JPH04127432A - 常圧ｃｖｄ装置 - Google Patents
常圧ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH04127432A JPH04127432A JP24959690A JP24959690A JPH04127432A JP H04127432 A JPH04127432 A JP H04127432A JP 24959690 A JP24959690 A JP 24959690A JP 24959690 A JP24959690 A JP 24959690A JP H04127432 A JPH04127432 A JP H04127432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- temperature
- heating
- semiconductor wafer
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 13
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、半導体製造プロセスに使用される常圧Ｃ１
ＶＤ装置の改良に係り、反応ガス分離用不活性ガスをウ
ェーハの加熱温度域まで加熱することにより、ガス噴射
時に生じる半導体ウェーハ表面の温度差を軽減して得ら
れる膜厚の均一性を向上させた常圧ＣＶＤ装置に関する
。
ＶＤ装置の改良に係り、反応ガス分離用不活性ガスをウ
ェーハの加熱温度域まで加熱することにより、ガス噴射
時に生じる半導体ウェーハ表面の温度差を軽減して得ら
れる膜厚の均一性を向上させた常圧ＣＶＤ装置に関する
。
従来の技術
一般的な常圧ＣＶＤ装置は、第４図に示すようにコンベ
アベルト（１）により半導体ウェーハ（２）ヲヒーター
（３）により加熱された２マッフル（４）内に搬送し、
反応ガスのＳｉＨ４，０２及び反応ガスを分離させるた
めのＮ２などの不活性ガスを、噴射口を同心状に配置し
たノズル（５）より、加熱された半導体ウェーハ（２）
に表面に噴射させて、化学反応させＳｉＯ２膜をウェー
ハ表面に成長させる構成からなっている。
アベルト（１）により半導体ウェーハ（２）ヲヒーター
（３）により加熱された２マッフル（４）内に搬送し、
反応ガスのＳｉＨ４，０２及び反応ガスを分離させるた
めのＮ２などの不活性ガスを、噴射口を同心状に配置し
たノズル（５）より、加熱された半導体ウェーハ（２）
に表面に噴射させて、化学反応させＳｉＯ２膜をウェー
ハ表面に成長させる構成からなっている。
各種ガスを半導体ウェーハ（２）に表面に噴射するため
のノズル（５）の詳細は、第５図に示す如く、３つの噴
射口を同心状に配置してあり、このＳｉＯ２膜を成長さ
せる過程において、中心部ノズル（６）より反応ガスの
ＳｉＨ４、最外周ノズル（８）より０２ガスを噴射し、
ヒーター（３）によって３５０〜４５０℃に加熱された
半導体ウェーハ（２）上にＳｉＯ２膜を成長させるが、
ノズル（６Ｘ８）出口から半導体ウェーハ（２）に至る
までにおける両者間の反応を防止するため、両ノズル（
６Ｘ８）間の中間ノズル（７）よりＮ２ガスをパージし
ていた。
のノズル（５）の詳細は、第５図に示す如く、３つの噴
射口を同心状に配置してあり、このＳｉＯ２膜を成長さ
せる過程において、中心部ノズル（６）より反応ガスの
ＳｉＨ４、最外周ノズル（８）より０２ガスを噴射し、
ヒーター（３）によって３５０〜４５０℃に加熱された
半導体ウェーハ（２）上にＳｉＯ２膜を成長させるが、
ノズル（６Ｘ８）出口から半導体ウェーハ（２）に至る
までにおける両者間の反応を防止するため、両ノズル（
６Ｘ８）間の中間ノズル（７）よりＮ２ガスをパージし
ていた。
発明が解決しようとする課題
しかし、上記の従来装置によれば、成膜されたＳｉＯ２
膜厚にばらつきが生じる問題があった。
膜厚にばらつきが生じる問題があった。
そこで、２マッフル（４）内の温度分布を測定したとこ
ろ、第６図に示す如く、ノズル（５）を配置した箇所の
下方近傍に温度低下がみられた。
ろ、第６図に示す如く、ノズル（５）を配置した箇所の
下方近傍に温度低下がみられた。
これは、半導体ウェーハ表面でＳｉＨ４と０２ガスを化
学反応をさせる際に、同時にＳｉＨ４と０２を分離する
ためのＮ２ガスを流し込むことにより、半導体ウェーハ
表面が冷却され温度差が生じたもので、結果としてＳｉ
Ｏ２膜厚にばらつきが生じることを知見した。
学反応をさせる際に、同時にＳｉＨ４と０２を分離する
ためのＮ２ガスを流し込むことにより、半導体ウェーハ
表面が冷却され温度差が生じたもので、結果としてＳｉ
Ｏ２膜厚にばらつきが生じることを知見した。
この発明は、従来装置によるＳｉＯ２膜厚にばらつきが
生じる問題を解消することを目的とし、半導体ウェーハ
表面温度差を軽減することにより、ＳｉＯ２膜厚のばら
つきをなくすことができる構成からなる常圧ＣＶＤ装置
の提供を目的としている。
生じる問題を解消することを目的とし、半導体ウェーハ
表面温度差を軽減することにより、ＳｉＯ２膜厚のばら
つきをなくすことができる構成からなる常圧ＣＶＤ装置
の提供を目的としている。
課題を解決するための手段
この発明は、
反応ガス及び反応ガス分離用不活性ガスを、加熱された
ウェーハ上に噴射させて、ウェーハ表面にＳｉＯ２膜を
成長させる常圧ＣＶＤ装置において、不活性ガスをウェ
ーハの加熱温度域まで加熱可能な加熱手段を設けたこと
を特徴とする常圧ＣＶＤ装置である。
ウェーハ上に噴射させて、ウェーハ表面にＳｉＯ２膜を
成長させる常圧ＣＶＤ装置において、不活性ガスをウェ
ーハの加熱温度域まで加熱可能な加熱手段を設けたこと
を特徴とする常圧ＣＶＤ装置である。
また、この発明は、上記構成において、２マッフル内の
加熱温度測定手段と、測定した２マッフル内の雰囲気温
度に応じて不活性ガスの加熱温度を決定し加熱手段を制
御する制御手段を設けたことを特徴とする常圧ＣＶＤ装
置である。
加熱温度測定手段と、測定した２マッフル内の雰囲気温
度に応じて不活性ガスの加熱温度を決定し加熱手段を制
御する制御手段を設けたことを特徴とする常圧ＣＶＤ装
置である。
さらに、この発明は、上記各構成において、ウェーハ表
面の加熱温度測定手段と、測定したウェーハ表面加熱温
度に応じて不活性ガスの加熱温度を決定し加熱手段を制
御する制御手段を設けたことを特徴とする常圧ＣＶＤ装
置である。
面の加熱温度測定手段と、測定したウェーハ表面加熱温
度に応じて不活性ガスの加熱温度を決定し加熱手段を制
御する制御手段を設けたことを特徴とする常圧ＣＶＤ装
置である。
作用
この発明は、反応ガス分離用として反応ガス量の士数倍
も大量に導入される不活性ガスが、ガス噴射時に半導体
ウェーハ表面を冷却していることに鑑み、この不活性ガ
スを例えばウェーハの加熱温度域まで加熱することによ
り、ガス噴射時に生じる半導体ウェーハ表面の温度差を
軽減でき、成膜する膜厚の均一性を向上することを要旨
とする。
も大量に導入される不活性ガスが、ガス噴射時に半導体
ウェーハ表面を冷却していることに鑑み、この不活性ガ
スを例えばウェーハの加熱温度域まで加熱することによ
り、ガス噴射時に生じる半導体ウェーハ表面の温度差を
軽減でき、成膜する膜厚の均一性を向上することを要旨
とする。
また、反応ガス分離用不活性ガスは、前述の中間ノズル
よりパージされるほか、各反応ガス中にキャリアガスと
して混入されるため、パージ用不活性ガスをウェーハの
加熱温度域あるいはそれを越える温度域まで加熱するほ
か、上記キャリアガス用不活性ガスを後述するパージ用
不活性ガスの加熱手段、制御手段で加熱すことが望まし
いが、反応ガスを活性化させすぎるほど加熱すると、成
膜制御が困難となるため、例えば、０２ガスのキャリア
カニスは４００〜４５０℃程度まで、ＳｉＨ４ガスのキ
ャリアガスは３００℃程度まで加熱することが好ましい
。
よりパージされるほか、各反応ガス中にキャリアガスと
して混入されるため、パージ用不活性ガスをウェーハの
加熱温度域あるいはそれを越える温度域まで加熱するほ
か、上記キャリアガス用不活性ガスを後述するパージ用
不活性ガスの加熱手段、制御手段で加熱すことが望まし
いが、反応ガスを活性化させすぎるほど加熱すると、成
膜制御が困難となるため、例えば、０２ガスのキャリア
カニスは４００〜４５０℃程度まで、ＳｉＨ４ガスのキ
ャリアガスは３００℃程度まで加熱することが好ましい
。
パージ用不活性ガスの加熱手段は、実施例に示す如き、
不活性ガスの供給管をこれに巻回したタンクルヒーター
により加熱し、通過するガスを加熱する手段のほか、熱
媒と不活性ガスを直接接触させない構成の熱交換器にて
加熱する方法などが採用でき、高温となった不活性ガス
の高熱で不純物などが溶出しないよう配管や熱交換器等
の材質を選定する必要があり、例えば石英製のノズル配
管を用いることが好ましい。
不活性ガスの供給管をこれに巻回したタンクルヒーター
により加熱し、通過するガスを加熱する手段のほか、熱
媒と不活性ガスを直接接触させない構成の熱交換器にて
加熱する方法などが採用でき、高温となった不活性ガス
の高熱で不純物などが溶出しないよう配管や熱交換器等
の材質を選定する必要があり、例えば石英製のノズル配
管を用いることが好ましい。
２マッフル内の加熱温度測定手段は、熱電対などの温度
センサを２マッフル内の所要箇所に配設して、２マッフ
ル内の雰囲気温度を測定したり、不活性ガスのノズル先
端部あるいはその近傍内周面に熱電対などの温度センサ
を埋設して、不活性ガスの加熱温度あるいはノズル近傍
の温度を測定して、２マッフル内の雰囲気温度の測定の
補足するのもよい。
センサを２マッフル内の所要箇所に配設して、２マッフ
ル内の雰囲気温度を測定したり、不活性ガスのノズル先
端部あるいはその近傍内周面に熱電対などの温度センサ
を埋設して、不活性ガスの加熱温度あるいはノズル近傍
の温度を測定して、２マッフル内の雰囲気温度の測定の
補足するのもよい。
ウェーハ表面の加熱温度測定手段は、２マッフル内の所
要箇所から間接的にウェーハ表面温度を測定したり、ノ
ズル先端部にセンサを埋設して間接的にウェーハ表面温
度を測定することができる。
要箇所から間接的にウェーハ表面温度を測定したり、ノ
ズル先端部にセンサを埋設して間接的にウェーハ表面温
度を測定することができる。
パージ用不活性ガスの加熱温度を所要温度に調整、維持
するための加熱手段を制御する制御手段は、加熱手段の
構成に応じて適宜選定されるが、例えば、不活性ガスの
供給管に巻回した電気ヒーターの場合、供給管表面温度
を測定して所要温度となるように電源の電圧、電流、周
波数を制御するオープンループ制御、さらに不活性ガス
のノズル先端部あるいはその近傍内周面に埋設した熱電
対なと測定した不活性ガスの加熱温度をフィードバック
するクローズトループ制御することができる。
するための加熱手段を制御する制御手段は、加熱手段の
構成に応じて適宜選定されるが、例えば、不活性ガスの
供給管に巻回した電気ヒーターの場合、供給管表面温度
を測定して所要温度となるように電源の電圧、電流、周
波数を制御するオープンループ制御、さらに不活性ガス
のノズル先端部あるいはその近傍内周面に埋設した熱電
対なと測定した不活性ガスの加熱温度をフィードバック
するクローズトループ制御することができる。
また、不活性ガスの加熱温度を制御する制御器に、測定
した２マッフル内の雰囲気温度あるいはウェーハ表面の
加熱温度信号をフィードバックして、不活性ガス温度を
所要範囲にあるいはウェーハ表面温度になるようクロー
ズトループ制御器ることができる。
した２マッフル内の雰囲気温度あるいはウェーハ表面の
加熱温度信号をフィードバックして、不活性ガス温度を
所要範囲にあるいはウェーハ表面温度になるようクロー
ズトループ制御器ることができる。
さらに、ウェーハを加熱するヒーターの加熱温度信号を
フィードバックすることもできる。
フィードバックすることもできる。
実施例
この発明による常圧ＣＶＤ装置は、前述した従来装置の
構成において、第１図に示す如く、Ｎ２ガスパージする
ための中間ノズル（７）の上流側ガス供給管に、タンタ
ルヒーター（１０）を付設してその加熱温度制御を電源
の電流を調整する制御器（１１）で行う構成となしであ
る。
構成において、第１図に示す如く、Ｎ２ガスパージする
ための中間ノズル（７）の上流側ガス供給管に、タンタ
ルヒーター（１０）を付設してその加熱温度制御を電源
の電流を調整する制御器（１１）で行う構成となしであ
る。
タンタルヒーター（１０）の制御器（１１）はＮ２ガス
供給管温度を測定する温度センサーからの信号にて出力
制御するほか、０２ガス供給用最外周ノズル（８）の先
端近傍に付設した２マッフル内の雰囲気温度センサーか
らの信号をフィードバックするクローズトループ制御す
る構成からなる。
供給管温度を測定する温度センサーからの信号にて出力
制御するほか、０２ガス供給用最外周ノズル（８）の先
端近傍に付設した２マッフル内の雰囲気温度センサーか
らの信号をフィードバックするクローズトループ制御す
る構成からなる。
０２、ＳｉＨ４、Ｎ２ガスを各供給ノズル（６Ｘ７Ｘ８
）より、下記条件で送り込み、そのうちのＮ２ガスを加
熱（３５０〜４５０℃）された半導体ウェーハ（２）と
同温域となるまで加熱して供給した。
）より、下記条件で送り込み、そのうちのＮ２ガスを加
熱（３５０〜４５０℃）された半導体ウェーハ（２）と
同温域となるまで加熱して供給した。
この発明による常圧ＣＶＤ装置により、２マッフル内の
雰囲気温度は第２図に示す如く、従来に比較して著しく
均一化され、得られた半導体ウェーハのＳｉＯ２膜厚ば
らつきの結果を第３図に示す。
雰囲気温度は第２図に示す如く、従来に比較して著しく
均一化され、得られた半導体ウェーハのＳｉＯ２膜厚ば
らつきの結果を第３図に示す。
また、Ｎ２ガスを全く加熱しない従来の常圧ＣＶＤ装置
で得られた半導体ウェーハのＳｉＯ２膜厚ばらつきの結
果を第７図に示す。
で得られた半導体ウェーハのＳｉＯ２膜厚ばらつきの結
果を第７図に示す。
この発明による常圧ＣＶＤ装置により得られた半導体ウ
ェーハのＳｉＯ２膜厚ばらつきの改善率は、従来に比較
して１．３％向上した。
ェーハのＳｉＯ２膜厚ばらつきの改善率は、従来に比較
して１．３％向上した。
さらに制御器（１１）にＮ２ガス供給用中間ノズル（７
）先端内周面に埋設したＮ２ガス温度センサーがらの信
号をフィードバックするクローズトループ制御したとこ
ろ、のＳｉＯ２膜厚ばらつきの改善率は、従来に比較し
て２．０％向上した。
）先端内周面に埋設したＮ２ガス温度センサーがらの信
号をフィードバックするクローズトループ制御したとこ
ろ、のＳｉＯ２膜厚ばらつきの改善率は、従来に比較し
て２．０％向上した。
最外周ノズルのガス流量
０２ １．２０ ｌ／ｍｉｎ＋Ｎ２ ３．８０ ｌ／ｍ
ｉｎ中間ノズルのガス流量 Ｎ２ １３．５ ｌ
／ｍｉｎ中心部ノズルのガス流量 ＳｉＨ４０，３１／ｍｉｎ＋Ｎ２ ４．７０１／ｍｉｎ
発明の効果 この発明による常圧ＣＶＤ装置は、Ｎ２ガスそのものの
温度を加熱することにより膜厚のばらつきに大きく影響
すると考えられる半導体ウェーハの表面温度のばらつき
を防止することが可能となり、かつ半導体ウェーハその
ものにダメージを発生させることなく、実施例に示す如
く、膜厚のばらつきを低減することができる。
ｉｎ中間ノズルのガス流量 Ｎ２ １３．５ ｌ
／ｍｉｎ中心部ノズルのガス流量 ＳｉＨ４０，３１／ｍｉｎ＋Ｎ２ ４．７０１／ｍｉｎ
発明の効果 この発明による常圧ＣＶＤ装置は、Ｎ２ガスそのものの
温度を加熱することにより膜厚のばらつきに大きく影響
すると考えられる半導体ウェーハの表面温度のばらつき
を防止することが可能となり、かつ半導体ウェーハその
ものにダメージを発生させることなく、実施例に示す如
く、膜厚のばらつきを低減することができる。
第１図はこの発明による常圧ＣＶＤ装置の主要部を示す
説明図である。 第２図はこの発明による常圧ＣＶＤ装置の２マッフル内
の雰囲気温度を示すグラフである。 第３図と第７図は成膜後の半導体ウェーハの表面状態を
示すコンピュータの解析図であり、第３図はこの発明に
よる常圧ＣＶＤ装置の場合、第７図は従来の常圧ＣＶＤ
装置の場合である。 第４図は従来の常圧ＣＶＤ装置の全体構成を示す説明図
である。 第５図は従来の常圧ＣＶＤ装置の主要部を示す説明図で
ある。 第６図は従来の常圧ＣＶＤ装置の２マッフル内の雰囲気
温度を示すグラフである。 １・・・コンベアベルト、２・・・半導体ウェーハ、３
・・・ヒーター、４・・・２マッフル、５・・・ノズル
、６・・・中心部ノズル、７・・・中間ノズル、計・最
外周ノズル、１０・・・タンクルヒーター１１・・・制
御器。
説明図である。 第２図はこの発明による常圧ＣＶＤ装置の２マッフル内
の雰囲気温度を示すグラフである。 第３図と第７図は成膜後の半導体ウェーハの表面状態を
示すコンピュータの解析図であり、第３図はこの発明に
よる常圧ＣＶＤ装置の場合、第７図は従来の常圧ＣＶＤ
装置の場合である。 第４図は従来の常圧ＣＶＤ装置の全体構成を示す説明図
である。 第５図は従来の常圧ＣＶＤ装置の主要部を示す説明図で
ある。 第６図は従来の常圧ＣＶＤ装置の２マッフル内の雰囲気
温度を示すグラフである。 １・・・コンベアベルト、２・・・半導体ウェーハ、３
・・・ヒーター、４・・・２マッフル、５・・・ノズル
、６・・・中心部ノズル、７・・・中間ノズル、計・最
外周ノズル、１０・・・タンクルヒーター１１・・・制
御器。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 反応ガス及び反応ガス分離用不活性ガスを、加熱された
ウェーハ上に噴射させて、ウェーハ表面にＳｉＯ＿２膜
を成長させる常圧ＣＶＤ装置において、不活性ガスをウ
ェーハの加熱温度域まで加熱可能な加熱手段を設けたこ
とを特徴とする常圧ＣＶＤ装置。 ２ マッフル内の加熱温度測定手段と、測定したマッフル内
の雰囲気温度に応じて不活性ガスの加熱温度を決定し加
熱手段を制御する制御手段を設けたことを特徴とする請
求項１記載の常圧ＣＶＤ装置。 ３ ウェーハ表面の加熱温度測定手段と、測定したウェーハ
表面加熱温度に応じて不活性ガスの加熱温度を決定し加
熱手段を制御する制御手段を設けたことを特徴とする請
求項１記載の常圧ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24959690A JPH04127432A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24959690A JPH04127432A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127432A true JPH04127432A (ja) | 1992-04-28 |
Family
ID=17195370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24959690A Pending JPH04127432A (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 常圧ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04127432A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5407486A (en) * | 1992-05-14 | 1995-04-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CVD apparatus |
| JP2002134518A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 抵抗率を調整したシリコンウェーハ及びそのウェーハの製造方法 |
| JP2002134513A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
| WO2009122790A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置，基板処理方法 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP24959690A patent/JPH04127432A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5407486A (en) * | 1992-05-14 | 1995-04-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CVD apparatus |
| JP2002134518A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 抵抗率を調整したシリコンウェーハ及びそのウェーハの製造方法 |
| JP2002134513A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | シリコンウェーハの熱処理方法 |
| WO2009122790A1 (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置，基板処理方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7910494B2 (en) | Thermal processing furnace, gas delivery system therefor, and methods for delivering a process gas thereto | |
| KR100541050B1 (ko) | 가스공급장치 및 이를 이용한 반도체소자 제조설비 | |
| US5421288A (en) | Process for growing silicon epitaxial layer | |
| KR101775281B1 (ko) | Mocvd 가스 샤워 헤드 전처리방법 | |
| CN104871292A (zh) | 基板处理装置及控制加热器的温度的方法 | |
| JPH04127432A (ja) | 常圧ｃｖｄ装置 | |
| TW200510563A (en) | Method for depositing thin film on wafer | |
| JP7017084B2 (ja) | 成膜装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS63316425A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| US9857028B2 (en) | Chamber pressure control apparatus for chemical vapor deposition systems | |
| US20050223985A1 (en) | Deposition apparatuses, methods of assessing the temperature of semiconductor wafer substrates within deposition apparatuses, and methods for deposition of epitaxial semiconductive material | |
| CN117265651A (zh) | 一种外延设备和防止外延设备的下穹顶沉积污染物的方法 | |
| US20160312361A1 (en) | Method of forming a film | |
| JPS6168393A (ja) | ホツトウオ−ル形エピタキシヤル成長装置 | |
| KR101659217B1 (ko) | 에피텍셜 성장 장치의 크린 방법 | |
| JPH02190473A (ja) | プラズマｃｖｄ用原料ガス供給装置 | |
| JP3156858B2 (ja) | 液体原料供給装置 | |
| JPS6077415A (ja) | 半導体気相成長装置のプロセス制御装置 | |
| KR200211729Y1 (ko) | 상압화학 증착장비의 액체 소오스 온도조절장치 | |
| JPS59126626A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH10135142A (ja) | 不純物拡散装置 | |
| KR0122309Y1 (ko) | 웨이퍼 증착기의 압력 및 온도 조절장치 | |
| EP1114210A1 (en) | Low-temperature process for forming an epitaxial layer on a semiconductor substrate | |
| JPH04167518A (ja) | 常圧気相成長装置 | |
| JP2868853B2 (ja) | 熱処理装置 |