JPH04124273A - 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 - Google Patents
管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置Info
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- JPH04124273A JPH04124273A JP24253990A JP24253990A JPH04124273A JP H04124273 A JPH04124273 A JP H04124273A JP 24253990 A JP24253990 A JP 24253990A JP 24253990 A JP24253990 A JP 24253990A JP H04124273 A JPH04124273 A JP H04124273A
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は管内面に対するプラズマＣＶＤ処理方法及びそ
の装置に関する。
の装置に関する。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題）ステン
レス管等の金属管内面に対する処理装置の一例として実
開平１−１７７２６３号公報に示された内面処理装置が
知られている。しかし、この装置では、金属管の端部と
中央部とでは膜厚に差を生じ易いという問題点がある。
レス管等の金属管内面に対する処理装置の一例として実
開平１−１７７２６３号公報に示された内面処理装置が
知られている。しかし、この装置では、金属管の端部と
中央部とでは膜厚に差を生じ易いという問題点がある。
このような問題点に対し、金属管内に小型の溶射ガンを
回転させながら導入させて内面処理を行う方法が提案さ
れているが、実用化には至っていないのが現状である。
回転させながら導入させて内面処理を行う方法が提案さ
れているが、実用化には至っていないのが現状である。
このような観点から１本発明の課題は管内面に均一な膜
厚で処理膜を形成できるプラズマＣＶＤ処理方法及び装
置を提供することにある。
厚で処理膜を形成できるプラズマＣＶＤ処理方法及び装
置を提供することにある。
（課題を解決するだめの手段）
本発明によるプラズマＣＶＤ処理方法は１圧力勾配型放
電により形成したプラズマを利用して被処理管内面にプ
ラズマＣＶＤ処理を行う方法であり、前記被処理管の一
端から他端に向かうプラズマビームを形成し、前記被処
理管に沿って移動可能な磁場制御手段により前記被処理
管の内面にプラズマを照射させるようにしたことを特徴
とする。
電により形成したプラズマを利用して被処理管内面にプ
ラズマＣＶＤ処理を行う方法であり、前記被処理管の一
端から他端に向かうプラズマビームを形成し、前記被処
理管に沿って移動可能な磁場制御手段により前記被処理
管の内面にプラズマを照射させるようにしたことを特徴
とする。
本発明によればまた。被処理管の一端にプラズマビーム
形成用の圧力勾配型プラズマ銃を設けると共に、前記被
処理管の外周には前記プラズマビームを案内する磁束源
と前記被処理管に沿って移動可能な磁場制御手段とを設
けて合成磁場によるプラズマを前記被処理管内面に照射
させるようにした管内面のプラズマＣＶＤ処理装置が得
られる。
形成用の圧力勾配型プラズマ銃を設けると共に、前記被
処理管の外周には前記プラズマビームを案内する磁束源
と前記被処理管に沿って移動可能な磁場制御手段とを設
けて合成磁場によるプラズマを前記被処理管内面に照射
させるようにした管内面のプラズマＣＶＤ処理装置が得
られる。
（作用）
本発明は、被処理管の内部を真空にしてプラズマＣＶＤ
により管内面を処理するものであり、圧力勾配型プラズ
マ銃により被処理管内にプラズマビームを照射すると共
に、被処理管の外部に配設された磁束源でプラズマビー
ムを被処理管の中心軸に位置せしめ、しかも磁場制御手
段によりプラズマビームに対して合成磁場（カスプ磁場
）を作用させることによりプラズマが管内面に照射され
るようにしている。そして、磁場制御手段を被処理管に
沿って移動させることにより、管内面に対するプラズマ
照射位置を移動させ、均一な膜厚を得ることができるよ
うにしている。
により管内面を処理するものであり、圧力勾配型プラズ
マ銃により被処理管内にプラズマビームを照射すると共
に、被処理管の外部に配設された磁束源でプラズマビー
ムを被処理管の中心軸に位置せしめ、しかも磁場制御手
段によりプラズマビームに対して合成磁場（カスプ磁場
）を作用させることによりプラズマが管内面に照射され
るようにしている。そして、磁場制御手段を被処理管に
沿って移動させることにより、管内面に対するプラズマ
照射位置を移動させ、均一な膜厚を得ることができるよ
うにしている。
（実施例）
以下に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示し、被処理管３の内
面にプラズマＣＶＤ処理を行う装置である。被処理管３
の一端には、原料ガス導入部７を介して圧力勾配型のプ
ラズマ銃１をフランジ結合している。プラズマ銃１はキ
ャリアガス導入部１１を有している。２はゲート弁であ
る。被処理管３の他端には、排気系８を介して水冷ター
ゲット６をフランジ結合している。被処理管３の周囲に
は、プラズマ銃１から射出されたプラズマビームを被処
理管３の中心軸上に位置せしめるためのビームガイド用
コイル４を被処理管３の全長にわたって配置している。
面にプラズマＣＶＤ処理を行う装置である。被処理管３
の一端には、原料ガス導入部７を介して圧力勾配型のプ
ラズマ銃１をフランジ結合している。プラズマ銃１はキ
ャリアガス導入部１１を有している。２はゲート弁であ
る。被処理管３の他端には、排気系８を介して水冷ター
ゲット６をフランジ結合している。被処理管３の周囲に
は、プラズマ銃１から射出されたプラズマビームを被処
理管３の中心軸上に位置せしめるためのビームガイド用
コイル４を被処理管３の全長にわたって配置している。
被処理管３の外周であってビームガイド用コイル４の内
側には、被処理管３に沿って移動可能なように磁場制御
部５を配置している。磁場制御部５は永久磁石あるいは
電磁石で実現される。
側には、被処理管３に沿って移動可能なように磁場制御
部５を配置している。磁場制御部５は永久磁石あるいは
電磁石で実現される。
プラズマ銃１には負電位が印加され、ビーム収束部１２
や原料ガス導入部７はそれぞれ抵抗器を介して接地され
、被処理管３．水冷ターゲツト６はそれぞれ、直接接地
されている。
や原料ガス導入部７はそれぞれ抵抗器を介して接地され
、被処理管３．水冷ターゲツト６はそれぞれ、直接接地
されている。
処理動作を説明すると、はじめに排気系８により被処理
管内を真空状態にし、原料ガス導入部７からは原料ガス
を、ギヤリアガス導入部１１からはキャリアガスをそれ
ぞれ導入する。排気を持続した状態でプラズマ銃１によ
り水冷ターゲット６との間でアーク放電を発生させ、プ
ラズマビームをつくる。ビームガイド用コイル４から発
生される磁束は、プラズマビームを被処理管３の中心軸
上に位置せしめるように作用する。更に、磁場制御部５
によりプラズマビームに対してカスブ磁場を作用させる
ことでプラズマがカスブ状磁場の磁力線に沿って被処理
管３の内面に照射されるようにする。このことにより、
プラズマが照射された被処理管３の内面は温度上昇し、
プラズマＣＶＤによる膜堆積が生ずる。そして、磁場制
御部５を定速で移動させることで被処理管３の内面への
照射位置を移動させ均一な膜厚を得るようにする。
管内を真空状態にし、原料ガス導入部７からは原料ガス
を、ギヤリアガス導入部１１からはキャリアガスをそれ
ぞれ導入する。排気を持続した状態でプラズマ銃１によ
り水冷ターゲット６との間でアーク放電を発生させ、プ
ラズマビームをつくる。ビームガイド用コイル４から発
生される磁束は、プラズマビームを被処理管３の中心軸
上に位置せしめるように作用する。更に、磁場制御部５
によりプラズマビームに対してカスブ磁場を作用させる
ことでプラズマがカスブ状磁場の磁力線に沿って被処理
管３の内面に照射されるようにする。このことにより、
プラズマが照射された被処理管３の内面は温度上昇し、
プラズマＣＶＤによる膜堆積が生ずる。そして、磁場制
御部５を定速で移動させることで被処理管３の内面への
照射位置を移動させ均一な膜厚を得るようにする。
第２図は本発明の第２の実施例を示す。この実施例は、
第１図の実施例と比べて、原料ガス導入部と排気系の設
置箇所を入れ換えた点で異なる。
第１図の実施例と比べて、原料ガス導入部と排気系の設
置箇所を入れ換えた点で異なる。
すなわち、被処理管３の一端とプラズマ銃１との間に排
気系８′を設け、被処理管３の他端に原料ガス導入部７
′をフランジ結合している。
気系８′を設け、被処理管３の他端に原料ガス導入部７
′をフランジ結合している。
このような例によれば、原料ガスの流れがプラズマビー
ムと逆向になり、これは被処理管３内の原料ガス濃度を
高めて膜堆積の効率を向上させることかできる。
ムと逆向になり、これは被処理管３内の原料ガス濃度を
高めて膜堆積の効率を向上させることかできる。
第３図は本発明の第３の実施例を示す。この例は、第２
図の実施例における被処理管３を真空容器２０内に収容
するようにしたものである。真空容器２０の一端に排気
系８′を介してプラズマ銃１をフランジ結合し、真空容
器２０の他端に原料ガス導入部７′をフランジ結合して
いる。このため、ビームガイド用コイル４．磁場、制御
部５′は真空容器２０の外周に配置し、特に磁場制御部
５′は複数個の永久磁石あるいは電磁石で実現するよう
にしている。２１は、真空容器２０内での被処理管３の
移動を容品にするための台車であり、２２は被処理管３
への電流導入用端子である。この例によれば、被処理管
３にフランジ結合用のフランジを設ける必要が無い。
図の実施例における被処理管３を真空容器２０内に収容
するようにしたものである。真空容器２０の一端に排気
系８′を介してプラズマ銃１をフランジ結合し、真空容
器２０の他端に原料ガス導入部７′をフランジ結合して
いる。このため、ビームガイド用コイル４．磁場、制御
部５′は真空容器２０の外周に配置し、特に磁場制御部
５′は複数個の永久磁石あるいは電磁石で実現するよう
にしている。２１は、真空容器２０内での被処理管３の
移動を容品にするための台車であり、２２は被処理管３
への電流導入用端子である。この例によれば、被処理管
３にフランジ結合用のフランジを設ける必要が無い。
なお、実施例では被処理管として直管を示したが、環状
等の曲管であっても同様にして内面処理を行うことがで
きる。
等の曲管であっても同様にして内面処理を行うことがで
きる。
（発明の効果）
以上説明してきたように１本発明によれば圧力勾配型の
プラズマ銃を用いて被処理管内にプラズマビームを形成
し、移動可能な磁場制御部により被処理管の任意の位置
で磁場をカスブ状に変形させることでプラズマを被処理
管の内面に照射させることができるので、被処理管内面
に均一な膜厚で処理膜を形成することができる。しかも
、圧力勾配型放電を利用しているので、プラズマＣＶＤ
の原料ガスがプラズマ銃内部に流入することがなく、長
時間にわたって安定した内面処理を行うことができる。
プラズマ銃を用いて被処理管内にプラズマビームを形成
し、移動可能な磁場制御部により被処理管の任意の位置
で磁場をカスブ状に変形させることでプラズマを被処理
管の内面に照射させることができるので、被処理管内面
に均一な膜厚で処理膜を形成することができる。しかも
、圧力勾配型放電を利用しているので、プラズマＣＶＤ
の原料ガスがプラズマ銃内部に流入することがなく、長
時間にわたって安定した内面処理を行うことができる。
第１図〜第３図はそれぞれ本発明の第１〜第３の実施例
の縦断面図。 図中、１は圧力勾配型のプラズマ銃、２はゲート弁、３
は被処理管、４はビームガイド用コイル。 ５は磁場制御部、６は水冷ターゲット、７は原料ガス導
入部、８は排気系、１１はキャリアガス導入部、２０は
真空容器。
の縦断面図。 図中、１は圧力勾配型のプラズマ銃、２はゲート弁、３
は被処理管、４はビームガイド用コイル。 ５は磁場制御部、６は水冷ターゲット、７は原料ガス導
入部、８は排気系、１１はキャリアガス導入部、２０は
真空容器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）圧力勾配型放電により形成したプラズマを利用して
被処理管内面にプラズマＣＶＤ処理を行う処理方法にお
いて、前記被処理管の一端から他端に向かうプラズマビ
ームを形成し、前記被処理管に沿って移動可能な磁場制
御手段により前記被処理管の内面にプラズマを照射させ
るようにした管内面のプラズマＣＶＤ処理方法。 ２）請求項１記載の管内面のプラズマＣＶＤ処理方法に
おいて、前記被処理管の一端側からキャリアガスを、前
記被処理管の他端側から原料ガスを導入することを特徴
とする管内面のプラズマＣＶＤ処理方法。 ３）請求項１あるいは２記載の管内面のプラズマＣＶＤ
処理方法において、前記被処理管を真空容器に収容する
ようにしたことを特徴とする管内面のプラズマＣＶＤ処
理方法。 ４）圧力勾配型放電により形成したプラズマを利用して
被処理管内面にプラズマＣＶＤ処理を行う処理装置にお
いて、前記被処理管の一端にプラズマビーム形成用の圧
力勾配型プラズマ銃を設けると共に、前記被処理管の外
周には前記プラズマビームを案内する磁束源と前記被処
理管に沿って移動可能な磁場制御手段とを設けて合成磁
場によるプラズマを前記被処理管内面に照射させるよう
にした管内面のプラズマＣＶＤ処理装置。 ５）請求項４記載の管内面のプラズマＣＶＤ処理装置に
おいて、前記被処理管の一端に、前記圧力勾配型プラズ
マ銃に加えて原料ガス導入系及びキャリアガス導入系と
をフランジ結合し、前記被処理管の他端に排気系をフラ
ンジ結合して成る管内面のプラズマＣＶＤ処理装置。 ６）請求項４記載の管内面のプラズマＣＶＤ処理装置に
おいて、前記被処理管の一端に、前記圧力勾配型プラズ
マ銃に加えてキャリアガス導入系及び排気系をフランジ
結合し、前記被処理管の他端には原料ガス導入系をフラ
ンジ結合して前記プラズマビームとは逆向きに原料ガス
を導入するようにしたことを特徴とする管内面のプラズ
マＣＶＤ処理装置。 ７）請求項４〜６のいずれかに記載の管内面のプラズマ
ＣＶＤ処理装置において、前記被処理管を真空容器に収
容するようにしたことを特徴とする管内面のプラズマＣ
ＶＤ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24253990A JP2916942B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24253990A JP2916942B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124273A true JPH04124273A (ja) | 1992-04-24 |
| JP2916942B2 JP2916942B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=17090617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24253990A Expired - Lifetime JP2916942B2 (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2916942B2 (ja) |
Cited By (20)
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| US9458536B2 (en) | 2009-07-02 | 2016-10-04 | Sio2 Medical Products, Inc. | PECVD coating methods for capped syringes, cartridges and other articles |
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-
1990
- 1990-09-14 JP JP24253990A patent/JP2916942B2/ja not_active Expired - Lifetime
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