JPH04122120A - 温度補償された過負荷トリップレベル半導体リレー - Google Patents
温度補償された過負荷トリップレベル半導体リレーInfo
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- JPH04122120A JPH04122120A JP2404687A JP40468790A JPH04122120A JP H04122120 A JPH04122120 A JP H04122120A JP 2404687 A JP2404687 A JP 2404687A JP 40468790 A JP40468790 A JP 40468790A JP H04122120 A JPH04122120 A JP H04122120A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H3/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection
- H02H3/08—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current
- H02H3/087—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal electric working condition with or without subsequent reconnection ; integrated protection responsive to excess current for DC applications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
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- Electronic Switches (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Protection Of Generators And Motors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［０００１］
図１に従来技術の半導体リレー回路１０を示す。回路１
０は限流器１２と、−対の発光ダイオード１３及び１４
を有する入力部１１を含む。スイッチ部１５は発光ダイ
オード１３及び１４によって発生した光を感知するため
に配置される検出器アレー１７を含み、それによって、
要求される入力回路の回路分離を提供する。検出器アレ
ー１７は、限流抵抗器１９を通してスイッチデバイス１
８（好ましくは金属酸化物電界効果トランジスタ）のゲ
ートへ接続されている♂検出器アレー１７は又、抵抗器
２１を通してスイッチデバイス１８のソース端子へ接続
されている。負荷回路２２と電源２３はスイッチデバイ
ス１８のドレイン端子と抵抗２１を直列に接続するよう
に配置されている。もう一つの抵抗２４は検出器アレー
１７と並列に接続されている。 ［０００２］ スイッチリレーの通常の動作において、回路１０の入力
部への入力信号の供給（回路へバッテリ２６を接続する
ためスイッチ２５を閉（ｃｌｏｓｅ ）にすることによ
って例示される。）は、検出器アレー１７によって検出
される光出力を供給するための発光ダイオード１３と１
４による。検出器アレー１７は、スイッチデバイス１８
がオンになるスイッチデバイス１８のゲート端子とソー
ス端子の間に信号を供給し、十分足りると、スイッチデ
バイス１８をオンにし、負荷２２に電流を供給する。入
力信号が入力部１１から取り払われたとき、検出器アレ
ー１７はスイッチデバイス１８を動作するために十分な
信号をもはや発生しない。そしてデバイス１８はオフに
なり、負荷２２から電流が取り払われる。 ［０００３］ 負荷２２に過負荷電流が発生する種々の状態が存在する
。このような過負荷電流は、スイッチデバイス１８又は
負荷２２を傷つけ又は破壊するであろう。スイッチデバ
イス１８を通り負荷２２へ供給される電流の範囲を制限
するために、回路１０が提供され、それは過負荷電流の
存在するスイッチデバイスをオフにする配置である。図
１に示される特別の配置は、第１のトランジスタ２８、
及びスイッチデバイス１８から電流を分路させるための
ラッチ（ｌａｔｃｈ ）を形成するよう接続された第２
のトランジスタ２９を含む。抵抗３２は、スイッチデバ
イス１８のソース端子と抵抗２１の間に接続され、スイ
ッチデバイス１８の動作中、抵抗２１とトランジスタ２
８のコレクタ及びトランジスタ２９のベースとの間の電
圧の測定を提供するために接続されている。 ［０００４］ ラッチ配置は一対の入力端子を効果的に提供する。１つ
は抵抗２１の両端の電圧を測定し、第２はトランジスタ
２９のコレクタへの電流を測定する。負荷２２を通る電
流が非常に大きくなった場合、抵抗の両端の電圧（この
電流の測定値である）は、ラッチが有効になる点まで増
加するように抵抗２１の値は選択され、スイッチデバイ
ス１８のソース及びドレイン端子の入力を短絡する。ト
ランジスタ２９のベース及びエミッタ接合間の電位差は
トランジスタをオンにし、トランジスタ上のエミッター
ベース接合を通って引き出される電流を生じる。トラン
ジスタ２８はオンになり、ラッチをオン状態に固定する
。これは、スイッチデバイス１８を無能（オフ）にし、
負荷２２から電流を取り払う。 ［０００５］ 図１に示された回路１０の主要な問題は、動作中にトラ
ンジスタ２８及び２９からなるラッチをトリガするため
に要求される電圧は温度と共に激しく変化するというこ
とである。この電圧は抵抗２１の両端を測定することに
よって決定されることから実質上、スイッチデバイス１
８と負荷２２を通る電流の測定であり、この値は温度と
共に激しく変化することが認められる。より詳細には、
特別の配置１０において、ラッチを動作するため要求さ
れる負荷を通る電流の値は一５５度Ｃにおいて１．３ア
ンペアから２５度Ｃにおいて１アンペア、１１５度Ｃに
おいて０．３３アンペアまで変化する。さらに、トリッ
プ電圧は同温度においても必然的に変化することからよ
り安定させるとしたら必要以上に高い標準トリップ電圧
を保持しなければならない。 ［０００６］
０は限流器１２と、−対の発光ダイオード１３及び１４
を有する入力部１１を含む。スイッチ部１５は発光ダイ
オード１３及び１４によって発生した光を感知するため
に配置される検出器アレー１７を含み、それによって、
要求される入力回路の回路分離を提供する。検出器アレ
ー１７は、限流抵抗器１９を通してスイッチデバイス１
８（好ましくは金属酸化物電界効果トランジスタ）のゲ
ートへ接続されている♂検出器アレー１７は又、抵抗器
２１を通してスイッチデバイス１８のソース端子へ接続
されている。負荷回路２２と電源２３はスイッチデバイ
ス１８のドレイン端子と抵抗２１を直列に接続するよう
に配置されている。もう一つの抵抗２４は検出器アレー
１７と並列に接続されている。 ［０００２］ スイッチリレーの通常の動作において、回路１０の入力
部への入力信号の供給（回路へバッテリ２６を接続する
ためスイッチ２５を閉（ｃｌｏｓｅ ）にすることによ
って例示される。）は、検出器アレー１７によって検出
される光出力を供給するための発光ダイオード１３と１
４による。検出器アレー１７は、スイッチデバイス１８
がオンになるスイッチデバイス１８のゲート端子とソー
ス端子の間に信号を供給し、十分足りると、スイッチデ
バイス１８をオンにし、負荷２２に電流を供給する。入
力信号が入力部１１から取り払われたとき、検出器アレ
ー１７はスイッチデバイス１８を動作するために十分な
信号をもはや発生しない。そしてデバイス１８はオフに
なり、負荷２２から電流が取り払われる。 ［０００３］ 負荷２２に過負荷電流が発生する種々の状態が存在する
。このような過負荷電流は、スイッチデバイス１８又は
負荷２２を傷つけ又は破壊するであろう。スイッチデバ
イス１８を通り負荷２２へ供給される電流の範囲を制限
するために、回路１０が提供され、それは過負荷電流の
存在するスイッチデバイスをオフにする配置である。図
１に示される特別の配置は、第１のトランジスタ２８、
及びスイッチデバイス１８から電流を分路させるための
ラッチ（ｌａｔｃｈ ）を形成するよう接続された第２
のトランジスタ２９を含む。抵抗３２は、スイッチデバ
イス１８のソース端子と抵抗２１の間に接続され、スイ
ッチデバイス１８の動作中、抵抗２１とトランジスタ２
８のコレクタ及びトランジスタ２９のベースとの間の電
圧の測定を提供するために接続されている。 ［０００４］ ラッチ配置は一対の入力端子を効果的に提供する。１つ
は抵抗２１の両端の電圧を測定し、第２はトランジスタ
２９のコレクタへの電流を測定する。負荷２２を通る電
流が非常に大きくなった場合、抵抗の両端の電圧（この
電流の測定値である）は、ラッチが有効になる点まで増
加するように抵抗２１の値は選択され、スイッチデバイ
ス１８のソース及びドレイン端子の入力を短絡する。ト
ランジスタ２９のベース及びエミッタ接合間の電位差は
トランジスタをオンにし、トランジスタ上のエミッター
ベース接合を通って引き出される電流を生じる。トラン
ジスタ２８はオンになり、ラッチをオン状態に固定する
。これは、スイッチデバイス１８を無能（オフ）にし、
負荷２２から電流を取り払う。 ［０００５］ 図１に示された回路１０の主要な問題は、動作中にトラ
ンジスタ２８及び２９からなるラッチをトリガするため
に要求される電圧は温度と共に激しく変化するというこ
とである。この電圧は抵抗２１の両端を測定することに
よって決定されることから実質上、スイッチデバイス１
８と負荷２２を通る電流の測定であり、この値は温度と
共に激しく変化することが認められる。より詳細には、
特別の配置１０において、ラッチを動作するため要求さ
れる負荷を通る電流の値は一５５度Ｃにおいて１．３ア
ンペアから２５度Ｃにおいて１アンペア、１１５度Ｃに
おいて０．３３アンペアまで変化する。さらに、トリッ
プ電圧は同温度においても必然的に変化することからよ
り安定させるとしたら必要以上に高い標準トリップ電圧
を保持しなければならない。 ［０００６］
解決しようとする問題は、温度に伴う激しいトリップ電
圧の変化とトリップ電圧を一定にするためには高いトリ
ップ電圧でなければならないという点である。 ［０００７］
圧の変化とトリップ電圧を一定にするためには高いトリ
ップ電圧でなければならないという点である。 ［０００７］
本発明はトランジスタ２８及び２９の温度特性をマツチ
ングするため温度補償手段を有し、さらにこの温度補償
手段には、ターン・オン電圧を一定にする手段を有する
ことを特徴としている。 ［０００８］
ングするため温度補償手段を有し、さらにこの温度補償
手段には、ターン・オン電圧を一定にする手段を有する
ことを特徴としている。 ［０００８］
図２に本発明に従って設計されたスイッチ回路４０を示
す。回路４０は、電気的に分離された入力を提供するた
めの一対の発光ダイオード１３及び１４に電圧を加える
ため、図１と基本的に同一の入力部１１の要素を含む。 スイッチ回路４０も又、回路１０の出力部１５の要素全
てを含む出力部１５を含み、これら全ても図１と同一の
部材によって成る。図２の出力部１５へいくつかの要素
が加えられ、これら要素はすでに説明したように回路４
０に対し温度補償を提供するための動作に協同する。 ［０００９］ これら要素はシリコンダイオード４３と並列になるよう
配置された発光ダイオード４２を含む。発光ダイオード
４２は、入力部１１の入力信号の存在を検知するため発
光ダイオード１３及び１４の１つ又は両方に光学的に結
合されている。 シリコンダイオード４３と発光ダイオード４２との並列
配列が、コレクタがトランジスタ２８のベースとトラン
ジスタ２９のコレクタに接続されているＮＰＮ トラン
ジスタ４４のエミッタへ接続されている。トランジスタ
４４のベースはスイッチデバイス１８と抵抗２１との間
に抵抗４６によって接続されている。コンデンサ４７は
トランジスタ４４のベースと電源２３の負側との間に接
続されている［００１０］ 入力部１１のスイッチ２５が閉になることによって入力
が加えられたとすると、発光ダイオード１３及び１４は
検出器アレー１７と発光ダイオード４２へ検出可能な光
を供給する。発光ダイオード４２は回路が開（ｏｐｅｎ
）のときは約１．１ボルトを発生するように選択され、
短絡状態では概ね２０マイクロアンペアを提供する。し
かしながら、発光ダ・イオード４２はシリコンダイオー
ド４３と並列に接続されており、その結果として、発光
ダイオードの両端の電圧はダイオード４３の両端の電圧
であることを強いる。ダイオード４３の電圧は一５５度
Ｃにおいて概ね０． ５ボルト、２５度Ｃにおいて０．
３５０ボルト、１１５度Ｃにおいて０．０５ボルトと温
度と共に変化する。 ［００１１］ トランジスタ４４はラッチのトランジスタ２８のベース
の入力に接続されてし）ることがら、トランジスタ４４
がオンになった時、スイッチデノくイス１８を短絡する
ようにラッチの動作をトリガし、回路４０をオフにする
。トランジスタ４４のベースとエミッタ端子の間に加え
られる電圧値が大きくなる程十分に抵抗２１の電圧が十
分大きくなった時、トランジスタ４４はオンになる。ト
ランジスタ４４のベース−エミッタ端子のバイアスが本
質的に抵抗２１の両端の電圧とダイオード４３の両端の
電圧によって生成される差であるように、抵抗４６の値
はほとんど電圧降下を提供しないよう、選択される。上
記で示したように、トランジスタ（ラッチトランジスタ
２８．２９のようなトランジスタ）がオンになるのに要
求される電圧とダイオード４３の両端の電圧は温度と共
に変化する。従って、予期される温度範囲にわたってシ
リコンダイオード４３の両端の電圧にマツチングするよ
うにして変化するターン・オン電圧を有するトランジス
タ４４を選択することによって、抵抗２１の両端の一定
のターン・オン電圧が構成される。これは２つのトラン
ジスタ２８及び２９からなるラッチの比較的一定なトリ
・ノピングへと変換される。なぜならば、トリップは電
圧過敏な入力端子よりもむしろラッチの電流シンク端子
で生じるからである。結局、これは、スイッチデバイス
１８を通る比較的一定なトリップ電流へ変換する。 ［００１２］
す。回路４０は、電気的に分離された入力を提供するた
めの一対の発光ダイオード１３及び１４に電圧を加える
ため、図１と基本的に同一の入力部１１の要素を含む。 スイッチ回路４０も又、回路１０の出力部１５の要素全
てを含む出力部１５を含み、これら全ても図１と同一の
部材によって成る。図２の出力部１５へいくつかの要素
が加えられ、これら要素はすでに説明したように回路４
０に対し温度補償を提供するための動作に協同する。 ［０００９］ これら要素はシリコンダイオード４３と並列になるよう
配置された発光ダイオード４２を含む。発光ダイオード
４２は、入力部１１の入力信号の存在を検知するため発
光ダイオード１３及び１４の１つ又は両方に光学的に結
合されている。 シリコンダイオード４３と発光ダイオード４２との並列
配列が、コレクタがトランジスタ２８のベースとトラン
ジスタ２９のコレクタに接続されているＮＰＮ トラン
ジスタ４４のエミッタへ接続されている。トランジスタ
４４のベースはスイッチデバイス１８と抵抗２１との間
に抵抗４６によって接続されている。コンデンサ４７は
トランジスタ４４のベースと電源２３の負側との間に接
続されている［００１０］ 入力部１１のスイッチ２５が閉になることによって入力
が加えられたとすると、発光ダイオード１３及び１４は
検出器アレー１７と発光ダイオード４２へ検出可能な光
を供給する。発光ダイオード４２は回路が開（ｏｐｅｎ
）のときは約１．１ボルトを発生するように選択され、
短絡状態では概ね２０マイクロアンペアを提供する。し
かしながら、発光ダ・イオード４２はシリコンダイオー
ド４３と並列に接続されており、その結果として、発光
ダイオードの両端の電圧はダイオード４３の両端の電圧
であることを強いる。ダイオード４３の電圧は一５５度
Ｃにおいて概ね０． ５ボルト、２５度Ｃにおいて０．
３５０ボルト、１１５度Ｃにおいて０．０５ボルトと温
度と共に変化する。 ［００１１］ トランジスタ４４はラッチのトランジスタ２８のベース
の入力に接続されてし）ることがら、トランジスタ４４
がオンになった時、スイッチデノくイス１８を短絡する
ようにラッチの動作をトリガし、回路４０をオフにする
。トランジスタ４４のベースとエミッタ端子の間に加え
られる電圧値が大きくなる程十分に抵抗２１の電圧が十
分大きくなった時、トランジスタ４４はオンになる。ト
ランジスタ４４のベース−エミッタ端子のバイアスが本
質的に抵抗２１の両端の電圧とダイオード４３の両端の
電圧によって生成される差であるように、抵抗４６の値
はほとんど電圧降下を提供しないよう、選択される。上
記で示したように、トランジスタ（ラッチトランジスタ
２８．２９のようなトランジスタ）がオンになるのに要
求される電圧とダイオード４３の両端の電圧は温度と共
に変化する。従って、予期される温度範囲にわたってシ
リコンダイオード４３の両端の電圧にマツチングするよ
うにして変化するターン・オン電圧を有するトランジス
タ４４を選択することによって、抵抗２１の両端の一定
のターン・オン電圧が構成される。これは２つのトラン
ジスタ２８及び２９からなるラッチの比較的一定なトリ
・ノピングへと変換される。なぜならば、トリップは電
圧過敏な入力端子よりもむしろラッチの電流シンク端子
で生じるからである。結局、これは、スイッチデバイス
１８を通る比較的一定なトリップ電流へ変換する。 ［００１２］
トランジスタ４４に０．４５０ボルトのエミッターベー
ス トリップ電圧の典型的な数値を用いると、２５度Ｃ
において、ダイオード４３の両端の電圧０． ３５０ボ
ルトは、トランジスタ４４をトリップするために抵抗２
１の両端に０． １０ボルトを与える。５５度Ｃにおい
て、トランジスタ４４は０．６０ボルトを必要とし、抵
抗２１の両端の電圧は０．１０ボルトであるのでダイオ
ード４３は０５０ボルトに電圧を降下する。１１５度Ｃ
においては、トランジスタ４４の両端の電圧は０．１５
ボルトであり、ダイオード４３の両端の電圧は０．０５
ボルト、及び抵抗２１の両端の電圧は０．１０ボルトで
ある。 ［００１３］ 従って、スイッチデバイス１８を通るトリップ電流は広
範囲な温度変化と共に回路４０によって一定に保たれる
ことが解る。さらに、ラッチの動作をトリガするために
用いられるトリップ電流の比較的一定な値は非常に／」
轄い値にすることができ、従って、全体により低い消費
電力で済む。抵抗４６とコンデンサ４７の組み合わせは
、立ち上がりの早い温度電流によるトランジスタ４４の
有害なトリップを除去するいずれかのわずかな遅れを、
タイミング回路に提供するように選択される。 ［００１４］ 本件発明を実行するための他の方法は可能であることを
当業者は理解したであろっ。例えば、シリコンダイオー
ド４３と発光ダイオード４２の並列配列はシリコンダイ
オード４３と発光ダイオード４２の同じ電圧−電流特性
を有するＮＰＮトランジスタで置き換えることができる
。受光トランジスタは温度に伴うラッチのトリップ電圧
の変化を補償するための温度変化に伴う要求される変化
を提供するであろう。図３にこのような回路が示されて
いる。付加された可能性は発光ダイオードのかわりに定
電流ダイオード又は類似の定電流デバイスをシリコンダ
イオード４３と並列に接続するように置き換えることで
ある。図４にこのような回路が示されている。 ［００１５］ 本件発明は好ましい実施例によって述べられている力面
本件発明の精神と研究からそれることなしに当業者によ
って種々の変形と変更ができるであろう。
ス トリップ電圧の典型的な数値を用いると、２５度Ｃ
において、ダイオード４３の両端の電圧０． ３５０ボ
ルトは、トランジスタ４４をトリップするために抵抗２
１の両端に０． １０ボルトを与える。５５度Ｃにおい
て、トランジスタ４４は０．６０ボルトを必要とし、抵
抗２１の両端の電圧は０．１０ボルトであるのでダイオ
ード４３は０５０ボルトに電圧を降下する。１１５度Ｃ
においては、トランジスタ４４の両端の電圧は０．１５
ボルトであり、ダイオード４３の両端の電圧は０．０５
ボルト、及び抵抗２１の両端の電圧は０．１０ボルトで
ある。 ［００１３］ 従って、スイッチデバイス１８を通るトリップ電流は広
範囲な温度変化と共に回路４０によって一定に保たれる
ことが解る。さらに、ラッチの動作をトリガするために
用いられるトリップ電流の比較的一定な値は非常に／」
轄い値にすることができ、従って、全体により低い消費
電力で済む。抵抗４６とコンデンサ４７の組み合わせは
、立ち上がりの早い温度電流によるトランジスタ４４の
有害なトリップを除去するいずれかのわずかな遅れを、
タイミング回路に提供するように選択される。 ［００１４］ 本件発明を実行するための他の方法は可能であることを
当業者は理解したであろっ。例えば、シリコンダイオー
ド４３と発光ダイオード４２の並列配列はシリコンダイ
オード４３と発光ダイオード４２の同じ電圧−電流特性
を有するＮＰＮトランジスタで置き換えることができる
。受光トランジスタは温度に伴うラッチのトリップ電圧
の変化を補償するための温度変化に伴う要求される変化
を提供するであろう。図３にこのような回路が示されて
いる。付加された可能性は発光ダイオードのかわりに定
電流ダイオード又は類似の定電流デバイスをシリコンダ
イオード４３と並列に接続するように置き換えることで
ある。図４にこのような回路が示されている。 ［００１５］ 本件発明は好ましい実施例によって述べられている力面
本件発明の精神と研究からそれることなしに当業者によ
って種々の変形と変更ができるであろう。
【図１】
従来技術の半導体リレー回路の配線路図である。
【図２】
本件発明に従ったスイッチ回路の配線路図である。
【図３】
図２の回路の改良である。
【図４】
図２の回路の改良である。
１２ 限流器
１３．１４．４２．６３ 発光ダイオ−１７検出器アレ
ー ２１ 検知抵抗 ２４ クランプ ２７ ラッチ ６２ 光パイプ ７１ 定電流発生器 ７２ シリコンダイオード ド
ー ２１ 検知抵抗 ２４ クランプ ２７ ラッチ ６２ 光パイプ ７１ 定電流発生器 ７２ シリコンダイオード ド
図面
【図１】
帖
〜
【補正をする者】
【手続補正 １】
手続補正書
ＡＸ３００７Ｘ１
平成３年７月２６日
Claims (3)
- 【請求項１】電流をスイッチするために負荷回路へ接続
された金属酸化物電界効果トランジスタ、負荷回路によ
って生じる電圧を検知するために及び負荷回路における
電流過負荷に応動して電界効果トランジスタから電流を
分路するために接続された第１及び第２のトランジスタ
を含むラッチ回路、異なる温度においては異なる電圧に
応動してオンになるような温度特性を持つ第１及び第２
のトランジスタを含む半導体リレー回路において、負荷
回路の電流によって生じる電圧に応動して電界効果トラ
ンジスタから電流を分路させるためにラッチをオンにす
る第２の手段をさらに含み、該第２の手段はラッチ回路
の第１と第２のトランジスタの温度特性をマッチングす
るための温度補償手段を含み、それによってデバイスの
典型的な動作範囲にわたって負荷回路における同じ電圧
でラッチをオンにすることを特徴とする半導体リレー回
路。 - 【請求項２】請求項１の半導体リレーにおいて、温度補
償手段はラッチ回路のトランジスタの１つをオンにする
ための電流路を提供するために接続された第３のトラン
ジスタを含み、このトランジスタのベース−エミッタ端
子は負荷回路の電圧を検知するために接続されているこ
とを特徴とする半導体リレー。 - 【請求項３】請求項２の半導体リレーにおいて、温度補
償手段は第３のトランジスタのターン・オン電圧をより
低くするための手段からなることを特徴とする半導体リ
レー。
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