JPH04123754A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH04123754A JPH04123754A JP2242383A JP24238390A JPH04123754A JP H04123754 A JPH04123754 A JP H04123754A JP 2242383 A JP2242383 A JP 2242383A JP 24238390 A JP24238390 A JP 24238390A JP H04123754 A JPH04123754 A JP H04123754A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- amount
- ion beam
- implanted
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン注入装置におけるイオンビーム量の計測
方式、及びこの計測値を用いてイオン注入装置に関する
・ 〔従来の技術〕 従来の装置は、ファラデイカツブを備え、イオン注入の
前のファラデイカツブにイオンビームを入射し、イオン
ビーム量を調整し、調整後にイオン注入をする方式をと
っていた。ファラデイカツブの位置は、第２図の様に、
イオンビーム量計測時は基板の前におき、イオン注入時
は移動させる方式、又は、第３図の様に、偏向用磁石を
設け。
方式、及びこの計測値を用いてイオン注入装置に関する
・ 〔従来の技術〕 従来の装置は、ファラデイカツブを備え、イオン注入の
前のファラデイカツブにイオンビームを入射し、イオン
ビーム量を調整し、調整後にイオン注入をする方式をと
っていた。ファラデイカツブの位置は、第２図の様に、
イオンビーム量計測時は基板の前におき、イオン注入時
は移動させる方式、又は、第３図の様に、偏向用磁石を
設け。
イオンビーム量計測時はイオンビームを基板外のファラ
デイカツブに偏向させる方式がある。
デイカツブに偏向させる方式がある。
前者の方式は、例えば、「電子・イオンビームハンドブ
ックＪの構成例（Ｐ ５８７）が挙げられる。
ックＪの構成例（Ｐ ５８７）が挙げられる。
むろん、基板を絶縁して、基板自体をファラデイカツブ
として用いることにより、常時、イオンビーム量を計測
する方式も考えられるが、一般に、イオンを中和するた
めに基板に電子のシャワーを当てるので、この方式は通
常は用いることができない。
として用いることにより、常時、イオンビーム量を計測
する方式も考えられるが、一般に、イオンを中和するた
めに基板に電子のシャワーを当てるので、この方式は通
常は用いることができない。
上記従来技術はイオン注入前にファラデイカツブにより
計測する方式をとっており、常時、イオンビーム量を監
視することができず、長時間のイオン注入ではイオンビ
ーム量が変化してくる等の問題があり、又、時間的にイ
オンビーム量を変化させ、深さ方向にイオン注入量を変
化させたり平面的にイオン注入量の濃淡をもたせたりす
ることができなかった。
計測する方式をとっており、常時、イオンビーム量を監
視することができず、長時間のイオン注入ではイオンビ
ーム量が変化してくる等の問題があり、又、時間的にイ
オンビーム量を変化させ、深さ方向にイオン注入量を変
化させたり平面的にイオン注入量の濃淡をもたせたりす
ることができなかった。
本発明の目的は、イオンビーム量を常時監視しさらに、
監視したモニタ量によりイオン源を制御し、イオンビー
ム量を一定にしたり変化させることを可能とする制御方
式を提供することにある。
監視したモニタ量によりイオン源を制御し、イオンビー
ム量を一定にしたり変化させることを可能とする制御方
式を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明はイオンビームを間
接的に計測する手段を設けた。イオンビーム量を間接的
に計測するのでイオン注入時もイオンビーム量を、常時
、監視することができ、リアルタイムにイオン源を制御
できるので、イオン注入量を均一にも、深さ方向に変化
させることも、平面的に濃淡をつけることもできる。
接的に計測する手段を設けた。イオンビーム量を間接的
に計測するのでイオン注入時もイオンビーム量を、常時
、監視することができ、リアルタイムにイオン源を制御
できるので、イオン注入量を均一にも、深さ方向に変化
させることも、平面的に濃淡をつけることもできる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
イオン源１から引き出したイオンビーム５を分離用磁石
２を通し、イオン注入するイオンビーム５と、そうでな
いビームに分離する。イオン注入するイオンビーム５の
進行方向に基板４を備え、基板にイオンを注入する。こ
のイオン注入するイオンビーム５の真空容器の外部に直
流変流器７（通称ＤＣＣＴ）を備え、イオン通過量を電
流として計測する。この計測値がイオンビーム量である
。この計測値をフィードバックしてイオン源をリアルタ
イムに制御することにより、基板４へのイオン注入量を
正確に均一にすることができる。
２を通し、イオン注入するイオンビーム５と、そうでな
いビームに分離する。イオン注入するイオンビーム５の
進行方向に基板４を備え、基板にイオンを注入する。こ
のイオン注入するイオンビーム５の真空容器の外部に直
流変流器７（通称ＤＣＣＴ）を備え、イオン通過量を電
流として計測する。この計測値がイオンビーム量である
。この計測値をフィードバックしてイオン源をリアルタ
イムに制御することにより、基板４へのイオン注入量を
正確に均一にすることができる。
更に・、常時、イオンビーム量を監視しているので。
時間的に変化することもでき、例えば、高い加速電圧で
イオンビーム量が多く、低い加速電圧でイオンビーム量
を少なくすることも可能であり、深さ方向に注入イオン
の濃淡をつけることも可能である。又、加速電圧を一定
として、基板４への注入位置によりイオンビーム量を変
化させることも可能であり、平面的にイオン注入量の濃
淡をつけることができる。
イオンビーム量が多く、低い加速電圧でイオンビーム量
を少なくすることも可能であり、深さ方向に注入イオン
の濃淡をつけることも可能である。又、加速電圧を一定
として、基板４への注入位置によりイオンビーム量を変
化させることも可能であり、平面的にイオン注入量の濃
淡をつけることができる。
更に、従来はファラデイカツブを使用していたため、真
空中に複雑な機構品を備えなければならず、構造が複雑
であった。しかし、本発明によれば、真空容器の外部に
直流変流器７を備えるだけでよく、装置の構成が非常に
簡便となる。
空中に複雑な機構品を備えなければならず、構造が複雑
であった。しかし、本発明によれば、真空容器の外部に
直流変流器７を備えるだけでよく、装置の構成が非常に
簡便となる。
本発明はイオン注入時もイオンビーム量を常時監視する
ことができ、リアルタイムにイオン源を制御できるので
、イオン注入量を基板上で正確に均一にすることができ
る。
ことができ、リアルタイムにイオン源を制御できるので
、イオン注入量を基板上で正確に均一にすることができ
る。
また、イオン源を制御してもいちいち、ファラデイカツ
ブで計測しなくても、リアルタイムでイオンビーム量を
計測できるので、任意の量を出方することができ、基板
の深さ方向にイオン注入量を変化させることも、平面的
にイオン注入量に濃淡をつけることも可能である。
ブで計測しなくても、リアルタイムでイオンビーム量を
計測できるので、任意の量を出方することができ、基板
の深さ方向にイオン注入量を変化させることも、平面的
にイオン注入量に濃淡をつけることも可能である。
第１図は本発明の一実施例の説明図、第２図は従来の基
板前にファラデイカツブを備えた例の説明図、第３図は
従来の偏向用磁石によるイオンビームをファラデイカツ
ブに偏向させ計測する例の説明図である。 １・・・イオン源、２・・・分離用磁石、３・・・スリ
ット。
板前にファラデイカツブを備えた例の説明図、第３図は
従来の偏向用磁石によるイオンビームをファラデイカツ
ブに偏向させ計測する例の説明図である。 １・・・イオン源、２・・・分離用磁石、３・・・スリ
ット。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン源と前記イオン源から出力したイオンビーム
を質量分離する分離用磁石と前記イオンビームを注入す
る基板から成るイオン注入装置において、 イオン注入するイオンビーム量をイオン注入時も含めて
常時監視する装置を設けたことを特徴とするイオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242383A JPH04123754A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2242383A JPH04123754A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04123754A true JPH04123754A (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=17088350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2242383A Pending JPH04123754A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04123754A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014422A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン注入装置 |
| US7365346B2 (en) | 2004-12-29 | 2008-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ion-implanting apparatus, ion-implanting method, and device manufactured thereby |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP2242383A patent/JPH04123754A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014422A (ja) * | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | イオン注入装置 |
| US7365346B2 (en) | 2004-12-29 | 2008-04-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ion-implanting apparatus, ion-implanting method, and device manufactured thereby |
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