JPH04122608A - 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置 - Google Patents
内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置Info
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- JPH04122608A JPH04122608A JP2242440A JP24244090A JPH04122608A JP H04122608 A JPH04122608 A JP H04122608A JP 2242440 A JP2242440 A JP 2242440A JP 24244090 A JP24244090 A JP 24244090A JP H04122608 A JPH04122608 A JP H04122608A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、内周刃スライサーによって単結晶インゴット
をこれの軸直角方向に薄く切断することによって複数の
ウェーハを得る単結晶インゴットの切断方法と切断装置
に関する。
をこれの軸直角方向に薄く切断することによって複数の
ウェーハを得る単結晶インゴットの切断方法と切断装置
に関する。
（従来の技術）
例えば、半導体製造分野においては、単結晶引上装置に
よって引き上げられたシリコン単結晶インゴットを内周
刃スライサーによって軸直角方向に薄く切断することに
よって複数のシリコン半導体ウェーハを得ているか、内
周刃スライサーのプレートの振れ、摩耗、目詰り等に起
因して半導体ウェーハには反りか不可避的に発生してし
まう。
よって引き上げられたシリコン単結晶インゴットを内周
刃スライサーによって軸直角方向に薄く切断することに
よって複数のシリコン半導体ウェーハを得ているか、内
周刃スライサーのプレートの振れ、摩耗、目詰り等に起
因して半導体ウェーハには反りか不可避的に発生してし
まう。
そこて、現在市販されている内周刃スライサーには、そ
のフレートの振れを測定する変位計か装備されているも
のかあり、この変位計によってプレートの振れを検出し
、この検出結果に基づいて適宜切刃のトレッシングを行
なったり、フレードの振れ量を切り込み速度にフィード
バックする等の方法によって反りの小さな半導体ウェー
ハを得る試みがなされている。
のフレートの振れを測定する変位計か装備されているも
のかあり、この変位計によってプレートの振れを検出し
、この検出結果に基づいて適宜切刃のトレッシングを行
なったり、フレードの振れ量を切り込み速度にフィード
バックする等の方法によって反りの小さな半導体ウェー
ハを得る試みがなされている。
（発明か解決しようとする課題）
しかしながら、検出されるプレートの振れの絶対量か小
さいため、プレートの振れを如何に制御しても半導体ウ
ェーへの反りのバラツキを小さく抑えることか難しいと
いう問題かある。
さいため、プレートの振れを如何に制御しても半導体ウ
ェーへの反りのバラツキを小さく抑えることか難しいと
いう問題かある。
又、切断されるべき単結晶の直径か大きくなるとともに
、内周刃スライサーの口径が大きくなると、ブレードの
振れを制御するのては、半導体ウェーハの反りのバラツ
キを抑えることか益々困難になるという問題かある。
、内周刃スライサーの口径が大きくなると、ブレードの
振れを制御するのては、半導体ウェーハの反りのバラツ
キを抑えることか益々困難になるという問題かある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものでその目的とす
る処は、反りの小さいウェーハを得ることかできる内周
刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装
置を提供することにある。
る処は、反りの小さいウェーハを得ることかできる内周
刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装
置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成すべく本発明は、所定の速度て回転駆動
される内周刃スライサーによって単結晶をこれの軸直角
方向に薄く切断することによって複数のウェーハを得る
単結晶インゴットの切断方法において、切断中に前記単
結晶インゴットか受ける切断抵抗を検出し、この切断抵
抗か所定値を超えると、切り込み速度を下げると同時に
、前記内周刃スライサーの回転数を上げるように制御す
ることをその特徴とする。
される内周刃スライサーによって単結晶をこれの軸直角
方向に薄く切断することによって複数のウェーハを得る
単結晶インゴットの切断方法において、切断中に前記単
結晶インゴットか受ける切断抵抗を検出し、この切断抵
抗か所定値を超えると、切り込み速度を下げると同時に
、前記内周刃スライサーの回転数を上げるように制御す
ることをその特徴とする。
又、本発明は、単結晶インゴットをこれの軸直角方向に
切断する内周刃スライサーと、該内周刃スライサーを所
定の速度て回転駆動する駆動源と、該駆動源又は単結晶
インゴットを単結晶インゴットの切り込み方向に移動せ
しめる移動源を含んて構成される＃ｉ鮎晶インゴウトの
切断装置において、切断中に前記単結晶インゴットか受
ける切断抵抗を検出する圧電型切削動力計と、該圧電型
切削動力計によって検出された切断抵抗を受け、これか
所定値を超えると前記移動源の速度を下げると同時に前
記駆動源の速度を上げるコントローラを設けたことをそ
の特徴とする。
切断する内周刃スライサーと、該内周刃スライサーを所
定の速度て回転駆動する駆動源と、該駆動源又は単結晶
インゴットを単結晶インゴットの切り込み方向に移動せ
しめる移動源を含んて構成される＃ｉ鮎晶インゴウトの
切断装置において、切断中に前記単結晶インゴットか受
ける切断抵抗を検出する圧電型切削動力計と、該圧電型
切削動力計によって検出された切断抵抗を受け、これか
所定値を超えると前記移動源の速度を下げると同時に前
記駆動源の速度を上げるコントローラを設けたことをそ
の特徴とする。
（作用）
一般に、単結晶インゴットか受ける切断抵抗は切り込み
速度に比例し、切り込み速度か犬きくなると切断抵抗も
大きくなる。又、内周刃スライサーの刃先に付着した切
粉によって刃先に目詰まりか生ずると切断抵抗か上昇す
るか、斯かる場合には、内周刃スライサーの回転数を上
げると切削力か増大し、且つ切粉の排出か円滑となり、
切断抵抗を下げることかできる。
速度に比例し、切り込み速度か犬きくなると切断抵抗も
大きくなる。又、内周刃スライサーの刃先に付着した切
粉によって刃先に目詰まりか生ずると切断抵抗か上昇す
るか、斯かる場合には、内周刃スライサーの回転数を上
げると切削力か増大し、且つ切粉の排出か円滑となり、
切断抵抗を下げることかできる。
而して、切断抵抗を小さく抑えると、内周刃スライサー
に加わる抵抗か小さくなって内周刃スライサーの振れも
小さくなるため、切り出されるウェーハの反りを小さく
抑えることかてきる。
に加わる抵抗か小さくなって内周刃スライサーの振れも
小さくなるため、切り出されるウェーハの反りを小さく
抑えることかてきる。
従って、本発明のように切断中に単結晶インゴットか受
ける切断抵抗を検出し、その値か所定値を超えると、切
り込み速度を下げると同時に内周刃スライサーの回転数
を上げるようにすれば、切断抵抗を小さく抑えて内周刃
スライサーの振れを小さくすることかてきるため、反り
の小さいウェーハを得ることかてきる。即ち、本発明は
絶対値の小さい内周刃スライサーの振れを検出するばか
りてなく、単結晶インゴットか受ける切断抵抗を検出し
てこの値に応して切り込み速度と内周刃スライサーの回
転数を制御することによって切断抵抗を一定値以下に抑
え、延いては内周刃スライサーの振れを小さくし、結果
として反りの小さなウェーハを得るようにしだものであ
る。
ける切断抵抗を検出し、その値か所定値を超えると、切
り込み速度を下げると同時に内周刃スライサーの回転数
を上げるようにすれば、切断抵抗を小さく抑えて内周刃
スライサーの振れを小さくすることかてきるため、反り
の小さいウェーハを得ることかてきる。即ち、本発明は
絶対値の小さい内周刃スライサーの振れを検出するばか
りてなく、単結晶インゴットか受ける切断抵抗を検出し
てこの値に応して切り込み速度と内周刃スライサーの回
転数を制御することによって切断抵抗を一定値以下に抑
え、延いては内周刃スライサーの振れを小さくし、結果
として反りの小さなウェーハを得るようにしだものであ
る。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明する
。
。
第１図は本発明に係る切断装置の構成図、第２図は同切
断装置要部の側面図、第３図は第２図のｍ−ｍ線断面図
である。
断装置要部の側面図、第３図は第２図のｍ−ｍ線断面図
である。
先ず、第１図に基づいて本発明に係る切断装置の基本構
成を説明するに、同図中、１は内周刃スライサーてあり
、これは薄いリンク状のフレート２の外周縁をドラム状
の主軸ヘット３に取り村けて構成され、フレート２は鉛
直に支持され、その内周部（開口部）には固定タイヤモ
ント砥粒から成る刃先２ａか取り付けられている。そし
て、この内周刃スライサーｌは駆動源たる主軸モーター
４の出力軸に結着されている。
成を説明するに、同図中、１は内周刃スライサーてあり
、これは薄いリンク状のフレート２の外周縁をドラム状
の主軸ヘット３に取り村けて構成され、フレート２は鉛
直に支持され、その内周部（開口部）には固定タイヤモ
ント砥粒から成る刃先２ａか取り付けられている。そし
て、この内周刃スライサーｌは駆動源たる主軸モーター
４の出力軸に結着されている。
又、前記内周刃スライサー１の近傍にはインゴット保持
台を兼ねる切り込み送りユニット５か設置されており、
該切り込み送りユニット５上には切断されるべき丸棒状
のシリコン単結晶インゴット６、該シリコン単結晶イン
ゴット６に振動を付かすべき圧電素子７及び単結晶イン
ゴット６を内周刃スライサー１方向へ所定量たけ送って
これを割り出すインゴット割り出しユニット８か設置さ
れている。そして、上記切り込み送りユニット５及び前
記主軸モーター４には制御手段たるコントローラ９か電
気的に接続されている。
台を兼ねる切り込み送りユニット５か設置されており、
該切り込み送りユニット５上には切断されるべき丸棒状
のシリコン単結晶インゴット６、該シリコン単結晶イン
ゴット６に振動を付かすべき圧電素子７及び単結晶イン
ゴット６を内周刃スライサー１方向へ所定量たけ送って
これを割り出すインゴット割り出しユニット８か設置さ
れている。そして、上記切り込み送りユニット５及び前
記主軸モーター４には制御手段たるコントローラ９か電
気的に接続されている。
ところて１本切断装置には切断中に前記単結晶インゴッ
ト６か受ける切断抵抗を検出する圧電型切削動力計１０
と内周刃スライサーｌのブレード２の振れを検出する振
れ測定変位計１１及びプレート２の刃先２ａのトレッシ
ングを行なうドレッシングユニット１２か設けられてお
り、これらは前記コントローラ９に電気的に接続されて
いる。
ト６か受ける切断抵抗を検出する圧電型切削動力計１０
と内周刃スライサーｌのブレード２の振れを検出する振
れ測定変位計１１及びプレート２の刃先２ａのトレッシ
ングを行なうドレッシングユニット１２か設けられてお
り、これらは前記コントローラ９に電気的に接続されて
いる。
尚、振れ測定変位計１１のプローブｌｌａはプレート２
の刃先２ａ近傍に設置されている。
の刃先２ａ近傍に設置されている。
又、第２図及び第３図に示すように、プレート２の刃先
２ａ近傍には冷却用研削液を噴出する噴出ノズル１３と
洗浄用研削液を噴出する噴出ノズル１４及び該噴出ノズ
ル１４から噴出される洗浄用研削液に超音波振動を与え
る振動子１５が設けられており、振動子１５は超音波発
振器１６によって駆動される。
２ａ近傍には冷却用研削液を噴出する噴出ノズル１３と
洗浄用研削液を噴出する噴出ノズル１４及び該噴出ノズ
ル１４から噴出される洗浄用研削液に超音波振動を与え
る振動子１５が設けられており、振動子１５は超音波発
振器１６によって駆動される。
而して、前記主軸モーター４が第１図の矢印Ａ方向に回
転すると、これに直結された内周刃スライサーｌか同方
向に所定速度で回転駆動される。
転すると、これに直結された内周刃スライサーｌか同方
向に所定速度で回転駆動される。
この状態て前記インゴット割り出しユニット８によって
シリコン単結晶インゴット６を図示矢印Ｃ方向に所定量
たけ移動させてこれの割り出しを行ない、該単結晶イン
ゴット６を図示のように内周刃スライサーｌのプレート
２の開口部に臨ませる。尚、単結晶インゴット６には前
記圧電素子７によって適当な振動か付与されている。
シリコン単結晶インゴット６を図示矢印Ｃ方向に所定量
たけ移動させてこれの割り出しを行ない、該単結晶イン
ゴット６を図示のように内周刃スライサーｌのプレート
２の開口部に臨ませる。尚、単結晶インゴット６には前
記圧電素子７によって適当な振動か付与されている。
次に、前記切り込み送りユニット５を駆動して単結晶イ
ンゴット６をインゴット割り出しユニット８と共に第１
図の矢印Ｂ方向に移動させれば、単結晶インゴット６は
回転するブレード２の刃先２ａによって軸直角方向に切
断され、第２図に示すように薄い円板状のシリコン半導
体ウェーハＷか得られる。尚、その後は切り込み送りユ
ニット５か反矢印Ｂ方向に移動せしめられて元の位置に
復帰すると同時に、単結晶インゴット６かインゴット割
り出しユニット８によって矢印Ｃ方向に所定量たけ移動
せしめられて割り出され、以後は前記と同様の動作によ
って次の半導体ウェーハＷか切り出され、この一連の動
作が繰り返されて複数の半導体ウェーハＷ・・・か次々
に得られる。
ンゴット６をインゴット割り出しユニット８と共に第１
図の矢印Ｂ方向に移動させれば、単結晶インゴット６は
回転するブレード２の刃先２ａによって軸直角方向に切
断され、第２図に示すように薄い円板状のシリコン半導
体ウェーハＷか得られる。尚、その後は切り込み送りユ
ニット５か反矢印Ｂ方向に移動せしめられて元の位置に
復帰すると同時に、単結晶インゴット６かインゴット割
り出しユニット８によって矢印Ｃ方向に所定量たけ移動
せしめられて割り出され、以後は前記と同様の動作によ
って次の半導体ウェーハＷか切り出され、この一連の動
作が繰り返されて複数の半導体ウェーハＷ・・・か次々
に得られる。
ところて、上記切断作業中においては、噴射ノズル１３
．１４からそれぞれ冷却用研削液洗浄用研削液か内周刃
スライサー１のプレート２の刃先２ａに向かって噴出さ
れており、刃先２ａはこれらの研削液によって冷却及び
洗浄されるか、特に噴射ノズル１４から噴出される洗浄
用研削液には超音波発振器１６にて駆動される振動子１
５にて超音波振動か与えられている。
．１４からそれぞれ冷却用研削液洗浄用研削液か内周刃
スライサー１のプレート２の刃先２ａに向かって噴出さ
れており、刃先２ａはこれらの研削液によって冷却及び
洗浄されるか、特に噴射ノズル１４から噴出される洗浄
用研削液には超音波発振器１６にて駆動される振動子１
５にて超音波振動か与えられている。
又、切断作業中においては、単結晶インゴット６か受け
る切断抵抗か前記圧電型切削動力計１０によって検出さ
れ、又、内周刃スライサー１のフレード２の振れか振れ
測定変位計１１（プローブ１ｌａ）によって検出され、
切断抵抗と振れの検出データは前記コントローラ９に入
力される。
る切断抵抗か前記圧電型切削動力計１０によって検出さ
れ、又、内周刃スライサー１のフレード２の振れか振れ
測定変位計１１（プローブ１ｌａ）によって検出され、
切断抵抗と振れの検出データは前記コントローラ９に入
力される。
尚、単結晶インゴット６か受ける切断抵抗は圧電型切削
動力計ｌＯによって直交座標軸ｘ、ｙ、ｚ方向（Ｘ方向
は切断方向（切り込み方向）、Ｙ方向は接線方向（内周
刃スライサー１の回転方向、Ｚ方向は単結晶インゴット
６の軸方向である）の成分か三次元的に直接計測される
。
動力計ｌＯによって直交座標軸ｘ、ｙ、ｚ方向（Ｘ方向
は切断方向（切り込み方向）、Ｙ方向は接線方向（内周
刃スライサー１の回転方向、Ｚ方向は単結晶インゴット
６の軸方向である）の成分か三次元的に直接計測される
。
ところで、一般に単結晶インゴット６か受ける切断抵抗
は切り込み速度に比例し、切り込み速度か大きくなると
切断抵抗も大きくなる。又、内周刃スライサーｌのブレ
ード２の刃先２ａに付着した切粉によって刃先２ａに目
詰まりか生ずると単結晶インゴット６か受ける切断抵抗
か上昇するか、斯かる場合には内周刃スライサーｌの回
転数を上げると切粉の排出が円滑に効率良くなされて切
断抵抗を下げることができる。
は切り込み速度に比例し、切り込み速度か大きくなると
切断抵抗も大きくなる。又、内周刃スライサーｌのブレ
ード２の刃先２ａに付着した切粉によって刃先２ａに目
詰まりか生ずると単結晶インゴット６か受ける切断抵抗
か上昇するか、斯かる場合には内周刃スライサーｌの回
転数を上げると切粉の排出が円滑に効率良くなされて切
断抵抗を下げることができる。
而して、単結晶インゴット６か切断中に受ける切断抵抗
を小さく抑えると、内周刃スライサーｌに加わる抵抗が
小さくなってプレート２の振れも小さくなるため、切り
出される半導体ウェーハＷの反りを小さく抑えることか
できる。
を小さく抑えると、内周刃スライサーｌに加わる抵抗が
小さくなってプレート２の振れも小さくなるため、切り
出される半導体ウェーハＷの反りを小さく抑えることか
できる。
従って、本実施例では制御パラメータとして切り込み速
度と内周刃スライサーｌの回転数の２つを選び、これら
の制御パラメータを単結晶インゴット６か受ける切断抵
抗の値に応じて変化させることによって、即ち切断抵抗
を切り込み速度と内周刃スライサー１の回転数にフィー
ドバックすることによって該切＠抵抗を一定ｍ以下に抑
え、内周刃スライサーｌの抵抗を下げてこれのフレート
２の振れを小さく抑え、以て反りの小さい半導体ウェー
ハＷを得るようにした。即ち、圧電型切削動力計１０か
ら入力される単結晶インゴット６の切断抵抗か所定値を
超えると、コントローラ９は切り込み送りユニット５と
主軸モーター４にそれぞれ制御信号を送り、切り込み速
度を下げると同時に内周刃スライサー１の回転数を上げ
る。すると、前述の理由によって単結晶インゴット６か
受ける切断抵抗を小さく抑えることかでき、これによっ
て内周刃スライサー１の抵抗力、延いてはブレード２の
振れを小さく抑えることかてき、結果として反りの小さ
い半導体ウェーハＷを得ることかできる。具体的には、
直径５インチの単結晶インゴット６について、その切断
抵抗か１５Ｋｇを超えた時点で切り込み速度を２０％減
し、内周刃スライサー１の回転数をｌＯ％上昇させた結
果１反りか１０ｐｍ以下のウェーハＷを連続して約３０
０枚切断することかできた。
度と内周刃スライサーｌの回転数の２つを選び、これら
の制御パラメータを単結晶インゴット６か受ける切断抵
抗の値に応じて変化させることによって、即ち切断抵抗
を切り込み速度と内周刃スライサー１の回転数にフィー
ドバックすることによって該切＠抵抗を一定ｍ以下に抑
え、内周刃スライサーｌの抵抗を下げてこれのフレート
２の振れを小さく抑え、以て反りの小さい半導体ウェー
ハＷを得るようにした。即ち、圧電型切削動力計１０か
ら入力される単結晶インゴット６の切断抵抗か所定値を
超えると、コントローラ９は切り込み送りユニット５と
主軸モーター４にそれぞれ制御信号を送り、切り込み速
度を下げると同時に内周刃スライサー１の回転数を上げ
る。すると、前述の理由によって単結晶インゴット６か
受ける切断抵抗を小さく抑えることかでき、これによっ
て内周刃スライサー１の抵抗力、延いてはブレード２の
振れを小さく抑えることかてき、結果として反りの小さ
い半導体ウェーハＷを得ることかできる。具体的には、
直径５インチの単結晶インゴット６について、その切断
抵抗か１５Ｋｇを超えた時点で切り込み速度を２０％減
し、内周刃スライサー１の回転数をｌＯ％上昇させた結
果１反りか１０ｐｍ以下のウェーハＷを連続して約３０
０枚切断することかできた。
又、本実施例では圧電素子７によって単結晶インゴット
６に適当な振動を与えながら切断したため、単結晶イン
ゴット６の振動か内周刃スライサー１のフレート２に伝
播されて該プレート２か相対的に微少振動し、この微少
振動によって単結晶インゴット６か破砕作用を受けなが
ら切り進まれ、結果として該単結晶インゴット６か受け
る切断抵抗か小さく抑えられてウェーハＷの反りか更に
小さく抑えられることとなる。具体的には、圧電素子７
によって直径６インチの単結晶インゴット６に周波数２
００〜２０００Ｈ２、振幅ｌＯ〜４０ｐｍの振動を与え
た結果、単結晶インゴット６か受ける切断抵抗を２０〜
３０％低減することができた。又、単結晶インゴット６
に与える振動としては高周波、低振幅の方が切断抵抗値
の低減率か大きくなることか確認された。
６に適当な振動を与えながら切断したため、単結晶イン
ゴット６の振動か内周刃スライサー１のフレート２に伝
播されて該プレート２か相対的に微少振動し、この微少
振動によって単結晶インゴット６か破砕作用を受けなが
ら切り進まれ、結果として該単結晶インゴット６か受け
る切断抵抗か小さく抑えられてウェーハＷの反りか更に
小さく抑えられることとなる。具体的には、圧電素子７
によって直径６インチの単結晶インゴット６に周波数２
００〜２０００Ｈ２、振幅ｌＯ〜４０ｐｍの振動を与え
た結果、単結晶インゴット６か受ける切断抵抗を２０〜
３０％低減することができた。又、単結晶インゴット６
に与える振動としては高周波、低振幅の方が切断抵抗値
の低減率か大きくなることか確認された。
更に、本実施例に５いては、噴射ノズル１４から噴出さ
れる洗浄用研削液に超音波振動を与えたため、研削液の
洗浄効果か高められ、内周刃スライサーｌのプレート２
の刃先２ａのみならず、内周刃スライサーｌ全体も清浄
に保たれ、刃先２ａか切粉によって目詰まりを起こすに
至る時間か延長され、単結晶インゴット６か受ける切断
抵抗をある程度長期に亘って小さく保つことかできる。
れる洗浄用研削液に超音波振動を与えたため、研削液の
洗浄効果か高められ、内周刃スライサーｌのプレート２
の刃先２ａのみならず、内周刃スライサーｌ全体も清浄
に保たれ、刃先２ａか切粉によって目詰まりを起こすに
至る時間か延長され、単結晶インゴット６か受ける切断
抵抗をある程度長期に亘って小さく保つことかできる。
具体的には、研削液に２０〜４０Ｈｚの超音波振動を与
えた結果、超音波の洗浄効果によってフレート２全体か
新品を張り上げたときの清浄さをその寿命まて保つこと
かてきた。そして、このときのプレート２の刃先２ａを
ＳＥＭて１Ｂ！察した結果、目詰まりを示すシリコンの
切粉の付着か殆ど認められなかった。
えた結果、超音波の洗浄効果によってフレート２全体か
新品を張り上げたときの清浄さをその寿命まて保つこと
かてきた。そして、このときのプレート２の刃先２ａを
ＳＥＭて１Ｂ！察した結果、目詰まりを示すシリコンの
切粉の付着か殆ど認められなかった。
しかしながら、上記対策を施しても、内周刃スライサー
ｌのプレート２の刃先２ａの摩耗や脱落等の所謂自生作
用は不可避であるため、刃先２ａのトレッシングを定期
的に行なう必要かある。
ｌのプレート２の刃先２ａの摩耗や脱落等の所謂自生作
用は不可避であるため、刃先２ａのトレッシングを定期
的に行なう必要かある。
そこて、本実施例では、単結晶インゴット６から所定枚
数のウェーハＷ・・・か切り出される毎に単結晶インゴ
ット６の切断抵抗のｘ、ｙ、ｚ方向のベクトル和をコン
トローラ９に３いて演算し、この切断抵抗の絶対値か所
定値を超えていれば、コントローラ９はドレッシングユ
ニット１２に制御信号を送ってこれを駆動制御し、切断
抵抗値と振れ変位計測計１１によって検出されるプレー
ト２の振れ方向とに応じたブレード２の刃先２ａのトレ
ッシングを自動的に行なうようにした。
数のウェーハＷ・・・か切り出される毎に単結晶インゴ
ット６の切断抵抗のｘ、ｙ、ｚ方向のベクトル和をコン
トローラ９に３いて演算し、この切断抵抗の絶対値か所
定値を超えていれば、コントローラ９はドレッシングユ
ニット１２に制御信号を送ってこれを駆動制御し、切断
抵抗値と振れ変位計測計１１によって検出されるプレー
ト２の振れ方向とに応じたブレード２の刃先２ａのトレ
ッシングを自動的に行なうようにした。
具体的には、単結晶インゴット６から５０枚のウェーハ
Ｗ−・・か切り出される毎に切断抵抗の値か１５Ｋｇを
超えているか否かを判断し、超えていれば、振れ測定変
位計１１が示すプレート２の振れ方向とは逆方向の刃先
２ａを１０秒以内の時間たけドレッシングするようにし
た結果、６インチのウェーハＷを連続して約１０００枚
切断することができた。尚、このようにドレッシングを
自動化することにより切断作業全体の無人化の可能性か
見極められる。
Ｗ−・・か切り出される毎に切断抵抗の値か１５Ｋｇを
超えているか否かを判断し、超えていれば、振れ測定変
位計１１が示すプレート２の振れ方向とは逆方向の刃先
２ａを１０秒以内の時間たけドレッシングするようにし
た結果、６インチのウェーハＷを連続して約１０００枚
切断することができた。尚、このようにドレッシングを
自動化することにより切断作業全体の無人化の可能性か
見極められる。
（発明の効果）
以上の説明で明らかな如く、本発明によれば、切断中に
単結晶インゴットか受ける切断抵抗を検出し、その値か
所定値を超えると、切り込み速度を下げると同時に内周
刃スライサーの回転数を上げるようにしたため、切断抵
抗を小さく抑えて内周刃スライサーの振れを小さくする
ことかでき、反りの小さいウェーハを得ることかてきる
という効果か得られる。
単結晶インゴットか受ける切断抵抗を検出し、その値か
所定値を超えると、切り込み速度を下げると同時に内周
刃スライサーの回転数を上げるようにしたため、切断抵
抗を小さく抑えて内周刃スライサーの振れを小さくする
ことかでき、反りの小さいウェーハを得ることかてきる
という効果か得られる。
第１図は本発明に係る切断装置の構成図、第２図は同切
断装置要部の側面図、第３図は第２図の■−■線断面図
である。 １・・・内周刃スライサー、２・・・プレート、２ａ・
・・刃先、４・・・主軸モーター（駆動源）、５・・・
切り込み送りユニット（移動源）、６・・・単結晶イン
ゴット、７・・・圧電素子、９・・・コントローラ、ｉ
ｏ−・・圧電型切削動力計、１１−・・振れ測定変位計
、１２・・・ドレッシングユニット、１３．１４・・・
噴射ノズル、１５・・・超音波発振器。 特許出願人 信越半導体株式会社 代 理 人 弁理士 山 下 亮第２図
断装置要部の側面図、第３図は第２図の■−■線断面図
である。 １・・・内周刃スライサー、２・・・プレート、２ａ・
・・刃先、４・・・主軸モーター（駆動源）、５・・・
切り込み送りユニット（移動源）、６・・・単結晶イン
ゴット、７・・・圧電素子、９・・・コントローラ、ｉ
ｏ−・・圧電型切削動力計、１１−・・振れ測定変位計
、１２・・・ドレッシングユニット、１３．１４・・・
噴射ノズル、１５・・・超音波発振器。 特許出願人 信越半導体株式会社 代 理 人 弁理士 山 下 亮第２図
Claims (8)
- （１）所定の速度で回転駆動される内周刃スライサーに
よって単結晶をこれの軸直角方向に薄く切断することに
よって複数のウェーハを得る単結晶インゴットの切断方
法において、切断中に前記単結晶インゴットが受ける切
断抵抗を検出し、この切断抵抗が所定値を超えると、切
り込み速度を下げると同時に、前記内周刃スライサーの
回転数を上げるように制御することを特徴とする内周刃
スライサーによる単結晶インゴットの切断方法。 - （２）切断中の前記単結晶インゴットに適当な振動を与
えることを特徴とする請求項１記載の内周刃スライサー
による単結晶インゴットの切断方法。 - （３）切断中の前記内周刃スライサーの刃先部に超音波
振動を付与された研削液を供給するようにしたことを特
徴とする請求項１又は２記載の内周刃スライサーによる
単結晶インゴットの切断方法。 - （４）前記単結晶インゴットから所定枚数のウェーハが
切り出される毎に単結晶インゴットの切断抵抗の絶対値
を演算し、この値が所定値を超えていれば、その値と前
記内周刃スライサーの振れ方向に応じた内周刃スライサ
ーの刃先のドレッシングを自動的に行なうようにしたこ
とを特徴とする請求項１、２又は３記載の内周刃スライ
サーによる単結晶インゴットの切断方法。 - （５）単結晶インゴットをこれの軸直角方向に切断する
内周刃スライサーと、該内周刃スライサーを所定の速度
で回転駆動する駆動源と、該駆動源又は単結晶インゴッ
トを単結晶インゴットの切り込み方向に移動せしめる移
動源を含んで構成される単結晶インゴットの切断装置に
おいて、切断中に前記単結晶インゴットが受ける切断抵
抗を検出する圧電型切削動力計と、該圧電型切削動力計
によって検出された切断抵抗を受け、これか所定値を超
えると前記移動源の速度を下げると同時に前記駆動源の
速度を上げるコントローラを設けたことを特徴とする内
周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断装置。 - （６）切断中の前記単結晶インゴットに適当な振動を与
える圧電素子を単結晶インゴットの保持台に組み込んだ
ことを特徴とする請求項５記載の内周刃スライサーによ
る単結晶インゴットの切断装置。 - （７）前記内周刃スライサーの刃先部に研削液を供給す
る噴射ノズルと、該噴射ノズルから噴出する研削液に超
音波振動を与える超音波発振器を設けたことを特徴とす
る請求項５又は６記載の内周刃スライサーによる単結晶
インゴットの切断装置。 - （８）前記内周刃スライサーの振れを検出する振れ測定
変位計と、内周刃スライサーの刃先のドレッシングを行
なうドレッシングユニットを備え、前記コントローラは
、前記単結晶インゴットから所定枚数のウェーハか切り
出される毎に、前記圧電型切削動力計にて検出される単
結晶インゴットの切断抵抗の絶対値を演算し、この値か
所定値を超えていれば、前記ドレッシングユニットを駆
動することを特徴とする請求項５、６又は７記載の内周
刃スライサーによる単結晶インゴットの切断装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242440A JPH04122608A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置 |
| US07/759,541 US5313741A (en) | 1990-09-14 | 1991-09-13 | Method of and an apparatus for slicing a single crystal ingot using an ID saw slicing machine therein |
| DE69114973T DE69114973T2 (de) | 1990-09-14 | 1991-09-16 | Verfahren und Apparat zum Zerschneiden von Einkristallbarren mittels einer Innenlochsäge. |
| EP91308434A EP0476952B1 (en) | 1990-09-14 | 1991-09-16 | Method of and an apparatus for slicing a single crystal ingot using an ID saw slicing machine therein |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242440A JPH04122608A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04122608A true JPH04122608A (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=17089123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2242440A Pending JPH04122608A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 内周刃スライサーによる単結晶インゴットの切断方法及び装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5313741A (ja) |
| EP (1) | EP0476952B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04122608A (ja) |
| DE (1) | DE69114973T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05318460A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-03 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウエハのスライシング方法 |
| JP2823493B2 (ja) * | 1993-01-18 | 1998-11-11 | トーヨーエイテック株式会社 | スライシング装置のブレード撓み検出方法及び装置並びにブレード撓み制御装置 |
| US5718617A (en) * | 1994-09-02 | 1998-02-17 | Bryant Grinder Corporation | Grinding force measurement system for computer controlled grinding operations |
| JP2891187B2 (ja) * | 1995-06-22 | 1999-05-17 | 信越半導体株式会社 | ワイヤーソー装置及び切断方法 |
| JP2943673B2 (ja) * | 1995-10-31 | 1999-08-30 | 日本電気株式会社 | 半導体基板の製造装置及び製造方法 |
| DE19546988A1 (de) | 1995-12-15 | 1997-06-19 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Halbleitermaterial |
| US6245184B1 (en) * | 1997-11-26 | 2001-06-12 | General Electric Company | Method of fabricating scintillators for computed tomograph system |
| US6033288A (en) | 1998-10-29 | 2000-03-07 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Monitoring system for dicing saws |
| US6165051A (en) * | 1998-10-29 | 2000-12-26 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Monitoring system for dicing saws |
| US6913528B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-07-05 | Speedfam-Ipec Corporation | Low amplitude, high speed polisher and method |
| JP6132621B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-05-24 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 半導体単結晶インゴットのスライス方法 |
| CZ2013301A3 (cs) * | 2013-04-22 | 2014-07-16 | Crytur Spol. S R. O. | Dioda emitující bílé světlo s monokrystalickým luminoforem a způsob výroby |
| US9586277B2 (en) * | 2014-09-24 | 2017-03-07 | Ali W ElDessouky | Flush grinder bit |
| KR20220017394A (ko) * | 2019-06-06 | 2022-02-11 | 가부시끼가이샤 도꾸야마 | 다결정 실리콘 로드의 절단 방법, 다결정 실리콘 로드의 컷 로드의 제조 방법, 다결정 실리콘 로드의 너깃의 제조 방법, 및 다결정 실리콘 로드의 절단 장치 |
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| EP0166064B1 (de) * | 1984-06-27 | 1988-03-02 | Maschinenfabrik Meyer & Burger AG | Trennschleifmaschine mit einer Messanordnung und Verwendung dieser Messanordnung |
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| US5025593A (en) * | 1988-01-18 | 1991-06-25 | Mazda Motor Corporation | Slicing machine and control method thereof |
| DE68919373T2 (de) * | 1988-02-15 | 1995-03-30 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Verfahren und Vorrichtung für die Nachbearbeitung auf Innenlochfeinbearbeitungsmaschinen. |
| JPH02134212A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 切断方法 |
| DE3906091A1 (de) * | 1989-02-27 | 1990-08-30 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum zersaegen von stabfoermigen werkstuecken in scheiben mittels innenlochsaege, sowie innenlochsaegen zu seiner durchfuehrung |
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-
1990
- 1990-09-14 JP JP2242440A patent/JPH04122608A/ja active Pending
-
1991
- 1991-09-13 US US07/759,541 patent/US5313741A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-16 EP EP91308434A patent/EP0476952B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-16 DE DE69114973T patent/DE69114973T2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0476952A2 (en) | 1992-03-25 |
| DE69114973D1 (de) | 1996-01-11 |
| EP0476952A3 (en) | 1992-06-24 |
| EP0476952B1 (en) | 1995-11-29 |
| US5313741A (en) | 1994-05-24 |
| DE69114973T2 (de) | 1996-07-25 |
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