JPH0412407B2 - - Google Patents
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- JPH0412407B2 JPH0412407B2 JP10366983A JP10366983A JPH0412407B2 JP H0412407 B2 JPH0412407 B2 JP H0412407B2 JP 10366983 A JP10366983 A JP 10366983A JP 10366983 A JP10366983 A JP 10366983A JP H0412407 B2 JPH0412407 B2 JP H0412407B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- pout
- electro
- signal
- optical modulator
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/45—Interferometric spectrometry
- G01J3/453—Interferometric spectrometry by correlation of the amplitudes
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、PLZT等の電気光学効果を有する電
気光学材料を用いた分光装置に関するものであ
る。
気光学材料を用いた分光装置に関するものであ
る。
第１図及び第２図は、従来公知の分光装置の一
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
第１図に示す装置は、入射スリツト１１から入
射した光を、凹面鏡１２で平行光線束とし、回折
格子１３に入射させ、透過光あるいは回折光を凹
面鏡１４に結像させるものである。この装置にお
いては、分解能を上げるためには、受光側のスリ
ツトを細くする必要があり、分解能と精度とを同
時に向上させるのは難かしい。
射した光を、凹面鏡１２で平行光線束とし、回折
格子１３に入射させ、透過光あるいは回折光を凹
面鏡１４に結像させるものである。この装置にお
いては、分解能を上げるためには、受光側のスリ
ツトを細くする必要があり、分解能と精度とを同
時に向上させるのは難かしい。
第２図に示す装置は、２光線束干渉計を用いた
フーリエ分光法の原理に基づく分光装置で、入射
スリツト２１から入射した光を、レンズ２２で平
行光線とし、この平行光をハーフミラー２３で２
光線束とし、各光線束をそれぞれ反射鏡２４，２
５で反射させ、これらの各反射光をレンズ２６を
介してスリツト２７に入射させるものである。こ
の装置において、反射鏡２４，２５のいずれか一
方を矢印に示す方向に動かし、２光線束の光路差
を変化させると、スリツト２７を通つた光を受光
する受光素子２８から得られる信号のインターフ
エログラムが、入射した光のフーリエ変換になる
もので、この逆変換を行なつて、元のスペクトル
分布を知るようにしている。
フーリエ分光法の原理に基づく分光装置で、入射
スリツト２１から入射した光を、レンズ２２で平
行光線とし、この平行光をハーフミラー２３で２
光線束とし、各光線束をそれぞれ反射鏡２４，２
５で反射させ、これらの各反射光をレンズ２６を
介してスリツト２７に入射させるものである。こ
の装置において、反射鏡２４，２５のいずれか一
方を矢印に示す方向に動かし、２光線束の光路差
を変化させると、スリツト２７を通つた光を受光
する受光素子２８から得られる信号のインターフ
エログラムが、入射した光のフーリエ変換になる
もので、この逆変換を行なつて、元のスペクトル
分布を知るようにしている。
この装置は、第１図に示す装置に比べ、入射ス
リツトを必要とせず、受光素子に入る光の全スペ
クトルを同時に測定できること、光量が多いため
Ｓ／Ｎが良好であること、波長精度が高いこと等
の長所がある反面、光路差を変えるために反射鏡
を動かす必要があり、その機械的な精度が要求さ
れること、小型化、集積化が困難であること等の
欠点がある。
リツトを必要とせず、受光素子に入る光の全スペ
クトルを同時に測定できること、光量が多いため
Ｓ／Ｎが良好であること、波長精度が高いこと等
の長所がある反面、光路差を変えるために反射鏡
を動かす必要があり、その機械的な精度が要求さ
れること、小型化、集積化が困難であること等の
欠点がある。
ここにおいて、本発明は機械的な構成部分を有
せず、小型、集積化が可能で、分解能及び精度の
良好な分光装置を実現しようとするものである。
せず、小型、集積化が可能で、分解能及び精度の
良好な分光装置を実現しようとするものである。
本発明に係る装置は、電気光学効果を有する電
気光学材料で構成した光変調器と、この光変調器
を通つた光を受光する受光素子と、この受光素子
からの信号を入力するとともに光変調器に印加す
る信号を制御する手段とを備え、光変調器の変調
度の波長依存性からフーリエ分光法によつて光変
調器に入射する光のスペクトル分布を知るように
した点に特徴がある。
気光学材料で構成した光変調器と、この光変調器
を通つた光を受光する受光素子と、この受光素子
からの信号を入力するとともに光変調器に印加す
る信号を制御する手段とを備え、光変調器の変調
度の波長依存性からフーリエ分光法によつて光変
調器に入射する光のスペクトル分布を知るように
した点に特徴がある。
第３図は、本発明に係る装置の原理を説明する
ための図で、本発明において用いられる光変調器
の一例を示す。図において、３は電気光学効果を
有する電気光学材料（例えばPLZTやLiNbO3）、
３１，３２はこの電気光学材料３の平行な２面に
設けられた電極、３３，３４は電気光学材料３を
挾んで光の入射側と出射側とにそれぞれ設置した
偏光子と検光子で、その偏光面の方向は、電極３
１，３２によつて生ずる電界Ｅに対して45゜傾き、
かつ平行となつている。
ための図で、本発明において用いられる光変調器
の一例を示す。図において、３は電気光学効果を
有する電気光学材料（例えばPLZTやLiNbO3）、
３１，３２はこの電気光学材料３の平行な２面に
設けられた電極、３３，３４は電気光学材料３を
挾んで光の入射側と出射側とにそれぞれ設置した
偏光子と検光子で、その偏光面の方向は、電極３
１，３２によつて生ずる電界Ｅに対して45゜傾き、
かつ平行となつている。
このような構成の光変調器において、電極３
１，３２間に電圧Ｖを印加した場合、入射光Pio
と出射光POUTとの比Ｔ＝POUT／Pioは(1)式で表わす
ことができる。
１，３２間に電圧Ｖを印加した場合、入射光Pio
と出射光POUTとの比Ｔ＝POUT／Pioは(1)式で表わす
ことができる。
Ｔ＝POUT／Pio＝kCOS2｛k′／λΔα（Ｖ）｝……(1)
ここで、ｋ，k′は定数（ｋ≦１）、λは入射光
の波長、Δα（Ｖ）／λは、電気光学効果による複
屈折の量（rad）である。
の波長、Δα（Ｖ）／λは、電気光学効果による複
屈折の量（rad）である。
(1)式において、１／λ＝ｆ／ｃ（ｃ：光速度、ｆ：
周 波数）とし、k′／ｃを改めてk′と書き直すと、(2)式 の通りとなる。
周 波数）とし、k′／ｃを改めてk′と書き直すと、(2)式 の通りとなる。
Ｔ＝POUT／Pio＝kCOS2（k′／λΔα（Ｖ））
＝ｋ／２｛１＋COS（2k′fΔα（Ｖ）｝ ……(2)
(2)式において、入射光束のスペクトル分布をＢ
（ｆ）とおくと、出射光POUTは、(2)式と同様に
（PioをＢ（ｆ）で置き換える。）(3)式の通りとな
る。
（ｆ）とおくと、出射光POUTは、(2)式と同様に
（PioをＢ（ｆ）で置き換える。）(3)式の通りとな
る。
POUT（Ｖ）＝∫∞ 0Ｂ（ｆ）・ｋ／２｛１
＋COS（2k′fΔα（Ｖ）｝df＝ｋ／２∫∞ 0Ｂ（ｆ
）df＋ ｋ／２ ∫∞ 0Ｂ（ｆ）COS（2k′fΔα（Ｖ））df ……(3) (3)式右辺第２項は、Ｂ（ｆ）のフエーリエ余弦
変換である。したがつて入射光のスペクトル分布
Ｂ（ｆ）は、これをフエーリエ逆変換して求める
ことができる。
）df＋ ｋ／２ ∫∞ 0Ｂ（ｆ）COS（2k′fΔα（Ｖ））df ……(3) (3)式右辺第２項は、Ｂ（ｆ）のフエーリエ余弦
変換である。したがつて入射光のスペクトル分布
Ｂ（ｆ）は、これをフエーリエ逆変換して求める
ことができる。
ここで、V0をΔα（V0）＝０（通常はV0＝０）と
選ぶことは容易であるから、これを(3)式に代入す
ると、(4)式が得られる。
選ぶことは容易であるから、これを(3)式に代入す
ると、(4)式が得られる。
POUT（V0）＝ｋ／２∫∞ 0Ｂ（ｆ）df＋ｋ／２
∫∞ 0Ｂ（ｆ）＝k∫∞ 0Ｂ（ｆ）df……(4) (4)式を(3)式に代入すれば(5)式の通りとなる。
∫∞ 0Ｂ（ｆ）＝k∫∞ 0Ｂ（ｆ）df……(4) (4)式を(3)式に代入すれば(5)式の通りとなる。
POUT（Ｖ）＝１／２POUT（V0）＋ｋ／２∫∞ 0
Ｂ（ｆ）COS（2k′fΔα（Ｖ））df……(5) (5)式から明らかなように、POUT（Ｖ）から、１／２ POUT（V0）を引き、残りの項を逆フエーリエ余弦
変換すれば、入射光Pioのスペクトル分布Ｂ（ｆ）
を知ることができる。
Ｂ（ｆ）COS（2k′fΔα（Ｖ））df……(5) (5)式から明らかなように、POUT（Ｖ）から、１／２ POUT（V0）を引き、残りの項を逆フエーリエ余弦
変換すれば、入射光Pioのスペクトル分布Ｂ（ｆ）
を知ることができる。
第４図は本発明に係る装置の一例を示す構成ブ
ロツク図である。この図において、３は第３図で
示したような構成の光変調器で、(1)式を満たすも
のとする。３５はこの光変調器の電極間に電圧を
印加する電源、４は光変調器３から出射した光を
受光する受光素子、５はこの受光素子からの信号
を入力し記憶するとともに、電源３５に制御信号
を与え、光変調器３に印加する電圧を制御する演
算制御部で、例えば、受光素子４からの信号を
Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器５１と、ここからの
デイジタル信号を入力とするマイクロプロセツサ
５２と、これに結合しているメモリ５３とで構成
される。６は演算制御部５での演算結果を表示す
る表示装置である。
ロツク図である。この図において、３は第３図で
示したような構成の光変調器で、(1)式を満たすも
のとする。３５はこの光変調器の電極間に電圧を
印加する電源、４は光変調器３から出射した光を
受光する受光素子、５はこの受光素子からの信号
を入力し記憶するとともに、電源３５に制御信号
を与え、光変調器３に印加する電圧を制御する演
算制御部で、例えば、受光素子４からの信号を
Ａ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換器５１と、ここからの
デイジタル信号を入力とするマイクロプロセツサ
５２と、これに結合しているメモリ５３とで構成
される。６は演算制御部５での演算結果を表示す
る表示装置である。
このように構成した装置の動作は次の通りであ
る。はじめに、演算制御部５は、電源３５の出力
電圧をある範囲で、V1からV2までスイーブさせ
る。光変調器３は、電極間に印加される電圧に応
じて、(5)式で表わされる様な光POUTを出射する。
受光素子４は、出力光POUTを電気信号に変換し、
演算制御部５に入力させる。この演算制御部５内
のメモリ手段５３は、光変調器３に印加される電
圧と、その時の受光素子４からの信号を、V1か
らV2の間、記憶する。ここで、必要あらば、V1
からV2まで数回スイープさせ、いくつかのデー
タをとり、平均加算した結果を得るようにし、
Ｓ／Ｎの向上をはかるようにしてもよい。
る。はじめに、演算制御部５は、電源３５の出力
電圧をある範囲で、V1からV2までスイーブさせ
る。光変調器３は、電極間に印加される電圧に応
じて、(5)式で表わされる様な光POUTを出射する。
受光素子４は、出力光POUTを電気信号に変換し、
演算制御部５に入力させる。この演算制御部５内
のメモリ手段５３は、光変調器３に印加される電
圧と、その時の受光素子４からの信号を、V1か
らV2の間、記憶する。ここで、必要あらば、V1
からV2まで数回スイープさせ、いくつかのデー
タをとり、平均加算した結果を得るようにし、
Ｓ／Ｎの向上をはかるようにしてもよい。
メモリ手段５３に蓄えられたデータは、(5)式か
らＢ（ｆ）を求めるための逆フエーリエ変換演算、
受光素子４の波長−感度特性や、光変調器３自体
の波長−透過率特性等の補正演算を行なつて、入
射光Pioのスペクトルを求め、この演算結果を表
示器６に表示させる。
らＢ（ｆ）を求めるための逆フエーリエ変換演算、
受光素子４の波長−感度特性や、光変調器３自体
の波長−透過率特性等の補正演算を行なつて、入
射光Pioのスペクトルを求め、この演算結果を表
示器６に表示させる。
第５図〜第８図は、本発明装置に使用可能な光
変調器の他の構成例を示す説明図である。
変調器の他の構成例を示す説明図である。
第５図、第６図において、いずれもイは平面
図、ロはイ図におけるＸ−Ｘ断面図である。
図、ロはイ図におけるＸ−Ｘ断面図である。
第５図に示す光変調器は、誘電体基板３０に分
岐位相変調−干渉型の光導波路３５，３６を形成
するとともに、光導波路３５を挾んで電極３１，
３２を設置したものである。ここで、基板３０と
光導波路３５，３６の形成は例えば次のものがあ
る。
岐位相変調−干渉型の光導波路３５，３６を形成
するとともに、光導波路３５を挾んで電極３１，
３２を設置したものである。ここで、基板３０と
光導波路３５，３６の形成は例えば次のものがあ
る。
(i) LiNbO3基板にTiを熱拡散する。
(ii) LiNbO3基板にAg+やK+のイオン拡散を行な
う。この場合、いわゆるオプテイカルダメージ
（Optical−damage）が少なくできる。
う。この場合、いわゆるオプテイカルダメージ
（Optical−damage）が少なくできる。
(iii) LiTaO3基板にCu拡散を行なう。
(iv) PLZT透明セラミツクス基板に金属イオン交
換を行なう。
換を行なう。
(v) GaAS、In−Ｐ基板に、プロトン照射する。
第６図に示す光変調器は、第５図のものと同様
の原理によるもので、半導体基板３０に分岐−位
相変調−干渉型の光導波路３５，３６を形成する
ようにしたものである。半導体基板３０は、ｎ−
GaAS基板３０ｎ上にｎ−GaAS３０Ｐを数μm程
度エピタキシヤル成長させ、この上にオーミツク
電極３１ａ，３１ｂを形成するとともに、ｎ−
GaAS基板３０ｎ側全面にオーミツク電極３２を
形成してある。この構成において、Ｐ−ｎ接合に
逆バイアスとなるように電極３１ａ（３１ｂ）と
３２間に電圧を印加すると、Pn接合近傍の空乏
層が広がり、同時にキヤリア濃度の低下により、
屈折率が上昇して、印加電圧により選択的に光導
波路３５，３６がＰ−GaAS基板３０Ｐ側の電極
下に形成される。なお空乏層にｎ−GaAS側に広
く、Ｐ−GaAS側に狭い。ここで、電極３１，３
２間に印加する電圧を調整すると、光導波路３
５，３６を通る導波光は、GaASの電気光学効果
によつて位相変化を受けるため、それぞれの導波
光の間に位相差が生じ、光変調させることができ
る。
の原理によるもので、半導体基板３０に分岐−位
相変調−干渉型の光導波路３５，３６を形成する
ようにしたものである。半導体基板３０は、ｎ−
GaAS基板３０ｎ上にｎ−GaAS３０Ｐを数μm程
度エピタキシヤル成長させ、この上にオーミツク
電極３１ａ，３１ｂを形成するとともに、ｎ−
GaAS基板３０ｎ側全面にオーミツク電極３２を
形成してある。この構成において、Ｐ−ｎ接合に
逆バイアスとなるように電極３１ａ（３１ｂ）と
３２間に電圧を印加すると、Pn接合近傍の空乏
層が広がり、同時にキヤリア濃度の低下により、
屈折率が上昇して、印加電圧により選択的に光導
波路３５，３６がＰ−GaAS基板３０Ｐ側の電極
下に形成される。なお空乏層にｎ−GaAS側に広
く、Ｐ−GaAS側に狭い。ここで、電極３１，３
２間に印加する電圧を調整すると、光導波路３
５，３６を通る導波光は、GaASの電気光学効果
によつて位相変化を受けるため、それぞれの導波
光の間に位相差が生じ、光変調させることができ
る。
なお、この実施例では、GaASを例にとつた
が、ｎ−Inp基板、Ｐ−Inpエピタキシヤル層とし
てもよい。
が、ｎ−Inp基板、Ｐ−Inpエピタキシヤル層とし
てもよい。
第７図イ，ロに示す光変調器は、いずれも基板
３０上に受光素子４を共に集積したものである。
３０上に受光素子４を共に集積したものである。
イに示すものは、基板３０上に形成した光導波
路３５（３６）の光出射部分に透明電極４１を設
けるとともに、この透明電極４１上にアモルフア
スシリコン（ａ−Si）やCdS又はZnSなどの光電
層４２を設け、その上にAl等の電極層４３を形
成させたものである。ここで、透明電極４１とし
ては、In2O3・SnO2などの材料が用いられ、真空
蒸着法やプラズマ蒸着法等によつて形成できる。
また、ａ−Si光電層４２は、膜厚が0.5〜1.0μm程
度で、モノシラン（SiH4）や、SiF4のプラズマ
分解あるいは、反応性スパツタリングや、CVD
法等で作成できる。
路３５（３６）の光出射部分に透明電極４１を設
けるとともに、この透明電極４１上にアモルフア
スシリコン（ａ−Si）やCdS又はZnSなどの光電
層４２を設け、その上にAl等の電極層４３を形
成させたものである。ここで、透明電極４１とし
ては、In2O3・SnO2などの材料が用いられ、真空
蒸着法やプラズマ蒸着法等によつて形成できる。
また、ａ−Si光電層４２は、膜厚が0.5〜1.0μm程
度で、モノシラン（SiH4）や、SiF4のプラズマ
分解あるいは、反応性スパツタリングや、CVD
法等で作成できる。
ロに示すものは、受光素子４をPIN型にしたも
ので、透明電極４１上に順番に、ｎ−aSi層４２
ｎ，ｉ−aSi層４２ｉ，Ｐ−aSi層４２Ｐを形成さ
せたものである。なお、PIN層は多層（PIN
PIN……）としてもよい。また、ａ−Siの代りに
ａ−SiCとしてもよい。
ので、透明電極４１上に順番に、ｎ−aSi層４２
ｎ，ｉ−aSi層４２ｉ，Ｐ−aSi層４２Ｐを形成さ
せたものである。なお、PIN層は多層（PIN
PIN……）としてもよい。また、ａ−Siの代りに
ａ−SiCとしてもよい。
第８図イ，ロに示す光変調器は、いずれも半導
体導波路上に受光素子４を集積したものである。
体導波路上に受光素子４を集積したものである。
イに示すものは、ｎ−GaASなどの基板３０ｎ
上にＰ−GaASなどの層３０Ｐを形成させ、半導
体導波路をつくり、この上に電極４３を設けて、
PN接合を利用したホトダイオードPDを構成した
ものである。
上にＰ−GaASなどの層３０Ｐを形成させ、半導
体導波路をつくり、この上に電極４３を設けて、
PN接合を利用したホトダイオードPDを構成した
ものである。
ロに示すものは、電極４３としてシヨツトキー
接合可能な金属材料を用い、シヨツトキー接合を
利用したシヨツトキーバリアダイオードSDを構
成したものである。
接合可能な金属材料を用い、シヨツトキー接合を
利用したシヨツトキーバリアダイオードSDを構
成したものである。
なお、上記の実施例において、光変調器３に光
を導びく手段については、特に説明しなかつた
が、公知の手法、例えばプリズムカツプラや、グ
レイテイングカツプラ等が用いられる。また、光
変調器３は、第５図〜第８図に示した構造以外の
ものも使用可能であり、例えば、変調器を構成す
る基板上に、メモリ手段や、マイクロプロセツサ
等を集積したものでもよい。
を導びく手段については、特に説明しなかつた
が、公知の手法、例えばプリズムカツプラや、グ
レイテイングカツプラ等が用いられる。また、光
変調器３は、第５図〜第８図に示した構造以外の
ものも使用可能であり、例えば、変調器を構成す
る基板上に、メモリ手段や、マイクロプロセツサ
等を集積したものでもよい。
以上説明したように、本発明によれば、機械的
構成部分を有しないので、小型、集積化が可能
で、信頼性の高い分光装置が実現できる。また、
スリツト等が不要であるところから、Ｓ／Ｎが高
く、精度の良好な装置が実現できる。
構成部分を有しないので、小型、集積化が可能
で、信頼性の高い分光装置が実現できる。また、
スリツト等が不要であるところから、Ｓ／Ｎが高
く、精度の良好な装置が実現できる。
第１図及び第２図は、従来公知の分光装置の一
例を示す説明図、第３図は本発明装置の原理を説
明するための図、第４図は本発明に係る装置の一
例を示す構成ブロツク図、第５図〜第８図は本発
明装置に使用可能な光変調器の他の例を示す構成
図である。 ３……光変調器、４……受光素子、５……演算
制御部、６……表示装置。
例を示す説明図、第３図は本発明装置の原理を説
明するための図、第４図は本発明に係る装置の一
例を示す構成ブロツク図、第５図〜第８図は本発
明装置に使用可能な光変調器の他の例を示す構成
図である。 ３……光変調器、４……受光素子、５……演算
制御部、６……表示装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電気光学効果を有する電気光学材料で構成さ
れ印加される信号（Ｖ）に対して入射光（Pin）
と出射光（Pout）との比（Ｔ）が、 Ｔ＝（Pout）／（Pin） ＝ｋ・cos2｛（k-／λ）Δα（Ｖ）｝ ただし、ｋ、k-は定数（ｋ≦１） λは入射光の波長 Δα（Ｖ）／λは、電気光学効果による複屈折の
量（rad） で与えられる光変調器と、 この光変調器からの出射光を受光する受光素子
と、 この受光素子からの信号を入力し当該信号を記
憶する機能と、演算を行う機能と、前記光変調器
に印加する電圧信号を制御する機能とを有する演
算制御部とを備え、 前記演算制御部は、前記光変調器に印加する信
号をある電圧（Vo）からある電圧（Ｖ）までス
イープし、その時受光素子から出力される出射光
（Pout）に関連する下記の式を用い、入射光
（Pin）のスペクトル分布Ｂ（ｆ）を逆フエーリエ
余弦変換演算を行つて求めることを特徴とする分
光装置。 Pout（Vo） ＝（１／２）Pout（Vo） ＋（ｋ／２）∫∞ pＢ（ｆ） cos（2k-fΔα（Ｖ））df ただし、ｆは周波数。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10366983A JPS59228133A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 分光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10366983A JPS59228133A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 分光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228133A JPS59228133A (ja) | 1984-12-21 |
| JPH0412407B2 true JPH0412407B2 (ja) | 1992-03-04 |
Family
ID=14360194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10366983A Granted JPS59228133A (ja) | 1983-06-10 | 1983-06-10 | 分光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228133A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8625486D0 (en) * | 1986-10-24 | 1986-11-26 | British Telecomm | Optical signal modulation device |
| JPS63266321A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-02 | Hitachi Ltd | スペクトル測定方法及びフ−リエ変換型分光光度計 |
| JP2024017359A (ja) | 2022-07-27 | 2024-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイスおよび分光装置 |
| JP2024022043A (ja) | 2022-08-05 | 2024-02-16 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイスおよび分光装置 |
-
1983
- 1983-06-10 JP JP10366983A patent/JPS59228133A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59228133A (ja) | 1984-12-21 |
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