JPH04118053A - エンジンの排気ガス浄化用触媒 - Google Patents

エンジンの排気ガス浄化用触媒

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JPH04118053A
JPH04118053A JP2312530A JP31253090A JPH04118053A JP H04118053 A JPH04118053 A JP H04118053A JP 2312530 A JP2312530 A JP 2312530A JP 31253090 A JP31253090 A JP 31253090A JP H04118053 A JPH04118053 A JP H04118053A
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catalyst
exhaust gas
palladium
layer
temperature
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Shigeru Yazaki
矢崎　滋
Yasutaka Yoshino
吉野　康隆
Kazunori Ihara
井原　和則
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Tokyo Roki Co Ltd
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Mazda Motor Corp
Tokyo Roki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、多孔性のモノリス担体表面に触媒コート層が
形成されたエンジンの排気ガス浄化用触媒に関するもの
である。
［従来の技術］ コージェライト等の材料でつくられた多孔性のモノリス
担体表面に、排気ガス中の炭化水素（ＨＣ）、−酸化炭
素（ＣＯ）等の酸化を促進し、あるいは窒素酸化物（Ｎ
　Ｏｘ）の還元を促進する、貴金属系またはその他の金
属系の触媒物質（例えば、白金、ロジウム等であり、以
下このような物質を１１１に触媒貴金属という）を含む
触媒コート層が形成された、エンジンの排気ガス浄化用
触媒は従来より知られている。そして、このような従来
の排気ガス浄化用触媒においては、その内部に触媒貴金
属をほぼ均一な濃度で分布させていた。しかしなから、
一般に排気ガス浄化用触媒内では、温度あるいは排気ガ
ス流速が場所によって異なる一方、触媒貴金属の排気ガ
ス浄化率が、触媒温度とガス流速とに依存するので、触
媒貴金属の分布濃度を均一にした従来の排気ガス浄化用
触媒では、排気ガス浄化率を十分に高めることができな
いといった問題があった。
そこで、排気ガス浄化用触媒内の温度分布あるいはガス
流速分布に応じて、部分的に触媒貴金属の分布濃度を変
えた排気ガス浄化装置が提案されている（特開昭６１−
４６２５２号公報参照）。
上記公報に開示された従来の排気ガス浄化装置では、第
９図に示すように、排気通路！０１に介設された略円筒
形のハウジング１０２内に、モノリス担体表面に触媒貴
金属を含む触媒コート層が形成された排気ガス浄化用触
媒１０３が配置されこの排気ガス浄化用触媒＋０３内に
おいて、排気入口側端部からやや下流の適当な厚さの部
分と、この部分より下流側の軸心部まわりとては、触媒
貴金属の分布濃度が高められ、略丁字形の縦断面をもつ
触媒貴金属高濃度部＋０４が形成されている。一方、こ
の触媒貴金属高濃度部１０４以外の部分では、これより
触媒貴金属の分布濃度が低くなっており、これらの部分
には触媒貴金属低濃度部１０５，１０６が形成されてい
る。
［発明が解決しようとする課題］ ところが、第９図に示す従来の排気ガス浄化用触媒１０
３では、エンジン冷機時等、排気ガス温度が低いときに
は、触媒活性が低くなり排気ガス浄化率が低下するとい
った問題がある。また、般に排気ガス浄化用触媒の軸心
部まわりでは周辺部より触媒温度が高くなるが、この従
来の排気ガスａ１化用触媒１０３では、温度か高くなる
軸心部まわりで触媒貴金属の分布／ａ度か高くなってい
るので、軸心部かとくに高温となり、この高温化によっ
て触媒貴金属（とくに白金）か／ンタリノグ（溶着）を
おこし、排気カス浄化用触媒１０３か熱劣化するといっ
た問題かある。
本発明は」−記従来の問題点に鑑みてなされたものであ
って、エンノン冷機時等、排気カス低Δ訂ｒにおいて、
触媒活性を十分に高めて排気ノノス浄化率の向上を図る
ことかできるエンノンのυ１気カス浄化用触奴を提供す
ることを目的上する。
［課題を解決するための手段］ 本発明は上記の目的を達するため、多孔性のモノリス担
体表面に、ｔＪト気ガス浄化作用を備えた触媒物質を含
む触媒コート層が形成されてなる、エンジンのＦｊＩ、
気カス浄化用触媒であって、１ノ１気ガス入口側端部近
傍にパラジウム系触媒物質を高ｌ農度に分布させたパラ
ジウム担持層を形成したことを特徴とするエンジンのｔ
ＪＦ気ガス浄化用触媒を提供する。
［発明の作用・効果］ 本発明によれば、１７１気ガス浄化用触媒のυＦ気気ガ
ス入口側端近傍に、酸化反応に対する触媒作用の高いパ
ラジウム系触媒物質を高濃度に分布させたパラジウム担
持層が形成され、パラジウム担持層内では、排気ガス中
の炭化水素、−酸化炭素等が強く酸化され、この酸化反
応によって多量の熱が発生する。このため、パラジウム
担持層内で排気ガス温度が高められ、この高温の排気ガ
スが下流の排気ガス浄化用触媒本体部に流れるので、こ
れによって下流側の排気ガス浄化用触媒本体部の温度が
高められ、排気ガス浄化用触媒全域の活性が高められる
。したがって、その低温活性が高められ、排気ガス浄化
率の向上を図ることができる。
また、パラジウム担持層内では、触媒温度が高くなるが
、パラジウムは耐熱性に優れているので、／ンタリング
を起こさず、このため排気ガス浄化用触媒の熱劣化を有
効に防止することができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を具体的に説明する。
第１図に示すように、エンジン（図示せず）のｔＪト気
マニホールド１の下流側端部にはり「電通路２か接続さ
れている。そして、υｒ気マニホールドｊとの接続部の
やや下流において、ｔｎｎ連通路２は排気ガスを前処理
するための略円筒形のプリコンバータ３か介設され、こ
のプリコンバータ３内には略円柱形のデポジット触媒４
か配置されている。
また、プリコンバータ３下流において排気通路２には、
排気ガス中の炭化水素（ＩＣ）、−酸化炭素（ＣＯ）等
を二酸化炭素と水にコンバートするとともに、窒素酸化
物（ＮＯｘ）を窒素にコンバートする略円筒形のメイン
コンバータ５が介設され、このメインコンバータ５内に
は、上流から順に、酸化・還元促進作用を有する略円柱
形の第１．第２排気ガス浄化用触媒６，７と、酸化促進
作用のみを有する略円柱形の酸化触媒８とが配置されて
いる。
第２図に示すように、第１排気ガス浄化用触媒６は、そ
の軸線方向に伸長する多数の細孔９が形成された、ハニ
カム状のモノリス担体１０の表面に、後で説明するよう
な方法で、アルミナを主成分とし白金系成分（以下、単
に白金という）とロジウム系成分（以下、単にロジウム
という）とを触媒成分とする第１触媒コート層１１が形
成され、このｍｌ触媒コート層１１の上にさらに酸化セ
リウム（Ｃｅｏ　、）を主成分としパラジウム系成分（
以下、単にパラジウムという）を触媒成分とする第２触
媒コート層１２か形成された、いわゆるモノリス担体触
媒である。
第３図に示すように、第１排気ガス浄化用触媒６の排気
ガス入口側端部近傍において、端部から下流側に向かっ
て所定の位置までの部分では、第２触媒コート層１２（
第２図参照）にパラジウムが高濃度で分布させられてお
り、この部分はパラジウム担持層１３を形成している。
一方、パラジウム担持層１３より下流側では、第２触媒
コート層１２（第２図参照）にパラジウムか全く含まれ
ておらず、この部分は無パラジウム層１４を形成してい
る。
なお、第２排気ガス浄化用触媒７（第１図参照）も第１
　ｔＪＦ気ガス浄化用触媒６と同様の構成となっている
。
以下、第４図に示す工程図に従って、第１図〜第３図を
参照しつつ、第１排気カス浄化用触媒６のｔ！２遣方法
を説明する。
■工程ＰＩ・・・γ−アルミナ（γ−Ａｌ、０３）５４
０９と、ベーマイト６０ｇと、水１ρとをＵ６した後、
硝酸を１０ｘＱ加えて、第１触媒コート層ｌｌ用のスラ
リーを調製する。なお、上記比率を保って各材料使用量
を増減することにより、任意の量のスラリーをつくるこ
とができるのはもちろんである。
■工程Ｐ２・・・モノリス担体ｌＯを」二記スラリーに
浸漬する。このモノリス担体１０は、コージェライトで
円筒形につくられ、その直径は１インチ（２５，４ｇｍ
）、その軸線方向の長さは２インチ（５０８ｆｆｉＩ１
１）となっている。また、モノリス担体１０の軸線方向
に伸長する細孔９は、断面積１平方インチあたり４００
個形成されている。
■工程Ｐ３・・・モノリス担体１０をスラリー中から取
り出し、これに対してエアブロ−を行ない余分なスラリ
ーを除去する。
■工程Ｐ４・・・エアブロ−されたモノリス担体ＩＯを
２５０℃で２時間乾燥する。
■工程Ｐ５・・・乾燥したモノリス担体１０を、６５０
℃で２時間焼成し、モノリス担体１０の表面に第１触媒
コート層１１を形成する。なお、上記工程Ｐ２〜工程Ｐ
５において、第１触媒コート層１２は、モノリス担体】
Ｏに対して１４％ｗｔとなるように調整する。
■工程Ｐ６・・適当な濃度の塩化白金溶液と、適当な４
度の塩化ロジウム溶液とを調製する。
■工程Ｐ７・第１触媒コート層Ｊ１が形成されたモノリ
ス担体１０を順次塩化白金溶液と塩化ロジウム溶液とに
浸漬し、第１触媒コート層１１に白金とロジウムとを担
持させる。ここにおいて、第１触媒コート層１】の白金
とロジウムの担持量は、合わせて１．６ｙ／１で、かつ
白金とロジウムの比率が５：１となるように、両溶液の
濃度と浸Ｗｊ時間とを調整する。
■工程Ｐ８・・・白金とロジウムとが担持されたモノリ
ス担体１０を乾燥する。
■工程Ｐ９・・モノリス担体１０を焼成して白金とｉｉ
ンウムとを第１触媒コート層１］に固定する。
りΦ工程ＰＩＯ・・モノリス担体１０の第１触媒コート
層１１の上に、さらに第２触媒コート層１２を形成する
。第２触媒コート層１２の形成方法は、スラリーの成分
が異なるだけで、その他は第１触媒コート層１１の形成
方法（工程ＰＩ〜工程Ｐ５）と同様であるので、詳しい
説明は省略する。なお、第２触媒コート層１２用のスラ
リーは、酸化セリウム（ＣｅＯ＝）５４０ｇと、ベーマ
イト６０ｇと、水１＆とを混合し、これに硝酸を］Ｏｚ
（！加えて調製する。」−配圧率を保って各材料使用量
を増減することにより、任意のｍのスラリーをつくるこ
とができるのはもちろんである。この工程Ｐ　Ｉ　Ｏに
おいて、第２触媒コート層１２は、モノリス担体１０に
対して２８％ｗｔとなるように調整する。
■工程ＰＩｌ・・・適当な４度の塩化パラジウム溶液を
調製する。
■工程Ｐ１２・・含浸容器１５（第５図参照）内に、ス
ボンノ、布等の吸水性材料でつくられた吸水材１６（第
５図参照）を配置し、この吸水材１６に塩化パラジウム
溶液を吸収させる。ここにおいて、吸水材１６（第５図
参照）は、モノリス担体ｌＯの端面と係合するような形
状に形成する。
■工程Ｐ］３・第５図に示すように、吸水材１６の」二
に、第１．第２触媒コート層１１．１２が形成されたモ
ノリス担体１０を、排気ガス入口側端面が吸水材１６の
上面と当接するようにして載せ、モノリス担体１０を適
当な圧力で、適当な時間吸水材１６側に向かって（下向
き）押圧し、モノリス担体１０の排気ガス入口側端部の
第２触媒コート層１２にパラジウムを担持させる。ここ
において、パラジウムが担持される部分、すなわちノく
ラジウム担持層１３のモノリス担体軸線方向の厚みが５
１となり、そのパラジウム担持量（パラジウム分布濃度
）が０．５９／Ｉ２となるように、塩化パラジウム溶液
の濃度とモノリス担体１０に対する押圧力とを調整する
。
このように、吸水材１６を用いてモノリス担体ｌＯにパ
ラジウム担持層１３を形成するようにしているが、この
方法によれば、パラジウム担持層１３のモノリス担体軸
線方向の厚さを所望の値に高精度で設定することかでき
、かつ塩化１＜う／ラム溶液のロス率を大幅に低減する
ことかできる。
また、吸水材１６のモノリス担体１０との当接面の形状
を変えることにより、モノリス担体１０の端面に任意の
断面形状をもつパラジウム担持層１３を形成することが
できる。例えば、第６図に示すように、排気ガス浄化用
触媒１８の端面の軸心部まわりのみにバラフラム端面担
持層１９を形成することもできる。
従来は、このようなパラジウム担持層の形成は、含浸容
器に塩化パラジウム溶液を入れ、これにモノリス担体を
適当な深さまで溶液表面から下方に差し込んで浸漬する
か、あるいは、スプレーを用いてモノリス担体の端面に
塩化パラジウム溶液を吹き付けるといった方法で行なわ
れていた。
しかし、前者によれば端面の一部のみにパラジウム担持
層を形成することができず、かつパラジウム担持層の厚
さを調整するには塩化パラジウム溶液の濃度を変えなけ
ればならないといった問題がある。
また、後者によれば、端面の一部のみにパラジウム担持
層を形成することができず、かつパラジウム担持層の厚
さの調整が困難であり、さらに塩化パラジウム溶液のロ
ス率が高くなるといった問題がある。
■工程Ｐ１４・・・パラジウムが第２触媒コート層１２
に担持されたモノリス担体１０を、２５０℃で２時間乾
燥する。
■工程Ｐ１５・・・モノリス担体ｌＯを焼成してパラジ
ウムを第２触媒コート層１２に固定する。
第７図に、基本的には上記製造方法により、ただしパラ
ジウム担持層１３のパラジウム担持量を０．１〜１．０
９／Ｃの範囲で変え、かつパラジウム担持層１３のモノ
リス担体軸線方向の厚さを２〜１５鮎の範囲で変えて、
種々の排気ガス浄化用触媒６をつくり、これらの排気ガ
ス浄化用触媒６の、炭化水素浄化率が５０％となる温度
（以下、これをＨＣライトオフ温度という）を測定した
結果を示す。ここにおいて、ＨＣライトオフ温度とは、
触媒の低温活性性能をあられす指標てあり、１１　Ｃラ
イトオフ温度が低いはと、触媒の低ｉ’；ＩＡ活性が高
くなる。
なお、従来の方法で調製した排気ガス浄化用触媒のＨＣ
ライトオフ温度も示している。この従来の方法による排
気ガス浄化用触媒は次のような方法で５１１製した。
■第１触媒コート層は、第４図の工程Ｐ１〜工程Ｐ９と
同様の方法で形成する。
■次に、酸化セリウム（ＣｅＯ，）粉末に塩化パラジウ
ム水溶液を加えて混練し、乾燥させた後粉砕し、パラジ
ウムを担持（固定化）した酸化セリウム（ＣｅＯ，）粉
末を調製する。
■上記のパラジウムを担持した酸化セリウム粉末５４０
９とベーマイ１−６０＠と水Ｉｇを混合し、これに硝酸
１０ｘＱを加えてスラリーを調製する。
■上記スラリーに第１ｉｔ！Ｉｔ媒コート層が形成され
たモノリス担体を浸漬した後、乾燥・焼成し第２触媒コ
ート層を形成する。ここにおいて、第２触媒コート層は
、モノリス担体の２８智【％に調整し、またバランラム
量は１．ｏ９／（！に調整する。第７図および第８図に
おいて、この排気ガス浄化触媒をＰＭ異層フー１−　（
従来）として示した。
また、第８図に、上記各排気ガス浄化用触媒を９００℃
のエア中に５０時間さらした後、ＨＣライトオフ温度を
測定した結果を示す。
第７図と第８図とから明らかなように、パラジウム担持
量は、０．３５９／ｆ！未満では低温活性向上効果が低
く、また１□０９／Ｑを超えると低温活性向上効果が飽
和するので、これを０．３５〜１．０９／（ｌの範囲内
で、より好ましくは０，５〜１．０９／Ｃの範囲内で適
当な値にするのがよい。また、パラジウム担持層厚さは
、２ＩＩｌｆｆｌ未満では製造上その厚さを高精度で調
整することがむずかしく、また７ＩＩｌｆｆｌを超える
と低温活性向上効果が低下するので、これを２〜７ｍｍ
の範囲内で、より好ましくは２〜５Ｉの範囲内で適当な
値に設定するのがよい。
ここて、本実施例との比較のため、基本的には従来の方
法でつくられた次の３に！の触媒サンプルについて、後
で説明するような測定方法で低温活性と浄化率とを実測
した結果を第１表に示す。
■触媒サンプル１ 第１Ｏ図に示すように、φ２５，４開Ｘ５０ｍｍの円柱
形のモノリス担体上に、アルミナをベースとする７ング
ルコートの触媒層が形成されている。
この触媒層は触媒濃度が比較的低いＡ層と触媒濃度が比
較的高いＢ層とからなり、Ａ、Ｂ各層は、円柱形の担体
の軸線方向にみて排気ガス入口側から、Ａ層（７Ｉｌｌ
Ｉ＋１）、Ｂ層（ｌＯＩｌｌｆｆｌ）、Ａ層（３３ｍｍ
）の順に形成されている。Ａ層及びＢ層の貴金属触媒組
成は次のとおりである。
〈Ａ層〉 Ｐｔ　　　０．２５ｉＪ／１１７８ｍＣＰｄ　　　Ｏ，
２５ｇ／］］７８ｄ Ｒｈ　　　０．０５９／＋１７８ｓ＋ρＰｉ／Ｐｄ／Ｒ
ｈ＝４．５／４．５／１．０貴金属触媒含有量　０．４
６９／ρ 〈Ｂ層〉 Ｐｔ　　　０．５９／１１７８ｍＣ Ｐｄ　　　Ｏ，５ｉｒ／１１７８− Ｒｈ　　　Ｏ，Ｉｙ／１１７８ｍＱ ＰＬ／Ｐｄ／Ｒｈ＝４．５／４．５／１．０貴金属触媒
含有量　０．９２９／ｆ２ ■触媒サンプル２ 第１１図に示すように、φ２５．４　ｍｍＸ　５０ｍｍ
の円柱形のモノリス担体上に、アルミナをベースとする
ンングルコートの触媒層が形成され、排気ガス入口側か
ら順にＢ層（７ＩＩＩＩ１１）とＡ層（４３ｍｍ）とが
形成されている。なお、Ａ層及びＢ層の貴金属触媒組成
はサンプルｌと同様である。
■触媒サンプル３ 第１２図と第１３図とに示すように、φ２５゜４層ｍＸ
５０ｍｍの円柱形のモノリス担体上に、アルミナをベー
スとする第１層Ｃ１と酸化セリウムをベースとする第２
層Ｃ，，Ｃｔとからなるダブルコートの触媒層が形成さ
れている。ここで、触媒層は、担体軸線方向にみて排気
ガス入口側端部から２開まではＣ１層とＣ５層とからな
り、これより後側（排気ガス出口側）ではＣ６層と０３
層とからなる（４８ｍｍ）。０１層及びＣ２層の負金属
触媒組成は次のとおりである。なお、Ｃ２層は、貴金属
触媒成分を含有していない。
くＣ１層〉 ＰＬ／Ｐｄ／Ｒｈ＝４．５／４．５／１．０貴金属触媒
含有ｍ　　０．５ｙ／（１ くＣ３層〉 Ｐｉ／Ｒｈ＝５．Ｏ／１．０ 貴金属触媒含有ｆｆｉ　　０．９ｙ／ρここにおいて、
触媒の低温活性は、空燃比Ａ／Ｆ＝１４．７における排
気ガス中のＨＣ，ＣｏまたはＮＯｘを５０％浄化するこ
とができる温度すなわちライトオフ温度で評価した。ラ
イトオフ温度が低いほど低温活性がよいのはもちろんで
ある。
なお、上記測定は、各触媒サンプルを９００℃のエア中
に５０時間さらした後で行なった。
また、υト気カスのｆｆｌ化率は、υト気ガスのｉｌＬ
人温度を４００℃に固定したときの、ＨＣ１Ｃｏまたは
ＮｏＸの減少率である。
第１表から明らかなように、基本的には従来の方法でつ
（られたサンプル１〜３はいずれもライトオフ温度か高
く、低温活性か悪いことかわかる。
また、ｔＪＦ気ガスの浄化率も低い。
ここで、例えばＩ−Ｉ　Ｃのライトオフ温度は、最も低
い触媒サンプル３ても２８０℃であるか、第８図に示す
本発明にかかる触媒では、ＨＣのライトオフ温度は最も
高いものでも２２０℃であり、最も低いものでは約２０
０℃である。このような事実から、本発明にかかる触媒
の低温活性が非常に良好なことがわかるであろう。
また、サンプル２ては、排気ガス人「１側端部近傍に、
触媒濃度の高いＢ　Ｆｉ　（７ｍｍ）を形成しているが
、低温活性の向」二効果はほとんど認められない。
このことから、単に排気ガス入口側で触媒ｌｒ！度を高
めるだけでは、低ｄ、Ａ活性向」二効果が実質的に得ら
れないことがわかる。すなわち、本発明にかかる触媒の
ように、排気ガス入口側端部でパラジウム濃度だけを高
めることによって、はじめて良好な低温活性向上効果が
得られるわけである。
また、サンプル３では、触媒層を本実施例のようにダブ
ルコートにしているが、低温活性向」二効果は非常に小
さい。したがって、触媒層を単にダブルコートにするだ
けでは、実質的に低温活性か良くならず、排気ガス入口
側端部にパラジウム濃度の高い領域を形成し、かつダブ
ルコートとすることによって良好な低温活性向上効果が
得られることがわかる。
なお、本実施例では、パラジウム担持層１３以外の部分
（無パラジウム層＋４）にはパラジウムが全（含まれて
いないが、第２触媒コート層１２全体にパラジウムを低
濃度で分布させ、これに対して、排気ガス入口側端部近
傍にパラジウム担持層を島濃度に形成するようにしても
よい。
また、２つの触媒コート層を設けず、酸化セリウム（Ｃ
ｅｎｔ）を主成分とし、白金とロジウムとを触媒成分と
する１つの触媒コート層のみを設け、（Ｊト気ガス入口
側端部近傍において、この触媒コート層にパラジウムを
担持させ、パラジウム担持層を形成するようにしてもよ
い。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明にかかる排気ガス浄化用触媒を備えた
、エンジンの排気カス浄化装置の縦断面を示す模式図で
ある。 第２図は、第１（第２）排気ガス浄化用触媒の横断面説
明図である。 第３図は、第１（第２）排気ガス浄化用触媒の縦断面説
明図である。 第４図は、第１（第２）排気ガス浄化用触媒の製造工程
を示す工程図である。 第５図は、含浸容器内に配置された、吸水材とモノリス
担体の縦断面説明図である。 第６図は、軸心部まわりのみにパラジウム担持層を形成
した排気ガス浄化用触媒の模式図である。 第７図は、本発明にかかる方法で製ノ告された排気ガス
浄化用触媒と従来の方法で製造されたｔＪｌ気ガス浄化
用触媒において、ＨＣライトオフ渇温度パラジウム担持
層厚さと、パラジウム担持量とにχ・ｊする特性を示す
図である。 第８図は、第７図に示す各排気ガス浄化用触媒を９００
℃のエア中に５０時間さらした後における、ｌＩＣライ
トオフ温度の、パラジウム担持層厚さとパラジウム担持
量とに対する特性を示す図である。 第９図は、従来の排気ガス浄化用触媒の縦断面説明図で
ある。 第１Ｏ図〜第１２図は、夫々、本発明にかかる触媒との
性能の比較のためにつくられた従来の触媒サンプル１〜
３の模式図である。 第１３図は、第１２図に示す従来の触媒サンプル３の触
媒層の構成を示す模式図である。 ｌ　・（非気マニホールド、２・・・排気通路、３・・
・ブ１）−３ンバータ、５・・メインコンバータ、６．
７・・・第１〜第２排気ガス浄化用軸媒、９・細孔、１
０モノリス担体、１１・・第１触媒コート層、１２・・
第２触媒コート層、１３・・パラジウム担持層、１４・
無パラジウム層、１５・・含浸容器、１６吸水キ４゜

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）多孔性のモノリス担体表面に、排気ガス浄化作用
    を備えた触媒物質を含む触媒コート層が形成されてなる
    、エンジンの排気ガス浄化用触媒であって、排気ガス入
    口側端部近傍にパラジウム系触媒物質を高濃度に分布さ
    せたパラジウム担持層を形成したことを特徴とするエン
    ジンの排気ガス浄化用触媒。
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