JPH04122178A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH04122178A JPH04122178A JP2244973A JP24497390A JPH04122178A JP H04122178 A JPH04122178 A JP H04122178A JP 2244973 A JP2244973 A JP 2244973A JP 24497390 A JP24497390 A JP 24497390A JP H04122178 A JPH04122178 A JP H04122178A
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- JP
- Japan
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- memory
- read
- signal
- repetitively
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/40—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
- H04N25/46—Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は電荷転送型固体撮像装置に関し、特にその信号
取扱い能力増大技術に関する。
取扱い能力増大技術に関する。
〈従来の技術〉
2次元固体撮像装置には種々の型のものが知られている
が、ノイズの低さの点でCOD等の電荷転送型のものが
優れている。またCCDはインターライン転送型とフレ
ーム転送型に大別されるが、高輝度部被写体の上下に生
じる為信号(「スミア」と称する)の少なさやチップサ
イズの小ささの点でインターライン転送型が優れ、現在
最も一般的に採用されている。以下ではインターライン
転送型CODの場合を例に取り議論する。
が、ノイズの低さの点でCOD等の電荷転送型のものが
優れている。またCCDはインターライン転送型とフレ
ーム転送型に大別されるが、高輝度部被写体の上下に生
じる為信号(「スミア」と称する)の少なさやチップサ
イズの小ささの点でインターライン転送型が優れ、現在
最も一般的に採用されている。以下ではインターライン
転送型CODの場合を例に取り議論する。
近年CCD撮像装置は小型化及び多画素化が急速に進展
しており、これに伴って1画素当りの面積即ちセルサイ
ズは大幅に小さくなってきている。
しており、これに伴って1画素当りの面積即ちセルサイ
ズは大幅に小さくなってきている。
第4図にインターライン転送型CCDの1画素分の面積
配分を示す。ここでPDは光電変換を行なう受光部、C
CDは光電変換された電荷を検出部まで転送するための
CCD部、TGはPD部で一定期間光電変換され蓄積さ
れた信号電荷をCCD部へ短期間に読み呂すための移送
部、csは隣接する他の画素と分離するためのチャネl
L/7トツプ部である。
配分を示す。ここでPDは光電変換を行なう受光部、C
CDは光電変換された電荷を検出部まで転送するための
CCD部、TGはPD部で一定期間光電変換され蓄積さ
れた信号電荷をCCD部へ短期間に読み呂すための移送
部、csは隣接する他の画素と分離するためのチャネl
L/7トツプ部である。
〈発明が解決しようとする課題〉
第4図よシ推測されるようにセルサイズの縮小は特性面
で以下の問題?生じる。まずPD部面積の縮小は光電変
換領域の縮小となフ感度の低下を招く。次にPD部及び
CCD部の面積縮小は各々での最大取扱い電荷!Qma
x(PD) 、 Qmax(COD)を低下させる。信
号電荷がこれらの値を越えると当該題素内に留まること
ができず溢れることになるが、CCD部で溢れるよt)
PD部で溢れる方が画像として見苦しいため、通常Qm
ax(PD)>Qmax (CCD)となるよう設計さ
れる。この場合Qmax(CCD)が取扱い電荷量の指
標となる。
で以下の問題?生じる。まずPD部面積の縮小は光電変
換領域の縮小となフ感度の低下を招く。次にPD部及び
CCD部の面積縮小は各々での最大取扱い電荷!Qma
x(PD) 、 Qmax(COD)を低下させる。信
号電荷がこれらの値を越えると当該題素内に留まること
ができず溢れることになるが、CCD部で溢れるよt)
PD部で溢れる方が画像として見苦しいため、通常Qm
ax(PD)>Qmax (CCD)となるよう設計さ
れる。この場合Qmax(CCD)が取扱い電荷量の指
標となる。
第5図にセルサイズと感度及び取扱い電荷量の関係を示
す。セルサイズを縮小した場合、C8部等一定の無効領
域があること及び2次元効果により、感度、取扱い電荷
量ともに比例の場合より急激に低下する。最近CCD受
光部の上にマイクロレンズを形成し、実効的な光電変換
領域を拡大する技術が用いられるようになってきた。こ
の場合、感度に寄与しないセル内無効領域を小さく抑え
ることが可能になり、セルサイズが小さい程マイクロレ
ンズの効果は大きくなる。一方、PD部及びCCD部の
容量増大を図ることは一般に駆動電圧の上昇を招くため
、駆動条件一定のもとでは種々の条件の最適化によりわ
ずかな改善が期待できる程度である。第5図において、
セルサイズk Crから02に縮小した場合、感度はマ
イクロレンズの採用によりA1−A2と同程度に保つこ
とが可能であるが、取扱い電荷量の改善はあまり期待で
きず、Bl−+B2とかなり低下する。取扱い電荷量の
低下はダイナミックレジジの低下となり、画像の深みg
t−劣化させることになる。
す。セルサイズを縮小した場合、C8部等一定の無効領
域があること及び2次元効果により、感度、取扱い電荷
量ともに比例の場合より急激に低下する。最近CCD受
光部の上にマイクロレンズを形成し、実効的な光電変換
領域を拡大する技術が用いられるようになってきた。こ
の場合、感度に寄与しないセル内無効領域を小さく抑え
ることが可能になり、セルサイズが小さい程マイクロレ
ンズの効果は大きくなる。一方、PD部及びCCD部の
容量増大を図ることは一般に駆動電圧の上昇を招くため
、駆動条件一定のもとでは種々の条件の最適化によりわ
ずかな改善が期待できる程度である。第5図において、
セルサイズk Crから02に縮小した場合、感度はマ
イクロレンズの採用によりA1−A2と同程度に保つこ
とが可能であるが、取扱い電荷量の改善はあまり期待で
きず、Bl−+B2とかなり低下する。取扱い電荷量の
低下はダイナミックレジジの低下となり、画像の深みg
t−劣化させることになる。
く課題を解決するための手段〉
本発明は以上のような問題点に鑑みて考案されたもので
、以下のような特徴を備える。2次元電荷転送型置体撮
像装置において、nをlより大きい整数として、当該固
体撮像装置の読み出し速度を標準の読み出し速度のn倍
とし、読み出された信号を同一画素同士の組合せでn回
加算してメモリに記録し、当該メモリから標準の読み出
し速度で読み出すことにより、撮像装置の信号取扱い能
力を実質的に高める。ここで、標準の読み出し速度は放
送用TV規格に一致させるのが一般的には望ましい。
、以下のような特徴を備える。2次元電荷転送型置体撮
像装置において、nをlより大きい整数として、当該固
体撮像装置の読み出し速度を標準の読み出し速度のn倍
とし、読み出された信号を同一画素同士の組合せでn回
加算してメモリに記録し、当該メモリから標準の読み出
し速度で読み出すことにより、撮像装置の信号取扱い能
力を実質的に高める。ここで、標準の読み出し速度は放
送用TV規格に一致させるのが一般的には望ましい。
く作 用〉
CCD型固体撮像素子では読み出し速度を通常の数倍程
度に高めても取扱い電荷量を規定するPD部容量及びC
CD部容量はあまり劣化しない。特に素子の小型化が進
む程ゲート電極の負荷容量は小さくなるから、増々高速
駆動に有利となる。
度に高めても取扱い電荷量を規定するPD部容量及びC
CD部容量はあまり劣化しない。特に素子の小型化が進
む程ゲート電極の負荷容量は小さくなるから、増々高速
駆動に有利となる。
CCD撮像素子に前記手段を講じると、信号の時間密度
は一挙にn倍近く高められる。従って、これをメモリヲ
用いて通常の時間密度に戻せば、1画素相当の取扱い電
荷量lin倍近くに高められる。
は一挙にn倍近く高められる。従って、これをメモリヲ
用いて通常の時間密度に戻せば、1画素相当の取扱い電
荷量lin倍近くに高められる。
く実施例〉
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳MK説明する。
第1図は本発明の一実施例をタイミング図で示したもの
である。以下では原論を容易にするため撮像素子はイン
ターライン転送型CCDとし、またフィールド蓄積モー
ドとする。即ち撮像素子の水平画素列を読み出しの早い
側からl 1.12゜13、・・・とすると、通常の駆
動モードでは奇数フィールド読出し時(to )にはl
r 十12 、l s 十14 。
である。以下では原論を容易にするため撮像素子はイン
ターライン転送型CCDとし、またフィールド蓄積モー
ドとする。即ち撮像素子の水平画素列を読み出しの早い
側からl 1.12゜13、・・・とすると、通常の駆
動モードでは奇数フィールド読出し時(to )にはl
r 十12 、l s 十14 。
・・・のように上下2画素加算して読出すよう読出しパ
ルス(φT)がオンとなり、偶数フィールド読出し時(
tE)には、l 2 + l 3 、 l 4 +l
s 、・・・のように上下2画素加算して読出すよう読
出しパルス(φT)がオンとなる。しかし、本発明が問
題とするのは取扱い電荷量が問題となる高照度撮像時で
ある。まず奇数フィールドではgt+12.g3十14
、・・・のように上下2画素ぶ算して読出すのはt□、
、 t□、+ ・・・、 t+)H(第1図ではn
=4)と1回繰返し行なわれ、検出部への電荷転送もそ
れに伴って通常よりn倍速くlフィールド内にn回読呂
される。1回繰返される画素情報はメモリと加算器を用
いて同一画素同士n回加算されてメモリMIK記録され
るようにする。偶数フィールドでも同じように、l 2
+ 13 、 l a + l s 、・・・のよう
に上下2画素m算して読出されるのはj El 、
jE2 *・・・ tHnとn回行なわれ、これら8回
の画素情報がメモリと加算器により同一画素同士0回m
算されでメモリM2に記録される。メモリからの読出し
は、Mlに加算書込みが行なわれている奇数フィールド
期間中はM2から行なわれ、M2に加算書込みが行なわ
れている偶数フィールド期間中はMlから行なわれる。
ルス(φT)がオンとなり、偶数フィールド読出し時(
tE)には、l 2 + l 3 、 l 4 +l
s 、・・・のように上下2画素加算して読出すよう読
出しパルス(φT)がオンとなる。しかし、本発明が問
題とするのは取扱い電荷量が問題となる高照度撮像時で
ある。まず奇数フィールドではgt+12.g3十14
、・・・のように上下2画素ぶ算して読出すのはt□、
、 t□、+ ・・・、 t+)H(第1図ではn
=4)と1回繰返し行なわれ、検出部への電荷転送もそ
れに伴って通常よりn倍速くlフィールド内にn回読呂
される。1回繰返される画素情報はメモリと加算器を用
いて同一画素同士n回加算されてメモリMIK記録され
るようにする。偶数フィールドでも同じように、l 2
+ 13 、 l a + l s 、・・・のよう
に上下2画素m算して読出されるのはj El 、
jE2 *・・・ tHnとn回行なわれ、これら8回
の画素情報がメモリと加算器により同一画素同士0回m
算されでメモリM2に記録される。メモリからの読出し
は、Mlに加算書込みが行なわれている奇数フィールド
期間中はM2から行なわれ、M2に加算書込みが行なわ
れている偶数フィールド期間中はMlから行なわれる。
また、これら読出しの速度は第1図に示すように通常の
読出し速度であるため、各画素情報はn回加算されたも
のとなる。即ち撮像素子の最大取扱い電荷量は冥質的に
n倍に増大されることになる。なお低照度撮像時にはn
=1とした方が良いが、これについては第3図において
後述する。またメモ!JM1.M2は原理的にはアナロ
グでもディジタルでもいずれでも可能である。
読出し速度であるため、各画素情報はn回加算されたも
のとなる。即ち撮像素子の最大取扱い電荷量は冥質的に
n倍に増大されることになる。なお低照度撮像時にはn
=1とした方が良いが、これについては第3図において
後述する。またメモ!JM1.M2は原理的にはアナロ
グでもディジタルでもいずれでも可能である。
第2oは第1歯を具体的に実現するための回路10ツク
図を示したものである。ここではメモリM1.M2はデ
ィジタルの場合を例に取る。CCD撮像素子CCDから
通常のn倍の速さで読出さnた高力信号はアンプAMP
により適当な電圧に変換された後、A/D変換話A/D
によりディジタル化される。第1図t。1で読出された
信号は一度メモリM1へ記録される。この信号はT o
/ n期間後呼出されt。2で読み出された信号と加算
器ADDで同一画素同士加算された後、再後メモリM1
へ記録される。以下、t03.・・・、tonで読出さ
れた信号に対しても同様の操作が行なわれる。
図を示したものである。ここではメモリM1.M2はデ
ィジタルの場合を例に取る。CCD撮像素子CCDから
通常のn倍の速さで読出さnた高力信号はアンプAMP
により適当な電圧に変換された後、A/D変換話A/D
によりディジタル化される。第1図t。1で読出された
信号は一度メモリM1へ記録される。この信号はT o
/ n期間後呼出されt。2で読み出された信号と加算
器ADDで同一画素同士加算された後、再後メモリM1
へ記録される。以下、t03.・・・、tonで読出さ
れた信号に対しても同様の操作が行なわれる。
結局、最終的にメモリM1に記録されるのはtol。
to2.・・・ ton各々で読出された信号のmX値
である。同様のことがjE+、jE2.・・・+tHn
に対して行なわれメモ’JM2にn回加算された信号が
記録される。次に、奇数フィールドではメモリM2から
、偶数フィールドではメモ’JMIから通常の読出し速
度で読出され、D/A変換器D/りt−介して最大取扱
い電荷量がn倍に高められたアナログ8力信号Aが出力
される。なおCCDの駆動は通常のn倍と高速のため[
A/D変換〕→〔メモリからの読出し〕→[信号加算]
→〔メモリへの格納〕を高速で行なう必要が生じる。従
って、この部分krn個(例えばm=n)のパラレル処
理とし、処理速度1/mに下げることが有効である。以
上のシステムはCCD撮像素子の駆動と連係して行なう
必要があり、第2図の場合中央演算処理装置CPUが制
御している。TGはタイミング発生回路、DRはドライ
バである。
である。同様のことがjE+、jE2.・・・+tHn
に対して行なわれメモ’JM2にn回加算された信号が
記録される。次に、奇数フィールドではメモリM2から
、偶数フィールドではメモ’JMIから通常の読出し速
度で読出され、D/A変換器D/りt−介して最大取扱
い電荷量がn倍に高められたアナログ8力信号Aが出力
される。なおCCDの駆動は通常のn倍と高速のため[
A/D変換〕→〔メモリからの読出し〕→[信号加算]
→〔メモリへの格納〕を高速で行なう必要が生じる。従
って、この部分krn個(例えばm=n)のパラレル処
理とし、処理速度1/mに下げることが有効である。以
上のシステムはCCD撮像素子の駆動と連係して行なう
必要があり、第2図の場合中央演算処理装置CPUが制
御している。TGはタイミング発生回路、DRはドライ
バである。
次に本発明による性能改善を議論する。横軸に光量(対
数スケ−/I/)、縦軸に出力(対数スケール)を取り
、信号と各種ノイズ全プロットすると第3図のようにな
る。ここで、感度ムラノイズは画素毎の感度ばらつきに
起因し、信号に比例する為、高照度時に問題となる。光
電変換ノイズは光電変換に原理的に伴なうショットノイ
ズで、信号の平方根に比例する為、中間照度時に問題と
なる。
数スケ−/I/)、縦軸に出力(対数スケール)を取り
、信号と各種ノイズ全プロットすると第3図のようにな
る。ここで、感度ムラノイズは画素毎の感度ばらつきに
起因し、信号に比例する為、高照度時に問題となる。光
電変換ノイズは光電変換に原理的に伴なうショットノイ
ズで、信号の平方根に比例する為、中間照度時に問題と
なる。
また、出力部ノイズは主に検出部のリセットノイズと出
力アンプノイズで構成され、信号に依存しない一定量と
なる為、低照度時に問題となる。さて、撮像素子の最大
取扱い信号量を81とすると、本発明によりこれはシス
テム全体ではnslにまでなり、n倍より小さい。従っ
てダイナミックレンジは拡大される。−万、低照度にお
ける感度を考えると、本発明を用いても積分期間は変ら
ないため信号量は変化しない。−万、ノイズの方は低照
度で感度ムラは無視できるが、出力部ノイズは加算操作
により増大するから全体として (NA2)”+(NS
2)”−からψ’、JFV NA2)’+ (NS2)
” へ増大する。従って低照度時にはn=1、即ち加算
処理を行なわない方が望ましい。
力アンプノイズで構成され、信号に依存しない一定量と
なる為、低照度時に問題となる。さて、撮像素子の最大
取扱い信号量を81とすると、本発明によりこれはシス
テム全体ではnslにまでなり、n倍より小さい。従っ
てダイナミックレンジは拡大される。−万、低照度にお
ける感度を考えると、本発明を用いても積分期間は変ら
ないため信号量は変化しない。−万、ノイズの方は低照
度で感度ムラは無視できるが、出力部ノイズは加算操作
により増大するから全体として (NA2)”+(NS
2)”−からψ’、JFV NA2)’+ (NS2)
” へ増大する。従って低照度時にはn=1、即ち加算
処理を行なわない方が望ましい。
〈発明の効果〉
以上述べてきたように、本発明によれば、撮像素子の構
造には特に手を加えなくても撮像システム全体のダイナ
ミックレンジを容易に拡大できる。
造には特に手を加えなくても撮像システム全体のダイナ
ミックレンジを容易に拡大できる。
殊に今後撮像システムがデジタル化に進む方向にあり、
この場合本発明の実現は容易なものとなる。
この場合本発明の実現は容易なものとなる。
第1図は本発明の一冥施例を示すタイミング図第2図は
第1図を実現するための一例を示す回路ブロック図、第
30は本発明による性能改善を説明するための図、第4
図は従来−船釣に用いられているCCD型固体撮像素子
の一画素内面積配分を示した図、第5図は第4図に示す
撮像素子におけるセルサイズと感度及び取扱い電荷量の
関係?示した図である。 符号の説明 CCD : CCD撮像素子、 AMP :アンプ、A
/l) : A/D変換器、 Ml、M2:メモリ、A
DD :加算器、 D/A : D/A変換器、CPU
:中央演算処理装置、 TG:タイミング発生回路、
DR:ドライバ、 A:アナログ出力信号。 代理人 弁理士 梅 1) 勝(他2名)蘂 図 第3 図
第1図を実現するための一例を示す回路ブロック図、第
30は本発明による性能改善を説明するための図、第4
図は従来−船釣に用いられているCCD型固体撮像素子
の一画素内面積配分を示した図、第5図は第4図に示す
撮像素子におけるセルサイズと感度及び取扱い電荷量の
関係?示した図である。 符号の説明 CCD : CCD撮像素子、 AMP :アンプ、A
/l) : A/D変換器、 Ml、M2:メモリ、A
DD :加算器、 D/A : D/A変換器、CPU
:中央演算処理装置、 TG:タイミング発生回路、
DR:ドライバ、 A:アナログ出力信号。 代理人 弁理士 梅 1) 勝(他2名)蘂 図 第3 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、平面上に一定の繰返し周期で配置された複数の受光
画素からの信号を電荷転送により読み出す固体撮像装置
において、 nを1より大きい整数として、当該固体撮像装置の読み
出し速度を標準の読み出し速度のn倍とし、読み出され
た信号を同一画素同士の組合せでn回加算してメモリに
記録し、当該メモリから標準の読み出し速度で読み出す
ことにより、撮像装置の信号取扱い能力を実質的に高め
たことを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244973A JP2662455B2 (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 固体撮像装置 |
| DE69114643T DE69114643T2 (de) | 1990-09-13 | 1991-09-13 | Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung. |
| EP91308373A EP0476936B1 (en) | 1990-09-13 | 1991-09-13 | Solid state image sensing device |
| US08/180,769 US5420629A (en) | 1990-09-13 | 1994-01-10 | Solid state image sensing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244973A JP2662455B2 (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04122178A true JPH04122178A (ja) | 1992-04-22 |
| JP2662455B2 JP2662455B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17126706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2244973A Expired - Fee Related JP2662455B2 (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 固体撮像装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5420629A (ja) |
| EP (1) | EP0476936B1 (ja) |
| JP (1) | JP2662455B2 (ja) |
| DE (1) | DE69114643T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0115351A2 (en) | 1983-01-28 | 1984-08-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Silver halide light-sensitive material |
| WO2008072312A1 (ja) * | 2006-12-12 | 2008-06-19 | Shimadzu Corporation | 放射線撮像装置および放射線検出信号処理方法 |
Families Citing this family (17)
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| US5606366A (en) * | 1991-10-28 | 1997-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensor driving apparatus wherein photoelectric conversion operations are performed a plurality of times |
| US5703639A (en) * | 1994-10-25 | 1997-12-30 | Dalsa, Inc. | Charge coupled device pulse discriminator |
| US5926216A (en) * | 1994-12-27 | 1999-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus |
| JPH10178585A (ja) * | 1996-12-19 | 1998-06-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像生成装置 |
| US6335757B1 (en) | 1997-09-02 | 2002-01-01 | Bojko Vodanovic | CCD imaging device for high speed profiling |
| JP3730419B2 (ja) * | 1998-09-30 | 2006-01-05 | シャープ株式会社 | 映像信号処理装置 |
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| JP3819631B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2006-09-13 | 三洋電機株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4320835B2 (ja) * | 1999-04-16 | 2009-08-26 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法並びにカメラシステム |
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| US7292274B2 (en) * | 2001-11-06 | 2007-11-06 | Eastman Kodak Company | Solid-state image pickup device driving method and image capturing apparatus for outputting high-resolution signals for still images and moving images of improved quality at a high frame rate |
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