JPH04124068A - 窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方法 - Google Patents
窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方法Info
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- JPH04124068A JPH04124068A JP2244484A JP24448490A JPH04124068A JP H04124068 A JPH04124068 A JP H04124068A JP 2244484 A JP2244484 A JP 2244484A JP 24448490 A JP24448490 A JP 24448490A JP H04124068 A JPH04124068 A JP H04124068A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高温での強度を向上するための窒化珪素質焼
結体の結晶化熱処理方法に関し、特に、短時間で所望の
高温強度に到達することができる結晶化熱処理方法に関
する。
結体の結晶化熱処理方法に関し、特に、短時間で所望の
高温強度に到達することができる結晶化熱処理方法に関
する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕窒化珪
素質焼結体は、高強度、高耐熱性、高耐熱衝撃法、高耐
摩耗性、耐酸化性などの点から、ガスタービン部材等、
高温での使用条件が苛酷な構造用セラミックスとしての
利用が期待されている。しかしながら窒化珪素はそれの
みでは焼結しにくい材料であることから、各種の焼結助
剤を添加することが従来より行われている。これら焼結
助剤の役割は、窒化珪素の粒界にガラス質の粒界相を生
成し、焼結を促進することにある。この際窒化珪素粒子
の表面に存在する微量のSlO□も、ガラス質の粒界相
の形成に寄与していると考えられる。これらの焼結助剤
を用いると焼結反応は容易となるが、得られる焼結体中
の窒化珪素の粒界に低融点のガラス相が生成することに
なり、その結果高温強度が損なわれるという問題がある
。このため窒化珪素質焼結体の高温での強度の低下を防
止するために、これまでいくつかの方法が提案された。
素質焼結体は、高強度、高耐熱性、高耐熱衝撃法、高耐
摩耗性、耐酸化性などの点から、ガスタービン部材等、
高温での使用条件が苛酷な構造用セラミックスとしての
利用が期待されている。しかしながら窒化珪素はそれの
みでは焼結しにくい材料であることから、各種の焼結助
剤を添加することが従来より行われている。これら焼結
助剤の役割は、窒化珪素の粒界にガラス質の粒界相を生
成し、焼結を促進することにある。この際窒化珪素粒子
の表面に存在する微量のSlO□も、ガラス質の粒界相
の形成に寄与していると考えられる。これらの焼結助剤
を用いると焼結反応は容易となるが、得られる焼結体中
の窒化珪素の粒界に低融点のガラス相が生成することに
なり、その結果高温強度が損なわれるという問題がある
。このため窒化珪素質焼結体の高温での強度の低下を防
止するために、これまでいくつかの方法が提案された。
その例として、用いる焼結助剤の種類及び量を規定して
、粒界相の結晶化を促進する方法があり、たとえば、酸
化イツトリウム等の希土類元素の酸化物を添加する方法
、または酸化イツトリウムと酸化アルミニウム等の酸化
物を複合添加する方法(例えば、特公昭49−2109
1号公報)や、酸化イツトリウムと酸化アルミニウムお
よび窒化珪素からなる系の配合割合を制御することによ
り1400℃での耐酸化性を向上させる方法(特開昭6
3−185863号)等がある。
、粒界相の結晶化を促進する方法があり、たとえば、酸
化イツトリウム等の希土類元素の酸化物を添加する方法
、または酸化イツトリウムと酸化アルミニウム等の酸化
物を複合添加する方法(例えば、特公昭49−2109
1号公報)や、酸化イツトリウムと酸化アルミニウムお
よび窒化珪素からなる系の配合割合を制御することによ
り1400℃での耐酸化性を向上させる方法(特開昭6
3−185863号)等がある。
しかしながら、これらの方法による窒化珪素質焼結体の
高温強度はまだ十分なものとは言い難く、たとえば、ガ
スタービン部材として用いるのに十分な強度とはならな
い。
高温強度はまだ十分なものとは言い難く、たとえば、ガ
スタービン部材として用いるのに十分な強度とはならな
い。
また、別の方法として、窒化珪素質焼結体を窒化アルミ
ニウムの粉末に埋設してこれを加熱し、焼結体の粒界ガ
ラス相に存在する酸化物(S1口□)を分解してSiO
として蒸散させ、もって粒界ガラス相の酸素濃度を低減
(Si02量の低減)して、焼結体の高温強度を向上さ
せる方法もある。
ニウムの粉末に埋設してこれを加熱し、焼結体の粒界ガ
ラス相に存在する酸化物(S1口□)を分解してSiO
として蒸散させ、もって粒界ガラス相の酸素濃度を低減
(Si02量の低減)して、焼結体の高温強度を向上さ
せる方法もある。
しかしながら、この方法では、5102量を低減させて
焼結体の強度を上げるためには、100時間程度と長時
間の熱処理をしなくてはならず、効率的ではない。
焼結体の強度を上げるためには、100時間程度と長時
間の熱処理をしなくてはならず、効率的ではない。
従って本発明の目的は、上記問題点を解消し、短時間で
効率良く、高温で高強度を有する窒化珪素質焼結体とす
るための結晶化熱処理方法を提供することである。
効率良く、高温で高強度を有する窒化珪素質焼結体とす
るための結晶化熱処理方法を提供することである。
以上の目的に鑑み鋭意研究の結果、本発明者等は、窒化
珪素質焼結体を特定の金属粉末及び/又は金属炭化物の
粉体中に埋設した状態で加熱すれば、短時間で窒化珪素
質焼結体の高温強度を向上することができることを発見
し、本発明を完成した。
珪素質焼結体を特定の金属粉末及び/又は金属炭化物の
粉体中に埋設した状態で加熱すれば、短時間で窒化珪素
質焼結体の高温強度を向上することができることを発見
し、本発明を完成した。
すなわち本発明の窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方法
は、窒化珪素粉末及び焼結助剤粉末からなる窒化珪素質
焼結体を、WSMoSTaSRe及びこれらの金属の炭
化物からなる群から選ばれた少なくとも1種の粉末中に
埋設して、非酸化性雰囲気中で加熱処理することを特徴
とする。
は、窒化珪素粉末及び焼結助剤粉末からなる窒化珪素質
焼結体を、WSMoSTaSRe及びこれらの金属の炭
化物からなる群から選ばれた少なくとも1種の粉末中に
埋設して、非酸化性雰囲気中で加熱処理することを特徴
とする。
本発明を以下詳細に説明する。
まず、窒化珪素質焼結体について説明する。
本発明において、窒化珪素質焼結体とは、窒化珪素を主
成分とし、これに焼結助剤を加えてなるものである。
成分とし、これに焼結助剤を加えてなるものである。
焼結助剤としては、^l化合物と1lJa族元素化合物
との混合物またはIIIa族元素化合物を用いることが
できる。本発明におけるma族元素とは、スカンジウム
、イツトリウム、及びランタン系列の元素を言う。八β
及びIIIa族元素は、酸化物、有機酸塩等の形態で使
用することができる。l’化合物としては、AI、03
、^j!2T+Os等が好適である。またma族元素化
合物としては、Y2O3、シュウ酸イツトリウム、Nd
、03 、Yb2O3等が好ましい。また、上記したよ
うな^l化合物とma族元素化合物とを混合したものを
用いてもよい。さらに、3 Y2O3・5A120.の
ような固溶体を用いてもよい。
との混合物またはIIIa族元素化合物を用いることが
できる。本発明におけるma族元素とは、スカンジウム
、イツトリウム、及びランタン系列の元素を言う。八β
及びIIIa族元素は、酸化物、有機酸塩等の形態で使
用することができる。l’化合物としては、AI、03
、^j!2T+Os等が好適である。またma族元素化
合物としては、Y2O3、シュウ酸イツトリウム、Nd
、03 、Yb2O3等が好ましい。また、上記したよ
うな^l化合物とma族元素化合物とを混合したものを
用いてもよい。さらに、3 Y2O3・5A120.の
ような固溶体を用いてもよい。
^1! 203 とY2O3とを焼結助剤として用い
る場合、配合は、Al、0.が0〜2重量%、Y、03
が2,5〜5重量%、残部実質的に窒化珪素とするのが
よい。
る場合、配合は、Al、0.が0〜2重量%、Y、03
が2,5〜5重量%、残部実質的に窒化珪素とするのが
よい。
A 1203量が上記範囲を上回ると耐酸化性及び高温
での強度が低下し、また範囲を下回ると焼結体の緻密化
が進行せず、それにより耐酸化性及び高強度が得られな
い。また、Y2O,量が上記範囲を上回ると高温での耐
酸化性が低下し、一方範囲を下回ると、^120.の場
合と同様に、焼結体の緻密化が進行せず、耐酸化性及び
高強度が得られない。
での強度が低下し、また範囲を下回ると焼結体の緻密化
が進行せず、それにより耐酸化性及び高強度が得られな
い。また、Y2O,量が上記範囲を上回ると高温での耐
酸化性が低下し、一方範囲を下回ると、^120.の場
合と同様に、焼結体の緻密化が進行せず、耐酸化性及び
高強度が得られない。
窒化珪素質焼結体の原料となる窒化珪素粉末は、焼結体
の高温強度を向上する目的では含有酸素量が1.5重量
%以下であることが好ましいが、余り酸素量が少なすぎ
ると焼結性が低い。
の高温強度を向上する目的では含有酸素量が1.5重量
%以下であることが好ましいが、余り酸素量が少なすぎ
ると焼結性が低い。
なお、窒化珪素粉末の比表面積は8〜12m’/g程度
であることが望ましい。さらに、金属不純物量は200
ppm以下であることが望ましい。
であることが望ましい。さらに、金属不純物量は200
ppm以下であることが望ましい。
用いる窒化珪素粉末の平均粒径は0.3〜0゜4−程度
、へl、03粉末の平均粒径は0.4〜0.5膚程度、
Y2O,粉末の平均粒径は0.4〜2−程度であるのが
好ましい。
、へl、03粉末の平均粒径は0.4〜0.5膚程度、
Y2O,粉末の平均粒径は0.4〜2−程度であるのが
好ましい。
窒化珪素質焼結体は以下のようにして製造することがで
きる。
きる。
まず、窒化珪素粉末及び^l 203粉末、Y2O,粉
末等の焼結助剤を混合する。この混合は、公知の方法、
例えばボールミル、分散機等により行うことができる。
末等の焼結助剤を混合する。この混合は、公知の方法、
例えばボールミル、分散機等により行うことができる。
なおボールミルによる混合では、混合粉末にエタノール
等を加えて行うのがよい。またその時用いるボールとし
ては、窒化珪素からなるものを用いるのが良い。これに
よって、混合時に不純物が混入するのを極力避けること
ができるようになる。
等を加えて行うのがよい。またその時用いるボールとし
ては、窒化珪素からなるものを用いるのが良い。これに
よって、混合時に不純物が混入するのを極力避けること
ができるようになる。
得られた混合粉は、金型プレスまたは冷間静水圧プレス
(CIF>等により所望の形状の成形体とする。なお、
成形に際して、必要に応じてポリビニルアルコール溶液
等の成形助剤を添加する。
(CIF>等により所望の形状の成形体とする。なお、
成形に際して、必要に応じてポリビニルアルコール溶液
等の成形助剤を添加する。
焼成は非酸化性雰囲気中、例えば窒素ガス雰囲気中で行
う。このとき、常圧で焼成を行ってもよいし、10気圧
程度までの圧力をかけながら焼成してもよい。
う。このとき、常圧で焼成を行ってもよいし、10気圧
程度までの圧力をかけながら焼成してもよい。
焼成温度は1750〜1950℃、焼成時間は2〜4時
間程度とする。
間程度とする。
常圧で焼成した場合には、それに続いて熱間静水圧プレ
ス(HIP)を行ってもよい。このHIPの条件は、1
700〜2000℃で200〜2000気圧、1〜4時
間程度がよい。HIF処理を行うことで、より緻密な焼
結体を得ることができ、もってより大きな強度の焼結体
とすることができる。
ス(HIP)を行ってもよい。このHIPの条件は、1
700〜2000℃で200〜2000気圧、1〜4時
間程度がよい。HIF処理を行うことで、より緻密な焼
結体を得ることができ、もってより大きな強度の焼結体
とすることができる。
上記した方法等により製造された窒化珪素質焼結体に対
し、以下に記す熱処理を施して粒界相の結晶化を促進し
、もって高温での強度を向上させる。
し、以下に記す熱処理を施して粒界相の結晶化を促進し
、もって高温での強度を向上させる。
まず、W、Mo5Ta及びReの粉末、及びこれらの金
属の炭化物の粉末のうちの少なくとも1種の粉末中に焼
結体を埋設し、非酸化性雰囲気中で熱処理する。
属の炭化物の粉末のうちの少なくとも1種の粉末中に焼
結体を埋設し、非酸化性雰囲気中で熱処理する。
上記の粉末のうちでは、特にタングステン(W)、炭化
タングステン(WC)が好ましい。なお、両者を混合し
たものでもよい。上記の金属粉末及び金属炭化物の粉末
の平均粒径は10〜1μs程度でよい。
タングステン(WC)が好ましい。なお、両者を混合し
たものでもよい。上記の金属粉末及び金属炭化物の粉末
の平均粒径は10〜1μs程度でよい。
この金属粉末及び/又は金属炭化物粉末中での窒化珪素
質焼結体の熱処理温度は用いる粉末の種類によって多少
異なるが、一般に1400〜1950℃、好ましくは1
700〜1800℃とする。熱処理温度が1400℃未
満であると、粒界相の結晶化が進行せず、高温強度の向
上が望めない。また1950℃を超える熱処理を施すと
、窒化珪素が分解を始めるので好ましくない。熱処理時
間は熱処理温度によって異なるが、一般に2〜10時間
、好ましくは2〜5時間とする。
質焼結体の熱処理温度は用いる粉末の種類によって多少
異なるが、一般に1400〜1950℃、好ましくは1
700〜1800℃とする。熱処理温度が1400℃未
満であると、粒界相の結晶化が進行せず、高温強度の向
上が望めない。また1950℃を超える熱処理を施すと
、窒化珪素が分解を始めるので好ましくない。熱処理時
間は熱処理温度によって異なるが、一般に2〜10時間
、好ましくは2〜5時間とする。
熱処理の雰囲気は非酸化性雰囲気であるが、窒素ガスと
するのが良く、常圧、または10気圧程度までの加圧状
態で行う。窒素ガスは、窒化珪素の酸化を防止できると
ともに、窒化珪素の高温での熱分解を防ぐことにもなる
。
するのが良く、常圧、または10気圧程度までの加圧状
態で行う。窒素ガスは、窒化珪素の酸化を防止できると
ともに、窒化珪素の高温での熱分解を防ぐことにもなる
。
本発明では、焼結した窒化珪素質成形体を、WlMOl
Ta及びReの粉末及びそれらの炭化物の粉末のうちの
少なくとも1種の粉末中に埋設して加熱処理する。この
熱処理により、粒界ガラス相の結晶化が促進されて融点
が上がり、焼結体の高温に右ける強度が向上する。この
ような効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが
、それは以下のような理由によるものと思われる。
Ta及びReの粉末及びそれらの炭化物の粉末のうちの
少なくとも1種の粉末中に埋設して加熱処理する。この
熱処理により、粒界ガラス相の結晶化が促進されて融点
が上がり、焼結体の高温に右ける強度が向上する。この
ような効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが
、それは以下のような理由によるものと思われる。
窒化珪素質焼結体をタングステン、炭化タングステン等
の粉体中に埋設して加熱すると、窒化珪素質焼結体中の
粒界相に存在するS10.の酸素は、タングステン、炭
化タングステン等を酸化するように働く。すなわち、タ
ングステンは酸化タングステンとなり、炭化タングステ
ンも酸化されて酸化タングステン、−酸化炭素等に変化
する。一方5102は、酸素を奪われて主としてSlO
に変化する。
の粉体中に埋設して加熱すると、窒化珪素質焼結体中の
粒界相に存在するS10.の酸素は、タングステン、炭
化タングステン等を酸化するように働く。すなわち、タ
ングステンは酸化タングステンとなり、炭化タングステ
ンも酸化されて酸化タングステン、−酸化炭素等に変化
する。一方5102は、酸素を奪われて主としてSlO
に変化する。
酸化タングステンは、1200℃程度またはそれ以上の
温度ではガス化し蒸散する。また、このような高温状態
では、S10 はガス状態をとるのでSIOも蒸散する
。このように酸化タングステン、Sin、−酸化炭素等
が蒸散していくので、Sin、にょるタングステン、炭
化タングステン等の酸化はさらに進行することになる。
温度ではガス化し蒸散する。また、このような高温状態
では、S10 はガス状態をとるのでSIOも蒸散する
。このように酸化タングステン、Sin、−酸化炭素等
が蒸散していくので、Sin、にょるタングステン、炭
化タングステン等の酸化はさらに進行することになる。
すなわち、粒界相中の酸素は金属タングステン、炭化タ
ングステン等により消費されることになり、もって粒界
相中のSj[l、量は減少することになる。
ングステン等により消費されることになり、もって粒界
相中のSj[l、量は減少することになる。
このように粒界相中のSin、量が減少すると、粒界ガ
ラス相の結晶化が促進され、粒界相の融点が上昇する。
ラス相の結晶化が促進され、粒界相の融点が上昇する。
上記したような理由により、本発明の熱処理により窒化
珪素質焼結体の粒界相の高温に右ける強度が向上し、も
って窒化珪素質焼結体そのものの高温強度が向上するも
のと考えられる。
珪素質焼結体の粒界相の高温に右ける強度が向上し、も
って窒化珪素質焼結体そのものの高温強度が向上するも
のと考えられる。
以下、本発明を以下の具体的実施例により、さらに詳細
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない
。
に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない
。
実施例1〜5、比較例1〜5
窒化珪素粉末(TS−10Y、東ソー■製)96.5重
量%と、A I 203粉末(AKP30. 住友化
学■製)2.5重量%と、Y2O3(微粉末2日本イツ
トリウム■製)1.0重量%とを混合した。
量%と、A I 203粉末(AKP30. 住友化
学■製)2.5重量%と、Y2O3(微粉末2日本イツ
トリウム■製)1.0重量%とを混合した。
この粉末混合物500gに、エタノール500gを加え
、400gの窒化珪素製ボールを用いて16時間のボー
ルミル混合を行った。
、400gの窒化珪素製ボールを用いて16時間のボー
ルミル混合を行った。
得られた混合物をロータリーエバポレータにより乾燥し
、CI P (3000kg/ cm” の圧力〉 に
より35 mm X 45mm x 5闘の大きさに成
形した。
、CI P (3000kg/ cm” の圧力〉 に
より35 mm X 45mm x 5闘の大きさに成
形した。
この成形体を以下の条件で焼成した。
(1)温度条件
■室温から1200℃まで=20℃/分の温度上昇率で
加熱。
加熱。
■1200℃から1800℃まで:6℃/分の温度上昇
率で加熱。
率で加熱。
■1800℃:4時間保持
01800℃から1200℃まで=6℃/分の温度下降
率で冷却。
率で冷却。
01200℃から室温:炉冷(自然冷却)(2)雰囲気
窒素ガス、上記■の工程では、9.Okg/cm’ の
窒素ガス圧とした。
窒素ガス圧とした。
焼成後、得られたサンプルを、窒素ガス圧200kg/
cI112 で、室温から1800℃まで600 ℃/
時の昇温速度で加熱し、180(1℃で2時間保持した
のち、炉冷することにより、HIP処理した。なおこの
HIP処理は窒化硼素粉末中に焼結体を埋設して行った
口 次に、サンプルを第1表に示すように、タングステン金
属粉末(実施例1及び5)、炭化タングステン粉末(実
施例2〜4)、窒化アルミニウム粉末(比較例1〜3)
にそれぞれ埋設し、第1表に示す加熱温度及び加熱時間
で熱処理した。なお比較例4及び比較例5では、実施例
1と同様にして焼結したサンプルを熱処理せずに最終サ
ンプルとした。
cI112 で、室温から1800℃まで600 ℃/
時の昇温速度で加熱し、180(1℃で2時間保持した
のち、炉冷することにより、HIP処理した。なおこの
HIP処理は窒化硼素粉末中に焼結体を埋設して行った
口 次に、サンプルを第1表に示すように、タングステン金
属粉末(実施例1及び5)、炭化タングステン粉末(実
施例2〜4)、窒化アルミニウム粉末(比較例1〜3)
にそれぞれ埋設し、第1表に示す加熱温度及び加熱時間
で熱処理した。なお比較例4及び比較例5では、実施例
1と同様にして焼結したサンプルを熱処理せずに最終サ
ンプルとした。
各サンプルの重量変化を以下の式によって求めた。
重量変化(%):
また、粒界相の結晶化度を調べるために、X線回折試験
を行った。そして、以下の値(1/To)をそれぞれの
サンプルについて計算した。
を行った。そして、以下の値(1/To)をそれぞれの
サンプルについて計算した。
1/1. (%) :
重量変化及びI/Io を第1表に示す。
得られた焼結体の3mm x 4mm x40tmの大
きさの試験片を、JIS R1601−1981ニ基ツ
イテ、1300 tでの3点曲げテストを行い、強度を
測定した。結果をfi1表に合わせて示す。
きさの試験片を、JIS R1601−1981ニ基ツ
イテ、1300 tでの3点曲げテストを行い、強度を
測定した。結果をfi1表に合わせて示す。
第1表かられかるように、タングステン粉末及び炭化タ
ングステン粉末中に埋設して熱処理した窒化珪素質焼結
体は、窒化アルミニウム粉末中に埋設して熱処理したも
のよりも大きな強度を有する。なお、焼結の後に熱処理
を施さなかったサンプル(比較例4及び5)は、さらに
小さな強度を有していた。
ングステン粉末中に埋設して熱処理した窒化珪素質焼結
体は、窒化アルミニウム粉末中に埋設して熱処理したも
のよりも大きな強度を有する。なお、焼結の後に熱処理
を施さなかったサンプル(比較例4及び5)は、さらに
小さな強度を有していた。
また、I/Io O値は、実施例のサンプルでは2%を
超える大きさであったのに対して、比較例においては小
さいものまたは零(32°付近にピークが存在しない)
であった。すなわち、実施例のサンプルでは、比較例
のサンプルに比して粒界相の結晶化が進んでいることが
わかる。なお、実施例のサンプルの粒界相中では、主と
してY、N(SiO,)。
超える大きさであったのに対して、比較例においては小
さいものまたは零(32°付近にピークが存在しない)
であった。すなわち、実施例のサンプルでは、比較例
のサンプルに比して粒界相の結晶化が進んでいることが
わかる。なお、実施例のサンプルの粒界相中では、主と
してY、N(SiO,)。
の結晶が成長しているものと考えられる。
次に、実施例1と実施例2及び比較例1のサンプルにお
ける重量変化と、1300℃における強度との関係を第
1図に示す。第1図かられかるように、実施例1及び2
のサンプルでは、比較例1のサンプルに比して大きな重
量減少がみられた。重量減少が大きくなるにしたがって
、得られる窒化珪素質焼結体が大きな強度を有するのが
わかる。
ける重量変化と、1300℃における強度との関係を第
1図に示す。第1図かられかるように、実施例1及び2
のサンプルでは、比較例1のサンプルに比して大きな重
量減少がみられた。重量減少が大きくなるにしたがって
、得られる窒化珪素質焼結体が大きな強度を有するのが
わかる。
実施例6〜9、比較例6〜9
実施例1と同様の窒化珪素粉末と、第2表に示す焼結助
剤とを用いて、実施例1と同様の方法で焼結体を製造し
た。
剤とを用いて、実施例1と同様の方法で焼結体を製造し
た。
得られた焼結体についてタングステン粉末を用い、17
50℃で5時間の条件で結晶化熱処理を行った。
50℃で5時間の条件で結晶化熱処理を行った。
得られたサンプルについて、実施例1と同様にして13
00℃での強度を測定した。
00℃での強度を測定した。
結果を第2表に示す。
比較例6〜9として、それぞれ実施例6〜9と同一の組
成で焼結体を製造し、タングステン粉末中での結晶化熱
処理を行わないサンプルについて同様に1300℃での
強度を測定した。
成で焼結体を製造し、タングステン粉末中での結晶化熱
処理を行わないサンプルについて同様に1300℃での
強度を測定した。
結果を第2表に合わせて示す。
第2表から明らかなように、実施例6〜9のサンプルは
それぞれ対応する比較例6〜9のサンプルよりはるかに
大きな高温強度を有する。
それぞれ対応する比較例6〜9のサンプルよりはるかに
大きな高温強度を有する。
以上説明したように、本発明の方法では、焼結した窒化
珪素質成形体を特定の金属粉末及び/又は金属炭化物粉
体中に埋設して熱処理し、高温強度を向上させている。
珪素質成形体を特定の金属粉末及び/又は金属炭化物粉
体中に埋設して熱処理し、高温強度を向上させている。
特にタングステン、炭化タングステン等の粉体中に窒化
珪素質焼結体を埋設して熱処理すれば、これまで行って
いた窒化アルミニウム粉体を用いた熱処理よりもはるか
に短い時間でより大きな強度をえることができる。
珪素質焼結体を埋設して熱処理すれば、これまで行って
いた窒化アルミニウム粉体を用いた熱処理よりもはるか
に短い時間でより大きな強度をえることができる。
本発明の熱処理を施した窒化珪素質焼結体は、高温で高
強度を要求されるエンジニアリングセラミック部材とし
て広く使用できる。
強度を要求されるエンジニアリングセラミック部材とし
て広く使用できる。
第1図はミ実施例1、実施例2及び比較例1のサンプル
における、熱処理前後の重量変化と高温(1300℃)
における窒化珪素質焼結体の強度との関係を示すグラフ
である。 第1図 手続 卆甫 正 書 (自発) III 平成3年9月恥日 特許庁長官 深 沢 亘 殿1 事件の表示 平成2年特許願第244484号 2 発明の名称 4代理人 住所 氏名 5 補正命令の日付 平成 年 6 補正の対象 東京都千代田区飯田橋1丁目8番10号カースル・ウェ
ルビル2階 電 話 (3261) 62.ひ6(800
1)弁理士 高石 橋馬 月 日 (発送日) 巡 (1)明細書第6頁第8行〜第10行の1強度か低下し
、・・・強度が得られない。Jを「強度が低下する。 」と訂正する。 (2)同第1O頁第1行の「窒化珪素質成形体」を「窒
化珪素質焼結体」と訂正する。 (3)同第11頁末行〜同第12頁第1行の「2.5重
量%」を「1.0重量%」と訂正する。 (4)同第12頁第1行〜第2行の「1,0重量%」を
「2.5重量%」と訂正する。 (5)同第14頁第1行の 以上
における、熱処理前後の重量変化と高温(1300℃)
における窒化珪素質焼結体の強度との関係を示すグラフ
である。 第1図 手続 卆甫 正 書 (自発) III 平成3年9月恥日 特許庁長官 深 沢 亘 殿1 事件の表示 平成2年特許願第244484号 2 発明の名称 4代理人 住所 氏名 5 補正命令の日付 平成 年 6 補正の対象 東京都千代田区飯田橋1丁目8番10号カースル・ウェ
ルビル2階 電 話 (3261) 62.ひ6(800
1)弁理士 高石 橋馬 月 日 (発送日) 巡 (1)明細書第6頁第8行〜第10行の1強度か低下し
、・・・強度が得られない。Jを「強度が低下する。 」と訂正する。 (2)同第1O頁第1行の「窒化珪素質成形体」を「窒
化珪素質焼結体」と訂正する。 (3)同第11頁末行〜同第12頁第1行の「2.5重
量%」を「1.0重量%」と訂正する。 (4)同第12頁第1行〜第2行の「1,0重量%」を
「2.5重量%」と訂正する。 (5)同第14頁第1行の 以上
Claims (3)
- (1)窒化珪素粉末及び焼結助剤粉末から製造された窒
化珪素質焼結体を、W、Mo、Ta、Re及びこれらの
金属の炭化物からなる群から選ばれた少なくとも1種の
粉末中に埋設して、非酸化性雰囲気中で加熱処理するこ
とを特徴とする窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方法。 - (2)請求項1に記載の方法において、前記焼結助剤が
Al化合物とIIIa族元素化合物との混合物又はIIIa族
元素化合物であることを特徴とする窒化珪素質焼結体の
結晶化熱処理方法。 - (3)請求項1又は2に記載の方法において、前記非酸
化性雰囲気中での加熱処理を1400〜1950℃で行
うことを特徴とする窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244484A JP2927919B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方法 |
| US07/758,105 US5158914A (en) | 1990-09-14 | 1991-09-12 | Method of heat-treating silicon nitride sintered body |
| DE69111537T DE69111537T2 (de) | 1990-09-14 | 1991-09-13 | Verfahren zur Wärmebehandlung eines Sinterkörpers aus Siliziumnitrid. |
| EP91308372A EP0475775B1 (en) | 1990-09-14 | 1991-09-13 | Method of heat-treating a silicon nitride sintered body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2244484A JP2927919B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124068A true JPH04124068A (ja) | 1992-04-24 |
| JP2927919B2 JP2927919B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=17119355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2244484A Expired - Lifetime JP2927919B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 窒化珪素質焼結体の結晶化熱処理方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5158914A (ja) |
| EP (1) | EP0475775B1 (ja) |
| JP (1) | JP2927919B2 (ja) |
| DE (1) | DE69111537T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010241616A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Toshiba Corp | 耐衝撃部材およびその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6977233B2 (en) * | 2003-07-15 | 2005-12-20 | Honeywell International, Inc. | Sintered silicon nitride |
| JP7826937B2 (ja) * | 2020-05-07 | 2026-03-10 | Agc株式会社 | セラミックス焼結体の製造方法及びセラミックス焼結体 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4921019A (ja) * | 1972-06-15 | 1974-02-25 | ||
| US4072532A (en) * | 1975-11-20 | 1978-02-07 | Nasa | High temperature resistant cermet and ceramic compositions |
| JPS58151371A (ja) * | 1982-02-25 | 1983-09-08 | 住友電気工業株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
| DE3460366D1 (en) * | 1983-02-26 | 1986-09-04 | Lucas Cookson Syalon Limited | Silicon aluminium oxynitride ceramic product and method of production |
| US4466820A (en) * | 1983-07-18 | 1984-08-21 | Rockwell International Corporation | Electrolysis treatment for drawing ions out of a ceramic |
| DE3443817A1 (de) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Director General of Agency of Industrial Science and Technology Itaru Todoriki, Tokio/Tokyo | Verfahren zur herstellung von keramik |
| JPS61266359A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-26 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造法 |
| US4892848A (en) * | 1985-07-30 | 1990-01-09 | Kyocera Corporation | Silicon nitride sintered body and process for preparation thereof |
| JPS62197356A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | 日本碍子株式会社 | 窒化珪素焼結体の製造方法 |
| JP2577899B2 (ja) * | 1987-01-28 | 1997-02-05 | 本田技研工業株式会社 | 窒化珪素質焼結体及びその製造法 |
| US4830800A (en) * | 1987-07-27 | 1989-05-16 | The Regents Of The University Of California | Method of producing a dense refractory silicon nitride (SI3 N4) compact with one or more crystalline intergranular phases |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP2244484A patent/JP2927919B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-12 US US07/758,105 patent/US5158914A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-13 EP EP91308372A patent/EP0475775B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-13 DE DE69111537T patent/DE69111537T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010241616A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Toshiba Corp | 耐衝撃部材およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2927919B2 (ja) | 1999-07-28 |
| EP0475775B1 (en) | 1995-07-26 |
| EP0475775A1 (en) | 1992-03-18 |
| US5158914A (en) | 1992-10-27 |
| DE69111537D1 (de) | 1995-08-31 |
| DE69111537T2 (de) | 1996-04-18 |
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