JPH10135142A - 不純物拡散装置 - Google Patents
不純物拡散装置Info
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- JPH10135142A JPH10135142A JP30391196A JP30391196A JPH10135142A JP H10135142 A JPH10135142 A JP H10135142A JP 30391196 A JP30391196 A JP 30391196A JP 30391196 A JP30391196 A JP 30391196A JP H10135142 A JPH10135142 A JP H10135142A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は炉心管の排気口近辺のガス濃度に基づ
いて排出ガス流量を制御して炉心管内の不純物ガス濃度
を均一にする不純物拡散装置を提供する。 【解決手段】不純物濃度拡散装置２０は、石英チューブ
２１内に半導体基板２５を載置する石英ボート２６が収
納され、ヒーター２４で所定温度に加熱される。排気配
管３１から石英チューブ２１内のガスを排出しつつ、ガ
ス流入口２９からＮ2 、Ｏ2 及びＰＯＣｌ3 （あるいは
ＰＨ3 ）をノズル２７を介して石英チューブ２１内に導
入し、半導体基板２５上に拡散するとともに、余剰とな
ったガスあるいは未反応のガスを、排気口３０及び排気
配管３１を介して排気する。排気口３０近傍の排気配管
３１に設けられているガス濃度検出器３３により排気ガ
スのガス濃度を検出し、この排気ガスのガス濃度に基づ
いて、可変バルブ３２の開度を調整して、石英チューブ
２１のボトム側の拡散ガス濃度を調節し、石英チューブ
２１のボトム側のガス濃度を一定に保つ。
いて排出ガス流量を制御して炉心管内の不純物ガス濃度
を均一にする不純物拡散装置を提供する。 【解決手段】不純物濃度拡散装置２０は、石英チューブ
２１内に半導体基板２５を載置する石英ボート２６が収
納され、ヒーター２４で所定温度に加熱される。排気配
管３１から石英チューブ２１内のガスを排出しつつ、ガ
ス流入口２９からＮ2 、Ｏ2 及びＰＯＣｌ3 （あるいは
ＰＨ3 ）をノズル２７を介して石英チューブ２１内に導
入し、半導体基板２５上に拡散するとともに、余剰とな
ったガスあるいは未反応のガスを、排気口３０及び排気
配管３１を介して排気する。排気口３０近傍の排気配管
３１に設けられているガス濃度検出器３３により排気ガ
スのガス濃度を検出し、この排気ガスのガス濃度に基づ
いて、可変バルブ３２の開度を調整して、石英チューブ
２１のボトム側の拡散ガス濃度を調節し、石英チューブ
２１のボトム側のガス濃度を一定に保つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、不純物拡散装置に
関し、詳細には、半導体製造行程において半導体基板に
リンやボロン等の不純物を拡散するための不純物拡散装
置に関する。
関し、詳細には、半導体製造行程において半導体基板に
リンやボロン等の不純物を拡散するための不純物拡散装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図２に示すように、不純物拡散装
置１は、石英チューブ（炉心管）２がＳＵＳフランジ３
上に載置されるとともに、ＳｉＣライナー管４に覆われ
て、図示しない炉体に固定されており、ＳｉＣライナー
管４のさらに周方向外側には、石英チューブ２を加熱す
るヒーター５が配設されている。石英チューブ２内に
は、半導体基板（Ｓｉウェハー）６を載置する石英ボー
ト７及びノズル８が収納されており、石英ボート７は、
ＳＵＳフランジ３上に載置された保温筒９上に載置され
ている。
置１は、石英チューブ（炉心管）２がＳＵＳフランジ３
上に載置されるとともに、ＳｉＣライナー管４に覆われ
て、図示しない炉体に固定されており、ＳｉＣライナー
管４のさらに周方向外側には、石英チューブ２を加熱す
るヒーター５が配設されている。石英チューブ２内に
は、半導体基板（Ｓｉウェハー）６を載置する石英ボー
ト７及びノズル８が収納されており、石英ボート７は、
ＳＵＳフランジ３上に載置された保温筒９上に載置され
ている。
【０００３】石英チューブ２内のノズル８は、ＳＵＳフ
ランジ３を介してガス流入口１０が接続されており、石
英チューブ２は、ＳＵＳフランジ３に形成された排気口
１１を介して排気配管１２に接続されている。
ランジ３を介してガス流入口１０が接続されており、石
英チューブ２は、ＳＵＳフランジ３に形成された排気口
１１を介して排気配管１２に接続されている。
【０００４】不純物拡散装置１は、ガス流入口１０より
導入されたＮ2 、Ｏ2 及びＰＯＣｌ3 （あるいはＰ
Ｈ3 ）がノズル８を介して石英チューブ２内に導入さ
れ、半導体基板６に拡散される。この石英チューブ２内
のガスは、排気配管１２を介して排気され、石英チュー
ブ２内のガス分布は、排気風量または圧力の変化に敏感
である。したがって、排気風量及び圧力の変化は、半導
体基板６への拡散濃度あるいは拡散抵抗の均一化に影響
を与える。特に、石英ボート７のボトム側は、排気口の
近くであり、排気口１１及び排気配管１２を通して石英
チューブ２内のガスが排気されるため、石英ボート７の
ボトム付近では、ガス流速が速くなり、不純物拡散ガス
の濃度が低下する。その結果、石英チューブ２のボトム
側に搭載されている半導体基板６のシート抵抗が高くな
ったり、均一性が悪化するという問題があった。すなわ
ち、従来の不純物拡散装置１は、排気流速の影響によ
り、不純物拡散濃度がボトム側で不安定である。
導入されたＮ2 、Ｏ2 及びＰＯＣｌ3 （あるいはＰ
Ｈ3 ）がノズル８を介して石英チューブ２内に導入さ
れ、半導体基板６に拡散される。この石英チューブ２内
のガスは、排気配管１２を介して排気され、石英チュー
ブ２内のガス分布は、排気風量または圧力の変化に敏感
である。したがって、排気風量及び圧力の変化は、半導
体基板６への拡散濃度あるいは拡散抵抗の均一化に影響
を与える。特に、石英ボート７のボトム側は、排気口の
近くであり、排気口１１及び排気配管１２を通して石英
チューブ２内のガスが排気されるため、石英ボート７の
ボトム付近では、ガス流速が速くなり、不純物拡散ガス
の濃度が低下する。その結果、石英チューブ２のボトム
側に搭載されている半導体基板６のシート抵抗が高くな
ったり、均一性が悪化するという問題があった。すなわ
ち、従来の不純物拡散装置１は、排気流速の影響によ
り、不純物拡散濃度がボトム側で不安定である。
【０００５】そこで、従来、炉内と炉外のそれぞれの圧
力の差を検知する差圧計と、炉内のガスを炉外に排出す
るための開口面積が可変の開口部と、前記差圧計の出力
を入力して前記開口部の面積を制御する制御装置とを備
えたことを特徴とする拡散炉装置が提案されている（特
開平２−１０８２６号公報参照）。この従来の拡散炉装
置は、炉内圧力及びガスの流れを常に一定に保つことを
目的としている。
力の差を検知する差圧計と、炉内のガスを炉外に排出す
るための開口面積が可変の開口部と、前記差圧計の出力
を入力して前記開口部の面積を制御する制御装置とを備
えたことを特徴とする拡散炉装置が提案されている（特
開平２−１０８２６号公報参照）。この従来の拡散炉装
置は、炉内圧力及びガスの流れを常に一定に保つことを
目的としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の不純物拡散装置にあっては、炉内と炉外の圧
力差を検知して、炉内のガスを炉外に排出するための開
口部の開口面積を制御していたため、排気口付近のガス
濃度がなお不均一になるという問題があった。すなわ
ち、排気口付近では、ガスの流速が速くなるため、炉内
の排気口の形成されたボトム側でなお不純物ガスの濃度
が均一性になるという問題があった。
うな従来の不純物拡散装置にあっては、炉内と炉外の圧
力差を検知して、炉内のガスを炉外に排出するための開
口部の開口面積を制御していたため、排気口付近のガス
濃度がなお不均一になるという問題があった。すなわ
ち、排気口付近では、ガスの流速が速くなるため、炉内
の排気口の形成されたボトム側でなお不純物ガスの濃度
が均一性になるという問題があった。
【０００７】そこで、請求項１記載の発明は、炉心管の
排気口近辺のガス濃度を検出して、当該ガス濃度に基づ
いて排気口から排出されるガス流量を制御することによ
り、炉心管の排気口側のガス濃度を均一にして、半導体
材料の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度を均一に
し、不純物拡散濃度を均一化して、歩留まりを向上させ
ることのできる不純物拡散装置を提供することを目的と
している。
排気口近辺のガス濃度を検出して、当該ガス濃度に基づ
いて排気口から排出されるガス流量を制御することによ
り、炉心管の排気口側のガス濃度を均一にして、半導体
材料の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度を均一に
し、不純物拡散濃度を均一化して、歩留まりを向上させ
ることのできる不純物拡散装置を提供することを目的と
している。
【０００８】請求項２記載の発明は、排気口から排出さ
れる排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏの範囲で
前記排気ガス流量を調整することにより、炉心管の排気
口側のガス濃度及び圧力変化をより一層均一にして、半
導体材料の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度及び圧
力変化をより一層均一にし、不純物拡散濃度をより一層
均一化して、歩留まりをより一層向上させることのでき
る不純物拡散装置を提供することを目的としている。
れる排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏの範囲で
前記排気ガス流量を調整することにより、炉心管の排気
口側のガス濃度及び圧力変化をより一層均一にして、半
導体材料の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度及び圧
力変化をより一層均一にし、不純物拡散濃度をより一層
均一化して、歩留まりをより一層向上させることのでき
る不純物拡散装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の不
純物拡散装置は、半導体材料の配設された炉心管内部に
拡散源を含むガスあるいは液体を導入しつつ、当該炉心
管内のガスを排気口から排出して、前記半導体材料に不
純物を拡散する不純物拡散装置において、前記排気口の
近くのガス濃度を検出するガス濃度検出手段と、前記ガ
ス濃度検出手段の検出した前記ガス濃度に応じて前記排
気口から排出される排気ガス流量を調整する排気ガス流
量調整手段と、を設けることにより、上記目的を達成し
ている。
純物拡散装置は、半導体材料の配設された炉心管内部に
拡散源を含むガスあるいは液体を導入しつつ、当該炉心
管内のガスを排気口から排出して、前記半導体材料に不
純物を拡散する不純物拡散装置において、前記排気口の
近くのガス濃度を検出するガス濃度検出手段と、前記ガ
ス濃度検出手段の検出した前記ガス濃度に応じて前記排
気口から排出される排気ガス流量を調整する排気ガス流
量調整手段と、を設けることにより、上記目的を達成し
ている。
【００１０】上記構成によれば、炉心管の排気口近辺の
ガス濃度を検出して、当該ガス濃度に基づいて排気口か
ら排出されるガス流量を制御するので、炉心管の排気口
側のガス濃度を均一にして、半導体材料の搭載位置に関
わらず、不純物ガス濃度を均一にすることができ、不純
物拡散濃度を均一化して、歩留まりを向上させることが
できる。
ガス濃度を検出して、当該ガス濃度に基づいて排気口か
ら排出されるガス流量を制御するので、炉心管の排気口
側のガス濃度を均一にして、半導体材料の搭載位置に関
わらず、不純物ガス濃度を均一にすることができ、不純
物拡散濃度を均一化して、歩留まりを向上させることが
できる。
【００１１】この場合、例えば、請求項２に記載するよ
うに、前記排気ガス流量調整手段は、前記排気口から排
出される排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏの範
囲で前記排気ガス流量を調整するものであってもよい。
うに、前記排気ガス流量調整手段は、前記排気口から排
出される排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏの範
囲で前記排気ガス流量を調整するものであってもよい。
【００１２】上記構成によれば、排気口から排出される
排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏの範囲で前記
排気ガス流量を調整するので、炉心管の排気口側のガス
濃度及び圧力変化をより一層均一にして、半導体材料の
搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度及び圧力変化をよ
り一層均一にすることができ、不純物拡散濃度をより一
層均一化して、歩留まりをより一層向上させることがで
きる。
排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏの範囲で前記
排気ガス流量を調整するので、炉心管の排気口側のガス
濃度及び圧力変化をより一層均一にして、半導体材料の
搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度及び圧力変化をよ
り一層均一にすることができ、不純物拡散濃度をより一
層均一化して、歩留まりをより一層向上させることがで
きる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。
【００１４】図１は、本発明の不純物拡散装置の一実施
の形態を適用した不純物拡散装置１０の構成図である。
の形態を適用した不純物拡散装置１０の構成図である。
【００１５】図１において、不純物拡散装置２０は、石
英チューブ（炉心管）２１がＳＵＳフランジ２２上に載
置されているとともに、ＳｉＣライナー管２３に覆われ
て、図示しない炉体に固定されており、ＳｉＣライナー
管２３のさらに周方向外側には、石英チューブ２１を加
熱するヒーター２４が配設されている。石英チューブ２
１内には、半導体基板（Ｓｉウェハー）２５を載置する
石英ボート２６が収納されているとともに、ノズル２７
が収納されており、石英ボート２６は、ＳＵＳフランジ
２２上に載置された保温筒２８上に載置されている。
英チューブ（炉心管）２１がＳＵＳフランジ２２上に載
置されているとともに、ＳｉＣライナー管２３に覆われ
て、図示しない炉体に固定されており、ＳｉＣライナー
管２３のさらに周方向外側には、石英チューブ２１を加
熱するヒーター２４が配設されている。石英チューブ２
１内には、半導体基板（Ｓｉウェハー）２５を載置する
石英ボート２６が収納されているとともに、ノズル２７
が収納されており、石英ボート２６は、ＳＵＳフランジ
２２上に載置された保温筒２８上に載置されている。
【００１６】石英チューブ２１内のノズル２７には、Ｓ
ＵＳフランジ２２を介してガス流入口２９が接続されて
おり、ガス流入口２９からは、Ｎ2 、Ｏ2 及びＰＯＣｌ
3 （あるいはＰＨ3 ）等のガスがノズル２７を介して石
英チューブ２１内に導入されて、半導体基板２５に拡散
される。
ＵＳフランジ２２を介してガス流入口２９が接続されて
おり、ガス流入口２９からは、Ｎ2 、Ｏ2 及びＰＯＣｌ
3 （あるいはＰＨ3 ）等のガスがノズル２７を介して石
英チューブ２１内に導入されて、半導体基板２５に拡散
される。
【００１７】石英チューブ２１は、ＳＵＳフランジ２２
に形成された排気口３０を介して排気配管３１に接続さ
れており、排気配管３１の途中には、可変バルブ３２が
配設されている。可変バルブ３２は、排気配管３１の排
気通路の通路面積を可変し、石英チューブ２１内から排
気口３０及び排気配管３１を通して排出される排気ガス
流量を調整する。この排気配管３１の可変バルブ３２と
排気口３０の間、すなわち、排気口３０の近くには、排
ガス濃度検出器３３が配設されており、排ガス濃度検出
器３３は、排気配管３１から排出される排気ガス、すな
わち、排気口３０の近くの排気ガスのガス濃度を検出し
て、図示しない制御装置に排ガス濃度検出信号を出力す
る。制御装置は、排ガス濃度検出器３３から入力される
排ガス濃度検出信号に基づいて、可変バルブ３２の開度
を可変制御し、石英チューブ２１の下部（ボトム）側、
すなわち、保温筒２８周辺のガス濃度を一定にして、半
導体基板２５の不純物拡散濃度の均一性を安定させる。
に形成された排気口３０を介して排気配管３１に接続さ
れており、排気配管３１の途中には、可変バルブ３２が
配設されている。可変バルブ３２は、排気配管３１の排
気通路の通路面積を可変し、石英チューブ２１内から排
気口３０及び排気配管３１を通して排出される排気ガス
流量を調整する。この排気配管３１の可変バルブ３２と
排気口３０の間、すなわち、排気口３０の近くには、排
ガス濃度検出器３３が配設されており、排ガス濃度検出
器３３は、排気配管３１から排出される排気ガス、すな
わち、排気口３０の近くの排気ガスのガス濃度を検出し
て、図示しない制御装置に排ガス濃度検出信号を出力す
る。制御装置は、排ガス濃度検出器３３から入力される
排ガス濃度検出信号に基づいて、可変バルブ３２の開度
を可変制御し、石英チューブ２１の下部（ボトム）側、
すなわち、保温筒２８周辺のガス濃度を一定にして、半
導体基板２５の不純物拡散濃度の均一性を安定させる。
【００１８】次に、本実施の形態の作用を説明する。不
純物拡散装置２０は、石英ボート２６に半導体基板２５
を載置して石英チューブ２１内に収納し、ヒーター２４
で所定温度、例えば、８５０℃〜１０００℃に加熱す
る。そして、排気配管３１から石英チューブ２１内のガ
スを排出しつつ、ガス流入口２９からＮ2 、Ｏ2 及びＰ
ＯＣｌ3 （あるいはＰＨ3 ）をノズル２７を介して石英
チューブ２１内に導入する。この場合、Ｎ2 、Ｏ2 及び
ＰＯＣｌ3 （あるいはＰＨ3 ）の供給量は、Ｎ2が、１
８ｌ〜４５ｌ、Ｏ2 が、９０ｃｃ〜９００ｃｃ、ＰＯＣ
ｌ3 が、１００ｍｇ〜３００ｍｇ（ＰＨ3 の場合は、５
００ｃｃ〜２０００ｃｃ）である。石英チューブ２１内
に導入されたガスは、石英ボート２６に載置されている
半導体基板２５上に拡散され、余剰となったガスあるい
は未反応のガスは、排気口３０及び排気配管３１を介し
て排気される。
純物拡散装置２０は、石英ボート２６に半導体基板２５
を載置して石英チューブ２１内に収納し、ヒーター２４
で所定温度、例えば、８５０℃〜１０００℃に加熱す
る。そして、排気配管３１から石英チューブ２１内のガ
スを排出しつつ、ガス流入口２９からＮ2 、Ｏ2 及びＰ
ＯＣｌ3 （あるいはＰＨ3 ）をノズル２７を介して石英
チューブ２１内に導入する。この場合、Ｎ2 、Ｏ2 及び
ＰＯＣｌ3 （あるいはＰＨ3 ）の供給量は、Ｎ2が、１
８ｌ〜４５ｌ、Ｏ2 が、９０ｃｃ〜９００ｃｃ、ＰＯＣ
ｌ3 が、１００ｍｇ〜３００ｍｇ（ＰＨ3 の場合は、５
００ｃｃ〜２０００ｃｃ）である。石英チューブ２１内
に導入されたガスは、石英ボート２６に載置されている
半導体基板２５上に拡散され、余剰となったガスあるい
は未反応のガスは、排気口３０及び排気配管３１を介し
て排気される。
【００１９】このように、石英チューブ２１内の余剰ガ
スや未反応ガスは、排気口３０及び排気配管３１を介し
て排気されるが、排気口３０付近では、排気流速が速く
なることから石英チューブ２１のボトム側の拡散ガス濃
度が薄くなったり、逆に排気風量が足りない場合には、
ボトム側で拡散ガス濃度が濃くなるといった傾向があ
り、従来のように、単に、排気風量のコントロールある
いは排気配管または排気口近辺に圧力センサを設け、石
英管内及び排気圧力を監視して、圧力や風量を制御する
だけでは、不純物拡散濃度を均一化するには限界があ
る。
スや未反応ガスは、排気口３０及び排気配管３１を介し
て排気されるが、排気口３０付近では、排気流速が速く
なることから石英チューブ２１のボトム側の拡散ガス濃
度が薄くなったり、逆に排気風量が足りない場合には、
ボトム側で拡散ガス濃度が濃くなるといった傾向があ
り、従来のように、単に、排気風量のコントロールある
いは排気配管または排気口近辺に圧力センサを設け、石
英管内及び排気圧力を監視して、圧力や風量を制御する
だけでは、不純物拡散濃度を均一化するには限界があ
る。
【００２０】そこで、本実施の形態においては、排気口
３０近傍の排気配管３１に設けられているガス濃度検出
器３３により排気ガスのガス濃度を検出し、この排気ガ
スのガス濃度に基づいて、制御装置により可変バルブ３
２の開度を調整して、石英チューブ２１のボトム側の拡
散ガス濃度を調節する。この場合、石英チューブ２１の
下流側の排気圧力が、１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏ
（９．８〜３９２Ｐａ）の範囲で排気ガス流量を調整す
る。したがって、例えば、リン拡散を行うに当たり、石
英チューブ２１下流（ボトム）側の、例えば、１ｍｍＨ
2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏ（９．８〜３９２Ｐａ）の排気風
量及び排気圧力からなるガス流速依存による拡散ガス濃
度変化（例えば、０．５％〜１０％）に対応させて、排
気口３０、すなわち、保温筒２８近くの石英チューブ２
１のボトム側のガス濃度を一定に保つことができる。そ
の結果、半導体基板２５の拡散濃度及び抵抗（例えば、
ターゲットとなる基板シート抵抗を７Ω／ｍｍ2 〜１０
０Ω／ｍｍ2 ）の均一性を向上させることができ、半導
体基板２５の製造の歩留まりを向上させることができ
る。
３０近傍の排気配管３１に設けられているガス濃度検出
器３３により排気ガスのガス濃度を検出し、この排気ガ
スのガス濃度に基づいて、制御装置により可変バルブ３
２の開度を調整して、石英チューブ２１のボトム側の拡
散ガス濃度を調節する。この場合、石英チューブ２１の
下流側の排気圧力が、１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏ
（９．８〜３９２Ｐａ）の範囲で排気ガス流量を調整す
る。したがって、例えば、リン拡散を行うに当たり、石
英チューブ２１下流（ボトム）側の、例えば、１ｍｍＨ
2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2 Ｏ（９．８〜３９２Ｐａ）の排気風
量及び排気圧力からなるガス流速依存による拡散ガス濃
度変化（例えば、０．５％〜１０％）に対応させて、排
気口３０、すなわち、保温筒２８近くの石英チューブ２
１のボトム側のガス濃度を一定に保つことができる。そ
の結果、半導体基板２５の拡散濃度及び抵抗（例えば、
ターゲットとなる基板シート抵抗を７Ω／ｍｍ2 〜１０
０Ω／ｍｍ2 ）の均一性を向上させることができ、半導
体基板２５の製造の歩留まりを向上させることができ
る。
【００２１】このように、本実施の形態によれば、炉心
管である石英チューブ２１の排気口３０近辺のガス濃度
を検出して、当該ガス濃度に基づいて排気口３０から排
出されるガス流量を制御しているので、石英チューブ２
１の排気口３０側のガス濃度を均一にして、半導体材料
２５の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度を均一にす
ることができ、不純物拡散濃度を均一化して、歩留まり
を向上させることができる。
管である石英チューブ２１の排気口３０近辺のガス濃度
を検出して、当該ガス濃度に基づいて排気口３０から排
出されるガス流量を制御しているので、石英チューブ２
１の排気口３０側のガス濃度を均一にして、半導体材料
２５の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度を均一にす
ることができ、不純物拡散濃度を均一化して、歩留まり
を向上させることができる。
【００２２】また、可変バルブ３２により、排気口３０
から排出される排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2
Ｏの範囲で排気ガス流量を調整するので、石英チューブ
２１の排気口３０側のガス濃度及び圧力変化をより一層
均一にして、半導体材料２５の搭載位置に関わらず、不
純物ガス濃度及び圧力変化をより一層均一にすることが
でき、不純物拡散濃度をより一層均一化して、歩留まり
をより一層向上させることができる。
から排出される排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2
Ｏの範囲で排気ガス流量を調整するので、石英チューブ
２１の排気口３０側のガス濃度及び圧力変化をより一層
均一にして、半導体材料２５の搭載位置に関わらず、不
純物ガス濃度及び圧力変化をより一層均一にすることが
でき、不純物拡散濃度をより一層均一化して、歩留まり
をより一層向上させることができる。
【００２３】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
【００２４】
【発明の効果】請求項１記載の発明の不純物拡散装置に
よれば、炉心管の排気口近辺のガス濃度を検出して、当
該ガス濃度に基づいて排気口から排出されるガス流量を
制御するので、炉心管の排気口側のガス濃度を均一にし
て、半導体材料の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度
を均一にすることができ、不純物拡散濃度を均一化し
て、歩留まりを向上させることができる。
よれば、炉心管の排気口近辺のガス濃度を検出して、当
該ガス濃度に基づいて排気口から排出されるガス流量を
制御するので、炉心管の排気口側のガス濃度を均一にし
て、半導体材料の搭載位置に関わらず、不純物ガス濃度
を均一にすることができ、不純物拡散濃度を均一化し
て、歩留まりを向上させることができる。
【００２５】請求項２記載の発明の不純物拡散装置によ
れば、排気口から排出される排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜
４０ｍｍＨ2 Ｏの範囲で前記排気ガス流量を調整するの
で、炉心管の排気口側のガス濃度及び圧力変化をより一
層均一にして、半導体材料の搭載位置に関わらず、不純
物ガス濃度及び圧力変化をより一層均一にすることがで
き、不純物拡散濃度をより一層均一化して、歩留まりを
より一層向上させることができる。
れば、排気口から排出される排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜
４０ｍｍＨ2 Ｏの範囲で前記排気ガス流量を調整するの
で、炉心管の排気口側のガス濃度及び圧力変化をより一
層均一にして、半導体材料の搭載位置に関わらず、不純
物ガス濃度及び圧力変化をより一層均一にすることがで
き、不純物拡散濃度をより一層均一化して、歩留まりを
より一層向上させることができる。
【図１】本発明の不純物拡散装置の一実施の形態を適用
した不純物拡散装置の正面部分断面図。
した不純物拡散装置の正面部分断面図。
【図２】従来の不純物拡散装置の正面部分断面図。
２０ 不純物拡散装置 ２１ 石英チューブ ２２ ＳＵＳフランジ ２３ ＳｉＣライナー管 ２４ ヒーター ２５ 半導体基板 ２６ 石英ボート ２７ ノズル ２８ 保温筒 ２９ ガス流入口 ３０ 排気口 ３１ 排気配管 ３２ 可変バルブ ３３ 排ガス濃度検出器
Claims (2)
- 【請求項１】半導体材料の配設された炉心管内部に拡散
源を含むガスあるいは液体を導入しつつ、当該炉心管内
のガスを排気口から排出して、前記半導体材料に不純物
を拡散する不純物拡散装置において、前記排気口の近く
のガス濃度を検出するガス濃度検出手段と、前記ガス濃
度検出手段の検出した前記ガス濃度に応じて前記排気口
から排出される排気ガス流量を調整する排気ガス流量調
整手段と、を設けたことを特徴とする不純物拡散装置。 - 【請求項２】前記排気ガス流量調整手段は、前記排気口
から排出される排気圧力が１ｍｍＨ2 Ｏ〜４０ｍｍＨ2
Ｏの範囲で前記排気ガス流量を調整することを特徴とす
る請求項１記載の不純物拡散装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30391196A JPH10135142A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 不純物拡散装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30391196A JPH10135142A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 不純物拡散装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135142A true JPH10135142A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17926760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30391196A Pending JPH10135142A (ja) | 1996-10-30 | 1996-10-30 | 不純物拡散装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10135142A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752148B1 (ko) | 2006-02-14 | 2007-08-24 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 기판 처리 설비 |
| CN105908261A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-08-31 | 温州隆润科技有限公司 | 一种硅片高效扩散炉 |
-
1996
- 1996-10-30 JP JP30391196A patent/JPH10135142A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752148B1 (ko) | 2006-02-14 | 2007-08-24 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 기판 처리 설비 |
| CN105908261A (zh) * | 2016-06-01 | 2016-08-31 | 温州隆润科技有限公司 | 一种硅片高效扩散炉 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050830 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |