JPH04125809A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04125809A JPH04125809A JP24619790A JP24619790A JPH04125809A JP H04125809 A JPH04125809 A JP H04125809A JP 24619790 A JP24619790 A JP 24619790A JP 24619790 A JP24619790 A JP 24619790A JP H04125809 A JPH04125809 A JP H04125809A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ディスク装置や磁気テープ装置等の磁気記
録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法にかかり
、特に高い再生能力を有する薄膜磁気ヘッドを製造する
のに好適な薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドの製造方法にかかり
、特に高い再生能力を有する薄膜磁気ヘッドを製造する
のに好適な薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
近年、磁気ディスク装置やビデオ装置等における記録密
度の上昇に伴い、磁気記録媒体への記録再生用ヘッドに
周知のフォトリソグラフィー技術を用いた薄膜磁気ヘッ
ドが製造されるようになってきた。薄膜磁気ヘットにお
いては、その磁気回路を構成する磁気コアの材料として
Ｎｉ−Ｆｅ系（パーマロイ）結晶質合金などが用いられ
てきたが、記録密度の上昇に伴う磁気記録媒体の高保持
力化に対応して、より飽和磁束密度の高い材料を磁気コ
アに用いるべく、開発が進められている。
度の上昇に伴い、磁気記録媒体への記録再生用ヘッドに
周知のフォトリソグラフィー技術を用いた薄膜磁気ヘッ
ドが製造されるようになってきた。薄膜磁気ヘットにお
いては、その磁気回路を構成する磁気コアの材料として
Ｎｉ−Ｆｅ系（パーマロイ）結晶質合金などが用いられ
てきたが、記録密度の上昇に伴う磁気記録媒体の高保持
力化に対応して、より飽和磁束密度の高い材料を磁気コ
アに用いるべく、開発が進められている。
このような飽和磁束密度の高い材料としては、例えば特
開昭６３−８０９号公報に開示されているＣＯ系非晶質
合金や特開平１−３０９３０８号公報に開示されている
Ｆｅ系結晶質合金やそれらの多層膜が知られている。こ
れらの合金や多層膜には、優れた軟磁気特性を得るため
に、不活性ガス又は真空中での熱処理や磁場中での熱処
理が必要であることが、上記公報中にも開示されている
。
開昭６３−８０９号公報に開示されているＣＯ系非晶質
合金や特開平１−３０９３０８号公報に開示されている
Ｆｅ系結晶質合金やそれらの多層膜が知られている。こ
れらの合金や多層膜には、優れた軟磁気特性を得るため
に、不活性ガス又は真空中での熱処理や磁場中での熱処
理が必要であることが、上記公報中にも開示されている
。
ところか、上記従来技術に示されているような熱処理に
よって、良好な軟磁気特性を得た磁性膜を薄膜磁気ヘッ
ドの磁気コアとして用いようとすれば、大きな障害にお
ちいってしまう。
よって、良好な軟磁気特性を得た磁性膜を薄膜磁気ヘッ
ドの磁気コアとして用いようとすれば、大きな障害にお
ちいってしまう。
それは熱処理によって得た良好な磁気特性が、その後工
程において受ける熱履歴によって変化してしまい、薄膜
磁気ヘッドとして用いた場合、インダクタンスの低下に
起因して、再生出力が低下してしまうのである。
程において受ける熱履歴によって変化してしまい、薄膜
磁気ヘッドとして用いた場合、インダクタンスの低下に
起因して、再生出力が低下してしまうのである。
本発明は上記した従来技術の問題点に鑑みなされたもの
で、上記後工程において磁性膜の特性が変化しない薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とし、これ
によりインダクタンスの低下を起こしていない高飽和磁
束密度材料を磁気コアとして用いることを可能にし、高
い再生能力を持つ薄膜磁気ヘッドを提供するものである
。
で、上記後工程において磁性膜の特性が変化しない薄膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とし、これ
によりインダクタンスの低下を起こしていない高飽和磁
束密度材料を磁気コアとして用いることを可能にし、高
い再生能力を持つ薄膜磁気ヘッドを提供するものである
。
本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に
下部磁気コアと複数の層間絶縁層と少なくとも一層のコ
イルと上部磁気コアと保護膜を順次形成するものであり
、特に上記下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受
ける工程において、下部磁気コア又は上部磁気コアが略
飽和する磁界を印加することを特徴としている。
下部磁気コアと複数の層間絶縁層と少なくとも一層のコ
イルと上部磁気コアと保護膜を順次形成するものであり
、特に上記下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受
ける工程において、下部磁気コア又は上部磁気コアが略
飽和する磁界を印加することを特徴としている。
本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に
下部磁気コアと複数の層間絶縁層と少なくとも一層のコ
イルと上部磁気コアと保護膜を順次形成するものであり
、特に上記下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受
けることによってその磁気特性を変化させる場合、上記
熱履歴による磁気特性の変化を打ち消す熱処理を、下部
磁気コア又は上部磁気コアが略飽和する磁界中において
行うことを特徴としている。
下部磁気コアと複数の層間絶縁層と少なくとも一層のコ
イルと上部磁気コアと保護膜を順次形成するものであり
、特に上記下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受
けることによってその磁気特性を変化させる場合、上記
熱履歴による磁気特性の変化を打ち消す熱処理を、下部
磁気コア又は上部磁気コアが略飽和する磁界中において
行うことを特徴としている。
磁性膜がその磁気特性に変化を起こすような熱履歴を受
けると、磁性膜（磁気コア）内の三角磁区と六角磁区の
部分のもつ磁気異方性エネルギがばらばらになることに
よって、三角磁区と六角磁区の境界部分の磁壁の移動が
起こりにくくなる。
けると、磁性膜（磁気コア）内の三角磁区と六角磁区の
部分のもつ磁気異方性エネルギがばらばらになることに
よって、三角磁区と六角磁区の境界部分の磁壁の移動が
起こりにくくなる。
これによって、低周波側における比透磁率が下がり、薄
膜磁気ヘッドのインダクタンスが低下する。
膜磁気ヘッドのインダクタンスが低下する。
このようなインダクタンスの低下した薄膜磁気ヘッドで
は、十分な再生出力を得ることができない。
は、十分な再生出力を得ることができない。
前記本発明の第１の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば
、下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受ける工程
において、下部磁気コア又は上部磁気コアが略飽和する
磁界を印加することにより、磁気コア内の三角磁区と六
角磁区の部分の持つ磁気異方性エネルギがばらばらにな
ることが防止され、インダクタンスの低下を防ぎ、再生
出力の低下を押さえた薄膜磁気ヘッドを提供することが
できる。
、下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受ける工程
において、下部磁気コア又は上部磁気コアが略飽和する
磁界を印加することにより、磁気コア内の三角磁区と六
角磁区の部分の持つ磁気異方性エネルギがばらばらにな
ることが防止され、インダクタンスの低下を防ぎ、再生
出力の低下を押さえた薄膜磁気ヘッドを提供することが
できる。
前記本発明の第２の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば
、下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受けること
によってその磁気特性を変化させる場合、上記熱履歴に
よる磁気特性の変化を打ち消す熱処理を、下部磁気コア
又は上部磁気コアが略飽和する磁界中において行うこと
により、磁気コア内の三角磁区と六角磁区の部分の持つ
磁気異方性エネルギがばらばらになることが防止され、
又はばらばらになった状態を元に戻すことができ、これ
によってインダクタンスの低下を防ぎ、再生出力の低下
を押さえた薄膜磁気ヘットを提供することができる。
、下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受けること
によってその磁気特性を変化させる場合、上記熱履歴に
よる磁気特性の変化を打ち消す熱処理を、下部磁気コア
又は上部磁気コアが略飽和する磁界中において行うこと
により、磁気コア内の三角磁区と六角磁区の部分の持つ
磁気異方性エネルギがばらばらになることが防止され、
又はばらばらになった状態を元に戻すことができ、これ
によってインダクタンスの低下を防ぎ、再生出力の低下
を押さえた薄膜磁気ヘットを提供することができる。
以下、添付の図面に示す実施例により、更に詳細に本発
明について説明する。
明について説明する。
第２図は磁性膜を磁気コア形状にパターン化した場合の
磁区構造を示す説明図である。磁気コアは磁路方向（容
易軸の方向）と直行する向きの磁化（困難軸の方向）を
持つ六角磁区１１と、六角磁区１１の磁化方向に対して
略直行方向の磁化（容易軸の方向）を持つ三角磁区１２
とに分かれ、それらは磁壁１３によって隔てられている
。なお、第２図において、矢印は磁化の方向を示してい
る。
磁区構造を示す説明図である。磁気コアは磁路方向（容
易軸の方向）と直行する向きの磁化（困難軸の方向）を
持つ六角磁区１１と、六角磁区１１の磁化方向に対して
略直行方向の磁化（容易軸の方向）を持つ三角磁区１２
とに分かれ、それらは磁壁１３によって隔てられている
。なお、第２図において、矢印は磁化の方向を示してい
る。
第３図は、磁気コアとしてＣｏ、。Ｚｒ、。非晶質を用
いた場合の磁気異方性エネルギの変化を示す図である。
いた場合の磁気異方性エネルギの変化を示す図である。
第３図は、縦軸に磁気異方性エネルギ（任意単位）をと
り、横軸に熱履歴（時間）をとった図である。図示する
ように、Ｃｏ、、Ｚｒ、。非晶質の場合には、成膜後に
磁場中において３５０℃の熱処理を行うことにより、磁
気異方性エネルギの値か下がり、比透磁率の値が上がる
。その後、Ｃｏ、。Ｚｒｔｏ非昌質は、２５０℃の温度
で数時間にわたる熱履歴を受ける。これにより、Ｃｏ５
ｏＺｒｌＯ非昌質の六角磁区における磁気異方性エネル
ギは徐々に上昇し、ＣＯ＊ｏＺｒ１ｏ非昌質の三角磁区
における磁気異方性エネルギはほぼ一定の値を保持する
。
り、横軸に熱履歴（時間）をとった図である。図示する
ように、Ｃｏ、、Ｚｒ、。非晶質の場合には、成膜後に
磁場中において３５０℃の熱処理を行うことにより、磁
気異方性エネルギの値か下がり、比透磁率の値が上がる
。その後、Ｃｏ、。Ｚｒｔｏ非昌質は、２５０℃の温度
で数時間にわたる熱履歴を受ける。これにより、Ｃｏ５
ｏＺｒｌＯ非昌質の六角磁区における磁気異方性エネル
ギは徐々に上昇し、ＣＯ＊ｏＺｒ１ｏ非昌質の三角磁区
における磁気異方性エネルギはほぼ一定の値を保持する
。
このように、熱履歴に起因する六角磁区内の磁気異方性
エネルギと三角磁区内の磁気異方性エネルギの変化が異
なるため、六角磁区と三角磁区の境界にエネルギの差が
生じ、磁壁の移動が妨げられ、これが原因となってＩＭ
Ｈｚ程度の低周波領域において、比透磁率が低下し、そ
の結果インダクタンスか低下でしまうのである。
エネルギと三角磁区内の磁気異方性エネルギの変化が異
なるため、六角磁区と三角磁区の境界にエネルギの差が
生じ、磁壁の移動が妨げられ、これが原因となってＩＭ
Ｈｚ程度の低周波領域において、比透磁率が低下し、そ
の結果インダクタンスか低下でしまうのである。
上記比透磁率の低下を防ぐためには、六角磁区内の磁気
異方性エネルギと三角磁区内の磁気異方性エネルギの熱
履歴による変化を同一にすれば良い。そのためには、理
想的には熱履歴を受ける工程において、磁気コアが略飽
和する磁場をかけて磁壁をなくして単磁区化し、磁気コ
ア面内における磁気異方性エネルギの変化の仕方を同じ
にすれば良い。しかし、現実には、このようなことは困
難である。そこで、Ｃｏｓ。Ｚｒ１ｏ非昌質が熱履歴を
受けた以上の追加熱処理を磁場中で行うようにする。
異方性エネルギと三角磁区内の磁気異方性エネルギの熱
履歴による変化を同一にすれば良い。そのためには、理
想的には熱履歴を受ける工程において、磁気コアが略飽
和する磁場をかけて磁壁をなくして単磁区化し、磁気コ
ア面内における磁気異方性エネルギの変化の仕方を同じ
にすれば良い。しかし、現実には、このようなことは困
難である。そこで、Ｃｏｓ。Ｚｒ１ｏ非昌質が熱履歴を
受けた以上の追加熱処理を磁場中で行うようにする。
例えば、第４図に示すように、Ｃｏ、。Ｚｒ、。非晶質
の成膜後に磁場中において２００℃の熱処理を行うこと
により、磁気異方性エネルギの値を下げ、比透磁率の値
を上げる。その後、１００℃の温度下において保護膜が
形成される。そして、最後にＣｏ５ｏＺｒｌＯ非昌質が
これまでに受けた以上の追加熱処理（この場合には、２
００℃）を磁場中において施す。ここで、印加する磁場
の方向は、容易軸方向でも良いし、困難軸方向でも良い
し、又容易軸方向に一定時間印加した後困難軸方向に印
加しても良いし、逆に困難軸方向に一定時間印加した後
容易軸方向に印加しても良い。これにより、第４図に示
すように、六角磁区内の磁気異方性エネルギと三角磁区
内の磁気異方性エネルギは同一の値になり、六角磁区と
三角磁区の境界にエネルギの差が発生せず、磁壁の移動
が妨げられることがない。したがって、ＩＭＨｚ程度の
低周波領域における比透磁率の低下が防止され、インダ
クタンスの低下が防止でき・る。これによりインダクタ
ンスの低下を起こしていない高飽和磁束密度材料を磁気
コアとして用いることが可能になり、高い再生能力を持
つ薄膜磁気ヘッドが提供できる。
の成膜後に磁場中において２００℃の熱処理を行うこと
により、磁気異方性エネルギの値を下げ、比透磁率の値
を上げる。その後、１００℃の温度下において保護膜が
形成される。そして、最後にＣｏ５ｏＺｒｌＯ非昌質が
これまでに受けた以上の追加熱処理（この場合には、２
００℃）を磁場中において施す。ここで、印加する磁場
の方向は、容易軸方向でも良いし、困難軸方向でも良い
し、又容易軸方向に一定時間印加した後困難軸方向に印
加しても良いし、逆に困難軸方向に一定時間印加した後
容易軸方向に印加しても良い。これにより、第４図に示
すように、六角磁区内の磁気異方性エネルギと三角磁区
内の磁気異方性エネルギは同一の値になり、六角磁区と
三角磁区の境界にエネルギの差が発生せず、磁壁の移動
が妨げられることがない。したがって、ＩＭＨｚ程度の
低周波領域における比透磁率の低下が防止され、インダ
クタンスの低下が防止でき・る。これによりインダクタ
ンスの低下を起こしていない高飽和磁束密度材料を磁気
コアとして用いることが可能になり、高い再生能力を持
つ薄膜磁気ヘッドが提供できる。
第１図は、Ｃｏｓ。Ｚｒ１ｏ非昌質を用いた薄膜磁気ヘ
ッドの製造工程を示す説明図である。まず、工程■にお
いて、Ｃ０ｏｏＺｒ１゜非晶質を用いて下部磁性体を成
膜する。次に、工程■において、下部磁性体の特性改善
のための熱処理を磁場中で行う。次に、工程■において
、磁気ギャップ膜を形成する。さらに、工程■において
、層間絶縁層を形成する際に、下部磁性体は熱を受ける
が、この工程■を磁場中で行うようにする。次に、工程
■において、コイルが形成される。次に、工程■におい
て、層間絶縁層を形成する際に、下部磁性体は熱を受け
るが、この工程■を磁場中で行うようにする。次に、工
程■において、ＣＯ＊ｏＺｒ、。非晶質を用いて上部磁
性体を成膜する。次に、工程■において、上部磁性体の
特性改善のための熱処理を磁場中で行う。次に、工程■
において、保護膜の形成が行われる。次に、工程■にお
いて、追加熱処理が磁場中で行われる。
ッドの製造工程を示す説明図である。まず、工程■にお
いて、Ｃ０ｏｏＺｒ１゜非晶質を用いて下部磁性体を成
膜する。次に、工程■において、下部磁性体の特性改善
のための熱処理を磁場中で行う。次に、工程■において
、磁気ギャップ膜を形成する。さらに、工程■において
、層間絶縁層を形成する際に、下部磁性体は熱を受ける
が、この工程■を磁場中で行うようにする。次に、工程
■において、コイルが形成される。次に、工程■におい
て、層間絶縁層を形成する際に、下部磁性体は熱を受け
るが、この工程■を磁場中で行うようにする。次に、工
程■において、ＣＯ＊ｏＺｒ、。非晶質を用いて上部磁
性体を成膜する。次に、工程■において、上部磁性体の
特性改善のための熱処理を磁場中で行う。次に、工程■
において、保護膜の形成が行われる。次に、工程■にお
いて、追加熱処理が磁場中で行われる。
第１図に示すｃｏ、。Ｚｒ１゜非晶質を用いた薄膜磁気
ヘッドの製造工程において、Ｏ印は以前から行われてい
た磁性膜の特性改善のための磁場印加を示し、・印は本
発明に基づいて行われる磁場印加を示している。ここで
、従来から行われているＯ印の磁場印加と本発明に基づ
いて行われる・印の磁場印加が異なる点は、第１に、本
発明に基づいて行われる・印の磁場印加が上部磁性膜及
び下部磁性膜の形成に直接関係しない工程において行わ
れる点である。すなわち、上記実施例においては、工程
■■における層間絶縁層の形成時に行われる点である。
ヘッドの製造工程において、Ｏ印は以前から行われてい
た磁性膜の特性改善のための磁場印加を示し、・印は本
発明に基づいて行われる磁場印加を示している。ここで
、従来から行われているＯ印の磁場印加と本発明に基づ
いて行われる・印の磁場印加が異なる点は、第１に、本
発明に基づいて行われる・印の磁場印加が上部磁性膜及
び下部磁性膜の形成に直接関係しない工程において行わ
れる点である。すなわち、上記実施例においては、工程
■■における層間絶縁層の形成時に行われる点である。
また、第２に、工程■の保護膜形成時に約１００℃の熱
を受けるが、この影響を除去するために、磁場中で追加
熱処理を行っている点である。
を受けるが、この影響を除去するために、磁場中で追加
熱処理を行っている点である。
このようにして、比透磁率の低下が防止された磁性膜が
薄膜磁気ヘットの磁気コアとして用いられるため、薄膜
磁気ヘッドのインダクタンスは低周波領域で低下するこ
とがない。
薄膜磁気ヘットの磁気コアとして用いられるため、薄膜
磁気ヘッドのインダクタンスは低周波領域で低下するこ
とがない。
第５図は、第１図に示す工程によって、比透磁率の低下
を防止した磁性膜を磁気コアとして用いた薄膜磁気ヘッ
ドにおけるインダクタンスの周波数特性、及び比透磁率
の低下を防止しなかった磁性膜を磁気コアとして用いた
薄膜磁気ヘッドにおけるインダクタンスの周波数特性を
示す図である。
を防止した磁性膜を磁気コアとして用いた薄膜磁気ヘッ
ドにおけるインダクタンスの周波数特性、及び比透磁率
の低下を防止しなかった磁性膜を磁気コアとして用いた
薄膜磁気ヘッドにおけるインダクタンスの周波数特性を
示す図である。
図中、Ａは比透磁率の低下を防止した磁性膜を磁気コア
として用いた薄膜磁気ヘッドの特性を示し、Ｂは比透磁
率の低下を防止しなかった磁性膜を磁気コアとして用い
た薄膜磁気ヘッドの特性を示している。
として用いた薄膜磁気ヘッドの特性を示し、Ｂは比透磁
率の低下を防止しなかった磁性膜を磁気コアとして用い
た薄膜磁気ヘッドの特性を示している。
第５図から明らかなように、磁気コアの比透磁率の低下
を防いだ薄膜磁気ヘッドのインダクタンス（Ａで示す特
性）は、磁気コアの比透磁率の低下を防がなかつ薄膜磁
気ヘッドのインダクタンス（Ｂで示す特性）と比較して
、低周波側において高くなっていることがわかる。これ
により、磁気コアの比透磁率の低下を防いだ薄膜磁気ヘ
ッドはその再生能力が向上するのである。このときの、
周波数ＩＭＨｚにおけるインダクタンスは、磁性膜の持
つ磁気異方性エネルギがほぼ同じときに、Ｂの薄膜磁気
ヘッドはＡの薄膜磁気ヘッドに対して５％以上低下して
いる。
を防いだ薄膜磁気ヘッドのインダクタンス（Ａで示す特
性）は、磁気コアの比透磁率の低下を防がなかつ薄膜磁
気ヘッドのインダクタンス（Ｂで示す特性）と比較して
、低周波側において高くなっていることがわかる。これ
により、磁気コアの比透磁率の低下を防いだ薄膜磁気ヘ
ッドはその再生能力が向上するのである。このときの、
周波数ＩＭＨｚにおけるインダクタンスは、磁性膜の持
つ磁気異方性エネルギがほぼ同じときに、Ｂの薄膜磁気
ヘッドはＡの薄膜磁気ヘッドに対して５％以上低下して
いる。
次に、第６図を用いて、磁気コアの比透磁率の低下を防
いだ磁性膜を磁気コアとした薄膜磁気ヘッドに対して、
無磁場状態において熱履歴をかけることにより、再び磁
気異方性エネルギの分布が生じることについて説明する
。
いだ磁性膜を磁気コアとした薄膜磁気ヘッドに対して、
無磁場状態において熱履歴をかけることにより、再び磁
気異方性エネルギの分布が生じることについて説明する
。
第６図は、第１図に示す工程によって、比透磁率の低下
を防止した磁性膜を磁気コアとして用いた薄膜磁気ヘッ
ドを、無磁場中で最高温度２００℃で熱処理した場合に
おける、ＩＭＨｚのインダクタンス相対値と熱処理時間
の関係を示す図である。第６図から明らかなように、周
波数ＩＭＨｚにおけるインダクタンスは、２０時間以上
熱処理を行うことによって、５％以上低下することがわ
かる。
を防止した磁性膜を磁気コアとして用いた薄膜磁気ヘッ
ドを、無磁場中で最高温度２００℃で熱処理した場合に
おける、ＩＭＨｚのインダクタンス相対値と熱処理時間
の関係を示す図である。第６図から明らかなように、周
波数ＩＭＨｚにおけるインダクタンスは、２０時間以上
熱処理を行うことによって、５％以上低下することがわ
かる。
第７図は、比透磁率の低下を防止しなかった磁性膜を磁
気コアとして用いた薄膜磁気ヘッドを、無磁場中で最高
温度２００℃で熱処理した場合における、ＩＭＨｚのイ
ンダクタンス相対値と熱処理時間の関係を示す図である
。この場合には、すでにインダクタンスが低下している
ので、あまり変化していない。
気コアとして用いた薄膜磁気ヘッドを、無磁場中で最高
温度２００℃で熱処理した場合における、ＩＭＨｚのイ
ンダクタンス相対値と熱処理時間の関係を示す図である
。この場合には、すでにインダクタンスが低下している
ので、あまり変化していない。
以上の説明から明らかなように、上記実施例によれば、
熱履歴を受ける工程中に磁気コアが略飽和する磁場をか
けることにより、熱処理によって特性を改善した磁性膜
を磁気コアとしてそののまま用いることが可能になるた
め、低周波側においてインダクタンスが低下しない薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。したがって、再生特性
の良好な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
熱履歴を受ける工程中に磁気コアが略飽和する磁場をか
けることにより、熱処理によって特性を改善した磁性膜
を磁気コアとしてそののまま用いることが可能になるた
め、低周波側においてインダクタンスが低下しない薄膜
磁気ヘッドを得ることができる。したがって、再生特性
の良好な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
また、熱履歴を受ける工程中によって低周波側のインダ
クタンスが低下している場合、その熱履歴による影響を
打ち消す熱処理を、磁気コアが略飽和する磁場中におい
て追加することにより、低周波側においてインダクタン
スが低下しない薄膜磁気ヘットを得ることができる。し
たがって、再生特性の良好な薄膜磁気ヘットを製造する
ことか可能になる。
クタンスが低下している場合、その熱履歴による影響を
打ち消す熱処理を、磁気コアが略飽和する磁場中におい
て追加することにより、低周波側においてインダクタン
スが低下しない薄膜磁気ヘットを得ることができる。し
たがって、再生特性の良好な薄膜磁気ヘットを製造する
ことか可能になる。
本発明によれば、良好な特性の磁性膜を形成した後、薄
膜磁気ヘッド製造のための後工程において、上記磁性膜
の良好な特性が変化しない製造方法を提供することが可
能になり、これによりインダクタンスの低下を起こして
いない高飽和磁束密度材料を磁気コアとして用いること
を可能にし、高い再生能力を持つ薄膜磁気ヘッドを提供
することができる効果がある。
膜磁気ヘッド製造のための後工程において、上記磁性膜
の良好な特性が変化しない製造方法を提供することが可
能になり、これによりインダクタンスの低下を起こして
いない高飽和磁束密度材料を磁気コアとして用いること
を可能にし、高い再生能力を持つ薄膜磁気ヘッドを提供
することができる効果がある。
第１図はＣＯ＠。Ｚｒ、。非晶質を磁性膜として用いた
薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す説明図、第２図は磁性
膜を磁気コア形状にパターン化した場合の磁区構造を示
す説明図、第３図及び第４図は磁気コアとしてＣ０５ｏ
Ｚｒｌ。非晶質を用いた場合の磁気異方性エネルギの熱
履歴による変化を示す図、第５図は第１図に示す工程に
よって、比透磁率の低下を防止した磁性膜を磁気コアと
して用いた薄膜磁気ヘッドにおけるインダクタンスの周
波数特性及び比透磁率の低下を防止しなかった磁性膜を
磁気コアとして用いた薄膜磁気ヘッドにおけるインダク
タンスの周波数特性を示す図、第６図は第１図に示す工
程によって、比透磁率の低下を防止した磁性膜を磁気コ
アとして用いた薄膜磁気ヘッドを、無磁場中で熱処理し
た場合における周波数ＩＭＨ２のインダクタンス相対値
と熱処理時間の関係を示す図、第７図は比透磁率の低下
を防止しなかった磁性膜を磁気コアとして用いた薄膜磁
気ヘッドを、無磁場中で熱処理した場合における周波数
ＩＭＨｚのインダクタンス相対値と熱処理時間の関係を
示す図である。 １１・・・六角磁区、１２・・・３角磁区、１３・・・
磁壁。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第 図 （Ｏ・Σの効を里工木Ｉぐｄａ Ａ ｔ、方・ヴ釣第 図 第 ５図 申ａ←１１役迄−（→濃句 第 図 ｚＩ１７ρ？鳶Ｉ鴫ｚ１宍１中資で５島１つｉ−ハ鱈（
ｈ、〕篤 図
薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す説明図、第２図は磁性
膜を磁気コア形状にパターン化した場合の磁区構造を示
す説明図、第３図及び第４図は磁気コアとしてＣ０５ｏ
Ｚｒｌ。非晶質を用いた場合の磁気異方性エネルギの熱
履歴による変化を示す図、第５図は第１図に示す工程に
よって、比透磁率の低下を防止した磁性膜を磁気コアと
して用いた薄膜磁気ヘッドにおけるインダクタンスの周
波数特性及び比透磁率の低下を防止しなかった磁性膜を
磁気コアとして用いた薄膜磁気ヘッドにおけるインダク
タンスの周波数特性を示す図、第６図は第１図に示す工
程によって、比透磁率の低下を防止した磁性膜を磁気コ
アとして用いた薄膜磁気ヘッドを、無磁場中で熱処理し
た場合における周波数ＩＭＨ２のインダクタンス相対値
と熱処理時間の関係を示す図、第７図は比透磁率の低下
を防止しなかった磁性膜を磁気コアとして用いた薄膜磁
気ヘッドを、無磁場中で熱処理した場合における周波数
ＩＭＨｚのインダクタンス相対値と熱処理時間の関係を
示す図である。 １１・・・六角磁区、１２・・・３角磁区、１３・・・
磁壁。 代理人 弁理士 秋 本 正 実 第 図 （Ｏ・Σの効を里工木Ｉぐｄａ Ａ ｔ、方・ヴ釣第 図 第 ５図 申ａ←１１役迄−（→濃句 第 図 ｚＩ１７ρ？鳶Ｉ鴫ｚ１宍１中資で５島１つｉ−ハ鱈（
ｈ、〕篤 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に下部磁気コアと複数の層間絶縁層と少なく
とも一層のコイルと上部磁気コアと保護膜を順次形成す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 上記下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受ける工
程において、下部磁気コア又は上部磁気コアが略飽和す
る磁界を印加することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 ２、上記磁界は、薄膜磁気ヘッドの磁路方向と平行な方
向又は薄膜磁気ヘッドの磁路に直行する方向又は前記両
方向に交互に印加されることを特徴とする請求項１記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ３、基板上に下部磁気コアと複数の層間絶縁層と少なく
とも一層のコイルと上部磁気コアと保護膜を順次形成す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、 上記下部磁気コア又は上部磁気コアが熱履歴を受けるこ
とによってその磁気特性を変化させる場合、上記熱履歴
による磁気特性の変化を打ち消す熱処理を、下部磁気コ
ア又は上部磁気コアが略飽和する磁界中において行うこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。４、上記磁
界は、薄膜磁気ヘッドの磁路方向と平行な方向又は薄膜
磁気ヘッドの磁路に直行する方向又は前記両方向に交互
に印加されることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24619790A JPH04125809A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24619790A JPH04125809A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125809A true JPH04125809A (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=17144956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24619790A Pending JPH04125809A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125809A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100665506B1 (ko) * | 2005-10-11 | 2007-01-09 | 이후근 | 손톱깎이 |
| US11871831B2 (en) | 2017-09-26 | 2024-01-16 | Thomas J. McMullen | Electrical automated nail-clipping device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01150211A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0283809A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製法 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24619790A patent/JPH04125809A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01150211A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPH0283809A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100665506B1 (ko) * | 2005-10-11 | 2007-01-09 | 이후근 | 손톱깎이 |
| US11871831B2 (en) | 2017-09-26 | 2024-01-16 | Thomas J. McMullen | Electrical automated nail-clipping device |
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