JPH04118067A - 塗布装置および塗布処理方法 - Google Patents
塗布装置および塗布処理方法Info
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- JPH04118067A JPH04118067A JP2237663A JP23766390A JPH04118067A JP H04118067 A JPH04118067 A JP H04118067A JP 2237663 A JP2237663 A JP 2237663A JP 23766390 A JP23766390 A JP 23766390A JP H04118067 A JPH04118067 A JP H04118067A
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- cleaning
- cleaning liquid
- liquid
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
- B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
- B05B15/55—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Details Or Accessories Of Spraying Plant Or Apparatus (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、塗布装置に関する。
（従来の技術）
従来、半導体製造装置におけるレジスト液塗布装置にお
いて、半導体ウエノ＼上にレジスト液を吐出するための
レジストノズルを洗浄するノズル洗浄装置として、例え
ば特開昭６０−１３７０１７号公報及び特公昭６２−３
４４２５号公報が知られている。
いて、半導体ウエノ＼上にレジスト液を吐出するための
レジストノズルを洗浄するノズル洗浄装置として、例え
ば特開昭６０−１３７０１７号公報及び特公昭６２−３
４４２５号公報が知られている。
特開昭６０−１３７０１７号公報では、第６図＜ａ）、
（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１０を吸着して回転
するチャック１２と、半導体ウェハ１０上にレジストを
滴下するレジストノズル１４と、レジストノズル１４の
先端部にレジストの溶剤を噴出できるようにレジストノ
ズル１４に設けた溶剤ノズル１６とを備える。
（ｂ）に示すように、半導体ウェハ１０を吸着して回転
するチャック１２と、半導体ウェハ１０上にレジストを
滴下するレジストノズル１４と、レジストノズル１４の
先端部にレジストの溶剤を噴出できるようにレジストノ
ズル１４に設けた溶剤ノズル１６とを備える。
そして、レジストを塗布しない間は、第６図（ｂ）に示
すように、待機位置において一定時間ごとに溶剤ノズル
１６より溶剤を噴出してレジストノズル１４を洗浄する
ことにより、待機時間が長くなった場合にレジストが固
まって塗布むらが生じるのを防止するようにしている。
すように、待機位置において一定時間ごとに溶剤ノズル
１６より溶剤を噴出してレジストノズル１４を洗浄する
ことにより、待機時間が長くなった場合にレジストが固
まって塗布むらが生じるのを防止するようにしている。
特公昭６２−３４４２５号公報では、第７図に示すよう
に、レジストを吐出するレジストノズル１８外周を一定
の隙間をもって外筒２０にて囲繞し、このレジストノズ
ル１８と外筒２０との間に洗浄用溶剤を供給して流下さ
せ、レジストノズル１８の先端を洗浄することにより、
レジストの固化による塗布むらを防止して製品歩留まり
を向上させるようにしている。洗浄後の液は洗浄用溶剤
排出樋２４を介して排水される。
に、レジストを吐出するレジストノズル１８外周を一定
の隙間をもって外筒２０にて囲繞し、このレジストノズ
ル１８と外筒２０との間に洗浄用溶剤を供給して流下さ
せ、レジストノズル１８の先端を洗浄することにより、
レジストの固化による塗布むらを防止して製品歩留まり
を向上させるようにしている。洗浄後の液は洗浄用溶剤
排出樋２４を介して排水される。
（発明が解決しようとする課題）
上記従来のノズル洗浄装置にあっては、溶剤ノズル１６
、外筒２０からの溶剤の噴出、流下は一時的あるいは一
定時間毎になされるようになっており、溶剤の噴射、流
下時以外ではレジストノズル１４．１８の先端は外気に
晒された状態となっているため、溶剤による洗浄の間隔
が長すぎるとレジストの固化が進み、レジストノズル１
４．１８の先端に付着したレジストが溶解し除去しにく
くなり、場合によっては固まりが半導体ウエノ１１０上
に落ち、レジストの塗布むらが生じてしまい、製品歩留
まりが低下してしまうこととなるという問題があった。
、外筒２０からの溶剤の噴出、流下は一時的あるいは一
定時間毎になされるようになっており、溶剤の噴射、流
下時以外ではレジストノズル１４．１８の先端は外気に
晒された状態となっているため、溶剤による洗浄の間隔
が長すぎるとレジストの固化が進み、レジストノズル１
４．１８の先端に付着したレジストが溶解し除去しにく
くなり、場合によっては固まりが半導体ウエノ１１０上
に落ち、レジストの塗布むらが生じてしまい、製品歩留
まりが低下してしまうこととなるという問題があった。
また、溶剤ノズル１６、外筒２０からの溶剤の噴出、流
下は、半導体ウエノＸ１０の処理位置近辺で行なわれ、
格別半導体ウェハ１０の処理位置と隔絶された状態とな
っていないため、溶剤の噴出力が強すぎると、溶剤が周
囲に飛散して汚してしまい、場合によっては半導体ウェ
ハ１０を設置する際に半導体ウェハ１０をも汚してしま
うこととなるという問題があった。
下は、半導体ウエノＸ１０の処理位置近辺で行なわれ、
格別半導体ウェハ１０の処理位置と隔絶された状態とな
っていないため、溶剤の噴出力が強すぎると、溶剤が周
囲に飛散して汚してしまい、場合によっては半導体ウェ
ハ１０を設置する際に半導体ウェハ１０をも汚してしま
うこととなるという問題があった。
さらに、溶剤ノズル１６、外筒２０から噴出、流下され
た溶剤は洗浄に用いられるのみで、ダクトあるいは洗浄
用溶剤排出樋２４にて門出され、捨てられてしまい、有
効利用がなされていないという問題があった。
た溶剤は洗浄に用いられるのみで、ダクトあるいは洗浄
用溶剤排出樋２４にて門出され、捨てられてしまい、有
効利用がなされていないという問題があった。
そこで本発明は、レジストが固化するのを防止して溶解
除去を容易にし、かつ洗浄液の飛散によって半導体ウェ
ハなどに影響を与えないようにした塗布装置を提供する
ことを課題としている。
除去を容易にし、かつ洗浄液の飛散によって半導体ウェ
ハなどに影響を与えないようにした塗布装置を提供する
ことを課題としている。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
塗布液供給位置及び待機位置に移動するノズルを、上記
待機位置において洗浄する塗布装置において、 上記ノズル待機位置にて、上記ノズル先端部に洗浄液を
噴出して洗浄する洗浄液噴出ノズルと、上記ノズル待機
位置を洗浄液雰囲気にする手段と、を備えることを特徴
とする。
待機位置において洗浄する塗布装置において、 上記ノズル待機位置にて、上記ノズル先端部に洗浄液を
噴出して洗浄する洗浄液噴出ノズルと、上記ノズル待機
位置を洗浄液雰囲気にする手段と、を備えることを特徴
とする。
（作用）
本発明によれば、塗布用ノズルの待機位置までノズルを
移動させ、洗浄液噴出ノズルよりノズルの先端部に洗浄
液を噴出して洗浄する。
移動させ、洗浄液噴出ノズルよりノズルの先端部に洗浄
液を噴出して洗浄する。
この場合、必要に応じてノズル差込み部内にてノズルの
洗浄を行なうようにすれば、洗浄液が飛散して被塗布材
例えば半導体ウェハなどの被処理物に影響を与える心配
がなく、製品の品質を向上させ、歩留まりを向上させる
ことができるうえに、洗浄液の噴出力を強くして洗浄力
を高めることもできる。
洗浄を行なうようにすれば、洗浄液が飛散して被塗布材
例えば半導体ウェハなどの被処理物に影響を与える心配
がなく、製品の品質を向上させ、歩留まりを向上させる
ことができるうえに、洗浄液の噴出力を強くして洗浄力
を高めることもできる。
また、ノズル洗浄後の洗浄液は、必要に応じてノズル差
込み部内の下方位置に設けた洗浄液貯留部にて貯留され
、この貯留された洗浄液がノズル差込み部内を洗浄液雰
囲気に維持することにより、ノズルの先端部にある塗布
液の固化を防止し、塗布液の溶解除去を容易にして確実
な洗浄を可能にする。
込み部内の下方位置に設けた洗浄液貯留部にて貯留され
、この貯留された洗浄液がノズル差込み部内を洗浄液雰
囲気に維持することにより、ノズルの先端部にある塗布
液の固化を防止し、塗布液の溶解除去を容易にして確実
な洗浄を可能にする。
従って、固化した塗布液が被処理物上に塗布されて塗布
むらを生じさせ、製品歩留まりが低下するのを防止する
ことができる。
むらを生じさせ、製品歩留まりが低下するのを防止する
ことができる。
さらに、必要に応じてノズル洗浄後の洗浄液を塗布液の
固化防止に用いており、これによって洗浄液の有効利用
がはかられる。
固化防止に用いており、これによって洗浄液の有効利用
がはかられる。
（実施例）
以下、本発明を半導体ウエノ＼のレジスト塗布装置に適
用した実施例について、図面を参照して説明する。
用した実施例について、図面を参照して説明する。
まず、本実施例のレジスト塗布装置を第４図及び第５図
により概説すると、真空吸着などによって半導体ウェハ
３０を載置固定し、これを回転させるスピンチャック３
２をモータ３４の出力軸に固定して回転駆動させるよう
になっている。
により概説すると、真空吸着などによって半導体ウェハ
３０を載置固定し、これを回転させるスピンチャック３
２をモータ３４の出力軸に固定して回転駆動させるよう
になっている。
モータ３４は、加速性に優れた高性能モータで構成され
、その上側にフランジ３６を有し、このフランジ３６に
よって塗布装置内の適宜位置に固定されている。なお、
このフランジ３６は、図示しない温調器によって温度調
整が可能であって、モータ３４の発熱を上側に伝達しな
いように構成することもできる。
、その上側にフランジ３６を有し、このフランジ３６に
よって塗布装置内の適宜位置に固定されている。なお、
このフランジ３６は、図示しない温調器によって温度調
整が可能であって、モータ３４の発熱を上側に伝達しな
いように構成することもできる。
上記スピンチャック３２に支持されるウェハ３０の上方
には、ウェハ３０のほぼ中心位置よりレジスト液を例え
ば吐出して滴下するノズルであるレジストノズル３８が
設けられ、このレジストノズル３８は移動機構としての
スキャナ４０によって移動自在になっている。
には、ウェハ３０のほぼ中心位置よりレジスト液を例え
ば吐出して滴下するノズルであるレジストノズル３８が
設けられ、このレジストノズル３８は移動機構としての
スキャナ４０によって移動自在になっている。
レジストノズル３８は、スピンチャック３２上に載置さ
れる半導体ウェハ３０の種類によって使い分けられるよ
うに４本設けられるようになっており、各レジストノズ
ル３８は上記スキャナ４０のチャック（図示せず）にて
把持されるピン４６と共にノズルブロック４８を構成し
ている。なお、上記スキャナ４０は、上記ピン４６を把
持するために上下動自在にされている。
れる半導体ウェハ３０の種類によって使い分けられるよ
うに４本設けられるようになっており、各レジストノズ
ル３８は上記スキャナ４０のチャック（図示せず）にて
把持されるピン４６と共にノズルブロック４８を構成し
ている。なお、上記スキャナ４０は、上記ピン４６を把
持するために上下動自在にされている。
また、レジストノズル３８へのレジスト液のイ共給系と
して、レジスト液収容部４２、Ｎ２加圧部４４及びレジ
スト液収容部４２からレジストノズル３８に至る配管４
５からなっている。なお、配管４６には、開閉用のバル
ブｖ１、サックバルブＶ２などが設けられている。サッ
クバルブＶ２は、レジストノズル３８からのレジスト液
吐出後、レジストノズル３８先端部で表面張力によって
露出しているレジスト液をレジストノズル３８内に引き
戻すためのバルブであり、レジスト液の同化を防止する
ためのものである。
して、レジスト液収容部４２、Ｎ２加圧部４４及びレジ
スト液収容部４２からレジストノズル３８に至る配管４
５からなっている。なお、配管４６には、開閉用のバル
ブｖ１、サックバルブＶ２などが設けられている。サッ
クバルブＶ２は、レジストノズル３８からのレジスト液
吐出後、レジストノズル３８先端部で表面張力によって
露出しているレジスト液をレジストノズル３８内に引き
戻すためのバルブであり、レジスト液の同化を防止する
ためのものである。
さらに、上記レジストノズル３８の待機位置には、レジ
ストノズル３８の先端部を各々差込み支持する４個のノ
ズル差込み部５０を一列に備えたノズル待機ブロック５
２が配設されている。このノズル待機ブロック５２に形
成した４個のノズル差込み部５０は、内部が空洞になっ
ており、レジストノズル３８の先端部を差込んだ状態で
内部が密封状態になるように形成されている。また、こ
のノズル差込み部５０の横には、各々上記ピン４６の下
端部を受は入れるピン位置決め穴５４が形成されている
。
ストノズル３８の先端部を各々差込み支持する４個のノ
ズル差込み部５０を一列に備えたノズル待機ブロック５
２が配設されている。このノズル待機ブロック５２に形
成した４個のノズル差込み部５０は、内部が空洞になっ
ており、レジストノズル３８の先端部を差込んだ状態で
内部が密封状態になるように形成されている。また、こ
のノズル差込み部５０の横には、各々上記ピン４６の下
端部を受は入れるピン位置決め穴５４が形成されている
。
そして本実施例では、上記レジストノズル３８の待機位
置においてレジストノズル３８の先端部をレジスト洗浄
装置５６により洗浄するもので、このレジスト洗浄装置
５６を、第１図〜第３図に示すように、上記レジストノ
ズル３８の待機位置に設けたノズル待機ブロック５２内
に組み込むようにしている。
置においてレジストノズル３８の先端部をレジスト洗浄
装置５６により洗浄するもので、このレジスト洗浄装置
５６を、第１図〜第３図に示すように、上記レジストノ
ズル３８の待機位置に設けたノズル待機ブロック５２内
に組み込むようにしている。
即ち、このレジスト洗浄装置５６は、ノズル待機ブロッ
ク５２の各ノズル差込み部５０内に各々設けた洗浄液噴
出ノズル５８と、上記ノズル下方位置に洗浄液貯留部６
０とを備える。
ク５２の各ノズル差込み部５０内に各々設けた洗浄液噴
出ノズル５８と、上記ノズル下方位置に洗浄液貯留部６
０とを備える。
洗浄液噴出ノズル５８は、ノズル差込み部５０内におけ
るレジストノズル３８の先端部付近に設けられ、レジス
トノズル３８の先端部に洗浄液を噴出してレジストノズ
ル３８の先端部を洗浄するもので、ノズル差込み部５０
の入り口付近にレジストノズル３８の先端部に向けて斜
交するごとく設け、例えば対向位置の４本の噴出孔にて
形成されるようになっている。上記ノズル５８のノズル
３８に対する角度は４０度乃至４５度が洗浄効果を高め
る。洗浄液は加温することによりさらに洗浄効果を高め
る。さらに、洗浄液に超音波を印加することにより洗浄
効果を高めることができる。
るレジストノズル３８の先端部付近に設けられ、レジス
トノズル３８の先端部に洗浄液を噴出してレジストノズ
ル３８の先端部を洗浄するもので、ノズル差込み部５０
の入り口付近にレジストノズル３８の先端部に向けて斜
交するごとく設け、例えば対向位置の４本の噴出孔にて
形成されるようになっている。上記ノズル５８のノズル
３８に対する角度は４０度乃至４５度が洗浄効果を高め
る。洗浄液は加温することによりさらに洗浄効果を高め
る。さらに、洗浄液に超音波を印加することにより洗浄
効果を高めることができる。
吐出洗浄液が渦流を形成しても良い。
洗浄液貯留部６０は、ノズル差込み部５０内の下方位置
にあって上記洗浄液噴出ノズル５８から噴出してレジス
トノズル３８の先端を洗浄した洗浄液を貯留し、ノズル
差込み部５０内を洗浄液雰囲気にするもので、ノズル差
込み部５０内の下部内壁に沿って環状溝状に形成されて
いる。また、この洗浄液貯留部６０に囲まれるノズル差
込み部５０内の下部中央部分にはドレーン７ｍ ６２が
形成され、このドレーン溝６２にはドレーン管６４が接
続され、これらドレーン溝６２、ドレーン管６４を通し
てノズル差込み部５０内に溜った洗浄液などを外部に排
出するようになっている。
にあって上記洗浄液噴出ノズル５８から噴出してレジス
トノズル３８の先端を洗浄した洗浄液を貯留し、ノズル
差込み部５０内を洗浄液雰囲気にするもので、ノズル差
込み部５０内の下部内壁に沿って環状溝状に形成されて
いる。また、この洗浄液貯留部６０に囲まれるノズル差
込み部５０内の下部中央部分にはドレーン７ｍ ６２が
形成され、このドレーン溝６２にはドレーン管６４が接
続され、これらドレーン溝６２、ドレーン管６４を通し
てノズル差込み部５０内に溜った洗浄液などを外部に排
出するようになっている。
次に、作用について説明する。
まず、各レジストノズル３８が、ノズル待機ブロック５
２のノズル差込み部５０内に差込まれた状態、即ちレジ
ストノズル３８が待機位置にある状態において、スピン
チャック３２上に半導体つエバ３０が搬入されると、搬
入された半導体ウェハ３０の種類に応じてノズル待機ブ
ロック５２及びスキャナ４０が移動し対応する種類のレ
ジストノズル３８を選択して取り出し、スキャナ４０が
レジストノズル３８を把持したままスピンチャック３２
に載置された半導体ウェハ３０上まで移動する。
２のノズル差込み部５０内に差込まれた状態、即ちレジ
ストノズル３８が待機位置にある状態において、スピン
チャック３２上に半導体つエバ３０が搬入されると、搬
入された半導体ウェハ３０の種類に応じてノズル待機ブ
ロック５２及びスキャナ４０が移動し対応する種類のレ
ジストノズル３８を選択して取り出し、スキャナ４０が
レジストノズル３８を把持したままスピンチャック３２
に載置された半導体ウェハ３０上まで移動する。
そして、この位置でレジストノズル３８より半導体ウェ
ハ３０上にレジスト液を滴下してスピンチャック３２の
回転による円心力で半導体ウェハ３０にレジスト液を均
一に塗布する。
ハ３０上にレジスト液を滴下してスピンチャック３２の
回転による円心力で半導体ウェハ３０にレジスト液を均
一に塗布する。
次いで、レジストノズル３８によるレジスト液の滴下後
、スキャナ４０の移動によってレジストノズル３８を待
機位置まで移動させ、ノズル待機ブロック５２のノズル
差込み部５０にレジストノズル３８の先端部を差込む。
、スキャナ４０の移動によってレジストノズル３８を待
機位置まで移動させ、ノズル待機ブロック５２のノズル
差込み部５０にレジストノズル３８の先端部を差込む。
そして、この待機状態でノズル差込み部５０の洗浄液噴
出ノズル５８よりレジストノズル３８の先端部に洗浄液
を噴出してノズル３８の洗浄を行う。この時のノズル５
８からの噴射洗浄液はビム状ても良いし、扇状に拡がる
洗浄液流でも良い。
出ノズル５８よりレジストノズル３８の先端部に洗浄液
を噴出してノズル３８の洗浄を行う。この時のノズル５
８からの噴射洗浄液はビム状ても良いし、扇状に拡がる
洗浄液流でも良い。
洗浄液の噴出洗浄は、１枚のウェハへの洗浄終了の都度
実行しても良いし、複数枚の毎にに１回洗浄するもので
も良い。さらに、１回の洗浄工程で洗浄液の吐出を数度
に分割し、パルシブに噴射することでさらに洗浄効果が
高まる。
実行しても良いし、複数枚の毎にに１回洗浄するもので
も良い。さらに、１回の洗浄工程で洗浄液の吐出を数度
に分割し、パルシブに噴射することでさらに洗浄効果が
高まる。
この場合の洗浄は、半導体ウェハ３０の処理位置とは離
れたレジストノズル３８の待機位置で、しかもノズル差
込み部５０の中でレジストノズル３８の洗浄を行なうの
で、洗浄液が飛散して半導体ウェハ３０に影響を与える
心配がなく、製品の品質を向上させ、歩留まりを向上さ
せることができ、さらに洗浄液の噴出力を強くして洗浄
力を高めることもできる。
れたレジストノズル３８の待機位置で、しかもノズル差
込み部５０の中でレジストノズル３８の洗浄を行なうの
で、洗浄液が飛散して半導体ウェハ３０に影響を与える
心配がなく、製品の品質を向上させ、歩留まりを向上さ
せることができ、さらに洗浄液の噴出力を強くして洗浄
力を高めることもできる。
また、レジストノズル３８の洗浄後の洗浄液は、ノズル
差込み部５０内の下方位置に設けた洗浄液貯留部６０に
て貯留される。この場合、ノズル差込み部５０内が密封
状態となっているので、貯留された洗浄液がノズル差込
み部５０内を洗浄液雰囲気で満たすこととなり、ノズル
差込み部５０内に臨ませられたレジストノズル３８の先
端部にあるレジスト液の固化は防止され、レジスト液の
溶解除去が容易になり、確実な洗浄が可能となるもので
ある。
差込み部５０内の下方位置に設けた洗浄液貯留部６０に
て貯留される。この場合、ノズル差込み部５０内が密封
状態となっているので、貯留された洗浄液がノズル差込
み部５０内を洗浄液雰囲気で満たすこととなり、ノズル
差込み部５０内に臨ませられたレジストノズル３８の先
端部にあるレジスト液の固化は防止され、レジスト液の
溶解除去が容易になり、確実な洗浄が可能となるもので
ある。
従って、固化したレジスト液が半導体ウェハ３０上に塗
布されて塗布むらを生しさせ、製品歩留まりが低下する
のを防止することができる。
布されて塗布むらを生しさせ、製品歩留まりが低下する
のを防止することができる。
さらに、レジストノズル３８の洗浄後の洗浄液をレジス
ト液の固化防止に用いており、これによって洗浄液の有
効利用がはかられている。
ト液の固化防止に用いており、これによって洗浄液の有
効利用がはかられている。
このように、レジスト液の固化が防止され、待機状態に
おいて常に最良の状態に置かれているため、次の半導体
ウェハ３０がスピンチャック３２上に搬入された場合、
最良の状態でレジストノズル３８からのレジスト液の供
給がなしうろこととなる。
おいて常に最良の状態に置かれているため、次の半導体
ウェハ３０がスピンチャック３２上に搬入された場合、
最良の状態でレジストノズル３８からのレジスト液の供
給がなしうろこととなる。
なお、レジストノズル３８の先端部の洗浄は、−時的に
レジストノズル３８に対して洗浄液噴出ノズル５８より
洗浄液を噴出して行なっても良く、あるいは一定時間ご
とに間欠的に洗浄液をレジストノズル３８の先端部に噴
出して行なうようにしてもよい。また、上記のように間
欠的に洗浄液を噴出して洗浄する場合には、洗浄液雰囲
気に置かれたレジストノズル３８先端部のレジスト液が
溶解しやすい状態となっているため、洗浄液の噴出良は
少量で済むこととなるものである。
レジストノズル３８に対して洗浄液噴出ノズル５８より
洗浄液を噴出して行なっても良く、あるいは一定時間ご
とに間欠的に洗浄液をレジストノズル３８の先端部に噴
出して行なうようにしてもよい。また、上記のように間
欠的に洗浄液を噴出して洗浄する場合には、洗浄液雰囲
気に置かれたレジストノズル３８先端部のレジスト液が
溶解しやすい状態となっているため、洗浄液の噴出良は
少量で済むこととなるものである。
上記実施例ではレジスト液の供給についてを説明したが
、他の塗布液でも良く、例えば現像液でも良い。
、他の塗布液でも良く、例えば現像液でも良い。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、ノズル待機位置
に設けた洗浄液噴出ノズルより、ノズル先端部に洗浄液
を噴出して洗浄するので、半導体ウェハなどの被処理物
の処理位置とは離れたノズル待機位置でノズルの洗浄を
行なうことができ、洗浄液が飛散して半導体ウェハなど
の非処理物に影響を与える心配がなく、製品の品質を向
上させ、歩留まりを向上させることができる。また、ノ
ズル洗浄の雰囲気を洗浄液雰囲気に維持することにより
、ノズルの先端部にある塗布液の同化を防止し、処理液
の溶解除去を容易にして確実な洗浄を可能にすることで
、固化した塗布液が非処理物上に塗布されて塗布むらを
生じさせ、製品歩留まりが低下するのを防止することが
できる。
に設けた洗浄液噴出ノズルより、ノズル先端部に洗浄液
を噴出して洗浄するので、半導体ウェハなどの被処理物
の処理位置とは離れたノズル待機位置でノズルの洗浄を
行なうことができ、洗浄液が飛散して半導体ウェハなど
の非処理物に影響を与える心配がなく、製品の品質を向
上させ、歩留まりを向上させることができる。また、ノ
ズル洗浄の雰囲気を洗浄液雰囲気に維持することにより
、ノズルの先端部にある塗布液の同化を防止し、処理液
の溶解除去を容易にして確実な洗浄を可能にすることで
、固化した塗布液が非処理物上に塗布されて塗布むらを
生じさせ、製品歩留まりが低下するのを防止することが
できる。
さらに、ノズル洗浄後の洗浄液を塗布液の同化防止に用
いることにより、洗浄液の有効利用をはかることができ
る。
いることにより、洗浄液の有効利用をはかることができ
る。
第１図は本発明の一実施例に係るノズル洗浄装置を示す
断面図、 第２図は第１図の■方向からみた断面図、第３図は第１
図■−■線に沿う断面図、第４図は本考案のノズル洗浄
装置を用いたレジスト液塗布装置を示す概略図、 第５図は第４図の平面図、 第６図（ａ）、（ｂ）は従来のノズル洗浄装置を示す断
面図、 第７図は従来の他のノズル洗浄装置を示す断面図である
。 ３０・ ・半導体ウェハ ３８ ・ ４０ ・ ５０ ・ ５２ ・ ５６ ・ ５８ ・ ６０ ・ ・レジストノズル ・スキャナ ・ノズル差込み部 ・ノズル待機ブロック ・ノズル洗浄装置 ・洗浄液噴出ノズル ・洗浄液貯留部
断面図、 第２図は第１図の■方向からみた断面図、第３図は第１
図■−■線に沿う断面図、第４図は本考案のノズル洗浄
装置を用いたレジスト液塗布装置を示す概略図、 第５図は第４図の平面図、 第６図（ａ）、（ｂ）は従来のノズル洗浄装置を示す断
面図、 第７図は従来の他のノズル洗浄装置を示す断面図である
。 ３０・ ・半導体ウェハ ３８ ・ ４０ ・ ５０ ・ ５２ ・ ５６ ・ ５８ ・ ６０ ・ ・レジストノズル ・スキャナ ・ノズル差込み部 ・ノズル待機ブロック ・ノズル洗浄装置 ・洗浄液噴出ノズル ・洗浄液貯留部
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 塗布液供給位置及び待機位置に移動するノズルを、上
記待機位置において洗浄する塗布装置において、 上記ノズル待機位置にて、上記ノズル先端部に洗浄液を
噴出して洗浄する洗浄液噴出ノズルと、上記ノズル待機
位置を洗浄液雰囲気にする手段と、を備えることを特徴
とする塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237663A JP3043383B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 塗布装置および塗布処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2237663A JP3043383B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 塗布装置および塗布処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04118067A true JPH04118067A (ja) | 1992-04-20 |
| JP3043383B2 JP3043383B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=17018667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2237663A Expired - Lifetime JP3043383B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 塗布装置および塗布処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043383B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007196210A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hynix Semiconductor Inc | 感光物質コーティング用装置 |
| JP2007317706A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2017050379A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101670455B1 (ko) * | 2014-12-31 | 2016-10-28 | 세메스 주식회사 | 홈포트, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 분위기 조성 방법 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2237663A patent/JP3043383B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007196210A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-09 | Hynix Semiconductor Inc | 感光物質コーティング用装置 |
| JP2007317706A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Tokyo Electron Ltd | ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
| JP2017050379A (ja) * | 2015-09-01 | 2017-03-09 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3043383B2 (ja) | 2000-05-22 |
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Legal Events
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