JPH0528465A - 磁気デイスク保護膜の製造方法 - Google Patents
磁気デイスク保護膜の製造方法Info
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- JPH0528465A JPH0528465A JP17914591A JP17914591A JPH0528465A JP H0528465 A JPH0528465 A JP H0528465A JP 17914591 A JP17914591 A JP 17914591A JP 17914591 A JP17914591 A JP 17914591A JP H0528465 A JPH0528465 A JP H0528465A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic disk
- protective film
- hard carbon
- magnetic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、硬度が高く、耐摩耗性と固体潤滑
性に優れた硬質炭素膜を保護膜として有する磁気ディス
クの製造方法に関する。 【構成】 コンピューター等の情報記録装置に用いられ
ている磁気ディスクの表面に、耐疵用の保護膜として、
硬質炭素膜を炭化水素のイオンビームを用いて形成す
る。保護膜の厚みは１（nm）以上１００（nm）以下とす
る。 【効果】 本発明の磁気ディスクを用いると、磁気ヘッ
ドを５０〜６０（nm）近づけて書き込み、読み取り操作
を行うことができ、磁気記録密度を向上できる。
性に優れた硬質炭素膜を保護膜として有する磁気ディス
クの製造方法に関する。 【構成】 コンピューター等の情報記録装置に用いられ
ている磁気ディスクの表面に、耐疵用の保護膜として、
硬質炭素膜を炭化水素のイオンビームを用いて形成す
る。保護膜の厚みは１（nm）以上１００（nm）以下とす
る。 【効果】 本発明の磁気ディスクを用いると、磁気ヘッ
ドを５０〜６０（nm）近づけて書き込み、読み取り操作
を行うことができ、磁気記録密度を向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、硬度が高く、耐摩耗性
と固体潤滑性に優れた硬質炭素膜を保護膜として有する
磁気ディスクの製造方法に関する。
と固体潤滑性に優れた硬質炭素膜を保護膜として有する
磁気ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクはコンピューター等の情報
記録装置として用いられている。磁気ディスクは、アル
ミニウムやプラスチック、ガラス等の基板上に鉄、酸
素、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッ
ケル、銅、亜鉛、カドミウム、タンタル、ネオジウム、
サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、等の元素を含
む物質を磁気記録媒体として、塗布法やスパッタリング
法にて膜状に形成させて用いられる。このような記録媒
体に磁気信号を書き込んだり読み出したりする磁気ヘッ
ドは、可能な限り磁気ディスク面に近づけて使用される
ために、振動、衝撃により磁気ヘッドが磁気ディスクに
接触することがある。その際生ずる傷から磁気ディスク
の記録媒体表面を保護するために、非磁性の保護膜を磁
気ディスクに被覆することが広く行われている。
記録装置として用いられている。磁気ディスクは、アル
ミニウムやプラスチック、ガラス等の基板上に鉄、酸
素、マグネシウム、クロム、マンガン、コバルト、ニッ
ケル、銅、亜鉛、カドミウム、タンタル、ネオジウム、
サマリウム、ガドリニウム、テルビウム、等の元素を含
む物質を磁気記録媒体として、塗布法やスパッタリング
法にて膜状に形成させて用いられる。このような記録媒
体に磁気信号を書き込んだり読み出したりする磁気ヘッ
ドは、可能な限り磁気ディスク面に近づけて使用される
ために、振動、衝撃により磁気ヘッドが磁気ディスクに
接触することがある。その際生ずる傷から磁気ディスク
の記録媒体表面を保護するために、非磁性の保護膜を磁
気ディスクに被覆することが広く行われている。
【０００３】保護膜として、二酸化珪素やアルミナ、カ
ーボン膜、有機単分子膜を、塗布法あるいはスパッタリ
ング法、蒸着法で形成したものが用いられている。さら
に、硬質炭素膜またはダイヤモンド状炭素膜を保護膜と
して用いることが、特開昭６２−１１６７４９号公報、
特開昭６２−１１６７５０号公報、特開昭６２−１３９
８７２号公報等に開示されている。
ーボン膜、有機単分子膜を、塗布法あるいはスパッタリ
ング法、蒸着法で形成したものが用いられている。さら
に、硬質炭素膜またはダイヤモンド状炭素膜を保護膜と
して用いることが、特開昭６２−１１６７４９号公報、
特開昭６２−１１６７５０号公報、特開昭６２−１３９
８７２号公報等に開示されている。
【０００４】しかしこれらの公報に開示されている平行
平板型の三極グロー放電プラズマ気相合成装置によっ
て、磁気ディスクに成膜された硬質炭素膜は剥がれやす
く、保護膜としては不充分であった。そのために、特開
平３−８３２２４号公報に開示されているように金属炭
化膜を中間層とする工夫がなされたが、膜質にむらがあ
り、本工程は現状の磁気ディスク生産ラインに採用され
るには至らなかった。
平板型の三極グロー放電プラズマ気相合成装置によっ
て、磁気ディスクに成膜された硬質炭素膜は剥がれやす
く、保護膜としては不充分であった。そのために、特開
平３−８３２２４号公報に開示されているように金属炭
化膜を中間層とする工夫がなされたが、膜質にむらがあ
り、本工程は現状の磁気ディスク生産ラインに採用され
るには至らなかった。
【０００５】以上の製法とは別に、特開昭５３−１４３
２０６号公報に不活性ガス雰囲気下での黒鉛電極放電ス
パッタリングによる炭素系被膜を磁気ディスクの保護膜
とすることが開示されているが、本方法による膜は硬度
が高いものの、炭素原子がクラスター状に堆積している
ために１０nm〜２０nm程度の表面凹凸があり、磁気ヘッ
ドを傷つけやすいという問題があった。
２０６号公報に不活性ガス雰囲気下での黒鉛電極放電ス
パッタリングによる炭素系被膜を磁気ディスクの保護膜
とすることが開示されているが、本方法による膜は硬度
が高いものの、炭素原子がクラスター状に堆積している
ために１０nm〜２０nm程度の表面凹凸があり、磁気ヘッ
ドを傷つけやすいという問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前項で述べた二酸化珪
素やアルミナは硬度及び固体潤滑性の点で充分ではな
く、カーボン膜は付着力が弱く表面が粗いので、これら
の材料は今後さらに集積度や高速回転が要求される磁気
ディスクの保護膜としては充分ではなかった。また、従
来の方法による硬質炭素膜は、膜質及び付着力が充分で
ない上に製造プロセスに起因する煤等の不純物が保護膜
中に混入しやすく、安定して成膜できないので量産化に
は問題を有していた。本発明の目的は、以上の欠点をな
くした硬質炭素膜を、磁気ディスクにコーティングする
製造方法を提供するものである。
素やアルミナは硬度及び固体潤滑性の点で充分ではな
く、カーボン膜は付着力が弱く表面が粗いので、これら
の材料は今後さらに集積度や高速回転が要求される磁気
ディスクの保護膜としては充分ではなかった。また、従
来の方法による硬質炭素膜は、膜質及び付着力が充分で
ない上に製造プロセスに起因する煤等の不純物が保護膜
中に混入しやすく、安定して成膜できないので量産化に
は問題を有していた。本発明の目的は、以上の欠点をな
くした硬質炭素膜を、磁気ディスクにコーティングする
製造方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁気ディスク
の表面に、外側の保護膜として厚み１nm以上１００nm以
下の硬質炭素膜を、炭化水素のイオンビームを用いて形
成することを特徴とする磁気ディスク保護膜の製造方法
に関する。
の表面に、外側の保護膜として厚み１nm以上１００nm以
下の硬質炭素膜を、炭化水素のイオンビームを用いて形
成することを特徴とする磁気ディスク保護膜の製造方法
に関する。
【０００８】本発明でいう硬質炭素あるいはダイヤモン
ド状炭素と別称されているものは、次のようなものであ
る。元素の構成の主体は炭素であり、天然ダイヤモンド
に準ずる硬度を持ち、非晶質で電子線回折像はハローパ
ターンを示す。ラマンスペクトルは１１００cm-1から１
７００cm-1にかけて非晶質特有の広いピークを示す。硬
質炭素膜を走査型電子顕微鏡で、１０，０００倍程度に
拡大して観察しても、結晶粒界が認められない一様な膜
である。
ド状炭素と別称されているものは、次のようなものであ
る。元素の構成の主体は炭素であり、天然ダイヤモンド
に準ずる硬度を持ち、非晶質で電子線回折像はハローパ
ターンを示す。ラマンスペクトルは１１００cm-1から１
７００cm-1にかけて非晶質特有の広いピークを示す。硬
質炭素膜を走査型電子顕微鏡で、１０，０００倍程度に
拡大して観察しても、結晶粒界が認められない一様な膜
である。
【０００９】硬質炭素膜は一般に炭化水素化合物を原料
とした気相合成法によって生成され、アルゴンイオンを
用いたラザフォード散乱分析法によると４０原子％以下
の水素を含有していることが認められており、水素が炭
素原子のダングリングボンドの部分に入ることにより非
晶質状態が安定化されると考えられている。また、約６
００℃以上で硬質炭素は黒鉛に変態する。
とした気相合成法によって生成され、アルゴンイオンを
用いたラザフォード散乱分析法によると４０原子％以下
の水素を含有していることが認められており、水素が炭
素原子のダングリングボンドの部分に入ることにより非
晶質状態が安定化されると考えられている。また、約６
００℃以上で硬質炭素は黒鉛に変態する。
【００１０】適量の水素が存在することで、硬質炭素膜
は天然ダイヤモンドに準ずる高い硬度と低い摩擦係数を
示すものと推測され、硬質炭素膜中の水素が多すぎると
軟らかい有機質の膜になる。そのため水素の割合は、ア
ルゴンイオンを用いたラザフォード散乱分析法による測
定で、膜中に３５原子％以下、好ましくは２０〜３０原
子％とすることが良い。
は天然ダイヤモンドに準ずる高い硬度と低い摩擦係数を
示すものと推測され、硬質炭素膜中の水素が多すぎると
軟らかい有機質の膜になる。そのため水素の割合は、ア
ルゴンイオンを用いたラザフォード散乱分析法による測
定で、膜中に３５原子％以下、好ましくは２０〜３０原
子％とすることが良い。
【００１１】磁気ディスク保護膜としての硬質炭素膜の
膜厚は１nm以上あれば充分であるが、量産化に適した膜
厚としては９nm以上３０nm以下が望ましい。１nm未満で
は膜厚が薄すぎ保護膜中にピンホールが発生し易く不適
当である。また１００nm超では膜厚が厚すぎ磁気ディス
クの記録密度を高くすることができなくなり、これまた
不適当である。
膜厚は１nm以上あれば充分であるが、量産化に適した膜
厚としては９nm以上３０nm以下が望ましい。１nm未満で
は膜厚が薄すぎ保護膜中にピンホールが発生し易く不適
当である。また１００nm超では膜厚が厚すぎ磁気ディス
クの記録密度を高くすることができなくなり、これまた
不適当である。
【００１２】基材から剥離した硬質炭素膜自体は、弾性
のある軟らかい膜であり、剥離すると内部応力を解消す
るために、縮んだり丸まったりし、場合によっては裂け
たりしてしまう。従って、コーティング膜として硬質炭
素膜の高硬度の物性を引き出すためには次の３つの条件
が必要と考えられる。
のある軟らかい膜であり、剥離すると内部応力を解消す
るために、縮んだり丸まったりし、場合によっては裂け
たりしてしまう。従って、コーティング膜として硬質炭
素膜の高硬度の物性を引き出すためには次の３つの条件
が必要と考えられる。
【００１３】成膜中に高速度のイオンが打ち込まれる
ことによる楔効果で、内部応力を蓄積する。 大きな内部応力にもかかわらず膜が剥離しない程度
に、膜の基材への付着力が強い。 膜から受ける応力を支えられる程に基材表面が硬い。 上記の条件，は成膜条件に依存し、炭化水素のイオ
ンビームによる成膜方法がこの条件を満たすことを見い
出した。
ことによる楔効果で、内部応力を蓄積する。 大きな内部応力にもかかわらず膜が剥離しない程度
に、膜の基材への付着力が強い。 膜から受ける応力を支えられる程に基材表面が硬い。 上記の条件，は成膜条件に依存し、炭化水素のイオ
ンビームによる成膜方法がこの条件を満たすことを見い
出した。
【００１４】さらに炭化水素を原料とするイオンビーム
法では、一つ一つのイオン種が１個の炭化水素分子のイ
オン（Ｃn Ｈm M+）か、同分子の分解したもの（Ｃn-x
Ｈm- y M+）であるので、記録媒体に妨げになる固形粒子
が混入しない。また、イオンビームが照射された箇所の
みで硬質炭素膜が成膜され、他の成膜方法で障害とな
る、グロー放電による基板台の側面等への煤状の付着物
の生成がないので、安定した量産プロセスとして採用で
きる。
法では、一つ一つのイオン種が１個の炭化水素分子のイ
オン（Ｃn Ｈm M+）か、同分子の分解したもの（Ｃn-x
Ｈm- y M+）であるので、記録媒体に妨げになる固形粒子
が混入しない。また、イオンビームが照射された箇所の
みで硬質炭素膜が成膜され、他の成膜方法で障害とな
る、グロー放電による基板台の側面等への煤状の付着物
の生成がないので、安定した量産プロセスとして採用で
きる。
【００１５】本発明に用いる硬質炭素膜のコーティング
方法としては、カウフマン型イオン源、バケット型イオ
ン源、ホール型イオン源等の各種イオン源で発生される
炭化水素分子のイオンビームを照射する方法を適用する
ことができる。ここでは図１に示すカウフマン型イオン
源によりコーティングする方法を例にして説明する。
方法としては、カウフマン型イオン源、バケット型イオ
ン源、ホール型イオン源等の各種イオン源で発生される
炭化水素分子のイオンビームを照射する方法を適用する
ことができる。ここでは図１に示すカウフマン型イオン
源によりコーティングする方法を例にして説明する。
【００１６】減圧下に硬質炭素膜の原料となる炭化水素
ガスを導入し、これをイオン源内のグロー放電と赤熱フ
ィラメント３によりイオン化させ、電磁石４の広がり磁
場でこのイオンを引き出す。電磁石で覆われたこの部分
をイオン源という。引き出されたイオンは負のバイアス
電圧がかけられた基材１に向かって加速され、基材に衝
突、成膜する。
ガスを導入し、これをイオン源内のグロー放電と赤熱フ
ィラメント３によりイオン化させ、電磁石４の広がり磁
場でこのイオンを引き出す。電磁石で覆われたこの部分
をイオン源という。引き出されたイオンは負のバイアス
電圧がかけられた基材１に向かって加速され、基材に衝
突、成膜する。
【００１７】原料ガスとしては、メタン、エタン、アセ
チレン、ベンゼン等の容易に気体として導入できる炭化
水素を用いれば良いが、中でもメタンが好ましい。水素
ガスを前述の原料ガスの希釈ガスとして用いたり、アル
ゴン、二酸化炭素、弗化炭素、シラン等他のガスを添加
してもさしつかえない。容器内の圧力は、プラズマを発
生させて、しかもイオンを加速することが必要なため、
１×１０-6Torrから１Torrでよいが、膜質、膜生成速度
の点からは１×１０-4Torrから１×１０-1Torrが望まし
い。
チレン、ベンゼン等の容易に気体として導入できる炭化
水素を用いれば良いが、中でもメタンが好ましい。水素
ガスを前述の原料ガスの希釈ガスとして用いたり、アル
ゴン、二酸化炭素、弗化炭素、シラン等他のガスを添加
してもさしつかえない。容器内の圧力は、プラズマを発
生させて、しかもイオンを加速することが必要なため、
１×１０-6Torrから１Torrでよいが、膜質、膜生成速度
の点からは１×１０-4Torrから１×１０-1Torrが望まし
い。
【００１８】基材の温度としては室温（２５℃程度）か
ら３５０℃とすると良好な薄膜が形成される。その範囲
内でも特に室温（２５℃程度）から３００℃が好ましい
範囲である。基材温度が４００℃よりも高くなると作成
される膜は黒鉛状となりやすく、またたとえ硬質炭素膜
ができても放冷して室温に戻すと、基材と膜との間の残
留熱応力が大きくなり、その後の使用中に膜が剥離し易
くなる。
ら３５０℃とすると良好な薄膜が形成される。その範囲
内でも特に室温（２５℃程度）から３００℃が好ましい
範囲である。基材温度が４００℃よりも高くなると作成
される膜は黒鉛状となりやすく、またたとえ硬質炭素膜
ができても放冷して室温に戻すと、基材と膜との間の残
留熱応力が大きくなり、その後の使用中に膜が剥離し易
くなる。
【００１９】基材とイオン源との間のバイアス電圧は−
５０Ｖから−１５００Ｖとし、中でも−５００Ｖから−
１２００Ｖが好ましい範囲である。炭化水素イオンがバ
イアス電圧により加速されて基材に衝突すると、衝突エ
ネルギーにより衝突したイオンのＣ−Ｈ結合が切れて、
水素原子は弾き出されてしまう。
５０Ｖから−１５００Ｖとし、中でも−５００Ｖから−
１２００Ｖが好ましい範囲である。炭化水素イオンがバ
イアス電圧により加速されて基材に衝突すると、衝突エ
ネルギーにより衝突したイオンのＣ−Ｈ結合が切れて、
水素原子は弾き出されてしまう。
【００２０】この水素原子が弾き出される量は、衝突す
るイオンの運動エネルギー即ちバイアス電圧に従ってお
り、バイアス電圧が小さ過ぎると水素が多い有機的な軟
らかい膜になりやすく、バイアス電圧が高過ぎると黒鉛
状の膜になり、さらには膜の自己スパッタリングが生じ
成膜速度が低下する。
るイオンの運動エネルギー即ちバイアス電圧に従ってお
り、バイアス電圧が小さ過ぎると水素が多い有機的な軟
らかい膜になりやすく、バイアス電圧が高過ぎると黒鉛
状の膜になり、さらには膜の自己スパッタリングが生じ
成膜速度が低下する。
【００２１】イオン源での磁束密度は１００Ｇから１０
００Ｇの範囲が適当であり、３００Ｇから５００Ｇがよ
り好ましい範囲である。詳細な製造条件は、装置内のガ
ス導入口の配置、イオン源の大きさ、基材の位置などに
よって変化するので適宜、最適条件を設定することが望
ましい。
００Ｇの範囲が適当であり、３００Ｇから５００Ｇがよ
り好ましい範囲である。詳細な製造条件は、装置内のガ
ス導入口の配置、イオン源の大きさ、基材の位置などに
よって変化するので適宜、最適条件を設定することが望
ましい。
【００２２】
【実施例】硬質炭素膜の成膜には図１に示すカウフマン
型イオン源を用いた。メタンガスに水素ガスを５vol.％
添加したものを原料として、気圧１×１０-2Torr、磁気
ディスク基材バイアス電圧−８００Ｖ、磁気ディスク基
材温度３００℃、イオン電流１mA／cm2 の条件で１分間
照射した結果、２０nm厚の硬質炭素膜が磁気ディスク基
板上に一様に成膜できた。
型イオン源を用いた。メタンガスに水素ガスを５vol.％
添加したものを原料として、気圧１×１０-2Torr、磁気
ディスク基材バイアス電圧−８００Ｖ、磁気ディスク基
材温度３００℃、イオン電流１mA／cm2 の条件で１分間
照射した結果、２０nm厚の硬質炭素膜が磁気ディスク基
板上に一様に成膜できた。
【００２３】生成した硬質炭素膜の水素含有量は２６原
子％であり、電子線回折像はハローパターンを示した。
ラマンスペクトルでは１１００cm-1付近から１７００cm
-1付近にかけて広いピークを示した。先端に直径１．６
mmダイヤモンド球を有する針による引掻き試験法での膜
の付着力は、５×１０7 Ｎ／ｍ2 であった。
子％であり、電子線回折像はハローパターンを示した。
ラマンスペクトルでは１１００cm-1付近から１７００cm
-1付近にかけて広いピークを示した。先端に直径１．６
mmダイヤモンド球を有する針による引掻き試験法での膜
の付着力は、５×１０7 Ｎ／ｍ2 であった。
【００２４】同じく引掻き試験法による硬質炭素膜の摩
擦係数は０．１０であった。表面粗度はＲMAX ＝０．５
nm以下であった。磁気ディスク基材を入れ換えて同じく
イオンビームを１分間照射する操作を１０００回繰り返
し、１０００回目に成膜した磁気ディスク保護膜を分析
した結果、１回目に成膜したものと全く同様の結果を示
し、不純物の混入及び膜物性の劣化は認められなかっ
た。
擦係数は０．１０であった。表面粗度はＲMAX ＝０．５
nm以下であった。磁気ディスク基材を入れ換えて同じく
イオンビームを１分間照射する操作を１０００回繰り返
し、１０００回目に成膜した磁気ディスク保護膜を分析
した結果、１回目に成膜したものと全く同様の結果を示
し、不純物の混入及び膜物性の劣化は認められなかっ
た。
【００２５】膜の耐摩耗性は以下のようにして評価し
た。マンガン−亜鉛−フェライトからなる磁気ヘッド
を、磁気ディスク保護膜上に５０gf／cm2 の荷重で押し
付ける。次に、磁気ディスクを回転させて磁気ヘッドを
浮上させ、その後回転を停止して磁気ヘッドを再び保護
膜表面に接触させることを繰り返す。このコンタクト、
スタート、ストップ試験を、本実施例の磁気ディスクに
２５万回施したところ、いずれの磁気ディスクにも摩耗
が生じなかった。
た。マンガン−亜鉛−フェライトからなる磁気ヘッド
を、磁気ディスク保護膜上に５０gf／cm2 の荷重で押し
付ける。次に、磁気ディスクを回転させて磁気ヘッドを
浮上させ、その後回転を停止して磁気ヘッドを再び保護
膜表面に接触させることを繰り返す。このコンタクト、
スタート、ストップ試験を、本実施例の磁気ディスクに
２５万回施したところ、いずれの磁気ディスクにも摩耗
が生じなかった。
【００２６】
【発明の効果】本発明により、硬質炭素膜を磁気ディス
クにコーティングする量産化に適した製造方法が提供さ
れ、磁気ヘッドとの衝突摩耗に強い磁気ディスクを製造
できる。
クにコーティングする量産化に適した製造方法が提供さ
れ、磁気ヘッドとの衝突摩耗に強い磁気ディスクを製造
できる。
【図１】図１はイオン化蒸着装置の原理図である。
【符号の説明】 １ 基材 ２ グリッド ３ フィラメント ４ 電磁石 ５ ガス導入管 ６ シャッター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 巧 神奈川県中原区井田1618番地 新日本製鐵 株式会社先端技術研究所内 (72)発明者 佐藤 真樹 神奈川県中原区井田1618番地 新日本製鐵 株式会社先端技術研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 磁気ディスクの表面に、外側の保護膜と
して厚み１nm以上１００nm以下の硬質炭素膜を、炭化水
素のイオンビームを用いて形成することを特徴とする磁
気ディスク保護膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17914591A JPH0528465A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 磁気デイスク保護膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17914591A JPH0528465A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 磁気デイスク保護膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528465A true JPH0528465A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16060761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17914591A Withdrawn JPH0528465A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 磁気デイスク保護膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403194B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, process for producing same and magnetic disc apparatus |
| CN100338651C (zh) * | 2004-08-31 | 2007-09-19 | 株式会社东芝 | 磁头、磁头悬架组件、磁性再现设备以及制造磁头的方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17914591A patent/JPH0528465A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6403194B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-06-11 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium, process for producing same and magnetic disc apparatus |
| US7037607B2 (en) | 1998-09-03 | 2006-05-02 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording medium, process for producing same and magnetic disc apparatus |
| CN100338651C (zh) * | 2004-08-31 | 2007-09-19 | 株式会社东芝 | 磁头、磁头悬架组件、磁性再现设备以及制造磁头的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981008 |