JPH0412406A - 平角状超薄膜絶縁電線 - Google Patents
平角状超薄膜絶縁電線Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アルミニウムからなる導体を有する平角状超
薄膜絶縁電線に関する。
薄膜絶縁電線に関する。
現在、極薄膜絶縁電線、特に平角状極薄膜絶縁電線とし
ては、精々8〜20μm程度の比較的厚膜の絶縁皮膜を
形成した絶縁電線が提案されているに過ぎない。
ては、精々8〜20μm程度の比較的厚膜の絶縁皮膜を
形成した絶縁電線が提案されているに過ぎない。
しかしながら、最近の技術の進歩に伴い、電気機器の軽
量小型化のためにTL線絶縁層の益々の薄膜化が強く要
望される現状にあるが、これ以上の薄膜の、換言すれば
超fl膜の絶縁電線は全く開発されていない。この理由
は、絶縁性ワニスの塗布焼付方法によっては平角状導体
の両平坦面上に超薄膜絶縁層を形成することは比較的容
易ではあっても、導体のコーナ一部に超薄膜を安定して
形成することが極めて困難であることによる。一方、平
角状絶縁電線の別の製造方法として、丸状導体に絶縁皮
膜を形成した後に圧延することにより絶縁電線を製造す
る方法がある。しかし、この方法では絶縁皮膜に残留応
力が残るため耐電圧や耐ヒートシヨツク性などが著しく
低下し、また圧延率が大きい場合や絶縁皮膜が超薄膜で
あると、皮膜に割れが生ずる難点がある。
量小型化のためにTL線絶縁層の益々の薄膜化が強く要
望される現状にあるが、これ以上の薄膜の、換言すれば
超fl膜の絶縁電線は全く開発されていない。この理由
は、絶縁性ワニスの塗布焼付方法によっては平角状導体
の両平坦面上に超薄膜絶縁層を形成することは比較的容
易ではあっても、導体のコーナ一部に超薄膜を安定して
形成することが極めて困難であることによる。一方、平
角状絶縁電線の別の製造方法として、丸状導体に絶縁皮
膜を形成した後に圧延することにより絶縁電線を製造す
る方法がある。しかし、この方法では絶縁皮膜に残留応
力が残るため耐電圧や耐ヒートシヨツク性などが著しく
低下し、また圧延率が大きい場合や絶縁皮膜が超薄膜で
あると、皮膜に割れが生ずる難点がある。
本発明が解決しようとする課題は、上記従来の技術に開
示の問題点に鑑み、平角状導体に超II膜の絶縁皮膜を
形成した平角状絶縁電線を開発することである。更に詳
しくは、少なくとも平角状導体(特に厚さが500μm
以下の極細のもの)の幅方向における平坦面上の絶縁皮
膜の厚さが5μm以下という超11膜の絶縁層を平角状
導体上に形成した平角状超薄膜絶縁電線を開発すること
である。
示の問題点に鑑み、平角状導体に超II膜の絶縁皮膜を
形成した平角状絶縁電線を開発することである。更に詳
しくは、少なくとも平角状導体(特に厚さが500μm
以下の極細のもの)の幅方向における平坦面上の絶縁皮
膜の厚さが5μm以下という超11膜の絶縁層を平角状
導体上に形成した平角状超薄膜絶縁電線を開発すること
である。
この課題は、圧延により平角状に成形したアルミニウム
からなる導体上にジンケート処理を施し、又はジンケー
ト処理面上に更に銅メッキを施し、当該ジンケート処理
面上又は銅メッキ面上に樹脂ワニスの電着により絶縁皮
膜を形成した電線であって、少なくとも導体の幅方向に
おける平坦面上の絶縁皮膜の厚さが5μm以下であるこ
とを特徴とする平角状超薄膜絶縁電線により解決される
。
からなる導体上にジンケート処理を施し、又はジンケー
ト処理面上に更に銅メッキを施し、当該ジンケート処理
面上又は銅メッキ面上に樹脂ワニスの電着により絶縁皮
膜を形成した電線であって、少なくとも導体の幅方向に
おける平坦面上の絶縁皮膜の厚さが5μm以下であるこ
とを特徴とする平角状超薄膜絶縁電線により解決される
。
本発明の絶縁電線は、原則として次のような構成を有す
る。
る。
(i)導体はアルミニウムからなること、(11)導体
は圧延により成形された平角状導体、就中極細平角状導
体であること、 (ii)導体上にジンケート処理が施されていること、
又はジン・ケート処理面上に更に銅メッキが施されてい
ること、 (iv)ジンケート処理面上、又は銅メッキ面上に樹脂
ワニスの電着により絶縁皮膜が形成されていること、 (v)少なくとも導体の幅方向における平坦面(以下フ
ラット部と称する)上の絶縁皮膜の厚さが5μm以下の
超薄膜であること、である。
は圧延により成形された平角状導体、就中極細平角状導
体であること、 (ii)導体上にジンケート処理が施されていること、
又はジン・ケート処理面上に更に銅メッキが施されてい
ること、 (iv)ジンケート処理面上、又は銅メッキ面上に樹脂
ワニスの電着により絶縁皮膜が形成されていること、 (v)少なくとも導体の幅方向における平坦面(以下フ
ラット部と称する)上の絶縁皮膜の厚さが5μm以下の
超薄膜であること、である。
以下に、これら項目について更に詳しく説明する。
本発明の絶縁電線における導体としては、アルミニウム
からなる平角状のもの、好ましくは極細平角状のもので
ある。具体的には第1図及び第2図に示す如く、導体の
厚さtは500μm以下、好ましくは10〜200 p
m程度である。輻Wは100〜5000μm程度である
。またアスペクト比(tow)は1:3〜1 : 10
0程度である。
からなる平角状のもの、好ましくは極細平角状のもので
ある。具体的には第1図及び第2図に示す如く、導体の
厚さtは500μm以下、好ましくは10〜200 p
m程度である。輻Wは100〜5000μm程度である
。またアスペクト比(tow)は1:3〜1 : 10
0程度である。
上記平角状導体は圧延により成形されたもので、圧延加
工は常套手段にて行えばよい0例えば、丸状導体を圧延
ロールなどによって極細平角状導体に成形したり、或い
は大サイズの平角状導体を圧延ロールなどによって小サ
イズの平角状導体に成形する、などが挙げられる。
工は常套手段にて行えばよい0例えば、丸状導体を圧延
ロールなどによって極細平角状導体に成形したり、或い
は大サイズの平角状導体を圧延ロールなどによって小サ
イズの平角状導体に成形する、などが挙げられる。
圧延により平角状導体を作製することにより、以下のジ
ンケート処理、銅メッキ処理、更には電着処理による各
処理層を安定して形成することができる。即ち、従来の
技術でも述べたように、丸状導体上に絶縁皮膜を形成し
た後に平角状導体に圧延した場合に生ずる皮膜割れや耐
電圧性、耐ヒートシッック性などの低下を防止できる。
ンケート処理、銅メッキ処理、更には電着処理による各
処理層を安定して形成することができる。即ち、従来の
技術でも述べたように、丸状導体上に絶縁皮膜を形成し
た後に平角状導体に圧延した場合に生ずる皮膜割れや耐
電圧性、耐ヒートシッック性などの低下を防止できる。
また、丸状導体上にジンケート処理、銅メッキ処理を施
、した導体を圧延した場合、銅メッキ層に亀裂が生じ、
次工程の電着処理で均一な絶縁皮膜が得られない、加え
て、平角状導体板から個々の平角状導体を切断する場合
に生ずる導体コーナ一部の切断面の粗さによる絶縁皮膜
の形成し難さをも解決できる。
、した導体を圧延した場合、銅メッキ層に亀裂が生じ、
次工程の電着処理で均一な絶縁皮膜が得られない、加え
て、平角状導体板から個々の平角状導体を切断する場合
に生ずる導体コーナ一部の切断面の粗さによる絶縁皮膜
の形成し難さをも解決できる。
平角状導体上に施すジンケート処理、銅メッキ処理、及
び電着処理はいずれも各々の常套手段によって行うこと
ができ、次に各処理について述べる。
び電着処理はいずれも各々の常套手段によって行うこと
ができ、次に各処理について述べる。
まず、ジンケート処理に先立ってアルミニウム製導体表
面の酸化アルミニウムを苛性ソーダなどにより除去して
おくことが望ましい。
面の酸化アルミニウムを苛性ソーダなどにより除去して
おくことが望ましい。
ジンケート処理は、自体公知の技術にて行えばよく、例
えば特開昭61−148900号公報に開示の処理技術
が好ましい。ジンケート処理に用いる処理液としては、
アルミニウム表面に7.n層を形成し得るものであれば
よく、例えば酸化亜鉛などの亜鉛化合物と苛性ソーダな
どの苛性アルカリとを含有する処理液が例示される。特
に好ましい処理液は、苛性ソーダ200〜600 g/
l、酸化亜鉛20〜200 g/j!、塩化第二鉄0.
5〜20g/l、酒石酸カリウム1−100g//!、
硝酸ソーダ0.5〜20g/fからなる水溶液である。
えば特開昭61−148900号公報に開示の処理技術
が好ましい。ジンケート処理に用いる処理液としては、
アルミニウム表面に7.n層を形成し得るものであれば
よく、例えば酸化亜鉛などの亜鉛化合物と苛性ソーダな
どの苛性アルカリとを含有する処理液が例示される。特
に好ましい処理液は、苛性ソーダ200〜600 g/
l、酸化亜鉛20〜200 g/j!、塩化第二鉄0.
5〜20g/l、酒石酸カリウム1−100g//!、
硝酸ソーダ0.5〜20g/fからなる水溶液である。
アルミニウム表面へのジンケート処理は、任意の温度で
行ってよいが、低温で行った場合にはZn層の形成に長
時間を要し、一方高温ではZn層がアルミニウム表面に
付着し難くなるので、20〜65°C1好ましくは25
〜55°Cの温度域で行うことが望ましい。この温度域
で行う場合の好ましい処理時間は1〜60秒間、好まし
くは3〜30秒間である。またジンケート処理によるZ
n層の厚さは、0.05〜2.0μm、好ましくは0.
08〜1,0μm程度でよい。
行ってよいが、低温で行った場合にはZn層の形成に長
時間を要し、一方高温ではZn層がアルミニウム表面に
付着し難くなるので、20〜65°C1好ましくは25
〜55°Cの温度域で行うことが望ましい。この温度域
で行う場合の好ましい処理時間は1〜60秒間、好まし
くは3〜30秒間である。またジンケート処理によるZ
n層の厚さは、0.05〜2.0μm、好ましくは0.
08〜1,0μm程度でよい。
上記ジンケート処理されたアルミニウム導体におけるジ
ンケート処理面上への銅メッキ処理は、本発明では必ず
しも施す必要はなく、当該処理を省いて次の電着処理に
移ってもよい。しかし、銅メッキ処理を施しておけば、
完成後の電線使用時に端子を付ける場合に銅メッキ層が
あるから半田付処理が容易になる。しかして銅メッキ処
理は、従来公知の技術に準じて行えばよく、電気メッキ
方式、化学メッキ方式のいずれの方式でも構わない。ま
た特に厚さの大きい銅メッキ層を形成する必要はなく、
0.1〜10μm程度の薄層で十分である。
ンケート処理面上への銅メッキ処理は、本発明では必ず
しも施す必要はなく、当該処理を省いて次の電着処理に
移ってもよい。しかし、銅メッキ処理を施しておけば、
完成後の電線使用時に端子を付ける場合に銅メッキ層が
あるから半田付処理が容易になる。しかして銅メッキ処
理は、従来公知の技術に準じて行えばよく、電気メッキ
方式、化学メッキ方式のいずれの方式でも構わない。ま
た特に厚さの大きい銅メッキ層を形成する必要はなく、
0.1〜10μm程度の薄層で十分である。
電着処理は、これも従来公知の技術にて行えばよい。電
着処理による絶縁皮膜において、少なくとも平角状導体
のフラット部上の皮欣厚さは5μm以下という従来全く
考えても見られなかった超薄膜絶縁皮膜であり、本発明
の最大の特徴の一つである。極細平角状導体につき従来
このような超薄膜絶縁層は形成されたことがなく、既に
(従来の技術〕で説明した通り導体のコーナ一部には殆
ど絶縁層を形成することができず、絶縁皮膜とはなり得
なかったものであると同時に、既に絶縁皮膜を形成した
丸状電線を圧延した場合には前述の通りの問題点がある
ものである。
着処理による絶縁皮膜において、少なくとも平角状導体
のフラット部上の皮欣厚さは5μm以下という従来全く
考えても見られなかった超薄膜絶縁皮膜であり、本発明
の最大の特徴の一つである。極細平角状導体につき従来
このような超薄膜絶縁層は形成されたことがなく、既に
(従来の技術〕で説明した通り導体のコーナ一部には殆
ど絶縁層を形成することができず、絶縁皮膜とはなり得
なかったものであると同時に、既に絶縁皮膜を形成した
丸状電線を圧延した場合には前述の通りの問題点がある
ものである。
この絶縁皮膜の厚さは、少なくとも平角状導体のフラッ
ト部が5μm以下である。より好ましくは第1図及び第
2図に示すように、導体のフラット部(幅Wの方向にお
ける面)においては0.5〜3μm、特に好ましくは0
.8〜2μm程度であり、導体のコーナ一部(厚さtの
方向における面)においてはフラット部よりも大きく、
通常フラット部の1.1倍以上、例えば1.1〜10倍
、好ましくは1.2〜5倍程度である。絶縁皮膜は、全
体としてこのような超薄膜でありながら、その絶縁特性
の目安の一つであるピンホール数(測定法はJISC3
003に拠る)において100個/m以下、例えば70
個/m以下であって、実際的な見地からして極めて優れ
た安定被覆性を有する。
ト部が5μm以下である。より好ましくは第1図及び第
2図に示すように、導体のフラット部(幅Wの方向にお
ける面)においては0.5〜3μm、特に好ましくは0
.8〜2μm程度であり、導体のコーナ一部(厚さtの
方向における面)においてはフラット部よりも大きく、
通常フラット部の1.1倍以上、例えば1.1〜10倍
、好ましくは1.2〜5倍程度である。絶縁皮膜は、全
体としてこのような超薄膜でありながら、その絶縁特性
の目安の一つであるピンホール数(測定法はJISC3
003に拠る)において100個/m以下、例えば70
個/m以下であって、実際的な見地からして極めて優れ
た安定被覆性を有する。
かかる超薄膜絶縁層を形成する電着処理の具体例につい
て以下に説明する。
て以下に説明する。
本発明における超薄膜絶縁層は、上記ジンケート処理(
及び銅メッキ処理)を施した平角状導体上に樹脂ワニス
、好ましくは水分散樹脂ワニスを電着して電着皮膜を形
成し、これを焼付けることにより形成される。その際、
後述する電着条件により導体コーナ一部の厚さがフラッ
ト部の厚さよりも1.1倍以上となるようにすることが
好ましい。
及び銅メッキ処理)を施した平角状導体上に樹脂ワニス
、好ましくは水分散樹脂ワニスを電着して電着皮膜を形
成し、これを焼付けることにより形成される。その際、
後述する電着条件により導体コーナ一部の厚さがフラッ
ト部の厚さよりも1.1倍以上となるようにすることが
好ましい。
次いで通常の条件で焼付けを行っても良好な超薄肉絶縁
層を形成することができる。なお参考のために付言する
と、溶液型樹脂ワニスを用いて電着して形成した超薄膜
の皮膜はこれを焼付けると、形成された超薄膜の皮膜が
焼付は時に樹脂ワニスの表面張力による流れを生じて均
一な皮膜が形成され難く、特にコーナ一部においてはこ
れが著しくて殆ど皮膜が形成されないことがある。たと
え形成できたとしても部分的にしか形成できず、良質な
絶縁皮膜とはなり難い。一方、ピンホール数はやはり計
数できない程の多数のレベルになる。
層を形成することができる。なお参考のために付言する
と、溶液型樹脂ワニスを用いて電着して形成した超薄膜
の皮膜はこれを焼付けると、形成された超薄膜の皮膜が
焼付は時に樹脂ワニスの表面張力による流れを生じて均
一な皮膜が形成され難く、特にコーナ一部においてはこ
れが著しくて殆ど皮膜が形成されないことがある。たと
え形成できたとしても部分的にしか形成できず、良質な
絶縁皮膜とはなり難い。一方、ピンホール数はやはり計
数できない程の多数のレベルになる。
本発明において使用する樹脂ワニスとしては、電着によ
り絶縁皮膜を形成し得るものであればよく、従来から電
着用樹脂ワニスとして使用されてきたものをいずれも使
用することができる。これらの中で好ましいものは、ア
クリル系樹脂の水分散りニスである。この際のアクリル
系樹脂としては次のようなものが例示される。即ち、(
a)成分として、式(1); %式%(1) (式中、R1は水素原子又はアルキル基を、R2はニト
リル基、アルデヒド基、又はカルボキシエステル基を示
す) にて表される少なくとも一種の化合物、及び(ハ)成分
として、式(2); CHt =CR5R,(2) (式中、R1及びR4はそれぞれ水素原子、アルキル基
、アミド基、N−アルキルアミド基、アルキロール基、
グリシジルエーテル基又はグリシジルエステル基を示す
、但し、R1とR4とが同時に水素原子、或いは同時に
アルキル基の場合を除く) にて表される少なくとも一種の化合物、並びに(C)成
分として式(1)或いは式(2)で表される化合物の各
二重結合と反応し得、る少なくとも1つの二重結合を有
する不飽和を機酸、の少なくとも上記3成分を反応させ
て得られる共重合体からなるアクリル系樹脂である。
り絶縁皮膜を形成し得るものであればよく、従来から電
着用樹脂ワニスとして使用されてきたものをいずれも使
用することができる。これらの中で好ましいものは、ア
クリル系樹脂の水分散りニスである。この際のアクリル
系樹脂としては次のようなものが例示される。即ち、(
a)成分として、式(1); %式%(1) (式中、R1は水素原子又はアルキル基を、R2はニト
リル基、アルデヒド基、又はカルボキシエステル基を示
す) にて表される少なくとも一種の化合物、及び(ハ)成分
として、式(2); CHt =CR5R,(2) (式中、R1及びR4はそれぞれ水素原子、アルキル基
、アミド基、N−アルキルアミド基、アルキロール基、
グリシジルエーテル基又はグリシジルエステル基を示す
、但し、R1とR4とが同時に水素原子、或いは同時に
アルキル基の場合を除く) にて表される少なくとも一種の化合物、並びに(C)成
分として式(1)或いは式(2)で表される化合物の各
二重結合と反応し得、る少なくとも1つの二重結合を有
する不飽和を機酸、の少なくとも上記3成分を反応させ
て得られる共重合体からなるアクリル系樹脂である。
上記(a)成分のR,、Rx、(b)成分のRa 、R
4、及び(C)成分である有機酸の各炭素数は、得られ
るポリアクリル樹脂の耐熱性の点から約30以下、特に
好ましくは15以下である。
4、及び(C)成分である有機酸の各炭素数は、得られ
るポリアクリル樹脂の耐熱性の点から約30以下、特に
好ましくは15以下である。
(a)成分の好ましい例としては、アクリロニトリル、
メタアクリロニトリル、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリ
ル酸プロピル、アクロレインがある。(a)成分のうち
特に好ましい例としては、得られるポリアクリル樹脂の
耐熱性の点から合計炭素数が15以下のものである。
メタアクリロニトリル、アクリル酸メチル、アクリル酸
エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、メタ
アクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリ
ル酸プロピル、アクロレインがある。(a)成分のうち
特に好ましい例としては、得られるポリアクリル樹脂の
耐熱性の点から合計炭素数が15以下のものである。
(b)成分の好ましい例としては、グリシジルアクリレ
ート、グリシジルメタアクリレート、アリルグリシジル
エーテル、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド
、エチロールアクリルアミドがある。
ート、グリシジルメタアクリレート、アリルグリシジル
エーテル、アクリルアミド、メチロールアクリルアミド
、エチロールアクリルアミドがある。
(C)成分の好ましい例としては、−塩基酸としてアク
リル酸、クロトン酸、ビニール酢酸、メタアクリル酸、
α−エチルアクリル酸、β−メチルクロトン酸、チグリ
ン酸、2−ペンテン酸、2〜ヘキセン酸、2−ヘプテン
酸、2−オクテン酸、lO−ウンデセン酸、9−オクタ
デセン酸、桂皮酸、アトロバ酸、α−ベンジルアクリル
酸、メチルアトロバ酸、2.4−ペンタジェン酸、2,
4−へキサジエン酸、2.4−ドデカンジエン酸、9゜
12−オクタデカジエン酸など、二塩基酸としてマレイ
ン酸、フマール酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコ
ン酸、グルタコン酸、ムコン酸、ジヒドロムコン酸など
、三塩基酸として1,2.4−プテントリカルボン酸な
どが例示される。より好ましい(C)成分の例としては
アクリル酸、メタアクリル酸、α−エチルアクリル酸、
クロトン酸、マレイン酸、フマール酸がある。
リル酸、クロトン酸、ビニール酢酸、メタアクリル酸、
α−エチルアクリル酸、β−メチルクロトン酸、チグリ
ン酸、2−ペンテン酸、2〜ヘキセン酸、2−ヘプテン
酸、2−オクテン酸、lO−ウンデセン酸、9−オクタ
デセン酸、桂皮酸、アトロバ酸、α−ベンジルアクリル
酸、メチルアトロバ酸、2.4−ペンタジェン酸、2,
4−へキサジエン酸、2.4−ドデカンジエン酸、9゜
12−オクタデカジエン酸など、二塩基酸としてマレイ
ン酸、フマール酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコ
ン酸、グルタコン酸、ムコン酸、ジヒドロムコン酸など
、三塩基酸として1,2.4−プテントリカルボン酸な
どが例示される。より好ましい(C)成分の例としては
アクリル酸、メタアクリル酸、α−エチルアクリル酸、
クロトン酸、マレイン酸、フマール酸がある。
本発明で用いるポリアクリル樹脂は公知の重合法、例え
ば乳化重合、溶液重合、懸濁重合により、上記(ロ)成
分1モル当たり(a)成分1〜20モル、好ましくは2
〜lOモル、最も好ましくは4〜6モルと、(a)成分
プラス(b)成分1モル当たり0.01〜0.2モル、
好ましくは0.03〜0.1モルの(C)成分とを反応
させて得られる。
ば乳化重合、溶液重合、懸濁重合により、上記(ロ)成
分1モル当たり(a)成分1〜20モル、好ましくは2
〜lOモル、最も好ましくは4〜6モルと、(a)成分
プラス(b)成分1モル当たり0.01〜0.2モル、
好ましくは0.03〜0.1モルの(C)成分とを反応
させて得られる。
上記のポリアクリル樹脂はスチレン及びその誘導体、ジ
オレフィンにより変性されたものであってもよい、この
際のスチレン誘導体としては、スチレンのフェニル基が
ニトリル基、ニトロ基、水酸基、アミノ基、ビニール基
、フェニル基、塩素、臭素などのハロゲン原子、アルキ
ル基、アラルキル基、N−アルキルアミノ基、の少なく
とも一つにより置換された化合物である。
オレフィンにより変性されたものであってもよい、この
際のスチレン誘導体としては、スチレンのフェニル基が
ニトリル基、ニトロ基、水酸基、アミノ基、ビニール基
、フェニル基、塩素、臭素などのハロゲン原子、アルキ
ル基、アラルキル基、N−アルキルアミノ基、の少なく
とも一つにより置換された化合物である。
本明細書において、アルキル基としては、メチル、エチ
ル、プロピル、ブチル、イソブチルなどの炭素数1〜4
のものが好適であり、これは、例えばアラルキル基、N
−アルキクアミド基、アルキロール基などのように当該
基の一部にアルキル部分を含む基についても同様である
。また、アラルキル基としてはベンジル基、α或いはβ
−フェニルエーテルなどがあり、N−アルキルアミノ基
としてはN−メチルアミノ、N−エチルアミノ、N−プ
ロピルアミノなどがある。就中、好ましいスチレン誘導
体の例としては、メチルスチレン、エチルスチレン、ジ
ビニルベンゼン、クロロスチレンがあり、更に上記ジオ
レフィンの好ましい例としてはブタジェン、ペンタジェ
ン、メチル−ブタジェンなどがある。これら変性剤を含
むポリアクリル樹脂は前記した公知の重合法により(a
)、[有])、(C)成分の混合物に一つ或いはそれ以
上の上記変性剤を加えて重合することにより得られるが
、スチレン及びその誘導体やジオレフィンの添加量は(
a)成分1モル当たり前者の場合で約2モル或いはそれ
以下、後者の場合で約1モル或いはそれ以下に抑えるべ
きである。この理由としてはスチレンの場合、得られる
ポリアクリル樹脂の可撓性が乏しくなること、一方ジオ
レフィンの場合、軟化温度が低くなることが挙げられる
。
ル、プロピル、ブチル、イソブチルなどの炭素数1〜4
のものが好適であり、これは、例えばアラルキル基、N
−アルキクアミド基、アルキロール基などのように当該
基の一部にアルキル部分を含む基についても同様である
。また、アラルキル基としてはベンジル基、α或いはβ
−フェニルエーテルなどがあり、N−アルキルアミノ基
としてはN−メチルアミノ、N−エチルアミノ、N−プ
ロピルアミノなどがある。就中、好ましいスチレン誘導
体の例としては、メチルスチレン、エチルスチレン、ジ
ビニルベンゼン、クロロスチレンがあり、更に上記ジオ
レフィンの好ましい例としてはブタジェン、ペンタジェ
ン、メチル−ブタジェンなどがある。これら変性剤を含
むポリアクリル樹脂は前記した公知の重合法により(a
)、[有])、(C)成分の混合物に一つ或いはそれ以
上の上記変性剤を加えて重合することにより得られるが
、スチレン及びその誘導体やジオレフィンの添加量は(
a)成分1モル当たり前者の場合で約2モル或いはそれ
以下、後者の場合で約1モル或いはそれ以下に抑えるべ
きである。この理由としてはスチレンの場合、得られる
ポリアクリル樹脂の可撓性が乏しくなること、一方ジオ
レフィンの場合、軟化温度が低くなることが挙げられる
。
本発明で用いるポリアクリル樹脂は、通常約10.00
0〜1,000,000の重合度を有するが、重合度が
余り低いと得られるポリアクリル樹脂の強靭さが乏しく
なり、一方重合度が余り高いと塗装に際しての作業性が
悪くなるため、より好ましいポリアクリル樹脂の重合度
は100,000〜500,000程度である。
0〜1,000,000の重合度を有するが、重合度が
余り低いと得られるポリアクリル樹脂の強靭さが乏しく
なり、一方重合度が余り高いと塗装に際しての作業性が
悪くなるため、より好ましいポリアクリル樹脂の重合度
は100,000〜500,000程度である。
アクリル系樹脂のうち、特に好ましいのはエポキシアク
リル系樹脂である。また一般に乳化重合により製造され
るポリアクリル樹脂の乳化物それ自身、或いは界面活性
剤と共にポリアクリル樹脂を水中に分散させたものがワ
ニスとして好ましい。
リル系樹脂である。また一般に乳化重合により製造され
るポリアクリル樹脂の乳化物それ自身、或いは界面活性
剤と共にポリアクリル樹脂を水中に分散させたものがワ
ニスとして好ましい。
本発明の平角状超薄膜絶縁電線を製造する場合における
樹脂ワニスの濃度は0.1〜10重量%、好ましくは0
.3〜5重量%程度とするのが適当である。該樹脂ワニ
スの濃度が10重量%よりも高くなると良好な超薄膜は
形成し難くなり、一方0.1重量%よりも低くなるとピ
ンホール数が増加して絶縁性が不十分となる。また水分
散ワニス中の樹脂分散粒子の大きさは通常1.0μm以
下、好ましくは0゜5μm以下程度であり、余り分散粒
子が大きくなり過ぎると良好な超薄膜は形成し難い。
樹脂ワニスの濃度は0.1〜10重量%、好ましくは0
.3〜5重量%程度とするのが適当である。該樹脂ワニ
スの濃度が10重量%よりも高くなると良好な超薄膜は
形成し難くなり、一方0.1重量%よりも低くなるとピ
ンホール数が増加して絶縁性が不十分となる。また水分
散ワニス中の樹脂分散粒子の大きさは通常1.0μm以
下、好ましくは0゜5μm以下程度であり、余り分散粒
子が大きくなり過ぎると良好な超薄膜は形成し難い。
本発明において、電着処理は樹脂ワニスに導体を浸漬し
電着する。この際の電着条件としては、直流電圧は5〜
100V、好ましくは7〜30V、電着時間は通常0.
01〜30秒、好ましくは0.03〜15秒程度、電着
の際のワニス温度は5〜40°C1好ましくは10〜3
5°Cである。その際直流荷電に交流荷電を重畳させる
ことも可能である。
電着する。この際の電着条件としては、直流電圧は5〜
100V、好ましくは7〜30V、電着時間は通常0.
01〜30秒、好ましくは0.03〜15秒程度、電着
の際のワニス温度は5〜40°C1好ましくは10〜3
5°Cである。その際直流荷電に交流荷電を重畳させる
ことも可能である。
また、電着層の焼付温度は通常100〜700°C1好
ましくは200〜600°Cである。
ましくは200〜600°Cである。
以下、本発明の平角状超viJ膜絶縁電線の具体的製造
法を第3図に示す工程流れ図に基づいて説明する。
法を第3図に示す工程流れ図に基づいて説明する。
まず、巻取機lOに巻き取られているアルミニウム製丸
状導体C’ (例えば、直径300μm程度)を圧延
ロール11により圧延し、平角状導体C(例えば、厚さ
L70μm、幅w1000pm、アスペクト比1;14
.3)に成形する。
状導体C’ (例えば、直径300μm程度)を圧延
ロール11により圧延し、平角状導体C(例えば、厚さ
L70μm、幅w1000pm、アスペクト比1;14
.3)に成形する。
次に、苛性ソーダ水溶液(例えば、120 g/l)に
よる処理にて平角状導体表面、の酸化アルミニウム層を
除去する(この工程は図示せず)。その後、苛性ソーダ
(例えば、400g/l)、酸化亜鉛(例えば、100
g/f)、塩化第二鉄(例えば、l g/l) 、酒石
酸カリウム(例えば、5g/l)、硝酸ソーダ(例えば
、5g/Fりよりなるジンケート処理水溶液槽20(例
えば、温度30°C)に浸漬(例えば、30秒間)し、
平角状導体の表面にZn層(例えば、厚さ0.1μm)
を析出させ、これを水洗槽21に浸して水洗する。
よる処理にて平角状導体表面、の酸化アルミニウム層を
除去する(この工程は図示せず)。その後、苛性ソーダ
(例えば、400g/l)、酸化亜鉛(例えば、100
g/f)、塩化第二鉄(例えば、l g/l) 、酒石
酸カリウム(例えば、5g/l)、硝酸ソーダ(例えば
、5g/Fりよりなるジンケート処理水溶液槽20(例
えば、温度30°C)に浸漬(例えば、30秒間)し、
平角状導体の表面にZn層(例えば、厚さ0.1μm)
を析出させ、これを水洗槽21に浸して水洗する。
そして電気メッキ方式による銅メッキを行うべく電気メ
ッキ浴槽30を通過させ、ZnN上に銅メッキ層(例え
ば、厚さ1.0μm)を形成する。その後、これを水洗
槽31に浸して水洗し、必要ならば更に乾燥機32によ
って乾燥させることにより、導体C上に順にZn層及び
銅メッキ層を有するアルミニウム平角状導体を得る。
ッキ浴槽30を通過させ、ZnN上に銅メッキ層(例え
ば、厚さ1.0μm)を形成する。その後、これを水洗
槽31に浸して水洗し、必要ならば更に乾燥機32によ
って乾燥させることにより、導体C上に順にZn層及び
銅メッキ層を有するアルミニウム平角状導体を得る。
次に、直流電源(図示せず)の陽極側に接続した導体C
が水分散型樹脂ワニス41で満たされた電着バス40中
を通過する。円筒状の陰極42が電着バス40中に置か
れ、陽極である導体Cと陰極42と間の電位差により樹
脂が導体Cの銅メッキ層上に均一に析出する。
が水分散型樹脂ワニス41で満たされた電着バス40中
を通過する。円筒状の陰極42が電着バス40中に置か
れ、陽極である導体Cと陰極42と間の電位差により樹
脂が導体Cの銅メッキ層上に均一に析出する。
なお、本発明において、水分散型ワニスとして前記した
ポリアクリル樹脂系ワニスを用いた場合、その電着層を
直ちに乾燥、焼付けてもよいが、乾燥、焼付前に有機溶
剤5Iを満たした溶剤槽50中を通過さゼることが特に
好ましい。この有機溶剤51としては、水を少なくとも
約1重量%、好ましくは少なくとも約10重量%熔解し
、且つ導体上に析出した乾燥、焼付前の、しかして半硬
化状態又はそれより前のポリアクリル樹脂を少なくとも
膨潤、好ましくは溶解するものが用いられる。
ポリアクリル樹脂系ワニスを用いた場合、その電着層を
直ちに乾燥、焼付けてもよいが、乾燥、焼付前に有機溶
剤5Iを満たした溶剤槽50中を通過さゼることが特に
好ましい。この有機溶剤51としては、水を少なくとも
約1重量%、好ましくは少なくとも約10重量%熔解し
、且つ導体上に析出した乾燥、焼付前の、しかして半硬
化状態又はそれより前のポリアクリル樹脂を少なくとも
膨潤、好ましくは溶解するものが用いられる。
例えば、メタノール、エタノール、プロバール、エチレ
ングリコール、グリセリンなどの1価又は多価アルコー
ル、或いはエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモツプ
チルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、
エチレングリコールジブチルエーテル、エーテルグリコ
ールモノフェニルエーテルなどのセロソルブ類、或いは
N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの含窒素溶
剤、ジメチルスルホキシドなどの含イオン溶剤が例示さ
れる。特に、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、
ジメチルスルホキシドが好ましい。
ングリコール、グリセリンなどの1価又は多価アルコー
ル、或いはエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールイソプロピルエーテル、エチレングリコールモツプ
チルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、
エチレングリコールジブチルエーテル、エーテルグリコ
ールモノフェニルエーテルなどのセロソルブ類、或いは
N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチル−2−ピロリドンなどの含窒素溶
剤、ジメチルスルホキシドなどの含イオン溶剤が例示さ
れる。特に、N、N−ジメチルホルムアミド、N、N−
ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、
ジメチルスルホキシドが好ましい。
かかる有fla溶剤による処理により電着層中のポリア
クリル樹脂粒子同士の焼付は時における融合が効果的に
進行し、しかして−層ピンホールの少ない均一な皮膜を
形成するこり赤できる。なお電着樹脂層を溶剤槽50中
を通過させることに代えて、上記の有機溶剤の蒸気やミ
スト中を通過させることによっても同様に効果的な処理
を行うことができる。
クリル樹脂粒子同士の焼付は時における融合が効果的に
進行し、しかして−層ピンホールの少ない均一な皮膜を
形成するこり赤できる。なお電着樹脂層を溶剤槽50中
を通過させることに代えて、上記の有機溶剤の蒸気やミ
スト中を通過させることによっても同様に効果的な処理
を行うことができる。
次に、電着槽40及び有i溶剤槽50の出口に、例えば
エアーワイパー、ローラワイパーなどのワイピング装W
(図示せず)を設け、析出樹脂層上に付着した電着槽液
41及び有機溶剤槽液51の過剰分を連続的に除去する
ことも考えられる。特に、高速にて電着塗装を行った際
、付着した槽液が焼付工程にて発泡作用し、高速作業を
妨げることがある。このため上記したワイピング方法に
より槽液を除去すれば、発泡が防止され、約50m/分
以上の高速作業が可能になる。
エアーワイパー、ローラワイパーなどのワイピング装W
(図示せず)を設け、析出樹脂層上に付着した電着槽液
41及び有機溶剤槽液51の過剰分を連続的に除去する
ことも考えられる。特に、高速にて電着塗装を行った際
、付着した槽液が焼付工程にて発泡作用し、高速作業を
妨げることがある。このため上記したワイピング方法に
より槽液を除去すれば、発泡が防止され、約50m/分
以上の高速作業が可能になる。
有機溶剤槽50を出た導体は乾燥装置60に入る。そこ
で導体は加熱され、析出樹脂層中の有機溶剤及び水が蒸
発除去される。乾燥装置f60の温度は有機溶剤の種類
により変わるが、一般に60〜300°C1好ましくは
約100〜250℃である。乾燥装置60において高温
度(例えば、約200〜500°C)が液体の蒸発除去
の促進と導体上の電着樹脂の半硬化又は完全硬化を同時
に行うために適用し得る。換言すれば、乾燥装置60の
出口付近の部分を電着樹脂を硬化し得るような高温に維
持してもよいし、また乾燥装置の後に別の焼付、硬化装
置を設けてもよい。この場合、樹脂層は最初約150℃
程度の比較的低温にて乾燥し、その後高温にて焼付、硬
化する。
で導体は加熱され、析出樹脂層中の有機溶剤及び水が蒸
発除去される。乾燥装置f60の温度は有機溶剤の種類
により変わるが、一般に60〜300°C1好ましくは
約100〜250℃である。乾燥装置60において高温
度(例えば、約200〜500°C)が液体の蒸発除去
の促進と導体上の電着樹脂の半硬化又は完全硬化を同時
に行うために適用し得る。換言すれば、乾燥装置60の
出口付近の部分を電着樹脂を硬化し得るような高温に維
持してもよいし、また乾燥装置の後に別の焼付、硬化装
置を設けてもよい。この場合、樹脂層は最初約150℃
程度の比較的低温にて乾燥し、その後高温にて焼付、硬
化する。
乾燥終了後、焼付炉70に移送されて焼付、硬化が行わ
れ、更に巻取機80により巻き取られる。
れ、更に巻取機80により巻き取られる。
焼付温度は200〜700°C前後で行われる。なお、
乾燥時に焼付硬化まで十分行われたものは焼付炉70で
の焼付、硬化を省略してもよい場合がある。
乾燥時に焼付硬化まで十分行われたものは焼付炉70で
の焼付、硬化を省略してもよい場合がある。
本発明の電線には、それがコイルに巻かれる場合の作業
を助けるため自己融着層を絶縁層の上層として設けても
よいのは言うまでもない、この場合、絶縁層を半硬化、
或いは完全硬化した後に自己融着層を形成する。自己融
着層の形成方法としては、それが絶縁としての機能は不
要であり、また層厚さはかなり不均一であっても許容さ
れるので従来のいわゆるデイツプ方式の塗装でよく、ワ
ニス絞りはフェルトなどで適宜行えばよい。
を助けるため自己融着層を絶縁層の上層として設けても
よいのは言うまでもない、この場合、絶縁層を半硬化、
或いは完全硬化した後に自己融着層を形成する。自己融
着層の形成方法としては、それが絶縁としての機能は不
要であり、また層厚さはかなり不均一であっても許容さ
れるので従来のいわゆるデイツプ方式の塗装でよく、ワ
ニス絞りはフェルトなどで適宜行えばよい。
上記の製造工程により、例えば第1図に示した如くアル
ミニウム製平角状導体1上に、Zn1i2、銅メッキN
3、絶縁皮膜4を順に形成した絶縁電線が得られる。
ミニウム製平角状導体1上に、Zn1i2、銅メッキN
3、絶縁皮膜4を順に形成した絶縁電線が得られる。
第2図に示す絶縁電線は、銅メッキ層3を有しないもの
で、これは上記製造工程において銅メッキ処理工程を省
略し、ジンケート処理工程後に電着処理工程を行えばよ
い。
で、これは上記製造工程において銅メッキ処理工程を省
略し、ジンケート処理工程後に電着処理工程を行えばよ
い。
以下に実施例及び比較例を示して本発明をより詳しく説
明する。以下の実施例において用いられる水分散樹脂ワ
ニスは、下記の如く調製した。
明する。以下の実施例において用いられる水分散樹脂ワ
ニスは、下記の如く調製した。
アクリルニトリル5モル、アクリル酸1モル、グリシジ
ルメタアクリレート0.3モル、イオン交換水760
g、ラウリル硫酸エステルソーダ7.5g、過硫酸ソー
ダ0.13 gからなる混合物をフラスコ内に入れ、室
温、窒素気流下15〜30分間攪拌を続ける。その後、
この混合物を50〜60°Cの温度にて4時間反応させ
ると水分散型アクリルワニスが得られた。
ルメタアクリレート0.3モル、イオン交換水760
g、ラウリル硫酸エステルソーダ7.5g、過硫酸ソー
ダ0.13 gからなる混合物をフラスコ内に入れ、室
温、窒素気流下15〜30分間攪拌を続ける。その後、
この混合物を50〜60°Cの温度にて4時間反応させ
ると水分散型アクリルワニスが得られた。
〔ワニスA〕の単量体混合物の代わりにアクロレイン5
モル、メタアクリル酸1モル、アクリルアミド0.3モ
ルを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕と同様の方
法で調製した。
モル、メタアクリル酸1モル、アクリルアミド0.3モ
ルを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕と同様の方
法で調製した。
アクリル酸エチル5モル、アクリル酸1モル、メチロー
ルアクリルアミド0.3モル、イオン交換水1.200
g、ウラリル硫酸エステルソーダ12g、i!5硫酸ソ
ーダ0.2gを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕
と同様の方法で調製した。
ルアクリルアミド0.3モル、イオン交換水1.200
g、ウラリル硫酸エステルソーダ12g、i!5硫酸ソ
ーダ0.2gを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕
と同様の方法で調製した。
アクリルニトリル5モル、マレイン酸1モル、グリシジ
ルメタアクリレート0.3モル、イオン交換水840g
、ラウリル硫酸エステルソーダ8g、過硫酸ソーダ0.
15 gを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕と同
様の方法で調製した。
ルメタアクリレート0.3モル、イオン交換水840g
、ラウリル硫酸エステルソーダ8g、過硫酸ソーダ0.
15 gを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕と同
様の方法で調製した。
アクリル酸エチル5モル、マレイン酸1モル、グリシジ
ルアクリレート0.3モル、イオン交換水1300g、
ラウリル硫酸エステルソーダ13g、過硫酸ソーダ0.
2gを単量体として用いる以外は(ワニスA〕と同様の
方法で調製した。
ルアクリレート0.3モル、イオン交換水1300g、
ラウリル硫酸エステルソーダ13g、過硫酸ソーダ0.
2gを単量体として用いる以外は(ワニスA〕と同様の
方法で調製した。
CワニスF〕
メタアクリルニトリル5モル、メタアクリル酸1モル、
メチロールアクリルアミド0.3モル、イオン交換水9
00g、ラウリル硫酸エステルソダ9g、過硫酸ソーダ
0.2gを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕と同
様の方法で調製した。
メチロールアクリルアミド0.3モル、イオン交換水9
00g、ラウリル硫酸エステルソダ9g、過硫酸ソーダ
0.2gを単量体として用いる以外は〔ワニスA〕と同
様の方法で調製した。
〔ワニスG)
メタアクリルニトリル5モル、マレイン酸1モル、アリ
ールグリシジルエーテル0.3モル、イオン交換水97
0g、ラウリル硫酸エステルソーダ10g、過硫酸ソー
ダ0.15 gを単量体として用いる以外は[ワニスA
〕と同様の方法で調製した。
ールグリシジルエーテル0.3モル、イオン交換水97
0g、ラウリル硫酸エステルソーダ10g、過硫酸ソー
ダ0.15 gを単量体として用いる以外は[ワニスA
〕と同様の方法で調製した。
アクリルニトリル3モル、アクリル酸エチル2モル、ア
クリル酸0.5モル、メタアクリル酸0.5モル、グリ
シジルメタアクリレート0.2モル、アクリルアミド0
.1モル、イオン交換水950g、ラウリル硫酸エステ
ルソーダ9.5g、過硫酸ソーダ0.16 gを単量体
として用いる以外は〔ワニスA〕と同様の方法で調製し
た。
クリル酸0.5モル、メタアクリル酸0.5モル、グリ
シジルメタアクリレート0.2モル、アクリルアミド0
.1モル、イオン交換水950g、ラウリル硫酸エステ
ルソーダ9.5g、過硫酸ソーダ0.16 gを単量体
として用いる以外は〔ワニスA〕と同様の方法で調製し
た。
メタアクリル酸メチル5モル、アクリル酸0.5モル、
メタアクリル酸0.5モル、グリシジルメタアクリレー
ト0.2モル、アクリルアミド0.1モル、イオン交換
水1200g、ラウリル硫酸エステルソーダ12g、過
硫酸ソーダ0.2gを単量体として用いる以外は[ワニ
スA]と同様の方法で調製した。
メタアクリル酸0.5モル、グリシジルメタアクリレー
ト0.2モル、アクリルアミド0.1モル、イオン交換
水1200g、ラウリル硫酸エステルソーダ12g、過
硫酸ソーダ0.2gを単量体として用いる以外は[ワニ
スA]と同様の方法で調製した。
〔ワニスJ]
アクリル酸ブチル5モル、アクリル酸0.5モル、メタ
アクリル酸0.5モル、グリシジルメタアクリレート0
.2モル、アクリルアミド0.1モル、イオン交換水1
500g、ラウリル硫酸エステルソダ15g、過硫酸ソ
ーダ0.25 gを単量体として用いる以外は〔ワニス
A〕と同様の方法で調製した。
アクリル酸0.5モル、グリシジルメタアクリレート0
.2モル、アクリルアミド0.1モル、イオン交換水1
500g、ラウリル硫酸エステルソダ15g、過硫酸ソ
ーダ0.25 gを単量体として用いる以外は〔ワニス
A〕と同様の方法で調製した。
アクリルニトリル5モル、アクリル酸1モル、グリシジ
ルメタアクリレート0.3モル、スチレン2モル、イオ
ン交換水1200g、ラウリル硫酸エステルソーダ12
g、過硫酸ソーダ0.2 +<を単量体として用いる以
外は〔ワニスA]と同様の方法で調製した。
ルメタアクリレート0.3モル、スチレン2モル、イオ
ン交換水1200g、ラウリル硫酸エステルソーダ12
g、過硫酸ソーダ0.2 +<を単量体として用いる以
外は〔ワニスA]と同様の方法で調製した。
〔ワニスし]
アクリルニトリル3モル、アクリル酸エチル2モル、ア
クリル酸0.5モル、メタアクリル酸0.5モル、グリ
シジルメタアクリレ−1・02モル、アクリルアミドO
,]モル、1.3−ブタジェン1モル、イオン交換水1
100g、ラウリル硫酸エステルソーダll’g、過硫
酸ソーダ0.18 gを単量体として用いる以外は〔ワ
ニスA〕と同様の方法で調製した。
クリル酸0.5モル、メタアクリル酸0.5モル、グリ
シジルメタアクリレ−1・02モル、アクリルアミドO
,]モル、1.3−ブタジェン1モル、イオン交換水1
100g、ラウリル硫酸エステルソーダll’g、過硫
酸ソーダ0.18 gを単量体として用いる以外は〔ワ
ニスA〕と同様の方法で調製した。
ビスフェノールAのジグリシジルポリエーテル100重
量部、無水トリメリド酸とアジピン酸と無水マレイン酸
とエチレングリコールとからなるポリエステル100重
量部、及びハイドロキノン0.2重量部とを150°C
で1時間反応させ、次いでこれにジオキサン40重量部
とメチルエチルケトン60重量部をそれぞれ徐々に添加
して溶解し、均一な樹脂溶液を得た。ラウリル硫酸エス
テルソーダ2重量部を溶解した30重量%アンモニア水
20重量部に前記樹脂溶液を撹拌下に分散し、次いで該
分散液を窒素雰囲気中で加熱して有機溶剤とアンモニア
を除去し、かくしてエポキシエステルの水分散液を得た
。
量部、無水トリメリド酸とアジピン酸と無水マレイン酸
とエチレングリコールとからなるポリエステル100重
量部、及びハイドロキノン0.2重量部とを150°C
で1時間反応させ、次いでこれにジオキサン40重量部
とメチルエチルケトン60重量部をそれぞれ徐々に添加
して溶解し、均一な樹脂溶液を得た。ラウリル硫酸エス
テルソーダ2重量部を溶解した30重量%アンモニア水
20重量部に前記樹脂溶液を撹拌下に分散し、次いで該
分散液を窒素雰囲気中で加熱して有機溶剤とアンモニア
を除去し、かくしてエポキシエステルの水分散液を得た
。
該エポキシエステルの水分散液250重量部、スチレン
10重量部、過硫酸カリウム0.05重量部、亜硫酸水
素ナトリウム0.017重量部、及びイオン交換水50
重量部からなる系を70℃で3時間乳化重合して水分散
型エポキシエステルワニスを得た。
10重量部、過硫酸カリウム0.05重量部、亜硫酸水
素ナトリウム0.017重量部、及びイオン交換水50
重量部からなる系を70℃で3時間乳化重合して水分散
型エポキシエステルワニスを得た。
酸価140のポリエステルアミドイミド樹脂の粉末10
0重量部を、該粉末100重量部当たりベンゼンスルホ
ン酸ソーダ1重量部と30重量%アンモニア水7重量部
を溶解した水に分散し、次いで該分散液を窒素雰囲気中
で加熱してアンモニアを除去し、固形分20重量%のポ
リエステルアミドイミド樹脂の水分散液を得た。
0重量部を、該粉末100重量部当たりベンゼンスルホ
ン酸ソーダ1重量部と30重量%アンモニア水7重量部
を溶解した水に分散し、次いで該分散液を窒素雰囲気中
で加熱してアンモニアを除去し、固形分20重量%のポ
リエステルアミドイミド樹脂の水分散液を得た。
実施例1〜7
前記の如く、アルミニウム製丸状導体を圧延により平角
状導体に成形した後、ジンケート処理、銅メッキ処理を
施し、導体上にZn層、銅メッキ層を順に形成した0次
に、竪型炉にて第1表に表記の条件及び下記条件の電着
塗装法に従って陽極である平角状導体に、上記の〔ワニ
スA〕〜〔ワニスG〕をそれぞれ水で希釈して2重量%
の濃度としたものを塗布した。第1表に示す以外の電着
条件は以下に示す通りである。
状導体に成形した後、ジンケート処理、銅メッキ処理を
施し、導体上にZn層、銅メッキ層を順に形成した0次
に、竪型炉にて第1表に表記の条件及び下記条件の電着
塗装法に従って陽極である平角状導体に、上記の〔ワニ
スA〕〜〔ワニスG〕をそれぞれ水で希釈して2重量%
の濃度としたものを塗布した。第1表に示す以外の電着
条件は以下に示す通りである。
陰極 :直径6cm、長さ30cmの銅製円筒陽
陰極間路H:31 ワニス温度 :20℃ 次いで得られた塗装導体線は、N、N−ジメチルホルム
アミドの飽和蒸気で満たされた長さ1mのチャンバーを
通過する。そこでアルミニウム導体線上に析出している
アクリル樹脂層上にN、 N−ジメチルホルムアミド
の蒸気が付与される。このようにN、N−ジメチルホル
ムアミド蒸気で処理された析出層は、200℃で乾燥さ
れ、400℃で焼付け、第1表に表記する如き超薄膜が
形成された第1図に示す如き構造を有する絶縁電線を得
た。
陰極間路H:31 ワニス温度 :20℃ 次いで得られた塗装導体線は、N、N−ジメチルホルム
アミドの飽和蒸気で満たされた長さ1mのチャンバーを
通過する。そこでアルミニウム導体線上に析出している
アクリル樹脂層上にN、 N−ジメチルホルムアミド
の蒸気が付与される。このようにN、N−ジメチルホル
ムアミド蒸気で処理された析出層は、200℃で乾燥さ
れ、400℃で焼付け、第1表に表記する如き超薄膜が
形成された第1図に示す如き構造を有する絶縁電線を得
た。
実施例8〜14
銅メッキ処理を施さない他は、実施例1〜7と同様の工
程を行い、第2図に示す如き絶縁電線を得た。
程を行い、第2図に示す如き絶縁電線を得た。
比較例1
ジンケート処理及び銅メッキ処理を行わない以外は、実
施例1と同様にして作製したが、表記の如くフラット部
及びコーナ一部共に絶縁皮膜は形成されなかった。
施例1と同様にして作製したが、表記の如くフラット部
及びコーナ一部共に絶縁皮膜は形成されなかった。
比較例2
ワニスとして溶液型樹脂ワニス(商品名:X600W、
日東電工■製)を用い、デイツプコート方式により、ワ
ニス浸漬→フェルト絞り→焼付、の工程を2回繰り返し
て絶縁皮膜を形成した。勿論、ジンケート処理及び銅メ
ッキ処理は行っていない。
日東電工■製)を用い、デイツプコート方式により、ワ
ニス浸漬→フェルト絞り→焼付、の工程を2回繰り返し
て絶縁皮膜を形成した。勿論、ジンケート処理及び銅メ
ッキ処理は行っていない。
実験例1
各実施例、比較例における電線製造の条件、製造された
電線の構造、ピンホールテストの結果、並びに電線の外
観の美麗さを第1表に示す、なお、ピンホールテストは
、JIS C3003に従って電線1m当たりのピン
ホール数を示した。
電線の構造、ピンホールテストの結果、並びに電線の外
観の美麗さを第1表に示す、なお、ピンホールテストは
、JIS C3003に従って電線1m当たりのピン
ホール数を示した。
(以下余白)
〔発明の効果〕
本発明の平角状超E膜絶縁電線は、以上説明したように
構成されているから下記の効果を有する。
構成されているから下記の効果を有する。
平角状導体のフラット部のみならずコーナ一部の絶縁皮
膜は、ピンホール、耐電圧性、耐ヒートンヨック性、割
れなどの欠陥が極めて少ない。
膜は、ピンホール、耐電圧性、耐ヒートンヨック性、割
れなどの欠陥が極めて少ない。
また、少なくともフラット部の絶縁皮膜の厚さは5μm
以下と薄く、電線全体として超薄膜の絶縁皮膜である。
以下と薄く、電線全体として超薄膜の絶縁皮膜である。
第1図は本発明の平角状絶縁電線の一例を示す断面図、
第2図は本発明の平角状絶縁電線の別例を示す断面図、
第3図は本発明の絶縁電線の製造工程を示す概略流れ図
である。 1 :平角状導体 2 :Zn層 3 :銅メッキ層 4 :絶縁皮膜 t ;厚さ W ;幅 :平角状導体 :丸状導体
第2図は本発明の平角状絶縁電線の別例を示す断面図、
第3図は本発明の絶縁電線の製造工程を示す概略流れ図
である。 1 :平角状導体 2 :Zn層 3 :銅メッキ層 4 :絶縁皮膜 t ;厚さ W ;幅 :平角状導体 :丸状導体
Claims (1)
- 圧延により平角状に成形したアルミニウムからなる導
体上にジンケート処理を施し、又はジンケート処理面上
に更に銅メッキを施し、当該ジンケート処理面上又は銅
メッキ面上に樹脂ワニスの電着により絶縁皮膜を形成し
た電線であって、少なくとも導体の幅方向における平坦
面上の絶縁皮膜の厚さが5μm以下であることを特徴と
する平角状超薄膜絶縁電線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11305490A JPH0754650B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 平角状超薄膜絶縁電線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11305490A JPH0754650B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 平角状超薄膜絶縁電線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412406A true JPH0412406A (ja) | 1992-01-17 |
| JPH0754650B2 JPH0754650B2 (ja) | 1995-06-07 |
Family
ID=14602334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11305490A Expired - Lifetime JPH0754650B2 (ja) | 1990-04-28 | 1990-04-28 | 平角状超薄膜絶縁電線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754650B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227241A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 集合導体 |
-
1990
- 1990-04-28 JP JP11305490A patent/JPH0754650B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007227241A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 集合導体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0754650B2 (ja) | 1995-06-07 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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