JPH02308408A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPH02308408A JPH02308408A JP12881889A JP12881889A JPH02308408A JP H02308408 A JPH02308408 A JP H02308408A JP 12881889 A JP12881889 A JP 12881889A JP 12881889 A JP12881889 A JP 12881889A JP H02308408 A JPH02308408 A JP H02308408A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、畠密度磁気記録に適する薄膜磁気ヘッドに係
わり、特に、高飽和磁束密度材料を用い、書き込み能力
にすぐれた薄膜磁気ヘッドに関する。
わり、特に、高飽和磁束密度材料を用い、書き込み能力
にすぐれた薄膜磁気ヘッドに関する。
磁気記録の高密度化、高性能化の進展には、近年めざま
しいものがある。特に大型コンピュータ用の磁気ディス
ク装置の分野においては、記録密度の大幅な向上により
、大容量化が図られてきた。
しいものがある。特に大型コンピュータ用の磁気ディス
ク装置の分野においては、記録密度の大幅な向上により
、大容量化が図られてきた。
磁気ディスク装置では、従来のフェライト型ヘッドに比
べてインダクタンスが小さく、高周波透磁率が大きく、
狭トラツク幅のｏｆ能な薄膜磁気ヘッドが一部実用化さ
れている。従来、特開昭５５−８７３２３に見られるよ
うに、飽和磁束密度１ＴのＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合
金を用いて薄膜磁気ヘッドが作製されていた。第４図に
Ｎ ｉ −Ｆｅ合金を用いて形成した薄膜磁気ヘッドの
磁極部の断面図をポす、第４図において、Ａ Ｑ ｚｏ
３’１’ ｌ Ｃセラミック、ＡＱ＊Ｏｓ ’Ｌ°
１０２セラミックス、Ｓｉｎ、Ｚｎフェライト、Ｎｉ−
Ｚｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト等からで
きた絶縁基板１上に、スパッタＡ Ｑ ｚ Ｏａ膜１２
を形成する０次に。
べてインダクタンスが小さく、高周波透磁率が大きく、
狭トラツク幅のｏｆ能な薄膜磁気ヘッドが一部実用化さ
れている。従来、特開昭５５−８７３２３に見られるよ
うに、飽和磁束密度１ＴのＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合
金を用いて薄膜磁気ヘッドが作製されていた。第４図に
Ｎ ｉ −Ｆｅ合金を用いて形成した薄膜磁気ヘッドの
磁極部の断面図をポす、第４図において、Ａ Ｑ ｚｏ
３’１’ ｌ Ｃセラミック、ＡＱ＊Ｏｓ ’Ｌ°
１０２セラミックス、Ｓｉｎ、Ｚｎフェライト、Ｎｉ−
Ｚｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト等からで
きた絶縁基板１上に、スパッタＡ Ｑ ｚ Ｏａ膜１２
を形成する０次に。
下部磁極２として、Ｎｉ−Ｆｅ合金スパッタ法で形成す
る。膜厚は、１．５μｍとした０次に磁気ギャップ３を
ＡΩｇｏｓをスパッタ法で形成する。
る。膜厚は、１．５μｍとした０次に磁気ギャップ３を
ＡΩｇｏｓをスパッタ法で形成する。
コイル導体４の絶縁Ｍ５としては、耐熱性ポリイミド系
樹脂、あるいは、レジストを用いる。また、コイル導体
４は、Ｃｕを用いてスパッタ法で形成する０次に、上部
磁極１０は、下部磁極２とおなじようにしてＮ ｉ −
Ｆ ｅ合金スパッタ法で形成する。膜厚は２．０μｍ
とした、なお、Ｎｉ−Ｆｅ合金の代表的な組成は、＆＆
煩がＯとなる１９ｗｔ％−８１ｗｔ％Ｆ ｅである。さ
らに、約２０μｍのＡ Ｑ ｘ ０８の保護膜′ｌから
できている、下部磁極２、磁気ギャップ３．コイル導体
４．上部磁極１０のパターンニングは、イオンミリング
法により形成する。ところで記録密度を向上させるため
。
樹脂、あるいは、レジストを用いる。また、コイル導体
４は、Ｃｕを用いてスパッタ法で形成する０次に、上部
磁極１０は、下部磁極２とおなじようにしてＮ ｉ −
Ｆ ｅ合金スパッタ法で形成する。膜厚は２．０μｍ
とした、なお、Ｎｉ−Ｆｅ合金の代表的な組成は、＆＆
煩がＯとなる１９ｗｔ％−８１ｗｔ％Ｆ ｅである。さ
らに、約２０μｍのＡ Ｑ ｘ ０８の保護膜′ｌから
できている、下部磁極２、磁気ギャップ３．コイル導体
４．上部磁極１０のパターンニングは、イオンミリング
法により形成する。ところで記録密度を向上させるため
。
媒体の高保磁力化が必要であり、それに対応するなめに
、ヘッド（Ｉｆ先端から多くの磁場がでるように、磁極
厚みを大きくする必要がある。ところが磁極厚みを厚く
すると、再生分解能が低ドするという問題がある。今後
記録密度の向上に伴う媒体の畠保磁力化、再生分解能の
低ドの両方の問題に対応するためには従来の飽和磁束密
度１′１′のＮ ｉ −Ｆｅ合金では不十分で、磁極磁
性膜に高飽和磁束密度磁性材料を用いる必要があると言
われでいる。
、ヘッド（Ｉｆ先端から多くの磁場がでるように、磁極
厚みを大きくする必要がある。ところが磁極厚みを厚く
すると、再生分解能が低ドするという問題がある。今後
記録密度の向上に伴う媒体の畠保磁力化、再生分解能の
低ドの両方の問題に対応するためには従来の飽和磁束密
度１′１′のＮ ｉ −Ｆｅ合金では不十分で、磁極磁
性膜に高飽和磁束密度磁性材料を用いる必要があると言
われでいる。
近年、高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として非晶質ス
パッタ１漠がｌｊＭ ９！されつつある。この中でも、
特にガラス化元索がＺｒ、Ｈｆからなる非晶質合金は、
耐食性、耐摩耗性に優れており、磁気ヘッド用磁性膜と
して優れた特性を有している。
パッタ１漠がｌｊＭ ９！されつつある。この中でも、
特にガラス化元索がＺｒ、Ｈｆからなる非晶質合金は、
耐食性、耐摩耗性に優れており、磁気ヘッド用磁性膜と
して優れた特性を有している。
具体的にはＭａＴｂＡｃの組成式で表わせる。ここで、
Ｍは磁気モーメントを有するＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなとの少
なくとも一種であり、ＡはＺｒ、Ｈｆなとの少なくとも
一種である。１゛は１Ｍ及びＡ以外の遷移金属である。
Ｍは磁気モーメントを有するＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉなとの少
なくとも一種であり、ＡはＺｒ、Ｈｆなとの少なくとも
一種である。１゛は１Ｍ及びＡ以外の遷移金属である。
特に特開昭５８−９８８２４．特開昭６０−２１５０４
．特開昭６２−２８２８５０で示されるようなＣｏ’ｒ
ａＺｒ系非晶質合金、 ＣｏＴａＨｆ系非晶貿合金。
．特開昭６２−２８２８５０で示されるようなＣｏ’ｒ
ａＺｒ系非晶質合金、 ＣｏＴａＨｆ系非晶貿合金。
Ｇｏ’ｌ’ａＨｆＰｄ非晶質合金が磁歪零において飽和
磁束密度が１．３Ｔ得られることから薄膜磁気ヘッド用
磁性膜として有望視されている。また、結晶質合金膜と
しては、特開昭５９−１３０４０８見られるように、ト
’ ｅ −Ｃ合金とＮｉ−Ｆｅ合金との多層膜。
磁束密度が１．３Ｔ得られることから薄膜磁気ヘッド用
磁性膜として有望視されている。また、結晶質合金膜と
しては、特開昭５９−１３０４０８見られるように、ト
’ ｅ −Ｃ合金とＮｉ−Ｆｅ合金との多層膜。
ＦｓＳｉＨｕ合金とＮ ｉ −Ｆ ｅ合金との多層膜が
高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として開発されている
。
高飽和磁束密度で高性能の磁性膜として開発されている
。
〔発明が解決しようとする１ＩＩＫ題〕ところが、以上
ポした高飽和磁束密度材料は、諭ずれも、熱的に準安定
な材料であり、従来使用されていたＮ ｉ −Ｆｅ合金
に比較して極めて熱安定性に劣ると言う問題がある０例
えば、上記Ｃｏ Ｔａ Ｚ ｒ非晶質合金膜を上部磁極
、上部磁極に用いて、第３図、第４１ｇ１と同様の構造
の薄膜磁気ヘッドを形成した。ところが、薄膜ヘッド作
製プロセス中の熱履歴によって、上部磁極のＣｏＴａＺ
ｒ非晶質磁性膜の磁気特性が劣化し、第３図、第４図の
構造の薄膜磁気ヘッドよりも再生効率の低いヘッドしか
得られなかった。
ポした高飽和磁束密度材料は、諭ずれも、熱的に準安定
な材料であり、従来使用されていたＮ ｉ −Ｆｅ合金
に比較して極めて熱安定性に劣ると言う問題がある０例
えば、上記Ｃｏ Ｔａ Ｚ ｒ非晶質合金膜を上部磁極
、上部磁極に用いて、第３図、第４１ｇ１と同様の構造
の薄膜磁気ヘッドを形成した。ところが、薄膜ヘッド作
製プロセス中の熱履歴によって、上部磁極のＣｏＴａＺ
ｒ非晶質磁性膜の磁気特性が劣化し、第３図、第４図の
構造の薄膜磁気ヘッドよりも再生効率の低いヘッドしか
得られなかった。
本発明の目的は、上述の問題を解決し、記録能力に優れ
、かつ再生効率にも優れた薄）漠磁気ヘッドを得ること
にある。
、かつ再生効率にも優れた薄）漠磁気ヘッドを得ること
にある。
（ｉ１１ｊｉ！１１を解決するための手段〕上記目的を
達成するために１本発明では、飽和磁束密度１，３Ｔ以
上の熱的に準安定な高飽和磁束密度磁性材料を上部磁極
の少なくとも一部だけ ・に適用し、下部磁極は従
来の飽和磁束密度１Ｔで熱安定性に優れたＮ ｉ −Ｆ
ｅ合金（パーマロイ）を適用することにした。
達成するために１本発明では、飽和磁束密度１，３Ｔ以
上の熱的に準安定な高飽和磁束密度磁性材料を上部磁極
の少なくとも一部だけ ・に適用し、下部磁極は従
来の飽和磁束密度１Ｔで熱安定性に優れたＮ ｉ −Ｆ
ｅ合金（パーマロイ）を適用することにした。
このような構造にする事によって、熱的に準安定な高飽
和磁束密度材料を用いても、薄膜ヘッドプロセスの熱履
歴による磁気特性劣化がなく、再生効率の優れた薄膜ヘ
ッドが得られるようになった。また、上部に高飽和磁束
密度材料を使用することによって、記録能力も、従来の
パーマロイのみを磁極に用いたヘッドよりも向上した。
和磁束密度材料を用いても、薄膜ヘッドプロセスの熱履
歴による磁気特性劣化がなく、再生効率の優れた薄膜ヘ
ッドが得られるようになった。また、上部に高飽和磁束
密度材料を使用することによって、記録能力も、従来の
パーマロイのみを磁極に用いたヘッドよりも向上した。
本発明によれば、熱的に準安定な高飽和磁束密度材料を
上部磁極に用いる構造を取ることにより。
上部磁極に用いる構造を取ることにより。
＃膜磁気ヘッド作製プロセスの熱履歴による高飽和磁束
密度材料の軟磁気特性の劣化を伴う事がないので、書き
込み能力が優れしかも、再生効率の優れた薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
密度材料の軟磁気特性の劣化を伴う事がないので、書き
込み能力が優れしかも、再生効率の優れた薄膜磁気ヘッ
ドが得られる。
以上、実施例により本発明を詳述する。
実施例１
第１図、第３図にそれぞれ本発明の一実施例による薄膜
磁気ヘッドの断面図、斜視図を示す、第１図において、
Ａ悲２０ｓ ’１’ｉＣセラミック、Ａ Ｑ ２０Ｍ
−”ｌ’ ｉ ０ｘセラミツクス、ＳｉＣ，Ｚｎフェ
ライト、Ｎ ｉ −Ｚ ｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ
ｎフェライト等からできた絶縁基板１上に、スパッタＡ
ＱｚＯδ膜１２を形成する。次に、上部磁極２として、
Ｎ ｉ −）＋’ ｅ合金スパッタ法で形成する。
磁気ヘッドの断面図、斜視図を示す、第１図において、
Ａ悲２０ｓ ’１’ｉＣセラミック、Ａ Ｑ ２０Ｍ
−”ｌ’ ｉ ０ｘセラミツクス、ＳｉＣ，Ｚｎフェ
ライト、Ｎ ｉ −Ｚ ｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ
ｎフェライト等からできた絶縁基板１上に、スパッタＡ
ＱｚＯδ膜１２を形成する。次に、上部磁極２として、
Ｎ ｉ −）＋’ ｅ合金スパッタ法で形成する。
膜厚は１．５μｍ とした０次に、磁気ギャップ３をＡ
ＱｚＯａをスパッタ法で形成する。コイル導体４の絶１
Ｍ層５としては、耐熱性ポリイミド系樹脂、あるいは、
レジストを用いる。また、コイル４はＣｕを用いてスパ
ッタ法で形成する０次に、上部磁極６は、飽和磁束密度
１．３ＴのｅｏｓｚＴａ６Ｚｒｓ非晶質合金膜をスパッ
タ法で形成する。膜厚は２．０μｍとした。さらに、約
２０μｍのＡＱｘＯｓの保ｆｉＧ７からできている。ド
部磁極２．磁気ギャップ３．コイル導体４．上部磁ｔ４
６のパターンニングは、イオンミリング法により形成す
る。
ＱｚＯａをスパッタ法で形成する。コイル導体４の絶１
Ｍ層５としては、耐熱性ポリイミド系樹脂、あるいは、
レジストを用いる。また、コイル４はＣｕを用いてスパ
ッタ法で形成する０次に、上部磁極６は、飽和磁束密度
１．３ＴのｅｏｓｚＴａ６Ｚｒｓ非晶質合金膜をスパッ
タ法で形成する。膜厚は２．０μｍとした。さらに、約
２０μｍのＡＱｘＯｓの保ｆｉＧ７からできている。ド
部磁極２．磁気ギャップ３．コイル導体４．上部磁ｔ４
６のパターンニングは、イオンミリング法により形成す
る。
ＣｏｅａＴａａＺｒｓ非晶質合金スパッタ膜は、スパッ
タ直後の状態では異方性磁界が大きいので、磁場中熱処
理する必要がある。磁場中熱処理は、ＡＱｚＯδ保護膜
を形成した後に施した。絶縁層５に耐熱性ポリイミド系
樹脂を用いた場合は、高温の磁場中熱処理ができるので
、まず、磁極のトラック幅方向に平行に８ｋＯｅ磁場を
印加して３８０℃１時間の磁場中処理を行なった後、ト
ラック幅方向に垂直に８ｋＯｓの磁場を印加して３５０
℃１時間の磁場中熱処理を施した。絶縁層５にレジスト
を用いた場合は、レジストの耐熱温度よりも磁場中熱処
理温度を低くする必要がある。このときは。
タ直後の状態では異方性磁界が大きいので、磁場中熱処
理する必要がある。磁場中熱処理は、ＡＱｚＯδ保護膜
を形成した後に施した。絶縁層５に耐熱性ポリイミド系
樹脂を用いた場合は、高温の磁場中熱処理ができるので
、まず、磁極のトラック幅方向に平行に８ｋＯｅ磁場を
印加して３８０℃１時間の磁場中処理を行なった後、ト
ラック幅方向に垂直に８ｋＯｓの磁場を印加して３５０
℃１時間の磁場中熱処理を施した。絶縁層５にレジスト
を用いた場合は、レジストの耐熱温度よりも磁場中熱処
理温度を低くする必要がある。このときは。
まず、磁極のトラック幅方向に平行に８ｋＯｅのａ場を
印加して２５０℃１時間の磁場中熱処理を行なった後、
トラック幅方向に垂直に８ｋＯｅの磁場を印加して２３
０℃１時間の磁場中熱処理を施した。比較として、ヘッ
ド構造は同じで、下部磁極２と上部磁極６ともＣ，ｏｅ
ｚＴａｓＺｒｓ非晶質合金スパッタ膜を用いたヘッドも
作製した。このヘッドを作製するときには、上部磁極を
形成した後５異方性磁界を低減させるための磁場中熱処
理を施した。このとき、まず、股の容易軸方向に８ ｋ
Ｏｅの磁場を印加して３８０℃１時間の磁場中熱処理
を行なった後、膜の困難軸方向に８ｋＯｅの磁場を印加
して３３０℃１時間の磁場中熱処理を施した。この熱処
理により、 Ｃｏ５ｚ’ｌ°ａａ７．ｒδ非晶質合金ス
パッタ膜の異方性磁界は、１６０ｅから５０ｅ程度まで
低減でき、透磁率は７００がら２５００程度まで向上で
きた。ところが、その後のプロセスを流れると、異方性
磁界が増大し、透磁率が低ドした。具体的には、例えば
、絶縁層５に耐熱性ポリイミド樹脂を用いた場合には、
約３５０’ＣＬ時間の熱履歴を経るため、異方性磁界は
元の１６０ｅ程度まで増大し、透磁率は７００まで低ド
してしまう、また、絶縁層５にレジストを用いた場合に
は、約２７５℃５時間の熱履歴を受けるため、異方性磁
界は１００ｅまで増大し、透磁率は１２００まで低ドし
た。ところが、′パーマロイ膜については、磁気特性の
劣化はなかった。
印加して２５０℃１時間の磁場中熱処理を行なった後、
トラック幅方向に垂直に８ｋＯｅの磁場を印加して２３
０℃１時間の磁場中熱処理を施した。比較として、ヘッ
ド構造は同じで、下部磁極２と上部磁極６ともＣ，ｏｅ
ｚＴａｓＺｒｓ非晶質合金スパッタ膜を用いたヘッドも
作製した。このヘッドを作製するときには、上部磁極を
形成した後５異方性磁界を低減させるための磁場中熱処
理を施した。このとき、まず、股の容易軸方向に８ ｋ
Ｏｅの磁場を印加して３８０℃１時間の磁場中熱処理
を行なった後、膜の困難軸方向に８ｋＯｅの磁場を印加
して３３０℃１時間の磁場中熱処理を施した。この熱処
理により、 Ｃｏ５ｚ’ｌ°ａａ７．ｒδ非晶質合金ス
パッタ膜の異方性磁界は、１６０ｅから５０ｅ程度まで
低減でき、透磁率は７００がら２５００程度まで向上で
きた。ところが、その後のプロセスを流れると、異方性
磁界が増大し、透磁率が低ドした。具体的には、例えば
、絶縁層５に耐熱性ポリイミド樹脂を用いた場合には、
約３５０’ＣＬ時間の熱履歴を経るため、異方性磁界は
元の１６０ｅ程度まで増大し、透磁率は７００まで低ド
してしまう、また、絶縁層５にレジストを用いた場合に
は、約２７５℃５時間の熱履歴を受けるため、異方性磁
界は１００ｅまで増大し、透磁率は１２００まで低ドし
た。ところが、′パーマロイ膜については、磁気特性の
劣化はなかった。
以上のように２して作製した、薄膜ヘッドについて保磁
力４０００ｅ、ｌ膜厚０．４μｍのγ−Ｆｅｔｕｓ塗布
媒体を用いて、スペーシング０．２５μｍで再生出力、
並びにオーバーライド特性を評価した。
力４０００ｅ、ｌ膜厚０．４μｍのγ−Ｆｅｔｕｓ塗布
媒体を用いて、スペーシング０．２５μｍで再生出力、
並びにオーバーライド特性を評価した。
表１にそれぞれのヘッドで得られた記録再生特性を示す
。
。
第１表
本発明による薄膜ヘッドは、従来のパーマロイヘッド並
みの再生出力が得られ、しかも、オーバーライド特性は
、パーマロイヘッドに比較して約１０ｄＢも向上してい
る。 Ｃｏ＠ｚＴａｓＺｒａ非晶質磁極のみを使ったヘ
ッドは、オーバーライド特性は、パーマロイヘッドより
も約１２ｄＢも向上して１）だが、再生出力は、パーマ
ロイヘッドの約７０％しか達しなかった。これらの結果
は、 Ｃｏ’ｌ’ａＨｆ系非晶質合金、 Ｃｏｌ’ａＨ
ｆＰｄ系非晶質合金等の飽和磁束密度が大きい非晶質合
金についても、同様の結果を得た。また、？’ ｅ Ｓ
ｉ Ｒｕ合金とパーマロイ合金の多層膜、あるいはＦ
ｅ Ｃ合金とパーマロイ合金との多層膜のような熱的
に準安定な結晶質材料についても同様の結果が得られた
。
みの再生出力が得られ、しかも、オーバーライド特性は
、パーマロイヘッドに比較して約１０ｄＢも向上してい
る。 Ｃｏ＠ｚＴａｓＺｒａ非晶質磁極のみを使ったヘ
ッドは、オーバーライド特性は、パーマロイヘッドより
も約１２ｄＢも向上して１）だが、再生出力は、パーマ
ロイヘッドの約７０％しか達しなかった。これらの結果
は、 Ｃｏ’ｌ’ａＨｆ系非晶質合金、 Ｃｏｌ’ａＨ
ｆＰｄ系非晶質合金等の飽和磁束密度が大きい非晶質合
金についても、同様の結果を得た。また、？’ ｅ Ｓ
ｉ Ｒｕ合金とパーマロイ合金の多層膜、あるいはＦ
ｅ Ｃ合金とパーマロイ合金との多層膜のような熱的
に準安定な結晶質材料についても同様の結果が得られた
。
実施例２
第２Ｉ３！ｌに１本発明の他の実施例に於ける薄膜磁気
ヘッドの断面を示す、第２図において、ＡＱｘＯｓ−’
１’ ｉ Ｃセラミック、Ａ Ｑ ｘｉｓ −’ｌ’
ｉ ０ｘセラミツクス、Ｓｉｎ、Ｚｎフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト等から
できた絶縁基板１上に、スパッタＡＱｘＯｓ膜１２を形
成する０次に、−上部磁極Ｌ８として、Ｎ ｉ −？’
Ｃ合金スパッタ法で形成する。膜厚は１μｍとした。
ヘッドの断面を示す、第２図において、ＡＱｘＯｓ−’
１’ ｉ Ｃセラミック、Ａ Ｑ ｘｉｓ −’ｌ’
ｉ ０ｘセラミツクス、Ｓｉｎ、Ｚｎフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライト、Ｍ ｎ −Ｚ ｎフェライト等から
できた絶縁基板１上に、スパッタＡＱｘＯｓ膜１２を形
成する０次に、−上部磁極Ｌ８として、Ｎ ｉ −？’
Ｃ合金スパッタ法で形成する。膜厚は１μｍとした。
さらに、上部磁極２９として同様にＮ ｉ −Ｆ Ｃ合
金をスパッタ法で形成する。膜厚は１．５μｍとした１
次に、磁気ギャップ３をＡＱｘＯｓをスパッタ法で形成
する。コイル導体４の絶縁層５としては、耐熱性ポリイ
ミド系樹脂、あるいは、レジストを用いる。また、コイ
ル４は、Ｃｕを用いてスパッタ法で形成する０次に、上
部磁極１１０には、飽和磁束密度１．３ＴのＣｏａｘ’
ｒａｓＺｒａ非晶質合金膜をスパッタ法で形成する。膜
厚は２．０μｍとした。
金をスパッタ法で形成する。膜厚は１．５μｍとした１
次に、磁気ギャップ３をＡＱｘＯｓをスパッタ法で形成
する。コイル導体４の絶縁層５としては、耐熱性ポリイ
ミド系樹脂、あるいは、レジストを用いる。また、コイ
ル４は、Ｃｕを用いてスパッタ法で形成する０次に、上
部磁極１１０には、飽和磁束密度１．３ＴのＣｏａｘ’
ｒａｓＺｒａ非晶質合金膜をスパッタ法で形成する。膜
厚は２．０μｍとした。
上部磁極２１１は、パーマロイで形成する。膜厚は１．
０μｍとした。最後に、約２０μｍのＡＱｘＯ２＋の保
護膜７からできている。下部磁極８゜９、磁気ギャップ
３．コイル導体４．上部磁極のパターンニング１０．１
１は、イオンミリング法により形成する＋＋ Ｃｏｇｌ
’ｌ°ａＩＩＺｒａ非晶質合金スパッタ膜は、スパッタ
直後の状態では異方性磁界が大きいので、磁場中熱処理
する必要があるのは、実施例１と同じであり、実施例１
と同様の磁場中熱処理を施した。実施例１と同じ記録再
生特性の評価を行なうと、実施例１と比較してオーバー
ライド特性はほぼ同じ、再生出力は２０％向上していた
。
０μｍとした。最後に、約２０μｍのＡＱｘＯ２＋の保
護膜７からできている。下部磁極８゜９、磁気ギャップ
３．コイル導体４．上部磁極のパターンニング１０．１
１は、イオンミリング法により形成する＋＋ Ｃｏｇｌ
’ｌ°ａＩＩＺｒａ非晶質合金スパッタ膜は、スパッタ
直後の状態では異方性磁界が大きいので、磁場中熱処理
する必要があるのは、実施例１と同じであり、実施例１
と同様の磁場中熱処理を施した。実施例１と同じ記録再
生特性の評価を行なうと、実施例１と比較してオーバー
ライド特性はほぼ同じ、再生出力は２０％向上していた
。
再生出力が向上した原因は、磁極の体積が増加したため
と考えられる。
と考えられる。
以上述べたように、本発明による上部１ｔ１極のみに、
非晶質膜、多層膜等の熱的に準安定な飽和磁束密度１
、３ ’ｒ以上の高飽和磁束密度材料を用い、上部磁極
には熱安定性に優れたＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合金膜
を用いた薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドプロセスの
熱履歴によって、高飽和磁束密度材料の軟磁気特性が劣
化しないので、記録特性のみならず、再生特性も優れた
薄膜磁気ヘッドが得られる。
非晶質膜、多層膜等の熱的に準安定な飽和磁束密度１
、３ ’ｒ以上の高飽和磁束密度材料を用い、上部磁極
には熱安定性に優れたＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合金膜
を用いた薄膜磁気ヘッドは、薄膜磁気ヘッドプロセスの
熱履歴によって、高飽和磁束密度材料の軟磁気特性が劣
化しないので、記録特性のみならず、再生特性も優れた
薄膜磁気ヘッドが得られる。
第１図は、高飽和磁束密度材料と、パーマロイを磁極に
用いた薄膜磁気ヘッドの断面図、第２ Ｉｎは、高飽和
磁束密度材料と、パーマロイを磁極に用いた薄＋１！Ａ
磁気ヘッドの断面図、第３図は薄１模磁気ヘッドの斜視
図、第４図はパーマロイのみを極性に用いた薄膜磁気ヘ
ッドの磁極部の断面図である。 １・・・基板、２・・・上部磁極、３・・・磁気ギャッ
プ、４・・・コイル、５・・・絶縁層、６・・・上部ａ
極１．７・・・保護膜、８・・・上部磁極１，９・・・
上部磁極２．１０・・・−上部磁極１，１１・・・上部
磁極２．１２・・・Ａｕｔｏｓ。 力 １ 図 粥 ２ 区 め ３ 口 ｈ ４ 記
用いた薄膜磁気ヘッドの断面図、第２ Ｉｎは、高飽和
磁束密度材料と、パーマロイを磁極に用いた薄＋１！Ａ
磁気ヘッドの断面図、第３図は薄１模磁気ヘッドの斜視
図、第４図はパーマロイのみを極性に用いた薄膜磁気ヘ
ッドの磁極部の断面図である。 １・・・基板、２・・・上部磁極、３・・・磁気ギャッ
プ、４・・・コイル、５・・・絶縁層、６・・・上部ａ
極１．７・・・保護膜、８・・・上部磁極１，９・・・
上部磁極２．１０・・・−上部磁極１，１１・・・上部
磁極２．１２・・・Ａｕｔｏｓ。 力 １ 図 粥 ２ 区 め ３ 口 ｈ ４ 記
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に下部磁極及び上部磁極よりなる磁気コア、
前記両磁極を磁気的、電気的に分離す絶縁層、および前
記絶縁層内にあつて信号の入出力を行なうコイルを形成
してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁極の一部に飽
和磁束密度１．３Ｔ以上の高飽和磁束密度磁性材料を用
い、下部磁極にＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ）合金を用いる
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、前記高飽和磁束密度磁性材料が、ＣｏＴａＺｒ、Ｃ
ｏＴａＨｆ、ＣｏＴａＨｆＰｄ系非晶質合金のいずれか
一種であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の薄膜磁気ヘッド。 ３、前記高飽和磁束密度磁性材料が、ＦｅＳｉＲｕ系合
金あるいは、Ｆｅ−Ｃ系合金とＮｉ−Ｆｅ（パーマロイ
）系合金との多層膜であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッド。 ４、基板上に下部磁極及び上部磁極よりなる磁気コア、
前記両磁極を磁気的、電気的に分離す絶縁層、および前
記絶縁層内にあつて信号の入出力を行なうコイルを形成
してなる薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁極の一部に飽
和磁束密度１．３Ｔ以上の高飽和磁束密度磁性材料を用
い、下部磁極に飽和磁束密度１ＴのＮｉ−Ｆｅ（パーマ
ロイ）合金を用いることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128818A JP2972226B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 薄膜磁気ヘツド |
| US07/525,666 US5126907A (en) | 1989-05-24 | 1990-05-21 | Thin film magnetic head having at least one magnetic core member made at least partly of a material having a high saturation magnetic flux density |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1128818A JP2972226B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19122899A Division JP3204252B2 (ja) | 1999-07-06 | 1999-07-06 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02308408A true JPH02308408A (ja) | 1990-12-21 |
| JP2972226B2 JP2972226B2 (ja) | 1999-11-08 |
Family
ID=14994177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1128818A Expired - Lifetime JP2972226B2 (ja) | 1989-05-24 | 1989-05-24 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2972226B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05120630A (ja) * | 1991-04-25 | 1993-05-18 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
| US6101068A (en) * | 1997-09-22 | 2000-08-08 | Hitachi Metals, Ltd. | MR composite-type thin-film magnetic head having an upper pole with a high saturation magnetic flux density and an intermediate pole with a high resistivity |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035316A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-23 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS60151814A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6442012A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
-
1989
- 1989-05-24 JP JP1128818A patent/JP2972226B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6035316A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-23 | Nec Corp | 薄膜磁気ヘッド |
| JPS60151814A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-09 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
| JPS6442012A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Magnetic head |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05120630A (ja) * | 1991-04-25 | 1993-05-18 | Hitachi Ltd | 磁気デイスク装置 |
| US6101068A (en) * | 1997-09-22 | 2000-08-08 | Hitachi Metals, Ltd. | MR composite-type thin-film magnetic head having an upper pole with a high saturation magnetic flux density and an intermediate pole with a high resistivity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2972226B2 (ja) | 1999-11-08 |
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