JPH04124274A - 気相反応装置 - Google Patents
気相反応装置Info
- Publication number
- JPH04124274A JPH04124274A JP24312190A JP24312190A JPH04124274A JP H04124274 A JPH04124274 A JP H04124274A JP 24312190 A JP24312190 A JP 24312190A JP 24312190 A JP24312190 A JP 24312190A JP H04124274 A JPH04124274 A JP H04124274A
- Authority
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- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum
- gate valve
- load lock
- gas phase
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は気相反応装置に関する。更に詳細には本発明は
反応室へのウニ入などのワーク（加工物の出し入れを迅
速に行うことによりスループ・ノドを向上できるプラズ
マＣＶＤ装置またはプラズマエッチング装置に関する。
反応室へのウニ入などのワーク（加工物の出し入れを迅
速に行うことによりスループ・ノドを向上できるプラズ
マＣＶＤ装置またはプラズマエッチング装置に関する。
［従来の技術］
薄膜の形成方法として半導体工業において一般に広く用
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
いられているものの一つに化学的気相成長法（ＣＶＤ：
Ｃｈｅｍｉｃａｌ ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓ ｉ ｔ
１ｏｎ）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応
で固体物質にし、基板上に堆積することをいう。
ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッシベーション膜として利用されている
。
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｉやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッシベーション膜として利用されている
。
ＣＶＤ法は大別すると、（り常圧、（２）減圧および（
３）プラズマの３種類がある。
３）プラズマの３種類がある。
プラズマＣＶＤ法は、反応の活性化に必要なエネルギー
を、真空中におけるグロー放電のプラズマによって得る
もので、成長は３００℃〜４００℃前後の低温で起こり
、ステップカバレージ（まわりこみ、またはパターン段
差部被覆性））が良く、膜の強度が強く、更に耐湿性に
優れているといった特長を有する。また、プラズマＣＶ
Ｄ法による成膜生成速度（デポレート）は、減圧ＣＶＤ
法に比べて極めて速い。
を、真空中におけるグロー放電のプラズマによって得る
もので、成長は３００℃〜４００℃前後の低温で起こり
、ステップカバレージ（まわりこみ、またはパターン段
差部被覆性））が良く、膜の強度が強く、更に耐湿性に
優れているといった特長を有する。また、プラズマＣＶ
Ｄ法による成膜生成速度（デポレート）は、減圧ＣＶＤ
法に比べて極めて速い。
口発明が解決しようとする課題］
一般的に、プラズマは〜１０−４ Ｔｏｒｒ程度の高真
空雰囲気中で発生される。このため、従来のプラズマＣ
ＶＤ装置は第２図に示されるように、真空反応室１０に
隣接して、該反応室内にウェハなどのワーク（加工物）
３０をロードするための、ロードロック室２０が接続さ
れている。真空反応室内０とロードロツタ室２０との間
には第１のゲートバルブ１２が配設されており、この第
１のゲートバルブ１２の開閉により、ウェハなどのワー
ク３０を反応室内に搬入することができる。一方、ウェ
ハなどのワーク３０は、ロードロツタ室２０の後端に配
設された第２のゲートバルブ２２からロードロック室内
に搬入される。
空雰囲気中で発生される。このため、従来のプラズマＣ
ＶＤ装置は第２図に示されるように、真空反応室１０に
隣接して、該反応室内にウェハなどのワーク（加工物）
３０をロードするための、ロードロック室２０が接続さ
れている。真空反応室内０とロードロツタ室２０との間
には第１のゲートバルブ１２が配設されており、この第
１のゲートバルブ１２の開閉により、ウェハなどのワー
ク３０を反応室内に搬入することができる。一方、ウェ
ハなどのワーク３０は、ロードロツタ室２０の後端に配
設された第２のゲートバルブ２２からロードロック室内
に搬入される。
一般的に、大気中からワーク３０をロードロ・ｌり室２
０に搬入する際、第２のゲートバルブ２２を開いてロー
ドロック室を真空状態から大気圧にまで戻さなければな
らない。そして、ロードロツタ室２０にワーク３０が搬
入されたら、第２のゲートバルブ２２を閉じ、ロードロ
ック室内を再び真空状態にし、真空反応室内の圧力と等
圧になった時点で第１のゲートバルブ１２を開き、ワー
ク３０を反応室１０内に搬入する。
０に搬入する際、第２のゲートバルブ２２を開いてロー
ドロック室を真空状態から大気圧にまで戻さなければな
らない。そして、ロードロツタ室２０にワーク３０が搬
入されたら、第２のゲートバルブ２２を閉じ、ロードロ
ック室内を再び真空状態にし、真空反応室内の圧力と等
圧になった時点で第１のゲートバルブ１２を開き、ワー
ク３０を反応室１０内に搬入する。
しかし、ロードロツタ室２０内にはワーク３０を反応室
１２内へ搬送するための搬送機構４０が収容されている
。このため、ロードロック室は船釣に容積が大きく、短
時間でワークを出し入れするにはロードロツタ室にかな
り大型の真空排気系を取付なければならなかった。
１２内へ搬送するための搬送機構４０が収容されている
。このため、ロードロック室は船釣に容積が大きく、短
時間でワークを出し入れするにはロードロツタ室にかな
り大型の真空排気系を取付なければならなかった。
従って、本発明の目的は、大型の真空祷気系を使用しな
くても、真空反応室へワークを効率的に出し入れするこ
とのできる気相反応装置を提供することである。
くても、真空反応室へワークを効率的に出し入れするこ
とのできる気相反応装置を提供することである。
［課題を解決するための手段］
前記目的を達成するために、本発明では、少なくとも気
相反応装置の反応室へワークをロードするためのロード
ロック室が反応室に接続されている気相反応装置におい
て、前記ロードロツタ室にワークを供給するための予備
室が接続されていることを特徴とする気相反応装置を提
供する。
相反応装置の反応室へワークをロードするためのロード
ロック室が反応室に接続されている気相反応装置におい
て、前記ロードロツタ室にワークを供給するための予備
室が接続されていることを特徴とする気相反応装置を提
供する。
ワーク供給用の予備室はロードロック室に比べて容積が
遥かに小さいことが好ましい。
遥かに小さいことが好ましい。
［作用コ
前記のように、本発明の気相反応装置では、ロードロッ
ク室に隣接して、容積の小さなウェハ供給用の予備室を
接続している。これにより、大気から真空内へのワーク
の出し入れの際に、容積の小さな予備室だけ真空から大
気圧に戻し、ロードロック室は常時真空の状態に維持し
て使用することができる。
ク室に隣接して、容積の小さなウェハ供給用の予備室を
接続している。これにより、大気から真空内へのワーク
の出し入れの際に、容積の小さな予備室だけ真空から大
気圧に戻し、ロードロック室は常時真空の状態に維持し
て使用することができる。
予備室は容積が小さいので、圧力調整は短時間で行うこ
とができる。このため、ワークのハンドリング時間も短
縮され、スルーブツトの向りに寄与する。
とができる。このため、ワークのハンドリング時間も短
縮され、スルーブツトの向りに寄与する。
［実施例コ
以下、図面を参照しながら本発明の気相反応装置につい
て更に詳細に説明する。
て更に詳細に説明する。
第１図は本発明の気相反応装置の一例の概念図である。
第２図に示された従来の気相反応装置と同一の部材につ
いては同一の符号を使用する。
いては同一の符号を使用する。
本発明の気相反応装置１は従来の気相反応装置と同様に
真空反応室１０を有する。真空反応室１０の内部には例
えば、平行平板電極１４と、これに対峙する接地サセプ
タ１６が配置されている。
真空反応室１０を有する。真空反応室１０の内部には例
えば、平行平板電極１４と、これに対峙する接地サセプ
タ１６が配置されている。
真空反応室１０は真空ポンプ１８により所定の真空度に
まで排気される。真空反応室１０に隣接してロードロッ
ク室２０が配設されている。ロードロック室２０と真空
反応室１０とは第１のゲートバルブ１２により仕切られ
ている。ロードロック室２０の内部にはワーク３０を搬
送するための搬送機構４０が配置されている。
まで排気される。真空反応室１０に隣接してロードロッ
ク室２０が配設されている。ロードロック室２０と真空
反応室１０とは第１のゲートバルブ１２により仕切られ
ている。ロードロック室２０の内部にはワーク３０を搬
送するための搬送機構４０が配置されている。
本発明の気相反応装置１では、従来の装置と異なり、こ
のロードロツタ室２０に隣接してワーク供給用の予備室
３が接続されている。ロードロック室２０とワーク供給
用予備室３とは第２のゲートバルブ２２により仕切られ
ている。ワーク供給用予備室３はその後端部に第３のゲ
ートバルブ５を有する。ワーク供給用予備室３内にワー
ク３０を搬入する場合、第２のゲートバルブ２２を閉じ
た状態で第３のゲートバルブ５を開き、搬入が完了した
ら第３のゲートバルブ５を閉じる。ワーク供給用予備室
３内に収納されるワークは一枚でも複数枚でもよい。ロ
ードロック室２０とワーク供給用予備室３は共通の真空
ポンプ２４により排気される。ただし、ロードロック室
２０と真空ポンプ２４の間には開閉バルブ２６が設けら
れており、また、ワーク供給用予備室３と真空ポンプ２
４に間には開閉バルブ２８が設けられている。これによ
り、例えば、ワーク供給用予備室３内だけを排気する場
合、バルブ２６を閉じ、バルブ２８を開いて行えばよい
。ロードロック室２０内を排気する場合は、バルブ２８
を閉じ、バルブ２６を開いて行えばよい。別法として、
ロードロツタ室２０およびワーク供給用予備室３にそれ
ぞれ独立の排気系を設けることもできる。何れにしろ、
図示されているように、ワーク供給用予備室３はロード
ロック室２０に比べて容積が遥かに小さい。従って、第
２のゲートバルブ２２と第３のゲートバルブを閉じ、開
閉バルブ２８を開ければ、ワーク供給用予備室３内を所
定の真空度にまで短時間で到達させることができる。ワ
ーク供給用予備室３内が所定の真空度に達したら、第２
のゲートバルブを開き、ワーク供給用予備室３内のワー
ク３ｏをロードロック室２０内の搬送機構４０に載置し
、真空反応室１０に向かって搬送する。ワーク３゜の搬
送が開始されたら、第１のゲートバルブ１２が開かれる
。ワーク３０が真空反応室１ｏ内のサセプタ１６上に載
置されたら搬送機構４０は後退し、ロードロック室２０
内にまで完全に戻った時点で第１のゲートバルブ１２が
閉じられ、所定の加工処理が開始される。
のロードロツタ室２０に隣接してワーク供給用の予備室
３が接続されている。ロードロック室２０とワーク供給
用予備室３とは第２のゲートバルブ２２により仕切られ
ている。ワーク供給用予備室３はその後端部に第３のゲ
ートバルブ５を有する。ワーク供給用予備室３内にワー
ク３０を搬入する場合、第２のゲートバルブ２２を閉じ
た状態で第３のゲートバルブ５を開き、搬入が完了した
ら第３のゲートバルブ５を閉じる。ワーク供給用予備室
３内に収納されるワークは一枚でも複数枚でもよい。ロ
ードロック室２０とワーク供給用予備室３は共通の真空
ポンプ２４により排気される。ただし、ロードロック室
２０と真空ポンプ２４の間には開閉バルブ２６が設けら
れており、また、ワーク供給用予備室３と真空ポンプ２
４に間には開閉バルブ２８が設けられている。これによ
り、例えば、ワーク供給用予備室３内だけを排気する場
合、バルブ２６を閉じ、バルブ２８を開いて行えばよい
。ロードロック室２０内を排気する場合は、バルブ２８
を閉じ、バルブ２６を開いて行えばよい。別法として、
ロードロツタ室２０およびワーク供給用予備室３にそれ
ぞれ独立の排気系を設けることもできる。何れにしろ、
図示されているように、ワーク供給用予備室３はロード
ロック室２０に比べて容積が遥かに小さい。従って、第
２のゲートバルブ２２と第３のゲートバルブを閉じ、開
閉バルブ２８を開ければ、ワーク供給用予備室３内を所
定の真空度にまで短時間で到達させることができる。ワ
ーク供給用予備室３内が所定の真空度に達したら、第２
のゲートバルブを開き、ワーク供給用予備室３内のワー
ク３ｏをロードロック室２０内の搬送機構４０に載置し
、真空反応室１０に向かって搬送する。ワーク３゜の搬
送が開始されたら、第１のゲートバルブ１２が開かれる
。ワーク３０が真空反応室１ｏ内のサセプタ１６上に載
置されたら搬送機構４０は後退し、ロードロック室２０
内にまで完全に戻った時点で第１のゲートバルブ１２が
閉じられ、所定の加工処理が開始される。
図示されていないが、加工処理の完了したワークを真空
反応室１０からアンロードするために、アンロード専用
の別の独立したロードロック室を肛空反応室１０の適当
な箇所に配設することもできる。この場合、アンロード
用のロードロック室にもワーク取出用の予備室を配設す
ることが好ましい。
反応室１０からアンロードするために、アンロード専用
の別の独立したロードロック室を肛空反応室１０の適当
な箇所に配設することもできる。この場合、アンロード
用のロードロック室にもワーク取出用の予備室を配設す
ることが好ましい。
本発明の気相反応装置は高真空度を必要とするような例
えば、プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエツチング装
置などである。
えば、プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエツチング装
置などである。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明の気相反応装置によれば、
ウェハなどのワークをロードロ１．り室に供給するのに
、このロードロック室よりも容積が遥かに小さな予備室
を設けることにより、ロードロツタ室および真空反応室
は常時真空状態に維持することができ、しかも、−を両
室を所定の真空度にまで短時間で到達させることができ
る。これにより、ワークのロード／アンロードが迅速に
行われ、スループットを向トさせることができる。
ウェハなどのワークをロードロ１．り室に供給するのに
、このロードロック室よりも容積が遥かに小さな予備室
を設けることにより、ロードロツタ室および真空反応室
は常時真空状態に維持することができ、しかも、−を両
室を所定の真空度にまで短時間で到達させることができ
る。これにより、ワークのロード／アンロードが迅速に
行われ、スループットを向トさせることができる。
第１図は本発明の気相反応装置の一例の模式的断面図で
あり、第２図は従来のプラズマＣＶｒ）装置の一例の模
式的断面図である。 １・・・本発明の気相反応装置、３・・・予備室。 ５・・・第３のゲートバルブ、１０・・・真空反応室。 １２・・・第１のゲートバルブ。 ２０・・・ロー ドロ・ツク室、３０−・・ワーク。 ４０・・・搬送機構
あり、第２図は従来のプラズマＣＶｒ）装置の一例の模
式的断面図である。 １・・・本発明の気相反応装置、３・・・予備室。 ５・・・第３のゲートバルブ、１０・・・真空反応室。 １２・・・第１のゲートバルブ。 ２０・・・ロー ドロ・ツク室、３０−・・ワーク。 ４０・・・搬送機構
Claims (3)
- （１）少なくとも気相反応装置の反応室へワークをロー
ドするためのロードロック室が反応室に接続されている
気相反応装置において、前記ロードロック室にワークを
供給するための予備室が接続されていることを特徴とす
る気相反応装置。 - （２）予備室はロードロック室よりも内容積が遥かに小
さいことを特徴とする請求項１の気相反応装置。 - （３）プラズマＣＶＤ装置またはプラズマエッチング装
置である請求項１の気相反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243121A JP2631763B2 (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243121A JP2631763B2 (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 気相反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124274A true JPH04124274A (ja) | 1992-04-24 |
| JP2631763B2 JP2631763B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=17099114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2243121A Expired - Lifetime JP2631763B2 (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2631763B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063387A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-11 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS60238133A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-27 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPH01253237A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| JPH0238569A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Anelva Corp | シリコン基板上にアルミニウムの平滑な薄膜を作製する方法とそれを用いた光学的反射鏡 |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP2243121A patent/JP2631763B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6063387A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-11 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS60238133A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-27 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
| JPH01253237A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| JPH0238569A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Anelva Corp | シリコン基板上にアルミニウムの平滑な薄膜を作製する方法とそれを用いた光学的反射鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2631763B2 (ja) | 1997-07-16 |
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