JPH04125841A - 摺動部材の保護膜とその形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、摺動部材の改良に関する。更に詳しくは本発
明は、摺動部材の耐摩耗性保護被覆の基体への結合性を
向上する技術に関する。

【従来技術】

オーディオテープカセット、ビデオテーブカセット等の
カセットテープには磁気テープの走行を適正に案内して
走行安定性を確保するために磁気テープと摺動するガイ
ドビン、その他の案内部材が設けられている。これらの
ガイドは、ビデオ用としてはステンレス鋼（ＳＵ３３０
４等）、黄銅又はアルミニウムの下地にめっき、ポリア
セタール等の硬質樹脂、またオーディオ用としてはステ
ンレス鋼、ポリスチレン等の樹脂、などが使用されてい
る。ステンレス鋼はビデオテープカセットをしては磁気
テープのバックコートの添加材である無機材粒子により
削られることがあり、ドロップアウトの原因と成り、ま
たオーディオ用としては申し分ないが非常にコストが高
くなる。 黄銅又はアルミニウムの下地にめっきではコストが高く
なり、表面粗さが小さくなるため摩擦係数が高くなり、
走行性の悪化が見れられる。ポリアセタール等の樹脂は
削れ易く、粉落ちのため記録媒体の面に付着してドロッ
プアウトの原因と成り、また摩擦係数が大きいために走
行不良を生じ易い。 一方、光ディスクや磁気ディスクでは記録媒体を環状に
構成しこれを支持して駆動するためにその中央孔に金属
製の回転ハブを嵌合固定する。回転ハブは装置側からス
ピンドルビンを受けるための中央孔と偏心位置にある駆
動ビンを受けるための軸はずれの孔とを有し、駆動ビン
はディスクを記録再生装置に装着すれば自動的にハブの
面を摺動して軸はずれの孔に嵌合する。このときハブの
表面には摩耗、擦り傷、粉落ちが発生する。 第１図は磁気ディスク装置の分解構造の概要を示し、上
ケース１１、下ケース１２の間に、回転ハブ１３を中央
孔に嵌合固定した磁気ディスク１４、およびその両側の
ライナーシート１５．１６を収納して成る１回転ハブ１
３は再生装置側の中心スピンドルビン（図示せず）を受
は入れるための四角形中央孔１７と偏心位置にある駆動
ビン（図示せず）を受は入れる軸はずれの四角形の孔１
８を有する。ディスク装置を記録再生装置に装着すれば
自動的にスピンドルビンおよび駆動ビンはこれらの孔に
侵入しようとするがこれらのビンは必ずしも孔１７．１
８と正しく整列していないから、駆動ビンはハブ１３の
面を摺動じながら回転して孔の位置を探して嵌合するに
至る。回転ハブ１３は通常ステンレス鋼（ＳＵＳ４３０
）又はそれにめっき（例えば硬質クロムめっき）をほど
こしたものなどが使用されているが、駆動ビンやスピン
ドルビンと接触する部分が何度も使用している間に次第
に摩耗して粉落ちを生じ、これがディスク面に付着する
と擬記録やドロップアウトを生じ、情報の記録読み取り
における誤動作を生じることに成る。シャッター等も、
使用毎に摺動するため、耐摩耗性を有していないと、上
述の問題を発生する。 そのほか磁気テープとの接触による磁気ヘッドの摩耗と
その粉落ちによる同様な問題もある。 般に、磁気記録再生装置、光デイスク記録再生装置等に
おける摺動部材では、それが記録媒体に近接した位置に
ある場合には摺動部材の摩耗による粉落ちで情報の記録
又は再生に誤差が生じる問題があり、出来るだけ耐摩耗
性の摺動部材が望まれれ、実際摺動部材の素材を工夫す
ることにより相当に耐摩耗性の良いものが得られている
が、費用の点で簡便に製造できることが更に望ましい。

【発明が解決すべき課題】

摺動部材の表面に耐摩耗性の保護被覆、例えばＳｉＣ，
ＴｉＮ％Ｔｉｃ、Ａｌｚ　Ｏｓを形成することが行なわ
れているが、基体との密着性、結合性が必ずしも充分で
なく、剥離による粉落ち現象が見られ、記録媒体におけ
るドロップアウトの原因となっている。 従って本発明の目的は摺動部材の耐摩耗性保護被覆の基
体に対する結合力を向上させることにある０本発明の他
の目的はこのような耐摩耗性保護被覆を製膜するための
能率の良い低コストの方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

本発明は、摺動部材の表面に、炭化水素又はそれを主体
とするプラズマ重合膜、ダイヤモンド様膜、又は金属又
は金属化合物のイオンプレーティング膜よりなるアンカ
ー層と、その表面に形成されアンカー層と同一種類の炭
化水素又はそれを主体とするプラズマ重合膜、ダイヤモ
ンド又はダイヤモンド様膜、又は金属化合物のイオンプ
レーティング膜よりなる保護被覆であってアンカー層よ
りも高硬度の保護被覆とを設けることを特徴とする。 保護被覆がプラズマ重合膜の場合にはアンカー層は炭化
水素又はそれを主体とするガスを保護被覆よりも低エネ
ルギー密度でプラズマ重合して形成される。 保護被覆がダイヤモンド又はダイヤモンド様膜の場合に
はアンカー層は保護被覆よりも低密度のダイヤモンド様
膜が出来るように条件を選択して製膜される。 保護被覆がイオンプレーティング膜の場合には保護被覆
をＴｉＣ，ＴｉＮ、ＳｉＣ，ＢＮ、Ａ１□０８、又はＣ
ｒＮで構成し、アンカー層をより低硬度となる金属化合
物で製膜する。 本発明の摺動部材は磁気テープカセットの磁気テープ案
内部材、接触する磁気ヘッド面、光ディスク又は磁気デ
ィスク装置のディスクを支持する回転ハブ等に適用でき
る。 上記の構成によると、記録再生装置に使用する摺動部材
の保護被覆はアンカー層によって基体に強力に結合し、
又生産性が良く、安価に耐摩擦性及び耐摩耗性の良い保
護被服で被覆することができる。 プラズマ　Ａの　Ａ 上に簡単に述べたように、本発明は記録再生装置等にお
ける摺動部材の表面にプラズマ重合膜を形成することを
特徴とする。プラズマ重合可能なモノマーであれば、何
でも良いが特に実質的に炭素と水素のみから成るプラズ
マ重合膜は好適である。 プラズマ重合膜を摺動部材の表面に形成するには、従来
知られている任意の千ツマーガスを使用し得る０例えば
メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、エチレ
ン、プロピレン、ブテン、ブタジェン、アセチレン、メ
チルアセチレン等の炭化水素モノマーの他、テトラメト
キシシラン等のケイ素系モノマー、テトラフルオロエチ
レン等のフッ化水素系千ツマ−、メチルメタアクリレー
ト等を挙げることができる。 特に、実質的に炭素と水素のみからなるプラズマ重合膜
は被膜を形成したもので、表面に緻密でピンホールの無
い硬質の膜を形成し、保護被覆として耐摩耗性が良好で
、長期安定性にすぐれた特性を保つことができるという
利点を有するので好ましく、中でも原子数の比（原子組
成比）で表わして好ましくはＨ／Ｃ＝１．５以下である
と三次元的に充分架橋した特性の良いプラズマ重合膜が
形成できる。このようなプラズマ重合保護膜は炭化水素
子ツマーガスの量を少なくし、反応圧力を低くし、且つ
印加電力を大きくすることにより生成し得る。すなわち
、反応圧力を低く印加電力を大きくすることにより、千
ツマー単位量あたりの分解エネルギーが大きく成って分
解が進み、架橋したプラズマ重合保護膜が形成できる。 プラズマ重合膜は屈折率が大きくなると密度が高く緻密
になり、濡れが大きくなり密着性ないし接着性があがる
。従って屈折率は１．８以上、好ましくは１．８〜２．
３である。又屈折率が低く過ぎると摩擦係数が大きくな
り又摩耗し易くなる。形成する膜の厚さは好ましくは１
００〜５０００人であり、厚さが上記の範囲よりも薄い
と耐摩耗性が減じ又厚すぎても効果が増大せず製造時間
が長くなる。 一方、アンカー層は製膜条件、特にエネルギー密度を低
下することにより製膜できる。又得られる膜のＨ／Ｃは
１．５〜２．０であり、屈折率は小さくなる。これによ
りビッカース硬度の低い軟質のアンカー層が出来る。 また、予め有機溶剤による超音波洗浄等によりプラズマ
重合膜を形成する基体金属又はプラスチックの面を清浄
化しても良い、基体金属又はプラスチックの温度を上げ
ておくことにより更に効果を上げることができる。 更に、基材の表面はプラズマ処理を施すことによりプラ
ズマ重合膜との接着性を増大することが出来る。プラズ
マ処理はＡｒ、Ｈｅ、Ｎｅ等の希ガス、Ｈ２、Ｎｚ　、
Ｃｏ、ＣＯｚ　、Ｈ，Ｏ１ＮＯｘ、ＮＯ２、ＮＨ３のガ
ス等を真空室に導入し、プラズマ化しこれを被処理物品
に接触させることにより行なわれる。プラズマ処理の条
件としては通常次ぎのものを使用する。ガス圧力０゜０
１〜１０Ｔｏｒｒにて電源は直流、交流が使用でき、交
流の周波数は５０Ｈｚから５ＧＨｚまで使用できる。サ
ンプルの形状及び量により処理条件は異なるが使用電力
１０Ｗ〜ｌ０ＫＷ処理時間０゜５秒〜１０分に設定する
ことができる（実施例１）。 本発明の保護被覆としてのプラズマ重合膜の形成に適当
なエネルギー密度Ｗ／　（ＦＭ）は１０”Ｊ／ｋｇ以上
である（Ｗはプラズマ投入電力５７秒、Ｆは原料ガス流
量ｋｇ／秒、Ｍは原料ガス分子量）、一方アンカー層を
形成するためのエネルギー密度は１０’〜ｌＯｇである
。その他キャリアガスとして水素、不活性ガス等のガス
が使用できる。このように不可避的な不純物ガスを除い
て実質的に炭素と水素のみから成る時高い耐摩耗性と下
地金属に対して良好な接着性を示すことになる。更に、
プラズマ重合膜を形成するとき、摺動部材の温度を上げ
ておくことにより更に効果を上げることができる。 次に本発明の詳細な説明する。 １、　　　１．２ 第１図に示した３、５インチ用のディスクハブを製作し
た。先ずハブの基体としてステンレス鋼を用い（比較例
１）、この基体をプラズマ重合装置に装入し、アンカー
層として圧力０．Ｉ　　Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力３５０Ｗ、
ＣＨ４２０ＳＣＣＭの条件で基体の表面に炭化水素重合
膜を成膜した。成膜処理は膜厚がエリプソメーターを用
いて測定した。得られた膜を二次電子質量分析器ＳＩＭ
Ｓで測定したところ、Ｈ／Ｃ比は１．６であった。屈折
率をエリプソメーターを用いて測定したところ１．６で
あった。 次ぎに保護被覆として圧力０．０２Ｔｏｒｒ、ＲＦ電力
５００Ｗ、ＣＨ４５ＳＣＣＭの条件で基体のの表面に炭
化水素重合膜を成膜した。成膜厚はエリプソメーターを
用いて測定した。得られた膜を二次電子質量分析器ＳＩ
ＭＳで測定したころ、Ｈ／Ｃ比は１１５であった。屈折
率をエリプソメーターを用いて測定したところ２．０で
あった（実施例１）。 比較のため実施例１でアンカー層を使用しないものを比
較例２とする。 ビッカース硬度、膜厚を測定したところ表１の通りであ
った。ただしビッカース硬度は加重１０ｇでマイクロビ
ッカース計で測定した。 又保護膜表面の摩擦係数、耐食性、耐摩耗性及び表面粗
さを測定した。結果を表２に示す。 測定ビンに２００ｇの応力を掛けて、同様に摺動し、摩
耗深さを測定した。同時にスコッチテープにて摺動面よ
り剥離した保護膜粉を接着させてその粉を１ｍｍ”当た
りの数として表わした。 一方摺動面の欠陥数は１万回摺動後の直径５０μｍ以上
の欠陥の数を摺動面に沿って全周に亙って数えた。 本発明に適するダイヤモンド様膜は種々の方法で成膜す
ることが出来るが、好ましくはイオン化蒸着法が好適に
使用できる。すなわち、真空中に炭化水素原料ガス又は
分解又は反応により炭化水素を生成し得る原料ガスを導
入し、これをイオン化させ、これを摺動部材の表面部分
中基体となる金属の面に導いてそこに析出させてダイヤ
モンド様薄膜を形成させる方法により、摺動部材を構成
出来る。この方法は低温度で実施でき、且つ結晶性の良
い膜を生成できる点及び量産がしやすい点で、他の方法
よりも好ましい。 上に簡単に述べたように、本発明は記録再生装置用の摺
動部材の表面にダイヤモンド様膜を形成することを特徴
とする。成膜方法は特にイオン化蒸着法によるダイヤモ
ンド様膜生成法が好適である。 イオン化蒸着法は炭化水素原料ガス又は分解又は反応に
より炭化水素を生成し得る原料ガス（ここに炭化水素と
はメタン、エタン、プロパン等の飽和炭化水素、エチレ
ン、プロピレン、アセチレン等の不飽和炭化水素等があ
り、分解して炭化水素を生成し得る原料ガスはメチルア
ルコール、エチルアルコール等のアルコール類、アセト
ン、メチルエチルケトン等のケトン類などがあり、又反
応して炭化水素ガスを生成する原料ガスには一酸化炭素
、二酸化炭素と水素との混合ガス等がある。また前記原
料にはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスあるいは
水素、酸素、窒素、水、酸化炭素、二酸化炭素、等の少
なくとも一種を含ませることができる）を陰極一対陰極
間のアーク放電、陰極熱フィラメント一対陰極間の熱電
子放出によるイオン化等の手段でイオン化してイオン流
とし、この流れを電場で加速して基板に差し向けること
によりダイヤモンド様薄膜を製膜する方法である６ なおイオンビームを固定し基板を移動するか、逆に基板
を固定しイオン化された炭化水素のプラズマ状のイオン
ビームな元の方向に対してほぼ直角な方向に偏向走査す
ることにより広い基板に対してダイヤモンド様薄膜の成
膜を実施できる。このような偏向磁界は、イオン流の加
速方向にたいして交差する方向の磁界を生じる永久磁石
又は電磁石を用いることにより形成することができる。 本発明の基本技術であるイオン化蒸着法は、特願昭６３
−５９３７７号及び同６３−５９３７６号等に記載され
ており、本発明の実施例ではこれらに記載された装置を
基本とした方法及び装置を用いる。 第２図に製膜装置の好ましい例を示す０図中３０は真空
容器、３１はチャンバーであり、排気系３８に接続され
て１０−’Ｔｏｒｒ程度までの高真空に引かれる。３２
は適当な駆動手段により一定方向に送られる基板Ｓの裏
面に設けられた電極であり、この場合電圧Ｖａが与えら
れている。 ３３はグリッドでイオンの加速を行なうのに使用される
。３４は熱陰極フィラメントであり、交流電源Ｉｆによ
って加熱されて熱電子を発生し、また負電位に維持され
ている。３５は原料である炭化水素ガスの供給口である
。また、フィラメント３４を取囲んで対電極３６が配置
され、フィラメントとの間に電圧Ｖｄを与える。フィラ
メント３４、対電極３６及び供給口３５の周りを取り囲
んでイオン化ガスの閉じ込め用の磁界を発生する電磁コ
イル３９が配置されている。従ってＶｄ、Ｖａ及びコイ
ルの電流を調整することにより膜質を変えることができ
る。 なお第２図においては、炭化水素ガスの原料導入通路３
７にプラズマ励起室３７゛が設けられており、これによ
りイオン化装置の効率を高めている。プラズマ励起は例
えばマイクロ波、高周波（ＲＦ波）、放射線、紫外線な
どが利用できる。 第２図の装置によって製膜方法を詳しく説明する。先ず
、チャンバー３１内を１０−’Ｔｏｒｒまで高真空とし
、ガス供給通路３７のバルブを操作して所定流量のメタ
ンガス、それと水素との混合ガス、或いはそれとＡｒ、
Ｈｅ、Ｎｅ等のキャリアガス等を各供給口３５から導入
しながら排気系３８を調整して所定のガス圧例えば１Ｏ
−ＩＴｏｒｒとする。一方、複数の熱陰極フィラメント
３４には交流電流Ｉｆを流して加熱し、フィラメント３
４と対陰極３６の間には電位差Ｖｄを印加して放電を形
成する。供給口３５から供給されたメタンガスは熱分解
されるとともにフィラメントからの熱電子と衝突してプ
ラスのイオンと電子を生じる。この電子は別の熱分解粒
子と衝突する。電磁コイルの磁界による閉じ込め作用の
下に、このような現象を繰り返すことによりメタンガス
は熱分解物質のプラスイオンと成る。 プラスイオンは電極３２、グリッド３６に印加された負
電位Ｖａにより引き寄せられ、ゆっくりと移動している
基体Ｓの、方へ向けて加速され、基板に衝突して製膜反
応を行ない、ダイヤモンド様薄膜を形成する。所望によ
り、上に述べた固定磁石を利用して更に品質の良い薄膜
を得ることができる。 形成する膜の厚さは好ましくは１００〜１０，０００人
であり、厚さが上記の範囲よりも薄いと耐摩耗性が減じ
又厚すぎても効果が増大せず製造時間が長くなる。 また、予め有機溶剤による超音波洗浄等によりダイヤモ
ンド様膜を形成する基体を清浄化しても良い。 アンカー層は低エネルギーを使用して温和な条件で形成
され、保護被覆は高エネルギーを使用して製膜される。 アンカー層の製膜はＶａ、Ｖｄ、ｖｂを低くすることで
容易に実施出来る。 次に実施例を説明する。 ２、　　　３ 比較例１のハブを使用し、この基体を第２図に示し上に
説明した製膜装置に装入し、真空容器１０内を１０′″
’Ｔ　ｏ　ｒ　ｒに排気してからメタンガスを導入しガ
ス圧を１０−’Ｔｏｒｒとして熱陰極フィラメントに放
電を起こさせた。電磁コイル３９の磁束密度は４００ガ
ウス、基板電圧Ｖａ＝２００Ｖ、Ｖｄ＝３０Ｖ基板温度
２００℃トシた。ま基板温度２シ０ 流した。 フィラメントはコイル状としその幅３ｍｍ、その周りを
取り囲む電極との隙間８ｍｍとし、送り速度４０ｍｍ／
ｈｒとした。 ついで条件をＶａ＝４５０Ｖに変え（他の条件は同じ）
、ダイヤモンド様膜による保護被覆を形成した（実施例
２）。 比較のため、実施例２でアンカー層を使用しないものを
比較例３とする。 上記のハブのビッカース硬度と膜厚を測定したところ表
１の通りであった．又その他の特性は表２の通りであっ
た。 イオンプレーティングの　合 本発明に適するイオンプレーティング膜は種々の方法で
製膜することが出来る．イオンプレーティング法は原料
金属を蒸発イオン化し、これを基体上に析出させる．ア
ーク放電を利用して金属蒸気をイオン化するアーク放電
法を以下の実施例では利用する。 本発明で摺動部材の金属基体表面の製膜に使用出来る金
属としてはＣｒ．Ｈｆ，Ｔｉ，Ｚｒ、Ｍｏ％Ｗ及びＢよ
り選んだ金属、Ｃｒ，Ｈｆ、Ｔｉ．Ｚｒ及びＢの窒化物
、Ｃｒ，Ｈｆ，Ｔｉ、Ｚｒ，Ｓｉ及びＢの炭化物、Ｔｉ
，Ｚｒ．Ｓｉ及びＳｉの酸化物、及びこれの複合物等が
好ましし１。 アンカー層の製膜に先立って摺動部材の金属基体は先に
述べたプラズマ処理により基体の表面を活性化すること
が好ましい．これに代え、あるいは更にアルコール、ア
セトン、フロン等で超音波洗浄しても良い。 アンカー層は軟質の金属又は金属化合物製膜し、保護被
覆はアンカー層の金属の化合物又はアンカー層の金属化
合物より金属含有量の少ない金属化合物より形成し、ア
ンカー層よりも保護被覆の方のビッカース硬度を高くす
る．アンカー層と保護被覆の組合せの例はＴｉＮ−Ｔｉ
、ＴｉＣ−Ｔｉ等である。 第３図のアーク放電装置によって製膜方法を詳しく説明
する。 真空チャンバー２０内を約１０””Ｔｏｒｒまで高真空
とし、ガス供給通路２１のバルブを操作して所定流量の
窒素、酸素、メタン等の反応性ガス、或いはＡｒ，Ｈｅ
，Ｎｅ等の不活性ガス、あるいはこれらの混合ガスを導
入しながら排気系２２を調整して所定のガス圧例えば１
０−’Ｔｏｒｒとする。一方、Ｃｒ，Ｔｉ等の金属蒸発
源（ターゲット）２３を陰極として構成し、アーク電源
２４から陽極（図示せず）との間にアーク電流（７０〜
２００Ａ程度）を流すとアークはアークスポットとして
陰極２３の面をランダムに走り回り、スポットの当たっ
た部分の金属は瞬時に蒸発し同時にイオン化し、真空中
に飛び出す．このイオンをバイアス電源２５により負の
バイアスに保持した基体ホルダー２７（この場合回転テ
ーブル、固定でも良い）に保持した基体（この場合ディ
スクハブ）２６に付着成長させて膜を形成する．なお、
各部の電位、電流、温度等の条件は公知文献に従って適
宜選択すれば良い。 形成する膜の厚さは好ましくは１〜２ミクロンｍであり
、厚さが上記の範囲よりも薄いと耐摩耗性が減じ又厚す
ぎても効果が増大せず製造時間が長くなる。 次に本発明の詳細な説明する。 ３、４、　　　　４ 第３図に示した装置を使用し比較例１のハブを使用して
ハブを保護した。基体を第３図に示し上に説明した製膜
装置に装入し、アンカー層を形成した。金属としてＴｉ
を使用し、真空中、アーク電流１００Ａの条件で基体の
表面にＴｉのイオンプレーティング膜を形成した。 次ぎに、保護被覆を形成した。金属としてＴｉを使用し
、Ｎ２ガス、１０−’Ｔｏｒｒ。 ５ＳＣＣＭ、アーク電流１００Ａの条件で基体の表面に
イオンプレーティング膜を形成した〈実施例３）、　こ
の保護被覆の代わりに金属としてＴｉを使用し、ＣＨ４
ガス、１０−’Ｔｏｒｒ、２００ＳＣＣＭ、アーク電流
１００Ａの条件で基体の表面にイオンプレーティング膜
を形成した（実施例４）。 実施例３においてアンカー層を使用しない場合を比較例
４とする。 諸特性の測定結果を表１．２に示す。 夫監五ゑ 比較例１の基体を使用し、金属としてＳｉを用い、実施
例１と同様にＳ１層をアンカー層として形成し、次いで
ｓ　１．ＣＨ４ガス、ｉｏ−’Ｔｏｒｒ、５ＳＣＣＭ、
アーク電流８０Ａの条件で基体の表面にイオンプレーテ
ィング膜を形成した。 結果を表１及び２に示す。 Ｋ敷匠旦エユエ玉 実施例１に示した基体を使用し、金属として実施例４．
５の保護被覆と、実施例３の保護被覆をそれぞれ保護被
覆及びアンカー層として使用したものをそれぞれ実施例
６．７とする。又アルミナをアンカー層とし実施例５の
保護被覆を使用したものを実施例８とする。 諸特性の測定結果を表１．２に示す。 なお測定は次の方法によった６表面粗さを触針式表面粗
さ計測定してどれも０．９５〜１６１０μｍの開にあっ
た。 ｌ）摩擦 ＳＵＳに硬質Ｃｒめっきを施した測定ビンを用いて、ハ
ブの表面を摺動させて測定ビンにかかる力をストレイン
ゲージにて測定した。 ２）耐摩耗性 Ｒ＝５ｍｍの先端を有する測定ビンに硬質クロムめっき
を施したものを１０００回サンプル面上に摺動させたと
きの摩耗深さを表面粗さ計によって測定した。 ３）硬度 シリコンウニへ−上にハブサンプルと同一条件で成膜し
、超微小硬度計にて測定した。 ラックの数。 ４）膜厚及び製膜速度 水晶振動式膜厚モニターを用いて測定した。Ｎ／金属比
はＥＳＣＡにより測定した。 ５）耐食性 アルミナ粉末を研磨材としてサンドブラストした後、３
％ＮａＣ１溶液に浸漬して錆の発生までの時間を測定し
た。×は一日以内、１日〜１週間を△、それ以上を超え
るときＯとした。

【作用効果】

表１と表２から、摺動部材の表面に、（ａ）アンカー層
として炭化水素又はそれを主体とするプラズマ重合膜を
、ついで保護被覆として炭化水素又はそれを主体とする
アンカー層よりも高硬度の他のプラズマ重合膜を形成す
るか、（ｂ）アンカー層としてダイヤモンド様膜を、つ
いで保護被覆としてダイヤモンド又はダイヤモンド様膜
であってアンカー層よりも高硬度の保護被覆を形成する
か、又は（ｃ）アンカー層として金属又は金属化合物の
イオンプレーティング膜を、ついで保護被覆としてアン
カー層よりも硬度の高い金属化合物のイオンプレーティ
ング膜を形成することにより、剥離性が低く、且つ耐食
性の高い保護被覆が同一の方法を使用して生産性良く、
安価に充分な結合力で被覆でき、摺動部材の改良により
記録媒体のドロップアウト又は出力低下が防止できる。 特に、保護被覆がプラズマ重合膜の場合にはアンカー層
を保護被覆よりも低エネルギー密度のプラズマ重合膜に
より構成すると連続工程で上記の条件を容易に満足でき
る。 特に、保護被覆かダイヤモンド又はダイヤモンド様膜の
場合にはアンカー層を保護被覆よりも低密度のダイヤモ
ンド様膜により構成すると連続工程で上記の条件を容易
に実現できる。 特に、保護被覆がイオンプレーティング膜の場合には保
護被覆をＴ　ｉ　Ｃ，Ｔ　ｉ　Ｎ、　Ｓ　ｉ　Ｃ，ＢＮ
％Ａ１□０３、又はＣｒＮで構成し、アンカー層を保護
被覆と同じ金属種を含み且つそれ金属富化した又は硬度
が低い金属化合物膜で構成すると連続工程で上記の条件
が容易に満足できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のディスクハブな備えた磁気ディスクケー
スの分解斜視図、第２図は本発明に利用出来るイオン化
蒸着装置の概略図、及び第３図は本発明に利用出来るイ
オンプレーティング装置の一例を示す。 第２図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）摺動部材の表面に、（ａ）炭化水素又はそれを主
   体とするプラズマ重合膜、（ｂ）ダイヤモンド様膜、又
   は（ｃ）金属又は金属化合物のイオンプレーティング膜
   よりなるアンカー層と、その表面に形成され、前記（ａ
   ）の場合には炭化水素又はそれを主体とする他のプラズ
   マ重合膜、前記（ｂ）の場合にはダイヤモンド又はダイ
   ヤモンド様膜、前記（ｃ）の場合には金属化合物のイオ
   ンプレーティング膜よりなる保護被覆であってアンカー
   層よりも高硬度の保護被覆とを設けた保護膜つき摺動部
   材。
2. （２）保護被覆がプラズマ重合膜の場合にはアンカー層
   を保護被覆よりも低エネルギー密度のプラズマ重合膜に
   より構成したことを特徴とする前記第１項記載の保護被
   覆つき摺動部材。
3. （３）保護被覆がダイヤモンド又はダイヤモンド様膜の
   場合にはアンカー層を保護被覆よりも低密度のダイヤモ
   ンド様膜により構成したことを特徴とする前記第１項記
   載の保護被覆つき摺動部材。
4. （４）保護被覆がイオンプレーティング膜の場合には保
   護被覆をＴｉＣ、ＴｉＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、Ａｌ＿２Ｏ＿
   ３、又はＣｒＮで構成し、アンカー層を保護被覆と同じ
   金属種を含み且つそれ金属富化した又は硬度が低い金属
   化合物膜で構成したことを特徴とする前記第１項記載の
   保護被覆つき摺動部材。