JPS63148634A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPS63148634A
JPS63148634A JP29483686A JP29483686A JPS63148634A JP S63148634 A JPS63148634 A JP S63148634A JP 29483686 A JP29483686 A JP 29483686A JP 29483686 A JP29483686 A JP 29483686A JP S63148634 A JPS63148634 A JP S63148634A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
magnetic field
plasma
microwave
field produced
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP29483686A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2511433B2 (ja
Inventor
Masaharu Saikai
西海　正治
Takashi Fujii
敬 藤井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP61294836A priority Critical patent/JP2511433B2/ja
Publication of JPS63148634A publication Critical patent/JPS63148634A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2511433B2 publication Critical patent/JP2511433B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ものである。
〔従来の技術〕
従来の装置は、特公昭５３−３４４６１号に記載のよう
に磁界発生手段による磁界の端部等に試料が配置されて
おり、第２図に示すように、破線で示す磁力線が試料の
中央部と周辺部で入射角度が異なりでいた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術は被加工物である試料を発散磁界中に配置
し、試料表面に入射する磁力線の入射角度や磁力線密度
の粗密については考慮がなされておらず、次の問題があ
った。
プラズマ中のイオンは磁力線に巻さつ曵ように螺旋運動
し、試料に作用する電位が磁場に対して小さい場合に、
磁力線によって強制された角度で試料に入射する。この
ことは、磁界が発散磁界を形成する場合、ウェハ中心部
と周辺部ではイオンの入射角度が異なることになり、加
工特性に違いが生ずることになる。
本発明の目的は、イオンが主体となって反応が生じるプ
ラズマ処理において、加工特性の均質化−皮 を図ることのできるマイクロチプラズマ処理装置を提供
することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、マイクロ波による電界と磁界発生手段によ
る磁界との相乗作用によってプラズマを発生し、試料を
プラズマ処理する装置において、試料を磁界の略均一部
に配置することにより、達成される。
〔作　　用〕
マイクロ波による磁界に垂直方向の磁界を作用させて高
密度なガスプラズマを発生させ、磁界による磁力線を試
料に対して略垂直でかつ平行な状態にすることにより、
プラズマ中で解＃されたイオンは磁力線に沿って試料に
入射し、均一な加工が可能となる。
〔実　施　例〕
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
試料１は試料台２の上に軟質され、試料台２は真空室３
に設置される。真空室３の上部には、マイクロ波を透過
する絶縁物で成形されたペルジャー４が取り付けられる
。ペルジャー４の外周には、円形導波管５が設けられ、
その外側に磁場を発生する磁界発生手段である空芯コイ
ル６が配置される。７は図示しないマイクａ波発住源か
らのマイクロ波を導入するマイクロ波導入口であり、８
は図示しない処理ガス供給源に接続され真空室３内に処
理ガスを供給するガス供給口であり、９は真空室３内を
所定圧に減圧排気するための図示しない排気装置につな
がる真空排気口である。
上記構成の装置により、磁界発生手段である空芯コイル
６の内径寸法が試料の直径に比べて充分な大きさを備え
ている場合は、空芯コイル６により発生する磁力線の平
行な場所に試料を配置することによって、マイクロ波に
よる電界と空芯コイル６による磁界との相乗作用によっ
て発生した真空室３内の処理ガスのプラズマの中のイオ
ンが、試料に対してほぼ垂直でかつ平行な磁界、すなわ
ち、磁束密度が略均−な磁界に善きつくように螺旋運動
して、試料に導かれ、試料と反応して処理が行なわれる
。
以上、本−実施例によれば、空芯コイル６によって発生
した磁界中で磁力線の方向が揃った場所に、試料１を配
置することにより、マイクロ波による電界と空芯コイル
６による磁界との相乗作用で発生するガスプラズマ中の
イオンを試料１に垂直に導（ので、イオンによる均一な
加工ができる効果がある。
なお、本−実施例では、空芯コイル６の内径寸法が大き
い場合について述べたが、空芯コイル６の内径が試料ｌ
の直径に近いかまたは前記一実施例の空芯コイル６より
小さい場合は、試料近傍に別の磁界発生手段を配置し、
磁力線の向きが試料ｉ上で略平行になるように制御する
か、非透磁材料による絞り効果を利用して磁力線の向き
を試料上で略平行にすることにより、同様な効果を得る
二とができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、マイクロ波による電界と磁界発生手段
による磁界との相乗作用によってプラズマを発生し、試
料をプラズマ処理する装置において、試料を磁界の略均
一部に配置することにより。
磁束密度がほぼ均一な部分の略垂直な磁界に導かれて、
プラズマ中のイオンが試料に入射して試料と反応するの
で、加工特性の均質化を図ることができるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示すマイクロ波プラズマ処
理装置の縦断面図、第２図は従来のマイクロ波プラズマ
処理装置を示す縦断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、マイクロ波による電界と磁界発生手段による磁界と
    の相乗作用によってプラズマを発生し、試料をプラズマ
    処理する装置において、前記試料を前記磁界の略均一部
    に配置することを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装
    置。
JP61294836A 1986-12-12 1986-12-12 マイクロ波プラズマ処理装置 Expired - Lifetime JP2511433B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61294836A JP2511433B2 (ja) 1986-12-12 1986-12-12 マイクロ波プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61294836A JP2511433B2 (ja) 1986-12-12 1986-12-12 マイクロ波プラズマ処理装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7324567A Division JP2714547B2 (ja) 1995-12-13 1995-12-13 マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63148634A true JPS63148634A (ja) 1988-06-21
JP2511433B2 JP2511433B2 (ja) 1996-06-26

Family

ID=17812879

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61294836A Expired - Lifetime JP2511433B2 (ja) 1986-12-12 1986-12-12 マイクロ波プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2511433B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0362517A (ja) * 1989-03-27 1991-03-18 Anelva Corp マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0547710A (ja) * 1991-08-08 1993-02-26 Nec Corp Ｅｃｒプラズマエツチング装置
JPH0661182A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Mitsubishi Electric Corp プラズマエッチング装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59202635A (ja) * 1983-05-04 1984-11-16 Hitachi Ltd エッチング装置
JPS60134423A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマエツチング装置
JPS60154620A (ja) * 1984-01-25 1985-08-14 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理方法及び装置
JPS61267324A (ja) * 1985-05-21 1986-11-26 Fuji Electric Co Ltd 乾式薄膜加工装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59202635A (ja) * 1983-05-04 1984-11-16 Hitachi Ltd エッチング装置
JPS60134423A (ja) * 1983-12-23 1985-07-17 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマエツチング装置
JPS60154620A (ja) * 1984-01-25 1985-08-14 Hitachi Ltd マイクロ波プラズマ処理方法及び装置
JPS61267324A (ja) * 1985-05-21 1986-11-26 Fuji Electric Co Ltd 乾式薄膜加工装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0362517A (ja) * 1989-03-27 1991-03-18 Anelva Corp マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0547710A (ja) * 1991-08-08 1993-02-26 Nec Corp Ｅｃｒプラズマエツチング装置
JPH0661182A (ja) * 1992-08-11 1994-03-04 Mitsubishi Electric Corp プラズマエッチング装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2511433B2 (ja) 1996-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3114873B2 (ja) プラズマ処理装置、及び、蒸着或いはエッチングの方法
JPH02197122A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH04124273A (ja) 管内面のプラズマｃｖｄ処理方法及びその装置
JPS59202635A (ja) エッチング装置
JP2511433B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JP2001160553A (ja) プラズマ装置
JPH01238020A (ja) プラズマ処理装置、及びその処理システム
JPH05106051A (ja) プラズマ処理装置
JP2714547B2 (ja) マイクロ波プラズマ処理装置及び処理方法
JPH05290995A (ja) プラズマ発生装置
JPH06333848A (ja) プラズマ生成装置
JPS62152127A (ja) プラズマ装置
JPH0270063A (ja) プラズマ／イオン生成源およびプラズマ／イオン処理装置
JPH0222486A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0294628A (ja) プラズマ発生装置
JPH03232981A (ja) 基板の処理装置およびその処理方法
JP2515885B2 (ja) プラズマ処理装置
JPS63207131A (ja) プラズマ処理装置
JPH06104210A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPH0361387A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置
JPS61181534A (ja) プラズマ処理装置
JP2913121B2 (ja) Ｅｃｒプラズマ発生装置
JPH04180221A (ja) プラズマ処理方法
JP2576139B2 (ja) プラズマ装置
JPH01254245A (ja) マイクロ波プラズマ処理装置