JPS5887747A - イオン打込装置 - Google Patents
イオン打込装置Info
- Publication number
- JPS5887747A JPS5887747A JP57189063A JP18906382A JPS5887747A JP S5887747 A JPS5887747 A JP S5887747A JP 57189063 A JP57189063 A JP 57189063A JP 18906382 A JP18906382 A JP 18906382A JP S5887747 A JPS5887747 A JP S5887747A
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- JP
- Japan
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- ion
- magnetic field
- slits
- field
- correction
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン打込装置の改良に関する。
イオン打込装置、特に大電流ビーム（ｍＡ）のイオン打
込装置における質量分離は扇形磁場が用いられる。
込装置における質量分離は扇形磁場が用いられる。
第１図は、従来のイオン打込装置を示す図である。図に
おいて、イオン源１から発したイオンビーム２は磁場電
源４より制御を受ける扇形磁場（磁場発生用コイルよシ
成る）３によシ偏向され、所望のイオン種のみが質量分
離スリット５，６の間隙を通って被打込側の７アラデー
カツプ９に達する。補正スリ、）７．８はビーム側縁の
イオン電流をとらえて両スリ、トの電流差から偏向ビー
ム軸のドリフトを検知し、磁場電源４に帰還して扇形磁
場３の磁場強度を補正する。なお、図において、１０は
差動増幅器、１１は磁場設定電圧源、１２は出力増幅器
である。
おいて、イオン源１から発したイオンビーム２は磁場電
源４より制御を受ける扇形磁場（磁場発生用コイルよシ
成る）３によシ偏向され、所望のイオン種のみが質量分
離スリット５，６の間隙を通って被打込側の７アラデー
カツプ９に達する。補正スリ、）７．８はビーム側縁の
イオン電流をとらえて両スリ、トの電流差から偏向ビー
ム軸のドリフトを検知し、磁場電源４に帰還して扇形磁
場３の磁場強度を補正する。なお、図において、１０は
差動増幅器、１１は磁場設定電圧源、１２は出力増幅器
である。
ところで、イオン源１から発するイオンビーム２の広が
シ形状（広が）角度）はイオン源１内のビーム引出し加
速電圧、ガス圧（打込イオン樵資料のガス圧）、プラズ
マイオン発生に必要な電力および引出し電極構造によっ
て変わる。このため補正スリット７．８部分におけるビ
ーム幅も変わることになるが、このときに補正スリット
７．８は常に７７ラデーカツプ９へ達するイオンビーム
の大きさに殆んど影響しない程度のわずかなイオン電流
をとらえるような位置にあることが望ましい。
シ形状（広が）角度）はイオン源１内のビーム引出し加
速電圧、ガス圧（打込イオン樵資料のガス圧）、プラズ
マイオン発生に必要な電力および引出し電極構造によっ
て変わる。このため補正スリット７．８部分におけるビ
ーム幅も変わることになるが、このときに補正スリット
７．８は常に７７ラデーカツプ９へ達するイオンビーム
の大きさに殆んど影響しない程度のわずかなイオン電流
をとらえるような位置にあることが望ましい。
しかしながら、従来装置では、ビーム広がシ幅の検出は
容易でなく、またビーム幅が上述したようにイオン源の
状態等によシ変化するため、補正スリ、トの位置決め固
定が峻かしい。また、従来装置においては、補正スリッ
トが固定されておシ、かつその固定位置は想定されるビ
ーム幅変化の中で最小幅のビーム幅間隙に固定する必要
があるため（最大幅のビーム幅間隙に固定した場合は、
それよシ細いビームは補正スリット間でドリフトするこ
とになるので。）、よシ幅広いビームは補正スリット壁
で消耗するイオン電流が多くなる欠点を有する。さらに
、上述の如き補正スリットの固定は扇形磁場の影響でビ
ーム断面のイオン密度分布が変わるため、よシ幅広いビ
ームは補正スリ。
容易でなく、またビーム幅が上述したようにイオン源の
状態等によシ変化するため、補正スリ、トの位置決め固
定が峻かしい。また、従来装置においては、補正スリッ
トが固定されておシ、かつその固定位置は想定されるビ
ーム幅変化の中で最小幅のビーム幅間隙に固定する必要
があるため（最大幅のビーム幅間隙に固定した場合は、
それよシ細いビームは補正スリット間でドリフトするこ
とになるので。）、よシ幅広いビームは補正スリット壁
で消耗するイオン電流が多くなる欠点を有する。さらに
、上述の如き補正スリットの固定は扇形磁場の影響でビ
ーム断面のイオン密度分布が変わるため、よシ幅広いビ
ームは補正スリ。
ト間隙間でとシ得る最大ビーム電流より小さくなるなど
、種々なる欠点を有する。
、種々なる欠点を有する。
本発明は、上記の点に着目してなされたものであシ、極
めて容易に打込ビームの損失を最小におさえ、扇形磁場
のドリフト補正制御を可能にするイオン打込装置を提供
するものである。
めて容易に打込ビームの損失を最小におさえ、扇形磁場
のドリフト補正制御を可能にするイオン打込装置を提供
するものである。
以下、本発明を実施例を参照して説明する。
第２図は、本発明の一実施例を示す図である。
図において、イオン源１から発したイオンビーム２は磁
場電源４よシ制御を受ける扇形磁場（磁場発生用コイル
よシ成る）３によシ偏向され、所望のイオン糧のみが質
量分離スリット５，６の間隙を通って被打込側のファラ
デーカップ９に達する。補正スＩＪ 、 ） ７’、
８’はビーム側縁のイオン電流をとらえて両スリットの
電流差から偏向ビーム軸のドリフトを検知し、磁場電源
４に帰還して扇形磁場３の磁場強度を補正する。
場電源４よシ制御を受ける扇形磁場（磁場発生用コイル
よシ成る）３によシ偏向され、所望のイオン糧のみが質
量分離スリット５，６の間隙を通って被打込側のファラ
デーカップ９に達する。補正スＩＪ 、 ） ７’、
８’はビーム側縁のイオン電流をとらえて両スリットの
電流差から偏向ビーム軸のドリフトを検知し、磁場電源
４に帰還して扇形磁場３の磁場強度を補正する。
初期状態において、スイッチ１８，１９，２０゜２１．
２２は各々の接点が図示の通りであシ、またスイッチ１
８，１９，２０はリレー１５に連動するものとする。先
ず、ファラデーカップ９へ打込む所望のイオン種ビーム
は電圧源２３にて調整設定するもので、増幅器１７を経
て磁場電源４を駆動して得られる。補正スリット７′、
８′は駆動機構（サーボモータ等と組合わせた駆動機構
）１０．１１に継ながシ、ビーム軸に対し直交するよう
に駆動し得て、そのビーム結合割合は制御回路２４およ
び２５よシ制御される。今、スリット７′を例にとると
、電圧源１２の値（ＶＲ）がスリット７′のビーム結合
割合を決めるもので、差動増幅器１３はスリ、ドア′か
らの電流値（Ｉａ）と電圧源１２の値（Ｖａ）とが等し
くなるように駆動機構１０に帰還をかける。このとき電
圧比較器１４は差動増幅器１３の出力電圧の零を検知し
てリレー１５を作動させる。ここでリレー１５はスイッ
チ１８を接地側に切換えて駆動機構１０を停止させスリ
、ドア′を固定し、またスイッチ１９を閉じて自己保持
する。さらにリレー１５はスイッチ２０の接点を差動増
幅器１６の出力側に切り換える。
２２は各々の接点が図示の通りであシ、またスイッチ１
８，１９，２０はリレー１５に連動するものとする。先
ず、ファラデーカップ９へ打込む所望のイオン種ビーム
は電圧源２３にて調整設定するもので、増幅器１７を経
て磁場電源４を駆動して得られる。補正スリット７′、
８′は駆動機構（サーボモータ等と組合わせた駆動機構
）１０．１１に継ながシ、ビーム軸に対し直交するよう
に駆動し得て、そのビーム結合割合は制御回路２４およ
び２５よシ制御される。今、スリット７′を例にとると
、電圧源１２の値（ＶＲ）がスリット７′のビーム結合
割合を決めるもので、差動増幅器１３はスリ、ドア′か
らの電流値（Ｉａ）と電圧源１２の値（Ｖａ）とが等し
くなるように駆動機構１０に帰還をかける。このとき電
圧比較器１４は差動増幅器１３の出力電圧の零を検知し
てリレー１５を作動させる。ここでリレー１５はスイッ
チ１８を接地側に切換えて駆動機構１０を停止させスリ
、ドア′を固定し、またスイッチ１９を閉じて自己保持
する。さらにリレー１５はスイッチ２０の接点を差動増
幅器１６の出力側に切り換える。
一方、スリット８′の場合は、制御回路２４と全く同じ
回路を有する制御回路２５により同様動作が行われ、制
御回路２５内のリレー（リレー１５相当）に連動しスリ
、ト８′が固定し、スイッチ２１がスイッチ２０側に接
点切換えされる。この後、スリット７′とスリ、ト８′
とのビームとり込み電流（ＩＩＬ、ＩＬ）の差が差動増
幅器１６によシ増幅され、先の電圧源２３の値と加算し
た値が増幅器１７を介して磁場電源４に加えられ、ビー
ムドリフト補正が行われる。′さらに、図の制御系を初
期状態に戻すにはスイッチ２２を１度接地より開放する
ことで得られる。
回路を有する制御回路２５により同様動作が行われ、制
御回路２５内のリレー（リレー１５相当）に連動しスリ
、ト８′が固定し、スイッチ２１がスイッチ２０側に接
点切換えされる。この後、スリット７′とスリ、ト８′
とのビームとり込み電流（ＩＩＬ、ＩＬ）の差が差動増
幅器１６によシ増幅され、先の電圧源２３の値と加算し
た値が増幅器１７を介して磁場電源４に加えられ、ビー
ムドリフト補正が行われる。′さらに、図の制御系を初
期状態に戻すにはスイッチ２２を１度接地より開放する
ことで得られる。
このように、本発明によれば、補正スリット−７’ 、
８’を駆動機構１０．１１と組合せ、ビーム結合割合
を制御回路２４．２５により制御することによシ、極め
て容易に打込ビームの損失を最小におさえ扇形磁場３の
ドリフト補正制御が行える０
８’を駆動機構１０．１１と組合せ、ビーム結合割合
を制御回路２４．２５により制御することによシ、極め
て容易に打込ビームの損失を最小におさえ扇形磁場３の
ドリフト補正制御が行える０
第１図は、従来のイオン打込装置を示す図、第２図は、
本発明の一実施例を示す図である。１・・・イオン源、
２・・・イオンビーム、３・・・扇形磁場、４・・・磁
場電源、５，６・・・質量分離スリット、７．７’。 ８，８′・・・補正スリット、９・・・７アラデーカ、
プ第 １ 図
本発明の一実施例を示す図である。１・・・イオン源、
２・・・イオンビーム、３・・・扇形磁場、４・・・磁
場電源、５，６・・・質量分離スリット、７．７’。 ８，８′・・・補正スリット、９・・・７アラデーカ、
プ第 １ 図
Claims (1)
- １、 イオンビ一ムを発するイオン源と、扇形磁場を形
成して上記イオンビームを偏向し、所望のイオン種を質
量分離せしめて７アラデーカ、プに送出する質量分離手
段と、上記質量分離手段と上記ファラデーカップとの間
にあって、上記イオンビームの側縁のイオン電流をとら
え、上記イオンビームのビーム軸に対し直角方向に移動
可能な補正スリ、ト手段と、上記検出されたイオン電流
によシ、上記イオンビームのビーム幅に応じてビーム結
合量を最小にする如く上記補正スリ、ト手段を駆動制御
し得る制御回路手段と、上記検出されたイオン電流から
偏向ビーム軸のドリフトを検知して上記扇形磁場の磁場
強度を補正する補正制御回路手段とを具備してなること
を特徴とするイオン打込装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189063A JPS5842584B2 (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | イオン打込装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189063A JPS5842584B2 (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | イオン打込装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887747A true JPS5887747A (ja) | 1983-05-25 |
| JPS5842584B2 JPS5842584B2 (ja) | 1983-09-20 |
Family
ID=16234670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57189063A Expired JPS5842584B2 (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | イオン打込装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842584B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926699A1 (en) * | 1997-10-22 | 1999-06-30 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for deflecting charged particles |
| JP2015005472A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 株式会社Ｓｅｎ | 高エネルギー精度の高周波加速式のイオン加速・輸送装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01234754A (ja) * | 1988-03-15 | 1989-09-20 | Osaka Gas Co Ltd | 暖房機 |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57189063A patent/JPS5842584B2/ja not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926699A1 (en) * | 1997-10-22 | 1999-06-30 | Nissin Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for deflecting charged particles |
| US6160262A (en) * | 1997-10-22 | 2000-12-12 | Nissin Electric Co., Ltd | Method and apparatus for deflecting charged particles |
| JP2015005472A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-08 | 株式会社Ｓｅｎ | 高エネルギー精度の高周波加速式のイオン加速・輸送装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5842584B2 (ja) | 1983-09-20 |
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