JPH0412508A - 軟磁性合金膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、磁気ヘッド等に適した軟磁性合金膜に関す
る。

「従来の技術」 磁気記録の分野においては、記録密度を高めるために磁
気テープ等の記録媒体の高保磁力化か推進されているが
、それに対応する磁気ヘッド用の軟磁性薄膜材料として
飽和磁束密度（Ｂ　ｓ）の高いものが要求されている。

従来の軟磁性材料（膜）としては、Ｎ１−Ｆｅ（パーマ
ロイ）及びＣｏ基の非晶質膜等がある。

また最近、Ｆｅを主成分とする微細結晶よりなる合金膜
（Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｃ等）において、Ｆｅの結晶磁気異
方性の軟磁性に対する悪影響を結晶を微細化することに
より軽減して、高飽和磁束密度でかつ軟磁気特性の優れ
た膜を得た例がある。

「発明が解決しようとする課題」 ところで、磁気ヘッドを組み込んだ装置は小型化、軽量
化する傾向があり、移動に伴う振動にさらされたり、悪
環境のもとて使用されたりすることが多くなっている。

そこで、磁気ヘッドには、磁気特性がｆ！！秀であって
磁気テープに対する耐摩耗性が優れていることはもちろ
ん、湿度や腐食性の雰囲気中での耐用性、すなわち耐環
境性や、耐振動性等が高いことが要求されている。その
ため、ギヤツブ形成やケースへの組み込み等をガラス溶
着て行うことが必要となり、磁気ヘットの素材はヘット
の製造工程におけるガラス溶着工程の高温に耐えうる熱
安定性も合わせて要求されてきている。

しかしながら、前記従来の軟磁性合金膜において、Ｎ　
ｉ　−Ｆ　ｅ膜からなるものは、ガラス溶着工程での高
温では、軟磁気特性が劣化してしまうとともに、電気抵
抗が低いという欠点がある。

また、Ｃｏ基の非晶質膜では、１３０００Ｇ以上の高い
飽和磁束密度のものも得られているが、従来のアモルフ
ァス合金の飽和磁束密度を高くしようとすると、アモル
ファス形成元素であるＴｉ。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ等の添加量を少なく
する必要があるが、添加量を少なくすると、アモルファ
ス構造の安定性が低下し、ガラス溶着に必要な温度（約
５００℃以上）には耐ええない問題がある。

飽和磁束密度を約９０００Ｇ以下に抑えれば、低融点ガ
ラスによる溶着は可能であるが、６００℃以上での溶着
は困難であり、耐環境性に優れた中〜高融点ガラスを使
用できない。

さらに、上述したＦｅを主成分とする微細結晶からなる
合金膜（Ｆｅ−Ｎ、Ｆｅ−Ｃ等）は、高温では結晶成長
を起こして軟磁性が劣化する（Ｆｅ−Ｃの場合で４００
℃が最高）ため、やはりガラス溶着に適したものとはい
いがたい。

このような背景から本願発明者らは、特願平１２７８２
２０号などにおいて、前記の問題を解決した軟磁性合金
膜を特許出願している。また、平成２年３月１４日付で
行った特許出願において前記の問題を解決した軟磁性合
金膜の特許出願をしている。

特願平１−２７８２２０号明細書において特許出願して
いる軟磁性合金膜の１つは、組成式が、ＦｅａＭｃＣｄ
で示され、組成比ａは原子％て５０〜９６、Ｃは２〜３
０、ｄは０．５〜２５、ａ＋ｃ＋ｄ＝　１００なる関係
を満足するものであった。

また、他の１つは、組成式かＦｅａＴｂＭｃＣｄで示さ
れ、組成比ａは原子％で５θ〜９６、ｂは０．１−１ｏ
、Ｃは２〜３０、ｄは０．５〜２５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝
　１００なる関係を満足するものであった。

さらに、平成２年３月１４日付けで特許出願している軟
磁性合金膜の１つは、組成式か、ＦｅａＣｒｃＭｄＣｅ
で示され、組成比ａは原子％で５０〜９５、Ｃは０．５
〜２０、ｄは２〜２５、ｅは０．５〜２５、ａ＋ｃ＋ｄ
十ｅ＝　１００なる関係を満足するものであった。

さらにまた、他の１つは、組成式が、ＦｅａＴｂＣｒｃ
ＭｄＣｅで示され、組成比ａは原子％で５θ〜９５、ｂ
は０．１〜１０、Ｃは０．５〜２０、ｄは２〜２５、ｅ
は０．５〜２５、ａ＋ｂ＋Ｃ＋ｄ十ｅ＝１００なる関係
を満足するものであった。

これらの特許出願で提供した軟磁性合金膜は、一部組酸
のものは１５０００Ｇ以上の高い飽和磁束密度を有し、
従来の各種材料に比較すると高い熱安定性を備え、通常
の使用環境下では十分な耐食性と耐環境性を有している
か、可能な熱処理温度は７００℃程度が上限であり、こ
れ以上の温度では軟磁性か劣化してくる。通常の磁気ヘ
ッドであれば７００℃以下でガラス溶着は可能であるが
、複雑な構造のヘット、例えば、消去ヘッドと録再ヘッ
ドが一体化した構造のヘッドでは、消去ヘットと録再ヘ
ッド各々のギャップ形成をガラス溶着で行い、引き続き
両者のヘッドの合体（組み合わせ）をギャップ接合ガラ
スが溶融しない温度でガラス溶着する必要があり、ギャ
ップ接合ガラスに高融点のものを使用する必要がある。

このため、最初のギャップ形成を７００℃以上の高温で
行うことが望ましい。従って、さらに耐熱性の高い軟磁
性薄膜が要求されている。

また、前記特願平１−２７８２２０号において出願され
ている軟磁性合金膜においては、電気抵抗が従来の非晶
質膜の半分程度と低く、これにより、高周波での透磁率
が渦電流損失により、低下させられるという問題があっ
た。さらにまた、Ｆｅを主成分とするために、悪環境下
で使用された場合に変色あるいは発錆を招くおそれかあ
った。

本発明は前記課題を解決するためになされたもので、透
磁率が高く、その特性か熱的に安定であるとともに、良
好な耐食性を有する軟磁性合金膜を提供することをこと
を目的とするものである。

「課題を解決するための手段」 請求項１に記載した本発明は前記課題を解決するために
、組成式かＦｅａＸｃＭｅＣｆで示され、ＸはＡ　ｌ、
Ｓ　ｉのうち、少なくとも一種からなる元素またはその
混合物であり、ＭはＴｉ、ＺｒＨｆ、Ｖ　、Ｎｂ、Ｔ　
ａ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくとも一種からなる金属元素ま
たはその混合物であり、組成比ａ、ｃ、ｅ、ｆは原子％
で、５０≦ａ≦９５．０．２≦ｃ≦２５．２≦ｅ≦２５
．０．５≦ｆ≦２５、ａ＋Ｃ＋ｅ＋ｆ＝１００なる関係
を満足させるとともに、その組織が基本的に平均結晶粒
径が０．０８μ友以下の微細な結晶粒からなり、その一
部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むものである。

請求項２に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式がＰｅａ　Ｘ　ｃ　ＣｒｄＭ　ｅ　Ｃｆで示され
、ＸはＡｌ，Ｓｉのうち、少なくとも一種からなる元素
またはその混合物であり、Ｍは　Ｔｉ。

Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ　、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうち少なく
ともで種からなる金属元素またはその混合物であり、組
成比ａ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆは原子％で、５０≦ａ≦９５．
０２≦ｃ≦２５．０．１≦ｄ≦２０１２≦ｅ≦２５．０
５≦ｆ≦２５、Ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋、ｆ＝　ｌ　００なる
関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平均結
晶粒径が０．０８μｍ以下の微細な結晶粒がらなり、そ
の一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むものである。

請求項３に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式がＦｅａＴ　ｂＸ　ｃＭ　ｅＣｆで示され、Ｔは
Ｃｏ、Ｎｉのうち、少なくとも一種からなる金属元素ま
たはその混合物であり、ＸはＡｌ、Ｓｉのうち、少なく
とも一種からなる元素またはその混合物であり、ＭはＴ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｍｏ、Ｗのうち少なくとも一種からなる金属元素
またはその混合物であり、組成比ａ、ｂ　ｃ、ｅ、ｆは
原子％で、５０≦ａ≦９５．０．１≦ｂ≦１Ｏ１０２≦
ｃ≦２５、２　≦ｅ≦　２５、０．５≦ｆ≦２５、ａ＋
１）−ｉ−ｃ＋ｅ＋ｆ＝　１００なる関係を満足させる
とともに、その組織が基本的に平均結晶粒径が００８μ
次以下の微細な結晶粒からなり、その一部に元素Ｍの炭
化物の結晶相を含むものである。

請求項４に記載した発明は前記課題を解決するために、
組成式がｐｅａＴ　ｂＸ　ｃ　ＣｒｄＭ　ｅＣｆで示さ
れ、ＴはＣｏ、Ｎｉのうち、少なくとも一種からなる金
属元素またはその混合物であり、ＸはＡｌ、Ｓｉのうち
、少なくとも一種からなる元素またはその混合物であり
、ＭはＴｉ、Ｚｒ、　ＨｆＶ　、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ
のうち少なくとも一種からなる金属元素またはその混合
物であり、組成比ａ、ｂ。

ｃ、ｄ、ｅ、ｆは原子％で、５０≦ａ≦９５、ｏ、ｉ≦
ｂ≦ｌ０１０．２≦ｃ≦２５、Ｏｌ≦ｄ≦２０．２≦ｅ
≦２５．０．５≦ｆ≦２５、ａ＋ｂ＋　ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ
＝１００なる関係を満足させるとともに、その組織が基
本的に平均結晶粒径が００８μｍ以下の微細な結晶粒か
らなり、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むもの
である。

請求項５に記載した発明は前記課題を解決するために、
請求項蓋ないし４に記載の組織が平均結晶粒径０．０８
μｍ以下の微細な結晶粒と非晶質との混在した組織であ
って、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含
むものである。

以下に本発明を更に詳細に説明する。

前記合金膜の生成方法としては、合金膜をスパッタ、蒸
着等の薄膜形成装置により作製する。スパッタ装置とし
ては、ＲＦ２極スパッタ、ＤＣスパッタ、マグネトロン
スパッタ、３極スパツタ、イオンビームスパッタ、対向
ターゲット式スパッタ、等の既存のものを使用すること
ができる。

また、Ｃを膜中に添加する方法としては、ターゲツト板
上にグラファイトのベレットを配置して複合ターゲット
とし、これをスパッタする方法、あるいは、Ｃを含まな
いターゲット（Ｆｅ−Ｘ−Ｍ系、Ｆｅ−Ｘ−Ｃｒ−Ｍ系
、Ｆｅ−Ｔ−Ｘ−Ｍ系あるいはＦｅ　−Ｔ　−Ｘ　−Ｃ
ｒ−Ｍ系）を用い、Ａｒ等の不活性ガス中にメタン（Ｃ
Ｈ，）等の炭化水素ガスを混合したガス雰囲気中でスパ
ッタする反応性スパッタ法等を用いることができ、特に
反応性スパッタ法では膜中のＣａ度の制御か容易である
のて所望のＣ濃度の優れた膜を得ることかできる。

このようにして作製したままの膜は非晶質相をかなりの
割合て含んたものであり、飽和磁束密度が低く、軟磁気
特性も不十分であるので、４００℃以上の熱処理を施す
ことにより微結晶を析出させる。この熱処理は無磁場中
で行っても良好な軟磁気特性が得られるが、静磁場中あ
るいは回転磁場中で行うことにより、優れた磁気特性か
得られる。また、この熱処理は磁気ヘットの製造工程に
おけるガラス溶着工程と兼ねて行うことができる。

なお、前記微結晶の析出工程は、完全に行なわれる必要
はなく、微結晶か相当数（好ましくは５０％以上）析出
していれば良いので、アモルファス成分が一部残留して
いても差し支えなく、残留したアモルファス成分が特性
向上の障害となることはない。

以下、前記のように成分を限定した理由について述へる
。

Ｆｅは主成分であり、磁性を担う元素である。

少なくともフェライト（Ｂｓ　　５０００Ｇ）以上の飽
和磁束密度を得るためには、ａ≧５０ａｔ％が必要であ
る。また、良好な軟磁気特性を得るためには、ａ≦９５
ａｔ％でなければならない。

元素Ｔ（即ちＣｏ、Ｎｉ）は、磁歪の調整の目的で添加
する元素である。元素Ｔの添加がない膜では、熱処理温
度が低い場合、もしくは、Ｓｉの添加量が少ない場合に
は磁歪が正の値となり、逆に熱処理温度が高い場合、も
しくは、Ｓｉの添加量が多い場合には磁歪が負の値とな
る。磁歪が零になる熱処理温度は元素ＭやＣの濃度にも
依存する。しかし、Ｓｉの添加量を多くして、熱処理温
度を高くする必要（ガラス溶着温度）がある場合には、
磁歪が負になるので、磁歪を正にする効果のある元素Ｔ
（即ちｃｏ、Ｎｉ）を添加することにより、磁歪を零に
調節することができる。なお、熱処理温度やＳｉの添加
量が適当な場合には、元素Ｔの添加は特に必要ではない
。ただし、元素Ｔの添加量は正の磁歪が＋１Ｏ−５台以
上まで大きくならないようにｂ≦ｌ０ａｔ％としなくて
はならない。

元素Ｍ（即ちＴ　ｉ、　Ｚ　ｒ、Ｈｆ、Ｖ　、Ｎ　ｂ、
Ｔ　ａ、Ｗ）は軟磁気特性を良好にするために必要であ
り、また、Ｃと結合して炭化物の微細結晶を形成する。

この炭化物の微粒子がＦｅを主成分とする結晶の成長を
妨げるはたらきをして、高い耐熱性が得られる。

良好な軟磁気特性を維持するためには、ｅ≧２ａｔ％と
する必要がある。しかしながら、多すぎると飽和磁束密
度が低下し、また軟磁気特性の低下を招くので、ｅ≦２
５ａｔ％とする必要がある。

Ｃは軟磁気特性を良好にするために、及び、耐熱性を向
上させるために必要であり、また、Ｃは元素Ｍと結合し
て炭化物の微細結晶を形成する。

良好な軟磁気特性、及び、熱安定性を維持するためには
、ｆ≧０．５ａｔ％とする必要がある。しかしながら、
多すぎると飽和磁束密度の低下、及び、軟磁気特性の低
下を招くので、ｆ≦２５ａｔ％とする必要がある。

以上説明のＦｅと元素Ｔと元素ＭとＣの成分限定理由は
特願平１−２７８２２０号の場合とほぼ同様である。

元素Ｘ（即ちＡｌ，Ｓｉ）はＦｅを主成分とする微細結
晶かもつ結晶磁気異方性エネルギーを低下させて、結晶
の大きさがある程度成長しても軟磁気特性を保つはたら
きをするため、耐熱性を向上させることかできる。

さらに、電気抵抗を高くして、渦電流損失による高周波
透磁率の低下を改善するはたらきもある。

上記の効果を発揮するためには、少なくともＣ２０，２
ａｔ％とする必要がある。しかしながら、元素Ｘの含有
量を多くしすぎると飽和磁束密度が低下するので、Ｃ≦
２５ａｔ％とする必要がある。

Ｃｒは耐食性、耐環境性を改善するために添加する元素
である。Ｃｒの添加なしでも実用上は十分な耐食性、耐
環境性を得られるが、より厳しい環境下での使用のため
にもＣｒの添加により耐食性や耐環境性を改善すること
ができる。Ｃｒの含有量は耐食性や耐環境性を向上さ仕
るためは、ｄ≧０．１ａｔ％としなければならない。し
かしながら、Ｃｒの含有量か多すぎると、飽和磁束密度
が低くなりすぎる（フェライト以下になる）ので、ｄ≦
２０ａｔ％とする必要かある。

元素Ｍの炭化物の微細結晶は膜中に均一に分散させるこ
とにより、Ｆｅの微結晶が熱処理により成長し、粗大化
して軟磁性を損なうことを防止するはたらきがある。つ
まり、Ｆｅの結晶粒が成長して大きくなると結晶磁気異
方性の悪影響が大きくなり、軟磁気特性が悪化するが、
元素Ｍの炭化物の微結晶がＦｅの粒成長の障壁としては
たらくことにより軟磁気特性の悪化を防止する。

本発明では、元素Ｘ（即ちＡ　１．　Ｓ　ｉ）の添加に
より、Ｆｅを主成分とする結晶側々の結晶磁気異方性エ
ネルギーが低下しており、高温の熱処理によって、ある
程度結晶が大きくなっても軟磁気特性が維持できるとい
う特徴を有する。

さらに、金属組織が基本的に０．０８μｍ以下の微結晶
からなっているために、非晶質に比べて熱的安定性に優
れており、添加元素を少なくでき、飽和磁束密度を高く
することができる。

「作用　」 上記軟磁性合金膜においては、その組織がＦｅに富む結
晶を主体とし、飽和磁束密度を低下させる成分の添加が
制限されているから、非晶質状態に比べ鉄原子１個あた
りの磁気モーメント及びキュリー温度が高くなっており
、高い飽和磁束密度が得られる。また、元素Ｍ及びＣが
含まれているとともに、金属組織が微細な結晶粒からな
っており、結晶磁気異方性による軟磁性への悪影響が軽
減されるので、良好な軟磁気特性が得られる。さらに、
元素Ｍの炭化物が析出してＦｅを主成分とする結晶粒の
成長を抑えるので、ガラス溶着工程において加熱されて
し、結晶粒が粗大化することがない。

さらにまた、Ｃｒを特定量添加しているので耐食性が向
上し、耐環境性に優れる。

また、元素Ｘ（Ａｌ、Ｓｉ）の添加により、電気抵抗が
高くなり、高周波での渦電流損失が低減され、高周波透
磁率が高くなる。

「実施例」 （１）成膜 ＲＦ２極スパッタ装置を用いて、後記の第１表に示す組
成の合金膜を形成した。

使用しｆニターゲットは、Ｆｅターゲット上にＳｌ。

Ａｌ，Ｃｏ、Ｔａ、グラファイト等の各種ペレットを適
宜配置して構成した複合ターゲットを用い、Ａｒガス雰
囲気中でスパッタを行って、膜厚５〜６μｍの薄膜を形
成した。

（２）熱処理 成膜後、無磁場中において６５０℃で２０分間保持する
アニールを行った。

（３）測定 前記のように製造された合金膜と、スパッタにより成膜
した元素Ｘを含有しない合金膜（特願平１−２７８２２
０号において特許出願している発明に係る合金膜）につ
いて、無磁場アニール後における飽和磁束密度（Ｂ　ｓ
）、初透磁率（μ、ａｔｌＭＨｚ）、保磁力（Ｈｃ）、
磁歪定数（λ）と比抵抗（ρ、μΩ・ｃｍ）の測定を行
った。以上の結果を第１表に示す。

第１表で試料ｌの比較例ａは本発明音らが先に特許出願
しているものである。本発明に係る合金膜（ｂ−ｋ）は
いずれもａよりも比抵抗（電気抵抗）が高くなっており
、磁気特性（飽和磁束密度、初透磁率、保磁力、磁歪定
数）もａと同様ないしはそれ以上の値が得られている。

前記と同様な方法で作成した合金膜の軟磁気特性の熱安
定性（耐熱性）を特願平１−２７８２２０号にて出願済
の合金膜と比較して第２表に示す。

以　　下　　余　　白 第２表より比較例にあげた合金膜よりも本発明の合金膜
の方か高い熱安定性を示すことがわかる。

また、７５０℃で熱処理をした比抵抗は比較例の比抵抗
に比べて約３倍の高い値を示した。

［発明の効果Ｊ 以上説明したように本発明は、Ｆｅを主成分とする微細
な結晶粒から主になる軟磁性合金膜であり、飽和磁束密
度を低下させる成分の添加が制限されているので、高い
飽和磁束密度が得られる。

このことにより、高い記録特性を有する磁気ヘッドを提
供できる。

さらに、従来のアモルファス合金膜とは異なり、無磁場
中で熱処理を行っても高い透磁率を発揮する膜を得るこ
とができ、磁気ヘッド製造時のガラス溶着等の工程を磁
場をかけて熱処理する場合よりも簡略化をなしえる。

また、元素Ｍ（Ｔ　ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ　、Ｎｂ、Ｔ　
ａ、Ｍｏ、Ｗ）及びＣという軟磁性を良好とする成分が
添加されるとともに、金属組織が微細な結晶粒からなり
、結晶磁気異方性による軟磁性への悪影響が軽減される
ので、良好な軟磁気特性が得られる。

さらに、微細な結晶粒からなるとともに、添加された元
素ＭがＣと炭化物を形成し、その炭化物が膜中に均一に
分散されていることにより、Ｆｅを主成分とする微結晶
が熱処理により成長することを防ぐ働きがある。すなわ
ち、結晶の成長に伴って結晶磁気異方性の悪影響が大き
くなることによる軟磁性の劣化を防ぐ働きかある。

また、上記組成に加えて、元素Ｘ　（Ａ　ｌ、Ｓ　ｉ）
が添加されていることにより、Ｆｅを主成分とする結晶
側々の結晶磁気異方性エネルギーが低下して、ある程度
結晶が大きくなっても、軟磁性を維持てき、高温での熱
処理に耐えうる。このことにより、溶着ガラスとして信
頼性の高い中〜高融点ガラスを用いることができるとも
に、多段階のガラス溶着を必要とする複雑な構造の磁気
ヘッドの加工プロセスにおける熱履歴にも耐えることが
できる。

さらに、ＳｉやＡｔが添加されていることにより、電気
抵抗が高くなり、高周波での渦電流損失が低減され、高
周波での透磁率を高めることができる。

またさらに、元素Ｔ（Ｃｏ，Ｎｉ）を加えることにより
、磁歪を調整し、磁気ヘッド製造工程で生しる種々の歪
による軟磁気特性の劣化を防ぐことができるものである
。

また、前記成分にＣｒを特定量添加することにより、Ｆ
ｅ基の合金としては耐食性に優れ、悪環境下にあっても
変色や発錆を生じない特徴がある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）組成式がＦｅａＸｃＭｅＣｆで示され、ＸはＡｌ
   ，Ｓｉのうち、少なくとも一種からなる元素またはその
   混合物であり、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ
   ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも一種からなる金属元素また
   はその混合物であり、組成比ａ，ｃ，ｅ，ｆは原子％で ５０≦ａ≦９５ ０．２≦ｃ≦２５ ２≦ｅ≦２５ ０．５≦ｆ≦２５ ａ＋ｃ＋ｅ＋ｆ＝１００ なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
   均結晶粒径が０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり
   、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴
   とする軟磁性合金膜。 （２）組成式がＦｅａＸｃＣｒｄＭｅＣｆで示され、Ｘ
   はＡｌ，Ｓｉのうち、少なくとも一種からなる元素また
   はその混合物であり、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ
   ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち少なくとも一種からなる金属元
   素またはその混合物であり、組成比ａ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ
   は原子％で ５０≦ａ≦９５ ０．２≦ｃ≦２５ ０．１≦ｄ≦２０ ２≦ｅ≦２５ ０．５≦ｆ≦２５ ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００ なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
   均結晶粒径が０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり
   、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴
   とする軟磁性合金膜。 （３）組成式がＦｅａＴｂＸｃＭｅＣｆで示され、Ｔは
   Ｃｏ，Ｎｉのうち、少なくとも一種からなる金属元素ま
   たはその混合物であり、ＸはＡｌ，Ｓｉのうち、少なく
   とも一種からなる元素またはその混合物であり、ＭはＴ
   ｉ，Ｚｒ，Ｈｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのうち少な
   くとも一種からなる金属元素またはその混合物であり、
   組成比ａ，ｂ，ｃ，ｅ，ｆは原子％で、 ５０≦ａ≦９５ ０．１≦ｂ≦１０ ０．２≦ｃ≦２５ ２≦ｅ≦２５ ０．５≦ｆ≦２５ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｅ＋ｆ＝１００ なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
   均結晶粒径が０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり
   、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴
   とする軟磁性合金膜。 （４）組成式がＦｅａＴｂＸｃＣｒｄＭｅＣｆで示され
   、ＴはＣｏ，Ｎｉのうち、少なくとも一種からなる金属
   元素またはその混合物であり、ＸはＡｌ，Ｓｉのうち、
   少なくとも一種からなる元素またはその混合物であり、
   ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのう
   ち少なくとも一種からなる金属元素またはその混合物で
   あり、組成比ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆは原子％で ５０≦ａ≦９５ ０．１≦ｂ≦１０ ０．２≦ｃ≦２５ ０．１≦ｄ≦２０ ２≦ｅ≦２５ ０．５≦ｆ≦２５ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００ なる関係を満足させるとともに、その組織が基本的に平
   均結晶粒径が０．０８μｍ以下の微細な結晶粒からなり
   、その一部に元素Ｍの炭化物の結晶相を含むことを特徴
   とする軟磁性合金膜。 （５）請求項１ないし４に記載の組織が平均結晶粒径０
   ．０８μｍ以下の微細な結晶粒と非晶質との混在した組
   織であって、微細結晶粒の一部に元素Ｍの炭化物の結晶
   相を含むことを特徴とする軟磁性合金膜。