JPH0412499A - シンクロトロンのキッカー電磁石 - Google Patents
シンクロトロンのキッカー電磁石Info
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- JPH0412499A JPH0412499A JP11365990A JP11365990A JPH0412499A JP H0412499 A JPH0412499 A JP H0412499A JP 11365990 A JP11365990 A JP 11365990A JP 11365990 A JP11365990 A JP 11365990A JP H0412499 A JPH0412499 A JP H0412499A
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- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
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- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
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- Particle Accelerators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シンクロトロンにおいて、インフレクタか
ら入射される粒子ビームを蓄積リングの設計軌道に引き
込むためのキツカー電磁石(パークベータ)に関し、既
に周回している粒子ビームに影響を与えることなく入射
粒子ビームを設計軌道に引き込むことができるようにし
たものである。
ら入射される粒子ビームを蓄積リングの設計軌道に引き
込むためのキツカー電磁石(パークベータ)に関し、既
に周回している粒子ビームに影響を与えることなく入射
粒子ビームを設計軌道に引き込むことができるようにし
たものである。
近年、小型シンクロトロンは、シンクロトロン放射光(
SOR)装置として、超々LSI回路の作成、医療分野
における診断、分子解析、構造解析等様々な分野への適
用が期待されている。
SOR)装置として、超々LSI回路の作成、医療分野
における診断、分子解析、構造解析等様々な分野への適
用が期待されている。
小型SOR装置の概要を第2図に示す。荷電粒子発生装
置(電子銃等)10で発生した電子ビームは線型加速装
置(ライナック)]2で光速近くに加速され、ビーム輸
送部14の偏向電磁石16で偏向されて、インフレクタ
18を介してシンクロトロン20の蓄積リング22内に
入射される。
置(電子銃等)10で発生した電子ビームは線型加速装
置(ライナック)]2で光速近くに加速され、ビーム輸
送部14の偏向電磁石16で偏向されて、インフレクタ
18を介してシンクロトロン20の蓄積リング22内に
入射される。
蓄積リング22に入射された電子ビームは高周波加速空
洞21でエネルギをりえられながら収束電磁石23で収
束され、偏向電磁石24て偏向されて真空ダクト22内
を周回し続ける。偏向電磁石24で偏向される時に発生
するシンクロトロン放射光はビームチャンネル26を通
して例えば露光装置28に送られて超々LSI回路作成
用の光源等として利用される。
洞21でエネルギをりえられながら収束電磁石23で収
束され、偏向電磁石24て偏向されて真空ダクト22内
を周回し続ける。偏向電磁石24で偏向される時に発生
するシンクロトロン放射光はビームチャンネル26を通
して例えば露光装置28に送られて超々LSI回路作成
用の光源等として利用される。
インフレクタ18は、周回している電子ビームの設M1
軌道(中心軌道)から水平方向にやや偏位した位置にビ
ームを入射する。そこで、この入射ビームを設計軌道に
引き込むためにパータベータ(キツカー電磁石)25が
設けられ、電子ビームの入射に同期してパータベータ2
5を励磁して、入射ビームを設計軌道方向へ引き込む力
を作用させる。
軌道(中心軌道)から水平方向にやや偏位した位置にビ
ームを入射する。そこで、この入射ビームを設計軌道に
引き込むためにパータベータ(キツカー電磁石)25が
設けられ、電子ビームの入射に同期してパータベータ2
5を励磁して、入射ビームを設計軌道方向へ引き込む力
を作用させる。
小型SOR装置は、線型加速装置12の入射エネルギが
低く、入射ビームが消滅しやすいため、例えば次のよう
な運転方法で立ち上げて、大電流蓄積を実現している。
低く、入射ビームが消滅しやすいため、例えば次のよう
な運転方法で立ち上げて、大電流蓄積を実現している。
すなわち、第3図に示すように、線型加速装置12によ
り45 M e Vまて加速された電子ビームは、所定
周期tでインフレクタ18を介して蓄積リング22に入
射される(入射タイミングを矢印で示す)。電子ビーム
が入射されるごとに電子ビームのエネルギを300M
e Vまで上げたのち、所定時間保持し、再度45 M
e Vまで下げて所定量の電子ビームを蓄積しく入射
運転A)、次に、電子ビームのエネルギを定常状態であ
る800MeVまて高めて、所定の波長(4〜100人
)及び光強度のSOR光を11するようしく加速運転B
)、その後、電子ビームのエネルギを800 M e
Vに維持して、所定のSOR光を必要に応じて取り出す
(定常運転C)ようにしている。
り45 M e Vまて加速された電子ビームは、所定
周期tでインフレクタ18を介して蓄積リング22に入
射される(入射タイミングを矢印で示す)。電子ビーム
が入射されるごとに電子ビームのエネルギを300M
e Vまで上げたのち、所定時間保持し、再度45 M
e Vまで下げて所定量の電子ビームを蓄積しく入射
運転A)、次に、電子ビームのエネルギを定常状態であ
る800MeVまて高めて、所定の波長(4〜100人
)及び光強度のSOR光を11するようしく加速運転B
)、その後、電子ビームのエネルギを800 M e
Vに維持して、所定のSOR光を必要に応じて取り出す
(定常運転C)ようにしている。
このような運転方法によれば、線型加速装置12から蓄
積リング22に入射された電子ビームのエネルギ45
M e Vを、次に電子ビームが入射されるまでに一度
300 M e Vまで高めるため、放射減衰効果によ
り、入射時に空間的に広がったビームサイズが収縮され
ることになり、その後電子ビームエネルギを45MeV
に下げてもビームは広がらず、真空中の残量気体と衝突
して消滅する電子数を低減できる。したがって、入射さ
れた電子ビームの寿命を伸ばすことができ、大電流蓄積
が実現される。
積リング22に入射された電子ビームのエネルギ45
M e Vを、次に電子ビームが入射されるまでに一度
300 M e Vまで高めるため、放射減衰効果によ
り、入射時に空間的に広がったビームサイズが収縮され
ることになり、その後電子ビームエネルギを45MeV
に下げてもビームは広がらず、真空中の残量気体と衝突
して消滅する電子数を低減できる。したがって、入射さ
れた電子ビームの寿命を伸ばすことができ、大電流蓄積
が実現される。
上記の立ち上げ方法において、パータベータ25は第3
図中下部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タ
イミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさ
せて、入射ビームを蓄積リング22の設計軌道(中心軌
道)に引き込む力を生じさせるように作用する。
図中下部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タ
イミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさ
せて、入射ビームを蓄積リング22の設計軌道(中心軌
道)に引き込む力を生じさせるように作用する。
従来におけるパータベータ25の構成の概念図を第4図
に示す。このバータベータ25は、2極電磁石で構成さ
れ、蓄積リング22の垂直方向に磁極30.32を配置
し、垂直方向に磁束34を生じさせて、入射された電子
ビーム36(?:)号38は既に周回している電子ビー
ム)に対し、設計軌道Oの方向への力を作用させる。
に示す。このバータベータ25は、2極電磁石で構成さ
れ、蓄積リング22の垂直方向に磁極30.32を配置
し、垂直方向に磁束34を生じさせて、入射された電子
ビーム36(?:)号38は既に周回している電子ビー
ム)に対し、設計軌道Oの方向への力を作用させる。
前記第4図の構造では、蓄積リング22内の水平方向(
X軸方向)の磁場の強さは、第5図に示すように、均=
となる。このため、第5図に示すように、既に周回して
いる電子ビーム38までその磁場の影響を受けて、設計
軌道Oから外れる不都合があった。
X軸方向)の磁場の強さは、第5図に示すように、均=
となる。このため、第5図に示すように、既に周回して
いる電子ビーム38までその磁場の影響を受けて、設計
軌道Oから外れる不都合があった。
この発明は、従来技術におけるこのような問題点を解決
して、既に周回している粒子ビームに影響を与えること
なく、入射ビームを設計軌道に引き込むことができるよ
うにしたキツカー電磁石を提供しようとするものである
。
して、既に周回している粒子ビームに影響を与えること
なく、入射ビームを設計軌道に引き込むことができるよ
うにしたキツカー電磁石を提供しようとするものである
。
この発明は、シンクロトロンの蓄積リングの回りに、4
N(Nは自然数)個の磁極を交互に極性を変えて、かつ
当該蓄積リングの設旧軌道位置を原点として垂直方向お
よび水平方向が磁極の略々中間位置となるように環状に
配置してなり、前記設旧軌道位置を原点として、当該蓄
積リング内の粒子ビームに対し、原点方向に引き込む水
平方向の力を!jえる奇関数磁場を発生させることを特
徴とするものである。
N(Nは自然数)個の磁極を交互に極性を変えて、かつ
当該蓄積リングの設旧軌道位置を原点として垂直方向お
よび水平方向が磁極の略々中間位置となるように環状に
配置してなり、前記設旧軌道位置を原点として、当該蓄
積リング内の粒子ビームに対し、原点方向に引き込む水
平方向の力を!jえる奇関数磁場を発生させることを特
徴とするものである。
この発明によれば、前記磁極配列により、設計軌道方向
を原点として、蓄積リング内の粒子ビームに対し、原点
方向に引き込む水平方向の力を与える奇関数磁場が発生
される。したがって、設計軌道から外れている入射ビー
ムに対しては、原点方向に引き込む水平方向の力が与え
られ、設計軌道上で既に周回しているビームに対しては
、磁場は作用しないので、そのまま設計軌道上を周回す
ることができる。
を原点として、蓄積リング内の粒子ビームに対し、原点
方向に引き込む水平方向の力を与える奇関数磁場が発生
される。したがって、設計軌道から外れている入射ビー
ムに対しては、原点方向に引き込む水平方向の力が与え
られ、設計軌道上で既に周回しているビームに対しては
、磁場は作用しないので、そのまま設計軌道上を周回す
ることができる。
以下、この発明の詳細な説明する。
(実施例1)
この発明の一実施例を第1図に示す、これは、4極電磁
石(N−1)で構成したものである。蓄積リング22内
には、その設計軌道O上に電子ビーム38が周回してい
る。また、新たな電子ビム36は設計軌道′0から水平
方向にやや外れた位置に入射される。
石(N−1)で構成したものである。蓄積リング22内
には、その設計軌道O上に電子ビーム38が周回してい
る。また、新たな電子ビム36は設計軌道′0から水平
方向にやや外れた位置に入射される。
パークベータ(キツカー電磁石)40は、蓄積リング2
2の回りに、4個の磁極42〜45を交互に極性を変え
て、かつ蓄積リング22の設計軌道位置0を原点として
垂直方向Yおよび水平方向Xが磁極42〜45の略々中
間位置となるように環状に配置されている。
2の回りに、4個の磁極42〜45を交互に極性を変え
て、かつ蓄積リング22の設計軌道位置0を原点として
垂直方向Yおよび水平方向Xが磁極42〜45の略々中
間位置となるように環状に配置されている。
パークベータ40は、従来のものと同様に、前記第3図
中下部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タイ
ミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさせ
る。この時の磁場パターンは、第6図に実線で示すよう
に設計軌道位置0を原点として、当該蓄積リング22内
の電子ビームに対し、原点方向に引き込む水平方向の力
を!jえる奇関数磁場(1次磁場)を発生させる。
中下部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タイ
ミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさせ
る。この時の磁場パターンは、第6図に実線で示すよう
に設計軌道位置0を原点として、当該蓄積リング22内
の電子ビームに対し、原点方向に引き込む水平方向の力
を!jえる奇関数磁場(1次磁場)を発生させる。
したがって、入射された電子ビーム36に対しては、磁
場が作用して設計軌道位置Oに引き込まれる。また、既
に周回している電子ビーム38に対しては、磁場は作用
せず、そのまま周回する。
場が作用して設計軌道位置Oに引き込まれる。また、既
に周回している電子ビーム38に対しては、磁場は作用
せず、そのまま周回する。
(実施例2)
この発明の他の実施例を第7図に示す、これは、8極電
磁石(N−2)で構成したものである。蓄積リング22
内には、その設計軌道O上に?Iiイビーム38が周回
している。また、新たな電子ビム36は設計軌道Oから
水平方向にやや外れた位置に入射される。
磁石(N−2)で構成したものである。蓄積リング22
内には、その設計軌道O上に?Iiイビーム38が周回
している。また、新たな電子ビム36は設計軌道Oから
水平方向にやや外れた位置に入射される。
パークベータ(キツカー電磁石)50は、蓄積リング2
2の回りに、8個の磁極51〜58を交互に極性を変え
て、かつ蓄積リング22の設計軌道位置Oを原点として
垂直方向Yおよび水平方向Xか磁極51〜58の略々中
間位置となるように環状に配置されている。
2の回りに、8個の磁極51〜58を交互に極性を変え
て、かつ蓄積リング22の設計軌道位置Oを原点として
垂直方向Yおよび水平方向Xか磁極51〜58の略々中
間位置となるように環状に配置されている。
パークベータ50は、従来のものと同様に、前記第3図
中下部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タイ
ミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさせ
る。この時の磁場パターンは、第6図に点線で示すよう
に設計軌道位置Oを原点として、当該蓄積リング22内
の電子ビームに対し、原点方向に引き込む水平方向の力
を!jえる奇関数磁場(3次磁場)を発生させる。
中下部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タイ
ミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさせ
る。この時の磁場パターンは、第6図に点線で示すよう
に設計軌道位置Oを原点として、当該蓄積リング22内
の電子ビームに対し、原点方向に引き込む水平方向の力
を!jえる奇関数磁場(3次磁場)を発生させる。
したかって、入射された電子ビーム36に対しては、磁
場が作用して設;1軌道位置0に引き込まれる。また、
既に周回している電子ビーム38に対しては、磁場は作
用せず、そのまま周回する。
場が作用して設;1軌道位置0に引き込まれる。また、
既に周回している電子ビーム38に対しては、磁場は作
用せず、そのまま周回する。
特に、設計軌道位置O付近は磁場の勾配が小さいので、
周回している電子ビーム38が多少膜ii1軌道位置0
からすれても、はとんど影響を与えないてすむ。また、
設計軌道位置0がら離れると磁場の勾配が大きくなるの
で、入射された電子ビーム36を設計軌道位置に強く引
き込むことができる。
周回している電子ビーム38が多少膜ii1軌道位置0
からすれても、はとんど影響を与えないてすむ。また、
設計軌道位置0がら離れると磁場の勾配が大きくなるの
で、入射された電子ビーム36を設計軌道位置に強く引
き込むことができる。
(実施例3)
この発明の他の実施例を第8図に示す、これは、12極
電磁石(N−3)で構成したものである。
電磁石(N−3)で構成したものである。
蓄積リング22内には、その設51軌道0土に電子ビー
ム38が周回している。また、新たな電子ビム36は設
z1軌道0から水下方向にやや外れた位置に入射される
。
ム38が周回している。また、新たな電子ビム36は設
z1軌道0から水下方向にやや外れた位置に入射される
。
パークベータ(キツカー電磁石)60は、蓄積リング2
2の回りに、12個の磁極61〜72を交互に極性を変
えて、がっ蓄積リング22の設計軌道位置0を原点とし
て垂直方向Yおよび水下り向Xが磁極61〜72の略々
中間位置となるように環状に配置されている。
2の回りに、12個の磁極61〜72を交互に極性を変
えて、がっ蓄積リング22の設計軌道位置0を原点とし
て垂直方向Yおよび水下り向Xが磁極61〜72の略々
中間位置となるように環状に配置されている。
パークベータ60は、従来のものと同様に、前記第3図
中)°部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タ
イミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさ
せる。この時の磁場パターンも設計軌道位置Oを原点と
して、当該蓄積リング22内の電子ビームに対し、原点
方向に引き込む水平方向の力を与える奇関数磁場(5次
磁場)を発生させる。
中)°部に時間軸を拡大して示すように、ビーム入射タ
イミングに合わせてトリガされて、短時間磁場を生しさ
せる。この時の磁場パターンも設計軌道位置Oを原点と
して、当該蓄積リング22内の電子ビームに対し、原点
方向に引き込む水平方向の力を与える奇関数磁場(5次
磁場)を発生させる。
したかって、入射された電子ビーム36に対しては、磁
場が作用して設計軌道位置Oに引き込まれる。また、既
に周回している電子ビーム38に対しては、磁場は作用
せず、そのまま周回する。
場が作用して設計軌道位置Oに引き込まれる。また、既
に周回している電子ビーム38に対しては、磁場は作用
せず、そのまま周回する。
以上説明したように、この発明によれば、シンクロトロ
ンの蓄積リングの回りに、4N(Nは自然数)個の磁極
を交互に極性を変えて、かつ当該蓄積リングの設計軌道
位置を原点として垂直方向および水平方向が磁極の略々
中間位置となるように環状に配置するようにしたので、
前記設計軌道位置を原点として、当該蓄積リング内の粒
子ビームに対し、原点方向に引き込む水平方向の力を−
りえる奇関数磁場を発生させることができる。
ンの蓄積リングの回りに、4N(Nは自然数)個の磁極
を交互に極性を変えて、かつ当該蓄積リングの設計軌道
位置を原点として垂直方向および水平方向が磁極の略々
中間位置となるように環状に配置するようにしたので、
前記設計軌道位置を原点として、当該蓄積リング内の粒
子ビームに対し、原点方向に引き込む水平方向の力を−
りえる奇関数磁場を発生させることができる。
したかって、設31軌道から外れている入射ビームに対
しては、原点方向に引き込む水平方向の力か与えられ、
設計軌道上で既に周回しているビームに対しては、磁場
は作用しないので、そのまま設言1軌道上を周回するこ
とができる。
しては、原点方向に引き込む水平方向の力か与えられ、
設計軌道上で既に周回しているビームに対しては、磁場
は作用しないので、そのまま設言1軌道上を周回するこ
とができる。
第1図は、この発明の一実施例を示す正面図である。
第2図は、小型SOR装置の概要を示す甲面図である。
第3図は、シンクロトロンの立ち上げ時の運転方法を示
す線図である。 第4図は、従来装置を示す正面図である。 第5図は、第4図の装置における磁場パターンを示す線
図である。 第6図は、第1図および第7図の装置の各磁場パターン
を示す線図である。 第7図、第8図は、それぞれこの発明の他の実施例を示
す正面図である。 20・・・シンクロトロン、22・・・蓄積リング、3
6.38・・粒子ビーム(36・・・入射された電子ビ
ーム、38・・・周回している電子ビーム)、40゜5
0.60・・パークベータ(キツカー電磁石)、42〜
45.51〜58.61〜72・・・磁極、0・・設;
1軌道。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 第6図 回 一市し4時ベキタ や燻翼コヘに\口七二〇
す線図である。 第4図は、従来装置を示す正面図である。 第5図は、第4図の装置における磁場パターンを示す線
図である。 第6図は、第1図および第7図の装置の各磁場パターン
を示す線図である。 第7図、第8図は、それぞれこの発明の他の実施例を示
す正面図である。 20・・・シンクロトロン、22・・・蓄積リング、3
6.38・・粒子ビーム(36・・・入射された電子ビ
ーム、38・・・周回している電子ビーム)、40゜5
0.60・・パークベータ(キツカー電磁石)、42〜
45.51〜58.61〜72・・・磁極、0・・設;
1軌道。 出願人 石川島播磨重工業株式会社 第6図 回 一市し4時ベキタ や燻翼コヘに\口七二〇
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 シンクロトロンの蓄積リングの回りに、4N(Nは自然
数)個の磁極を交互に極性を変えて、かつ当該蓄積リン
グの設計軌道位置を原点として垂直方向および水平方向
が磁極の略々中間位置となるように環状に配置してなり
、 前記設計軌道位置を原点として、当該蓄積リング内の粒
子ビームに対し、原点方向に引き込む水平方向の力を与
える奇関数磁場を発生させることを特徴とするシンクロ
トロンのキッカー電磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11365990A JPH0412499A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | シンクロトロンのキッカー電磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11365990A JPH0412499A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | シンクロトロンのキッカー電磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412499A true JPH0412499A (ja) | 1992-01-17 |
Family
ID=14617889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11365990A Pending JPH0412499A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | シンクロトロンのキッカー電磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412499A (ja) |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11365990A patent/JPH0412499A/ja active Pending
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