JPH0412681Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0412681Y2 JPH0412681Y2 JP1986036663U JP3666386U JPH0412681Y2 JP H0412681 Y2 JPH0412681 Y2 JP H0412681Y2 JP 1986036663 U JP1986036663 U JP 1986036663U JP 3666386 U JP3666386 U JP 3666386U JP H0412681 Y2 JPH0412681 Y2 JP H0412681Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- chip
- semiconductor device
- resin
- stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(a) 技術分野
この考案は、ICチツプを樹脂モールドした半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
(b) 従来技術とその欠点
第４図に示した半導体装置のように樹脂モール
ド２で封止したICチツプ１は、従来、拡散やホ
トエツチングなどの工程を経たウエハに切り溝を
形成し、この切り溝を境としてウエハを分割する
ことによつて製作されている。
ド２で封止したICチツプ１は、従来、拡散やホ
トエツチングなどの工程を経たウエハに切り溝を
形成し、この切り溝を境としてウエハを分割する
ことによつて製作されている。
しかし、従来の半導体装置においては、樹脂成
型後熱収縮が起きるためワイヤ４によつてリード
フレーム３などに接続されたICチツプ１の能動
部に樹脂モールド２に存在する内部応力が加わつ
てIC回路の抵抗値などの電気特性が変動しやす
いという欠点があつた。
型後熱収縮が起きるためワイヤ４によつてリード
フレーム３などに接続されたICチツプ１の能動
部に樹脂モールド２に存在する内部応力が加わつ
てIC回路の抵抗値などの電気特性が変動しやす
いという欠点があつた。
そこで、例えば特開昭57−56921号公報に記載
されているように、ICチツプの表、裏面の少な
くとも一面の外周部に一条の溝部を形成した半導
体装置が提案されているが、この例のように、
ICチツプ周辺部にただ単に溝部を形成して封止
するだけでは、溝内に樹脂が浸入するおそれがあ
る。溝内に樹脂が浸入すれば、ICチツプの周辺
部に作用する内部応力が溝内の樹脂を介して、
ICチツプの能動部にまで作用してしまう。従つ
て溝内に樹脂が浸入しないように、充分幅の狭い
溝を形成しなければならなかつた。
されているように、ICチツプの表、裏面の少な
くとも一面の外周部に一条の溝部を形成した半導
体装置が提案されているが、この例のように、
ICチツプ周辺部にただ単に溝部を形成して封止
するだけでは、溝内に樹脂が浸入するおそれがあ
る。溝内に樹脂が浸入すれば、ICチツプの周辺
部に作用する内部応力が溝内の樹脂を介して、
ICチツプの能動部にまで作用してしまう。従つ
て溝内に樹脂が浸入しないように、充分幅の狭い
溝を形成しなければならなかつた。
(c) 考案の目的
この考案は従来の欠点を改善するもので、樹脂
モールドに内部応力が存在していても、その内部
応力がICチツプの能動部に加わりにくい構造の
半導体装置を提供することを目的とする。
モールドに内部応力が存在していても、その内部
応力がICチツプの能動部に加わりにくい構造の
半導体装置を提供することを目的とする。
(d) 考案の構成及び効果
上記目的を達成するため、この考案は、周囲に
溝を形成したICチツプを樹脂封止してなる半導
体装置であつて、前記溝内に応力緩衝材を充填し
たことを特徴とする。
溝を形成したICチツプを樹脂封止してなる半導
体装置であつて、前記溝内に応力緩衝材を充填し
たことを特徴とする。
このように構成することにより、樹脂モールド
に存在している内部応力がICチツプに加わると
しても、その影響がICチツプの周囲に形成され
た溝およびその溝内の応力緩衝材によつてしや断
される。そのため、この溝よりも内側にICチツ
プの能動部を形成しておけば、能動部には上記内
部応力が加わりにくくなる。したがつて、樹脂モ
ールドに存在している内部応力の影響による半導
体装置の電気特性の変動を少なくすることができ
る。
に存在している内部応力がICチツプに加わると
しても、その影響がICチツプの周囲に形成され
た溝およびその溝内の応力緩衝材によつてしや断
される。そのため、この溝よりも内側にICチツ
プの能動部を形成しておけば、能動部には上記内
部応力が加わりにくくなる。したがつて、樹脂モ
ールドに存在している内部応力の影響による半導
体装置の電気特性の変動を少なくすることができ
る。
(e) 実施例
第１図は溝内の応力緩衝材を除いて表した、こ
の考案の実施例による半導体装置に用いられる
ICチツプの斜視図、第２図はその断面図である。
の考案の実施例による半導体装置に用いられる
ICチツプの斜視図、第２図はその断面図である。
第１図及び第２図に示すように、ICチツプ１
にはその表面から切り込まれた一定深さの溝５…
がその全周囲に亘つて形成されており、この溝５
…の内側部分、つまり溝５…によつて囲まれた部
分がボンデイングパツド７…を有する能動部６と
なつている。
にはその表面から切り込まれた一定深さの溝５…
がその全周囲に亘つて形成されており、この溝５
…の内側部分、つまり溝５…によつて囲まれた部
分がボンデイングパツド７…を有する能動部６と
なつている。
このようなICチツプ１の周囲に形成された溝
５の内部にはシリコーンゴム、合成ゴムまたは天
然ゴムのいずれかが充填される。そして、第１図
に示すように、ワイヤ４を用いてワイヤボンデイ
ングされ、全体が樹脂モールドされる。（第１図
では溝５の形状を明瞭化するために、溝内に充填
されている応力緩衝材を省略して描いている。） このように構成したことにより、ICチツプ１
に樹脂モールドの内部応力が加わつた際、溝より
さらに外周部は弾性変形に近い状態で変形し、溝
下部に応力集中が生じる。そのため、ICチツプ
１の能動部６への応力の影響が著しく軽減され
る。
５の内部にはシリコーンゴム、合成ゴムまたは天
然ゴムのいずれかが充填される。そして、第１図
に示すように、ワイヤ４を用いてワイヤボンデイ
ングされ、全体が樹脂モールドされる。（第１図
では溝５の形状を明瞭化するために、溝内に充填
されている応力緩衝材を省略して描いている。） このように構成したことにより、ICチツプ１
に樹脂モールドの内部応力が加わつた際、溝より
さらに外周部は弾性変形に近い状態で変形し、溝
下部に応力集中が生じる。そのため、ICチツプ
１の能動部６への応力の影響が著しく軽減され
る。
第３図は第１図および第２図に示すICチツプ
を製作するためのウエハを、溝内の応力緩衝材を
除いた状態で示す要部断面図である。第３図に示
すように、拡散やホトエツチングなどの工程を経
たウエハ８には、分割用の切り溝９を挟む両側に
溝５，５が形成されている。溝５，５内に応力緩
衝材を封入するためには、このようなウエハの状
態で、能動部に素子を形成した後、溝５，５を形
成し、ついで溝５内にシリコーンゴム、合成ゴム
または天然ゴムなどの応力緩衝材を充填し、その
後、分割用切り溝９を形成する。そして、溝９を
境として分割すると、第１図及び第２図に示した
ICチツプ１が得られる。なお、溝５の深さを切
り溝９の深さよりも浅くしておくと、切り溝９の
部分の強度が溝５の部分の強度よりも弱くなるの
で、ウエハ８を分割するときに、このウエハ８が
誤つて溝５の部分で分割されることが防止され
る。
を製作するためのウエハを、溝内の応力緩衝材を
除いた状態で示す要部断面図である。第３図に示
すように、拡散やホトエツチングなどの工程を経
たウエハ８には、分割用の切り溝９を挟む両側に
溝５，５が形成されている。溝５，５内に応力緩
衝材を封入するためには、このようなウエハの状
態で、能動部に素子を形成した後、溝５，５を形
成し、ついで溝５内にシリコーンゴム、合成ゴム
または天然ゴムなどの応力緩衝材を充填し、その
後、分割用切り溝９を形成する。そして、溝９を
境として分割すると、第１図及び第２図に示した
ICチツプ１が得られる。なお、溝５の深さを切
り溝９の深さよりも浅くしておくと、切り溝９の
部分の強度が溝５の部分の強度よりも弱くなるの
で、ウエハ８を分割するときに、このウエハ８が
誤つて溝５の部分で分割されることが防止され
る。
第１図は溝内の応力緩衝材を除いて表した、こ
の考案の実施例による半導体装置に用いられる
ICチツプの斜視図、第２図は同ICチツプの断面
図である。第３図は第１図および第２図に示す
ICチツプを製作するためのウエハを、溝内の応
力緩衝材を除いた状態で示す要部断面図である。
第４図は一般的な半導体装置の断面図である。 １……ICチツプ、２……樹脂モールド、５…
…溝。
の考案の実施例による半導体装置に用いられる
ICチツプの斜視図、第２図は同ICチツプの断面
図である。第３図は第１図および第２図に示す
ICチツプを製作するためのウエハを、溝内の応
力緩衝材を除いた状態で示す要部断面図である。
第４図は一般的な半導体装置の断面図である。 １……ICチツプ、２……樹脂モールド、５…
…溝。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 周囲に溝を形成したICチツプを樹脂封止し
てなる半導体装置であつて、 前記溝内に応力緩衝材を充填したことを特徴
とする半導体装置。 (2) 前記応力緩衝材はシリコーンゴム、合成ゴム
または天然ゴムの何れかからなる実用新案登録
請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986036663U JPH0412681Y2 (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986036663U JPH0412681Y2 (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149846U JPS62149846U (ja) | 1987-09-22 |
| JPH0412681Y2 true JPH0412681Y2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=30847277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986036663U Expired JPH0412681Y2 (ja) | 1986-03-12 | 1986-03-12 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412681Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5756921A (en) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
-
1986
- 1986-03-12 JP JP1986036663U patent/JPH0412681Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62149846U (ja) | 1987-09-22 |
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