JPH04124826A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH04124826A JPH04124826A JP24461690A JP24461690A JPH04124826A JP H04124826 A JPH04124826 A JP H04124826A JP 24461690 A JP24461690 A JP 24461690A JP 24461690 A JP24461690 A JP 24461690A JP H04124826 A JPH04124826 A JP H04124826A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- etching
- liquid supply
- impeller
- etchant
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体製造装置、特にウェーハの片面をウェット・エツ
チングする装置の構造に関し、処理面にエツチングむら
を生じないウェット・エツチング装置を提供することを
目的とし、［１］ ウェーハ１の径より大なる径で上
方に開口する処理槽１１と、該処理槽１１内にエツチン
グ液２を供給する給液手段１５と、回転軸１３ａとその
上部の周囲に取り付けられた羽根１３ｂとを含んで該処
理槽１１内の該エツチング液２中で水平に回転する羽根
車１３とを有し、該回転軸１３ａはその細心に沿って該
エツチング液２の流通を可能とする中心孔１３ａａを備
えているように構成する。
チングする装置の構造に関し、処理面にエツチングむら
を生じないウェット・エツチング装置を提供することを
目的とし、［１］ ウェーハ１の径より大なる径で上
方に開口する処理槽１１と、該処理槽１１内にエツチン
グ液２を供給する給液手段１５と、回転軸１３ａとその
上部の周囲に取り付けられた羽根１３ｂとを含んで該処
理槽１１内の該エツチング液２中で水平に回転する羽根
車１３とを有し、該回転軸１３ａはその細心に沿って該
エツチング液２の流通を可能とする中心孔１３ａａを備
えているように構成する。
［２１前記の［１］ において、前記羽根車１３はその
回転軸１３ａの下部の周囲に補助羽根１３ｃを備えてお
り、前記エツチング液２の液流により該羽根車１３が回
転するように前記給液手段１５の給液口１５ａが該補助
羽根１３ｃに対向してその近傍に配置されているように
構成する。
回転軸１３ａの下部の周囲に補助羽根１３ｃを備えてお
り、前記エツチング液２の液流により該羽根車１３が回
転するように前記給液手段１５の給液口１５ａが該補助
羽根１３ｃに対向してその近傍に配置されているように
構成する。
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造装置、特にウェーハの片面をウェ
ット・エツチングする装置の構造に関する。
ット・エツチングする装置の構造に関する。
半導体装置の製造工程にあっては、ウェーハの表面側に
素子を形成した後、そのウェーハを所望の厚さに仕上げ
るためにウェーハ背面側を研削し、次にその研削等で生
じたダメージ層をウェット・エツチングにより除去し、
その後各々のチップに分割する。その結果、ウェット・
エツチングの処理面にエツチングむら（特に凸部）があ
ると、後のチップボンディング等に支障を来すことにな
る。
素子を形成した後、そのウェーハを所望の厚さに仕上げ
るためにウェーハ背面側を研削し、次にその研削等で生
じたダメージ層をウェット・エツチングにより除去し、
その後各々のチップに分割する。その結果、ウェット・
エツチングの処理面にエツチングむら（特に凸部）があ
ると、後のチップボンディング等に支障を来すことにな
る。
従って処理面にエツチングむらを生しないウニ・ット・
エツチング装置が望まれている。
エツチング装置が望まれている。
〔従来の技術］
従来のウェーハ片面ウェット・エツチング装置の例を第
２図を参照しながら説明する。第２図は従来のウェット
・エツチング装置の例を示す模式断面図である。図中、
１は被処理物のウエーノ＼、２はエツチング液、１６は
ウェーハ・チャック、２１は処理槽、２２は外槽、２５
は給液手段である。
２図を参照しながら説明する。第２図は従来のウェット
・エツチング装置の例を示す模式断面図である。図中、
１は被処理物のウエーノ＼、２はエツチング液、１６は
ウェーハ・チャック、２１は処理槽、２２は外槽、２５
は給液手段である。
ウェーハ１の上面側には素子が形成されているため、そ
の表面は保護膜（図示は省略）に覆われている。ウェー
ハ・チャック１６は真空源（図示は省略）に連通ずると
共に水平動・上下動・回転の機能を備えた搬送ロボット
（図示は省略）に固着されている。給液手段２５はケミ
カルポンプ、配管等からなり、処理槽２１と外槽２２に
連通してエツチング液を循環させる。処理槽２１は逆円
錐状をなしており、開口面の径は処理するウェーハｌの
径より大きい。エツチング液２は給液手段２５により処
理槽２１にその底部側から供給され、オーバフローして
外槽２２に溜まる。
の表面は保護膜（図示は省略）に覆われている。ウェー
ハ・チャック１６は真空源（図示は省略）に連通ずると
共に水平動・上下動・回転の機能を備えた搬送ロボット
（図示は省略）に固着されている。給液手段２５はケミ
カルポンプ、配管等からなり、処理槽２１と外槽２２に
連通してエツチング液を循環させる。処理槽２１は逆円
錐状をなしており、開口面の径は処理するウェーハｌの
径より大きい。エツチング液２は給液手段２５により処
理槽２１にその底部側から供給され、オーバフローして
外槽２２に溜まる。
この装置によりウェーハ１の下面のみをエンチングする
には、ウェーハ１をウェーハ・チャック１６に真空吸着
し、処理槽２１の上方からその下面がエツチング液２に
接触するまで下降して回転する。
には、ウェーハ１をウェーハ・チャック１６に真空吸着
し、処理槽２１の上方からその下面がエツチング液２に
接触するまで下降して回転する。
〔発明が解決しようとする課題］
ところが、このようなウェット・エツチング装置により
ウェーハの下面をエツチングすると、発生した反応ガス
の気泡がウェーハ中心部に滞留してエツチングを阻害す
るため、ウェーハ下面に凸状のエツチングむらを生じて
後工程のチップ・ボンディング等に支障を来す、という
問題があった。
ウェーハの下面をエツチングすると、発生した反応ガス
の気泡がウェーハ中心部に滞留してエツチングを阻害す
るため、ウェーハ下面に凸状のエツチングむらを生じて
後工程のチップ・ボンディング等に支障を来す、という
問題があった。
本発明は、このような問題を解決して、処理面にエツチ
ングむらを生じないウェット・エツチング装置を提供す
ることを目的とする。
ングむらを生じないウェット・エツチング装置を提供す
ることを目的とする。
この目的は、本発明によれば、［１］ ウェーハｌの
径より大なる径で上方に開口する処理槽１１と、該処理
槽１１内にエツチング液２を供給する給液手段１５と、
回転軸１３ａとその上部の周囲に取り付けられた羽根１
３ｂとを含んで該処理槽１１内の該エツチング液２中で
水平に回転する羽根車１３とを有し、該回転軸１３ａは
その軸心に沿って該エツチング液２の流通を可能とする
中心孔１３ａａを備えていることを特徴とする半導体製
造装置とすることで、［２１前記の［１１において、前
記羽根車１３はその回転軸１３ａの下部の周囲に補助羽
根１３ｃを備えており、前記エツチング液２の液流によ
り該羽根車１３が回転するように前記給液手段１５の給
液口１５ａが該補助羽根１３ｃに対向してその近傍に配
置されているように構成することで、達成される。
径より大なる径で上方に開口する処理槽１１と、該処理
槽１１内にエツチング液２を供給する給液手段１５と、
回転軸１３ａとその上部の周囲に取り付けられた羽根１
３ｂとを含んで該処理槽１１内の該エツチング液２中で
水平に回転する羽根車１３とを有し、該回転軸１３ａは
その軸心に沿って該エツチング液２の流通を可能とする
中心孔１３ａａを備えていることを特徴とする半導体製
造装置とすることで、［２１前記の［１１において、前
記羽根車１３はその回転軸１３ａの下部の周囲に補助羽
根１３ｃを備えており、前記エツチング液２の液流によ
り該羽根車１３が回転するように前記給液手段１５の給
液口１５ａが該補助羽根１３ｃに対向してその近傍に配
置されているように構成することで、達成される。
［作用］
従来の装置では、ウェーハ下面に付着した反応ガスの気
泡は、ウェーハの周辺部と中間部についてはオーバフロ
ーするエツチング液と共に排除されるが、ウェーハ中心
部についてはエツチング液が殆ど動かないため、滞留す
ることになる。
泡は、ウェーハの周辺部と中間部についてはオーバフロ
ーするエツチング液と共に排除されるが、ウェーハ中心
部についてはエツチング液が殆ど動かないため、滞留す
ることになる。
これに対して本発明の装置では、ウエーノ＼近傍のエツ
チング液が羽根の回転により処理槽の周辺部へ向けて強
制的に移動するため、ウェーハの周辺部と中間部の反応
ガスの気泡は速やかに排除されると共に、この液の移動
によってウェーハ中心部直下が負圧となって回転軸の中
心孔からエツチング液が吸引されるため、ウェーハ中心
部でもエツチング液の処理槽周辺部に向かう流れを常に
生じ、反応ガスの気泡は停滞することなく、逐次オーバ
フローするエツチング液と共に排除される。
チング液が羽根の回転により処理槽の周辺部へ向けて強
制的に移動するため、ウェーハの周辺部と中間部の反応
ガスの気泡は速やかに排除されると共に、この液の移動
によってウェーハ中心部直下が負圧となって回転軸の中
心孔からエツチング液が吸引されるため、ウェーハ中心
部でもエツチング液の処理槽周辺部に向かう流れを常に
生じ、反応ガスの気泡は停滞することなく、逐次オーバ
フローするエツチング液と共に排除される。
［実施例〕
本発明に基づくウェット・エツチング装置の一実施例を
第１図を参照しながら説明する。
第１図を参照しながら説明する。
（ｂ）は羽根車（斜視図）である。図中、１は被処理物
のウェーハ、２はエツチング液、１１は処理槽、１２は
外槽、１３は羽根車、１４は軸受板、１５は給液手段、
１６はウェーハ・チャックである。
のウェーハ、２はエツチング液、１１は処理槽、１２は
外槽、１３は羽根車、１４は軸受板、１５は給液手段、
１６はウェーハ・チャックである。
ウェーハ１の上面側には素子が形成されているため、表
面は保護膜（図示は省略）に覆われている。保護膜とし
てはスピンコードしたフォトレジストや粘着フィルム等
が使用される。処理槽１１は上部が逆円錐状をなして開
口面の径は処理するウェーハ１の径より大きく、下部が
円筒状をなしている。羽根車１３は（ｂ）図のように回
転軸１３ａと、その上部の周囲に放射状に固着された複
数個の円弧状の羽根１３ｂと、その下部の周囲に放射状
に固着された複数個の平板状の補助羽根１３ｃからなっ
ており、回転軸１３ａにはその軸心に沿って中心孔１３
ａａが貫通している。軸受板１４は中央部で羽根車１３
を支持し、その周囲には透孔を有している。給液手段１
５はケミカルポンプ、配管等からなり、ポンプの入口側
は外槽１２に連通し、出口側はその先端の給液口１５ａ
が処理槽１１内にあって羽根車１３の補助羽根１３ｃに
その近傍で対峙している。ウェーハ・チャック１６は真
空源（図示は省略）に連通ずると共に水平動・上下動・
回転の機能を備えた搬送ロボント（図示は省略）に固着
されている。
面は保護膜（図示は省略）に覆われている。保護膜とし
てはスピンコードしたフォトレジストや粘着フィルム等
が使用される。処理槽１１は上部が逆円錐状をなして開
口面の径は処理するウェーハ１の径より大きく、下部が
円筒状をなしている。羽根車１３は（ｂ）図のように回
転軸１３ａと、その上部の周囲に放射状に固着された複
数個の円弧状の羽根１３ｂと、その下部の周囲に放射状
に固着された複数個の平板状の補助羽根１３ｃからなっ
ており、回転軸１３ａにはその軸心に沿って中心孔１３
ａａが貫通している。軸受板１４は中央部で羽根車１３
を支持し、その周囲には透孔を有している。給液手段１
５はケミカルポンプ、配管等からなり、ポンプの入口側
は外槽１２に連通し、出口側はその先端の給液口１５ａ
が処理槽１１内にあって羽根車１３の補助羽根１３ｃに
その近傍で対峙している。ウェーハ・チャック１６は真
空源（図示は省略）に連通ずると共に水平動・上下動・
回転の機能を備えた搬送ロボント（図示は省略）に固着
されている。
エツチング液２は給液手段１５により給液口１５ａから
処理槽１１の下部に吐出され、軸受板１４に設けられた
透孔を経て処理槽１１の上部に入り、オーバフローして
外槽１２に溜まる。給液口１５ａから吐出されたエツチ
ング液２が補助羽根１３ｃに当たって羽根車１３が回転
し、その羽根１３ｂがエツチング液２を処理槽１１の周
辺部へ移動させる。羽根車１３の回転に伴って、一部の
エツチング液２が回転軸１３ａの中心孔１３ａａ内を上
昇する。
処理槽１１の下部に吐出され、軸受板１４に設けられた
透孔を経て処理槽１１の上部に入り、オーバフローして
外槽１２に溜まる。給液口１５ａから吐出されたエツチ
ング液２が補助羽根１３ｃに当たって羽根車１３が回転
し、その羽根１３ｂがエツチング液２を処理槽１１の周
辺部へ移動させる。羽根車１３の回転に伴って、一部の
エツチング液２が回転軸１３ａの中心孔１３ａａ内を上
昇する。
この装置によりウェーハ１の下面のみをエツチングする
には、ウェーハ１をウェーハ・チャック１６に真空吸着
し、処理槽２１の上方からその下面がエツチング液２に
接触するまで下降して回転する。
には、ウェーハ１をウェーハ・チャック１６に真空吸着
し、処理槽２１の上方からその下面がエツチング液２に
接触するまで下降して回転する。
本発明者は、本装置を用いて６インチ径のシリコンウェ
ーハの下面を、硝酸と弗酸の混液により、ウェーハの回
転数： １００ｒ、ｐ、ｍ、 、羽根車の回転数：約５
Ｏｒ、ｐ、ｍ、 （但しウェーハとは逆方向）の条件で
エツチングを行った結果、エツチングむら（高さ０．２
μｍ以上の小凸部）は全く認められなかった。
ーハの下面を、硝酸と弗酸の混液により、ウェーハの回
転数： １００ｒ、ｐ、ｍ、 、羽根車の回転数：約５
Ｏｒ、ｐ、ｍ、 （但しウェーハとは逆方向）の条件で
エツチングを行った結果、エツチングむら（高さ０．２
μｍ以上の小凸部）は全く認められなかった。
本発明は以上の実施例に限定されることなく、更に種々
変形して実施出来る。
変形して実施出来る。
（発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、ウェーハの片面
をエツチングする際の処理面にエツチングむらを生じな
いウェット・エツチング装置を提供することが出来、半
導体装置等製造の合理化に寄与するところ大である。
をエツチングする際の処理面にエツチングむらを生じな
いウェット・エツチング装置を提供することが出来、半
導体装置等製造の合理化に寄与するところ大である。
第１図は本発明の実施例のウエソト
グ装置の模式図、
第２図は従来のウェット
を示す模式断面図、である。
図中、１はウェーハ、
２はエツチング液、
ＩＬ ２１は処理槽、
１３は羽根車、
・エツチング装置の例
・エンチン
１３ａは回転軸、
１３ａａは中心孔、
１３ｂは羽根、
１３ｃは補助羽根、
１５、２５は給液手段、
１５ａは給液口、である。
（０）要害Ｉ３構ガ父しク （）斤屑汀囚）（シ）羽オ
艮車（太」ネ見図） 第４１明の大力色イ列のウェット玉ゾチンク′装置の！
斡六図下
艮車（太」ネ見図） 第４１明の大力色イ列のウェット玉ゾチンク′装置の！
斡六図下
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ［１］ウェーハ（１）の下面にエッチング液（２）を接
触せしめて該ウェーハ（１）の下面をエッチングする半
導体製造装置であって、 該ウェーハ（１）の径より大なる径で上方に開口する処
理槽（１１）と、 該処理槽（１１）内に該エッチング液（２）を供給する
給液手段（１５）と、 回転軸（１３ａ）とその上部の周囲に取り付けられた羽
根（１３ｂ）とを含んで該処理槽（１１）内の該エッチ
ング液（２）中で水平に回転する羽根車（１３）とを有
し、 該回転軸（１３ａ）はその軸心に沿って該エッチング液
（２）の流通を可能とする中心孔（１３ａａ）を備えて
いることを特徴とする半導体製造装置。 ［２］前記羽根車（１３）はその回転軸（１３ａ）の下
部の周囲に補助羽根（１３ｃ）を備えており、前記エッ
チング液（２）の液流により該羽根車（１３）が回転す
るように前記給液手段（１５）の給液口（１５ａ）が該
補助羽根（１３ｃ）に対向してその近傍に配置されてい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24461690A JPH04124826A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24461690A JPH04124826A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04124826A true JPH04124826A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17121390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24461690A Pending JPH04124826A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04124826A (ja) |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP24461690A patent/JPH04124826A/ja active Pending
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