ）｝Ｖを取り出す電 位取り出し端子を構成する。

【００１１】 ここで、抵抗値Ｒ₂ より大きい抵抗値Ｒ₁ を形成する抵抗体は、分離層１３に よって形成された抵抗島内にある抵抗体（Ｐタイプ層１８）と分離層１３によっ て形成された別の抵抗島内にある抵抗体（Ｐタイプ層１９）とが直列に接続され て、すなわち抵抗値Ｒ₁ が分割されて形成されている。

【００１２】 抵抗値Ｒ₁ を分割して形成することは、抵抗体の相対比｛Ｒ₁ ／（Ｒ₁ ＋Ｒ₂ ）｝の電圧依存性を最小限に抑え、分割点での中間電位を精度良く取り出せる。

【００１３】 このことを詳述する。今、抵抗値Ｒ₁ とＲ₂ との比を２対１、すなわちＲ₁ ： Ｒ₂ ＝２：１の場合を考えると、一つの抵抗島内にある第１の抵抗体（Ｐタイプ 層１７により抵抗値Ｒ₂ を形成）と、別の抵抗島内にある第２の抵抗体｛Ｐタイ プ層１８により抵抗値（１／２）Ｒ₁ を形成｝と、更に別の抵抗島内にある第３ の抵抗体｛Ｐタイプ層１９により抵抗値（１／２）Ｒ₁ を形成｝とし、端子Ａ， Ｂ間の印加電圧Ｖに対して、各抵抗体の両端に（１／３）Ｖの電圧が印加される 。

【００１４】 この結果、各抵抗体におけるＰＮ接合に生ずる空乏層の幅が同じとなって、す なわち各抵抗体の抵抗値が同じように変化して、抵抗体の相対比｛Ｒ₁ ／（Ｒ₁ ＋Ｒ₂ ）｝が印加電圧に依存しなくなる。

【００１５】 上述の例は、高い抵抗値をもつ抵抗体を分割して第１，第２，第３の抵抗体を 同じにした理想的な場合を説明したが、必ずしも分割して各抵抗体が同じになる とは限らない。しかし、各抵抗体が同じにならなくても程度の差こそあれ、印加 電圧依存性を抑える効果をもっている。

【００１６】

【考案の効果】

上述の如く、本考案に係る半導体装置は、抵抗体が分割され、該抵抗体の両端 に電圧が印加された際に分割された部分から中間電位が取り出されてなる半導体 装置において、分割して形成された複数の抵抗体のうち高い抵抗値を有する抵抗 体を更に分割し、かつ分割された抵抗体の各々を別々の抵抗島内に形成してなる 構成のため、抵抗を分割して形成された複数の抵抗の相対比の電圧依存性を最小 限に抑えることができ、分割点での中間電位を精度よく取り出すことができる等 の効果が生じる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体装置の実施例を示す断面図。

【図２】従来例を示し、半導体装置の断面図。

【図３】従来例を示し、図２の等価回路図。

【図４】従来例を示し、電圧（Ｖ）と電流（Ｉ）の特性
図。

【符号の説明】

３，１３ 分離層 ６，７，１７，１８，１９ 抵抗体 Ａ，Ｂ，Ｃ 電極端子

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 抵抗体が分割され、該抵抗体の両端に電
   圧が印加された際に分割された部分から中間電位が取り
   出されてなる半導体装置において、分割して形成された
   複数の抵抗体のうち高い抵抗値を有する抵抗体を更に分
   割し、かつ分割された抵抗体の各々を別々の抵抗島内に
   形成してなる構成の半導体装置。