JPH0412407A - 平角状絶縁電線 - Google Patents
平角状絶縁電線Info
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- JPH0412407A JPH0412407A JP2114549A JP11454990A JPH0412407A JP H0412407 A JPH0412407 A JP H0412407A JP 2114549 A JP2114549 A JP 2114549A JP 11454990 A JP11454990 A JP 11454990A JP H0412407 A JPH0412407 A JP H0412407A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、超薄膜の耐熱性絶縁層を有する平角状絶縁電
線に関する。
線に関する。
従来の技術及び課題
従来、平角状絶縁電線における絶縁層の薄膜化の限界は
lOμ■程度であった。これは、予め目的厚さ等に形成
した平角状導体にワニスを塗布する方式では、その塗布
時や焼付時におけるワニスの流動で平角状導体のコーナ
一部に必要厚の絶縁層が形成されないためであり他方、
絶縁層を付与した丸形等の導体を圧延処理する方式では
、絶縁層の残留応力で耐電圧性や耐ヒートシヨツク性等
が低下し、絶縁層にヒビ割れ等が発生して実用に耐えな
いものとなるためである。
lOμ■程度であった。これは、予め目的厚さ等に形成
した平角状導体にワニスを塗布する方式では、その塗布
時や焼付時におけるワニスの流動で平角状導体のコーナ
一部に必要厚の絶縁層が形成されないためであり他方、
絶縁層を付与した丸形等の導体を圧延処理する方式では
、絶縁層の残留応力で耐電圧性や耐ヒートシヨツク性等
が低下し、絶縁層にヒビ割れ等が発生して実用に耐えな
いものとなるためである。
しかし、電気機器の軽量小型化の進展にf’lい平角状
絶縁電線の更なる薄型化が要求されており、そのため絶
縁層の超薄膜化が課題となっている。
絶縁電線の更なる薄型化が要求されており、そのため絶
縁層の超薄膜化が課題となっている。
かつその場合に、超薄膜におけるl(熱特11−の(i
頼11を確保ずべ(、耐熱性に優れる絶縁層であること
も課題となっている。
頼11を確保ずべ(、耐熱性に優れる絶縁層であること
も課題となっている。
課題を解決するだめの手段
本発明者らは、特殊な耐熱性ポリマー系のエマルジョン
型電着ワニスの焼付層により超薄膜化を達成できて前記
の課題を克服できることを見出し、本発明をなすに至っ
た。
型電着ワニスの焼付層により超薄膜化を達成できて前記
の課題を克服できることを見出し、本発明をなすに至っ
た。
すなわち本発明は、平角状導体の周囲に、イミド系又は
アミド系のポリマーを成分とするエマルジョン型電着ワ
ニスの焼付層からなる厚さが5μm以下の耐熱性絶縁層
を有することを特徴とする特角状絶縁電線を提供するも
のである。
アミド系のポリマーを成分とするエマルジョン型電着ワ
ニスの焼付層からなる厚さが5μm以下の耐熱性絶縁層
を有することを特徴とする特角状絶縁電線を提供するも
のである。
作用及び効果
イミド系又はアミド系のポリマーをエマルジョンとして
含有する電着ワニスの焼付方式により、予め目的の厚さ
とした平角状導体のコーナ一部に対しても充分な厚さの
超薄膜型絶縁層を形成することができ、かつ耐熱性に優
れる、通例180ないし200℃以上の耐熱性を有する
超薄膜型の絶縁層を形成することができる。さらに、形
成された耐熱性絶縁層は、ピンホール数(JIS C3
003)が100個/m以下、通例70個/m以下と少
なく、絶縁性にも優れている。
含有する電着ワニスの焼付方式により、予め目的の厚さ
とした平角状導体のコーナ一部に対しても充分な厚さの
超薄膜型絶縁層を形成することができ、かつ耐熱性に優
れる、通例180ないし200℃以上の耐熱性を有する
超薄膜型の絶縁層を形成することができる。さらに、形
成された耐熱性絶縁層は、ピンホール数(JIS C3
003)が100個/m以下、通例70個/m以下と少
なく、絶縁性にも優れている。
発明の構成要素の例示
第1図に本発明の平角状絶縁電線を例示した。
1が耐熱性絶縁層、2が平角状導体、21が平坦部、2
2がコーナ一部である。
2がコーナ一部である。
本発明においては、限定するものでないがその目的より
、極薄の平角状導体が好ましく用いられる。その例とし
ては、厚さが800μm以下、就中500IIm以下、
特にlO〜200叩で、幅が100μm〜10鵬程度の
ものがあげられる。アスペクト比は1/3〜1/100
程度が一般的である。平角状導体の材質としては導電性
の良好なものであればよい。その例としては通常の電気
銅、銅合金、アルミニウム、銅クラツドアルミニウムな
どがあげられる。
、極薄の平角状導体が好ましく用いられる。その例とし
ては、厚さが800μm以下、就中500IIm以下、
特にlO〜200叩で、幅が100μm〜10鵬程度の
ものがあげられる。アスペクト比は1/3〜1/100
程度が一般的である。平角状導体の材質としては導電性
の良好なものであればよい。その例としては通常の電気
銅、銅合金、アルミニウム、銅クラツドアルミニウムな
どがあげられる。
平角状導体の周囲に設けられる耐熱性絶縁層はイミド系
又はアミド系のポリマーを成分とするエマルジョン型電
着ワニスの焼付層として形成される。かかるエマルジョ
ン型電着ワニスの使用により目的とする超薄膜化が達成
される。形成する耐熱性絶縁層の厚さは5μm以下、就
中0.5〜4.0μm1特に0.8〜3.0μ−であ・
る。前記の電着方式においては、平角状導体のコーナ一
部(22)における厚さが平坦部(21)のそれよりも
厚(なる傾向にある。これは、コーナ一部に電界が集中
しやすいことより絶縁特性に有利に作用するが、その場
合において前記した耐熱性絶縁層の厚さは平角状導体の
平坦部(21)に基づく。なお、前記コーナ一部におけ
る耐熱性絶縁層の厚さは、平坦部のそれの通常1.05
〜IO倍程度である。
又はアミド系のポリマーを成分とするエマルジョン型電
着ワニスの焼付層として形成される。かかるエマルジョ
ン型電着ワニスの使用により目的とする超薄膜化が達成
される。形成する耐熱性絶縁層の厚さは5μm以下、就
中0.5〜4.0μm1特に0.8〜3.0μ−であ・
る。前記の電着方式においては、平角状導体のコーナ一
部(22)における厚さが平坦部(21)のそれよりも
厚(なる傾向にある。これは、コーナ一部に電界が集中
しやすいことより絶縁特性に有利に作用するが、その場
合において前記した耐熱性絶縁層の厚さは平角状導体の
平坦部(21)に基づく。なお、前記コーナ一部におけ
る耐熱性絶縁層の厚さは、平坦部のそれの通常1.05
〜IO倍程度である。
本発明の平角状絶縁電線の製造は例えば、平角状導体上
にエマルジョン型電着ワニスからなる所定厚さの層を形
成し、その電着層を焼付処理することにより行うことが
できる。第2図にその工程例を示した。この製造工程で
は、まず直流電源(図示せず)の陽極側に接続した平角
状導体3を電着バス4に導入する。電着バス4内には、
所定のエマルジョン型電着ワニス5が充填されており、
円筒状の陰極6が配置されている。平角状導体3が円筒
状の陰極6内を通過する間に、電位差に基づいて電着ワ
ニス中のポリマー粒子が付着し、電着層が形成される。
にエマルジョン型電着ワニスからなる所定厚さの層を形
成し、その電着層を焼付処理することにより行うことが
できる。第2図にその工程例を示した。この製造工程で
は、まず直流電源(図示せず)の陽極側に接続した平角
状導体3を電着バス4に導入する。電着バス4内には、
所定のエマルジョン型電着ワニス5が充填されており、
円筒状の陰極6が配置されている。平角状導体3が円筒
状の陰極6内を通過する間に、電位差に基づいて電着ワ
ニス中のポリマー粒子が付着し、電着層が形成される。
その際、好ましく用いうるエマルジョン型電着ワニスは
、閉環率が90%以上のイミド基を有するポリマー、ア
ミド基を有するポリマー、閉環率が90%以上のイミド
基とアミド基を有するポリマーの1種又は2種以上を溶
剤に溶解させ、その溶液をポリマー不溶性の分散媒中に
滴下方式等により添加し.エマルジョンとしたものであ
る。前記した閉環率が90%以上のイミド基を有するポ
リマーとは、下記の弐[1で表されるアミド酸基からな
る構造単位の90%以上が式[11]で表されるイミド
基構造に変化したものである。閉環率が90%以−トの
イミド基を有するポリマーの使用により、形成+1i着
層の焼付時におけるアミド酸基の閉環反応に伴う脱水を
低減でき、ピンポール等の原因となる発泡を防止、ない
し抑制することができろ。
、閉環率が90%以上のイミド基を有するポリマー、ア
ミド基を有するポリマー、閉環率が90%以上のイミド
基とアミド基を有するポリマーの1種又は2種以上を溶
剤に溶解させ、その溶液をポリマー不溶性の分散媒中に
滴下方式等により添加し.エマルジョンとしたものであ
る。前記した閉環率が90%以上のイミド基を有するポ
リマーとは、下記の弐[1で表されるアミド酸基からな
る構造単位の90%以上が式[11]で表されるイミド
基構造に変化したものである。閉環率が90%以−トの
イミド基を有するポリマーの使用により、形成+1i着
層の焼付時におけるアミド酸基の閉環反応に伴う脱水を
低減でき、ピンポール等の原因となる発泡を防止、ない
し抑制することができろ。
[3[nl
前記したポリマーの例としては次のものがあげられる。
(1)次式の構造を有するポリアミドイミド(例えば商
品名: Torlon 400(IT ;三菱製紙社製
)。
品名: Torlon 400(IT ;三菱製紙社製
)。
(2)次式の構造を有する芳香族ポリアミド(例えば商
品名: ATC、三菱製紙社製)。
品名: ATC、三菱製紙社製)。
(3)次式の構造を有するポリエーテルイミド(例えば
商品名 ULTEM 11000 : G E社製)。
商品名 ULTEM 11000 : G E社製)。
(4〉次式の構造を有するポリイミド(例えばボッイミ
ドHUpjohn社製)。
ドHUpjohn社製)。
ただし、上記した式(1)、(2〉、(3)、(4)に
おいて、R1は、 とである。R2、R:lは である。R4は ポリマーを溶解させるための溶剤としては、Nメチル−
2−ピロリドン、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどの極性溶
剤、ないしその混合溶剤があげられる。
おいて、R1は、 とである。R2、R:lは である。R4は ポリマーを溶解させるための溶剤としては、Nメチル−
2−ピロリドン、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、ジメチルアセトアミドなどの極性溶
剤、ないしその混合溶剤があげられる。
ポリマー不溶性の分散媒としては、アセトン、メヂルエ
ヂルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類が好ましく用いられ
る。
ヂルケトン、ジエチルケトン、シクロヘキサノン、メチ
ルイソブチルケトンなどのケトン類が好ましく用いられ
る。
溶剤と分散媒の使用割合は、調製エマルジョンの安定性
の点より前者/後者の重量比で10./90〜5015
0が適当である。
の点より前者/後者の重量比で10./90〜5015
0が適当である。
エマルジョンの調製に際しては、電着ポリマーの化学当
量を上げるべく、例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミン、トリn−プロピルアミン、トリn−ブチルアミ
ン、ピリジン、N−エヂルピペリシンなどの窒素含有化
合物を必要に応じ添加してもよい。その添加量は、溶剤
100重量部あたり0.5〜3重量部が通例である。な
お窒素含有化合物は、ポリマー溶液側に添加することが
好ましい。
量を上げるべく、例えばトリメチルアミン、トリエチル
アミン、トリn−プロピルアミン、トリn−ブチルアミ
ン、ピリジン、N−エヂルピペリシンなどの窒素含有化
合物を必要に応じ添加してもよい。その添加量は、溶剤
100重量部あたり0.5〜3重量部が通例である。な
お窒素含有化合物は、ポリマー溶液側に添加することが
好ましい。
調製するエマルジョン型電着ワニスの濃度は0.1〜I
O重量%、就中0.3〜5重量%が適当である。
O重量%、就中0.3〜5重量%が適当である。
その濃度が0.1重量%未満ではピンホールが増加して
絶縁性に乏しい場合があり、10重量%を超えると良好
な超薄膜を形成し難くなる。またエマルジョンにおける
粒子の大きさは通常1μm以下、好ましくは0 、5p
m以下程度であり、大きすぎると超薄膜形成性に乏しく
なる。
絶縁性に乏しい場合があり、10重量%を超えると良好
な超薄膜を形成し難くなる。またエマルジョンにおける
粒子の大きさは通常1μm以下、好ましくは0 、5p
m以下程度であり、大きすぎると超薄膜形成性に乏しく
なる。
電着条件としては例えば、直流電圧:5〜100V1就
中7〜70V1電着時間・0.01〜30秒間、就中0
.03〜15秒間、ワニス温度、5〜40℃、就中lO
〜35℃などがあげられる。課電に際しては直流電圧に
加えて交流電圧を重畳させることもできる。
中7〜70V1電着時間・0.01〜30秒間、就中0
.03〜15秒間、ワニス温度、5〜40℃、就中lO
〜35℃などがあげられる。課電に際しては直流電圧に
加えて交流電圧を重畳させることもできる。
電着バス4の出口には必要に応じて、例えばエアーワイ
パ、ローラーワイパ等のワイピング装置を設けて電着ワ
ニスの過分量を除去してもよい。
パ、ローラーワイパ等のワイピング装置を設けて電着ワ
ニスの過分量を除去してもよい。
これにより、焼付時に一層発泡し難くすることができ、
例えば50m/分以上の高速作業をよりスムーズに行う
ことができる。
例えば50m/分以上の高速作業をよりスムーズに行う
ことができる。
電着バス4を通過した平角状導体は、次に焼付装置7に
導入される。焼付温度はj角常、200〜700°C1
就中250〜600℃である。焼付時に発泡等が生じや
すい場合などには、焼付処理の前工程に乾燥工程を設け
、乾燥処理と一工程で行う方式などもとりつる。その場
合には通常、処理温度が乾燥処理と焼付処理に適合する
よう温度変化させた焼付装置などが用いられる。乾燥温
度は使用溶剤等により適宜に決定されるが、一般には6
0〜300℃、就中100〜250℃とされる。
導入される。焼付温度はj角常、200〜700°C1
就中250〜600℃である。焼付時に発泡等が生じや
すい場合などには、焼付処理の前工程に乾燥工程を設け
、乾燥処理と一工程で行う方式などもとりつる。その場
合には通常、処理温度が乾燥処理と焼付処理に適合する
よう温度変化させた焼付装置などが用いられる。乾燥温
度は使用溶剤等により適宜に決定されるが、一般には6
0〜300℃、就中100〜250℃とされる。
なお第2図中の9は、形成された平角状絶縁型1i18
の巻取り機である。
の巻取り機である。
本発明の平角状絶縁電線には、それがコイルに巻かれる
場合の作業を助けるため自己融着11の層を耐熱性絶縁
層の上に設けてもよい。自己融着11の層は、電着ワニ
ス層が半硬化状態にある段階において設けることもでき
る。なお自己融着11の層は、絶縁性を有さなくてもよ
く、厚さも均一である必要はないので浸漬塗布方式など
の塗装方式で形成してもよく、フェルトなどでワニス絞
りを施してもよい。
場合の作業を助けるため自己融着11の層を耐熱性絶縁
層の上に設けてもよい。自己融着11の層は、電着ワニ
ス層が半硬化状態にある段階において設けることもでき
る。なお自己融着11の層は、絶縁性を有さなくてもよ
く、厚さも均一である必要はないので浸漬塗布方式など
の塗装方式で形成してもよく、フェルトなどでワニス絞
りを施してもよい。
参考例1
芳香族ポリアミドイミド(Torlon 4000T)
100部(重量部、以下同じ〉をN−メチル−2−ピ
ロッドン1900部に溶解させ、得られた溶液をアセト
ン2000部中に滴下して、濃度2.5重量%のエマル
ジョンからなる電着ワニスを得た。
100部(重量部、以下同じ〉をN−メチル−2−ピ
ロッドン1900部に溶解させ、得られた溶液をアセト
ン2000部中に滴下して、濃度2.5重量%のエマル
ジョンからなる電着ワニスを得た。
参考例2
ポリエーテルイミド(ULTEM 11000) 10
0部をN〜メチル−2−ピロリドン1900部に溶解さ
せて得た溶液をアセトン4000部中に滴下し、濃度1
.6重量%のエマルジョンからなる電着ワニスを得た。
0部をN〜メチル−2−ピロリドン1900部に溶解さ
せて得た溶液をアセトン4000部中に滴下し、濃度1
.6重量%のエマルジョンからなる電着ワニスを得た。
参考例3
芳香族ポリアミドイミド(ATU) 100部をN−メ
チル−2−ピロリドン1900部に溶解させて得た溶液
をアセトン3000部中に摘下し、濃度2.5重量%の
エマルジョンからなる電着ワニスを得た。
チル−2−ピロリドン1900部に溶解させて得た溶液
をアセトン3000部中に摘下し、濃度2.5重量%の
エマルジョンからなる電着ワニスを得た。
実施例1
竪型炉にて下記の条件で平角状絶縁電線を得た。
平角状導体:厚さ200μm×幅6鴫の銅箔電着ワニス
:参考例1 ワニス温度:20℃(以下同じ) 陰極:直径6 cw+ %長さ30cmの銅円筒(以下
同じ)極間距離:3cm(以下同じ) 電着電圧:直流15V(以下同じ) 線速:5.Om/分 乾燥温度:200℃(以下同じ) 焼付温度:420℃ 実施例2 下記の条件で実施例1に準じ平角状絶縁電線を得た。
:参考例1 ワニス温度:20℃(以下同じ) 陰極:直径6 cw+ %長さ30cmの銅円筒(以下
同じ)極間距離:3cm(以下同じ) 電着電圧:直流15V(以下同じ) 線速:5.Om/分 乾燥温度:200℃(以下同じ) 焼付温度:420℃ 実施例2 下記の条件で実施例1に準じ平角状絶縁電線を得た。
平角状導体:丸導体を圧延して平角状とした厚さ110
0u+ X輻700趨のアルミニウム導体電着ワニス:
参考例2 線速:20.Om/分 焼付温度=400℃ 実施例3 下記の条件で実施例1に準じ平角状絶縁電線を得た。
0u+ X輻700趨のアルミニウム導体電着ワニス:
参考例2 線速:20.Om/分 焼付温度=400℃ 実施例3 下記の条件で実施例1に準じ平角状絶縁電線を得た。
平角状導体:厚さ500u111 x幅1.5mmの銅
クラツドアルミニウム箔 電着ワニス・参考例3 線速: 15.0m/分 焼付温度:400°C 比較例1 溶液型のポリイミドワニス(日東電工社製、商品名:
X−600W)を用いたほかは実施例1に準じて平角状
絶縁電線を得た。
クラツドアルミニウム箔 電着ワニス・参考例3 線速: 15.0m/分 焼付温度:400°C 比較例1 溶液型のポリイミドワニス(日東電工社製、商品名:
X−600W)を用いたほかは実施例1に準じて平角状
絶縁電線を得た。
比較例2
電着ワニスとして水分散型アクリルワニスを用い、焼付
温度を380℃としたほかは実施例1に準じて平角状絶
縁電線を得た。
温度を380℃としたほかは実施例1に準じて平角状絶
縁電線を得た。
評価試験
実施例、比較例で得た平角状絶縁電線につき下記の項目
について調べた。
について調べた。
[絶縁層の厚さ]
平用部及びコーナ一部における絶縁層の厚さを測定した
。
。
[外観]
絶縁層の外観を目視判定した。
[ピンホールI
JISC3003−に準拠して絶縁層におけるピンホー
ルの数を調べた。
ルの数を調べた。
[軟化温度1
JIS C3003に準拠して絶縁層の軟化温度を調べ
た。
た。
[耐熱温度I
ASTM D23011′ニー準拠して2万時間寿命
の耐熱温度を調べた。
の耐熱温度を調べた。
上記の結果を表に示した。
*:コーナ一部において平角状導体の露出部分が殆どで
、実質的に絶縁層が形成されているとは認められなかっ
た。なお、平用部に形成された絶縁層部分には無数のピ
ンホールが認められた。
、実質的に絶縁層が形成されているとは認められなかっ
た。なお、平用部に形成された絶縁層部分には無数のピ
ンホールが認められた。
第1図は実施例の断面図、第2図は製造工程例のフロー
チャートである。 1:耐熱性絶縁層 2.3:平角状導体 5:エマルジョン型電着ワニス 7 焼付装置 8:平角状絶縁電線 特許出願人 三菱電線工業株式会社代 理 人
藤 本 勉第2
チャートである。 1:耐熱性絶縁層 2.3:平角状導体 5:エマルジョン型電着ワニス 7 焼付装置 8:平角状絶縁電線 特許出願人 三菱電線工業株式会社代 理 人
藤 本 勉第2
Claims (2)
- 1.平角状導体の周囲に、イミド系又はアミド系のポリ
マーを成分とするエマルジョン型電着ワニスの焼付層か
らなる厚さが5μm以下の耐熱性絶縁層を有することを
特徴とする平角状絶縁電線。 - 2.エマルジョン型電着ワニスにおけるイミド系ポリマ
ーがそのイミド基の閉環率が90%以上のものである請
求項1に記載の平角状絶縁電線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114549A JP2699210B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 平角状絶縁電線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2114549A JP2699210B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 平角状絶縁電線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412407A true JPH0412407A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2699210B2 JP2699210B2 (ja) | 1998-01-19 |
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ID=14640571
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2114549A Expired - Fee Related JP2699210B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 平角状絶縁電線 |
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| JP (1) | JP2699210B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE102006029511B4 (de) | 2005-06-29 | 2018-03-29 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Brennstoffzellenstapel und verfahren zum herstellen einer anschlussplatte für einen brennstoffzellenstapel |
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| JPS49108600A (ja) * | 1972-12-08 | 1974-10-16 | ||
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-
1990
- 1990-04-27 JP JP2114549A patent/JP2699210B2/ja not_active Expired - Fee Related
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