JPH04127462A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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JPH04127462A
JPH04127462A JP24950590A JP24950590A JPH04127462A JP H04127462 A JPH04127462 A JP H04127462A JP 24950590 A JP24950590 A JP 24950590A JP 24950590 A JP24950590 A JP 24950590A JP H04127462 A JPH04127462 A JP H04127462A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
logic
semiconductor integrated
integrated circuit
cell
area
Prior art date
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Pending
Application number
JP24950590A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeru Fujii
藤井 滋
Atsushi Watanabe
渡辺 厚士
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP24950590A priority Critical patent/JPH04127462A/ja
Publication of JPH04127462A publication Critical patent/JPH04127462A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体集積回路に関し、 チップサイズが大きくなるのを防止しつつ、自動レイア
ウト手法に適した半導体集積回路を提供することを目的
とし、 所定の機能を有する論理セルが配置されるコア領域部と
、該コア領域部の論理セルと外部との間の信号を伝達す
る入力、および、または出力セルが配置されるI/Oセ
ル領域部と、該I/Oセル領域部の入出力セルの入出力
端子となるパッドが配置されるパッド領域部とからなる
チップ領域を有する半導体集積回路であって、前記I/
Oセル領域部には、前記パッドに対応する位置に入力、
および、または出力セルを設けるとともに、■/Oセル
領域以外の領域には、既に論理が完成した論理セルを設
け、前記半導体集積回路の論理を変更する場合、該予備
の論理セルと前記コア領域部の所定の論理セルとを接続
して論理変更するように構成する。
[産業上の利用分野] 本発明は、半導体集積回路に係り、詳しくは、チップの
レイアウト設計の効率化を図った半導体集積回路に関す
る。
近年、半導体集積回路では、半導体集積回路の用途変更
に伴って、その内部の論理の変更が頻繁に行われている
しかし、半導体集積回路の論理の変更によって、チップ
サイズ、パッド開口位置、バルクに対するマスク等とい
った設計パラメータまで変更するようでは半導体集積回
路のチップ自体の作り直しが必要となり半導体集積回路
の製造コストの面で不利になる。
そこで、チップサイズ、パッド開口位置、バルクに対す
るマスク等を変更しなくても半導体集積回路の論理の変
更ができるように、チップに予備の論理セルを予め配置
しておき、この予備の論理セルを用いて半導体集積回路
の論理を変更することが必要となる。
[従来の技術] 従来のこの種の半導体集積回路としては、例えば、第4
,5図に示すようなものがある。
半導体集積回路1のチップ領域は、大別して、コア領域
部2、I/Oセル領域部3、パッド領域部4からなり、
コア領域部2には、所定の機能を有する論理セルが複数
集まって構成されたモジュール5、予備の論理セル6が
配置されている。
I/Oセル領域部3には、コア領域部2内のモジュール
5から外部に信号を出力したり、外部からの信号を入力
する際に信号を蓄えて増幅するバンファアンプや、外部
からの静電気による内部回路の破壊を防止するためのE
SDと呼ばれる静電気破壊防止回路等を含んだI/Oセ
ルフが配置され、このI/Oセルフは、パッド領域部4
に配置される外部との入出力端子としてのパッド8と接
続されている。
以上の構成において、予め設定された半導体集積回路の
論理を変更する場合、第5図に示すように、コア領域部
2の配線パターンを変更し、コア領域部2に配置された
所定のモジュール5と所望の予備の論理セル6とを接続
することにより、簡単に半導体集積回路の論理を変更す
ることができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような従来の半導体集積回路にあっ
ては、予備の論理セルをコア領域部に配置するという構
成となっていたため、予めコア領域部に予備の論理セル
を配置するための領域を確保しなければならず、このた
め、半導体集積回路のチップサイズが大きくなってしま
うという問題点があった。
また、半導体集積回路の設計において、コンピュータ等
を利用し、作業負担軽減のために用いる自動レイアウト
手法では、レイアウト処理に必要な情報として、 ■配置されるモノの情報が含まれるレイアウト情報と、 ■配置されるモノとモノとの接続関係の情報が含まれる
ネットリスト情報と、 があり、コンピュータによる自動レイアウトのミスを防
止するために、これらの■■の情報を照合しながらレイ
アウト処理を実行するのが一般的である。すなわち、予
備の論理セル6の存在目的から予備の論理セル6にはネ
ットリスト情報が存在しないため、自動レイアウト手法
を用いる場合、コア領域部2に配置された予備の論理セ
ル6が障害となり、コア領域部2に予備の論理セル6を
配置することが困難になるという問題点があった。
そこで本発明は、チップサイズが大きくなるのを防止し
つつ、自動レイアウト手法に適した半導体集積回路を提
供することを目的としている。
(課題を解決するための手段〕 本発明による半導体集積回路は上記目的達成のため、そ
の原理図を第1図に示すように、所定の機能を有する論
理セル5が配置されるコア領域部2と、該コア領域部2
の論理セル5と外部との間の信号を伝達する入出力セル
フが配置される■/Oセル領域部3と、該I/Oセル領
域部3の入出力セルの入出力端子となるパッド8が配置
されるパッド領域部4とからなるチップ領域を有する半
導体集積回路1であって、前記I/Oセル領域部3の前
記パッド8に対応する位置には入出力セルフを設けると
ともに、I/Oセル領域以外の領域には、既に論理が完
成した論理セル6、例えば、ナントゲートノアゲート、
エクスクル−シブオアゲートフリップフロップ等を設け
、前記半導体集積回路1の論理を変更する場合、該予備
の論理セル6と前記コア領域部2の所定の論理セル5と
を接続して論理変更するように構成している。
(作用] 本発明では、I/Oセル領域部に予備の論理セルが配置
され、コア領域部には所定の機能を有する論理セルだけ
が配置される。すなわち、コア領域部の領域が所定の機
能を有する論理セルだけで有効に利用され、自動レイア
ウト手法が用いられる場合の障害となる予備の論理セル
がコア領域部から除かれる。
[実施例] 以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第2.3図は本発明に係る半導体集積回路の一実施例を
示す図であり、第2,3図において、第4.5図に示し
た従来例に付された番号と同一番号は同一部分を示す。
本実施例の半導体集積回路Iのチップ領域は、大別して
、コア領域部2、I/Oセル領域部3、パッド領域部4
からなり、本実施例では、コア領域部2には、所定の機
能を有する論理セルが複数集まって構成されたモジュー
ル5として、例えば、ナントゲート9等が配置されてい
る。
I/Oセル領域部3には、既に論理が完成した論理セル
6として、例えば、ナントゲート/O等と、コア領域部
2内のナントゲート9から外部に信号を出力する際のナ
ントゲート9の出力を一旦蓄えて出力するだめのバッフ
ァや、外部からの信号をナントゲート9に入力する際に
信号を増幅するアンプ、また、外部からの不良信号によ
る内部回路の破壊を防止するための破壊防止回路等を含
んだI/Oセルフとが配置されている。なお、7a、7
bはアンプ、7cはバッファである。
パッド領域部4には、I/Oセル領域部3のI/Oセル
フの外部入出力端子としてのパッド8が配置されている
。なお、8a、8bは入力端子、8cは出力端子である
次に作用を説明する。
まず、第2図に示すように、パッド領域部4の入力端子
8a、8bから入力された信号が、I/Oセル領域部3
のアンプ7a、7bによって増幅されて、コア領域部2
のナントゲート9にそれぞれ入力され、この入力された
信号がナントゲート9によってバッファ7cを介して出
力端子8cがら出力される。
なお、表1に、第2図における場合の論理が示される。
次に、以上のように設定された半導体集積回路の論理を
表2のように変更する場合、例えば、第3図に示すよう
に、コア領域部2の配線パターンが変更され、I/Oセ
ル領域部3に配置されたナントゲート/Oの一方入力に
は、ナントゲート9の一方入力と同一の信号が入力され
るとともに、ナンドゲー目0の他方入力には、ナントゲ
ート9の出力信号が人力され、ナントゲート/Oの出力
がバッファ7cを介して出力端子8Cから出力されるよ
うに、ナントゲート9とナントゲート/Oとが接続され
ることにより、簡単に半導体集積回路の論理変更がなさ
れる。
この場合、I/Oセル領域部3には、モジュール5とし
ての論理ゲートを/Oから20個は容易に配置でき、こ
の数は、予め配置される予備の論理セル6として十分な
数である。
このように本実施例では、コア領域部の領域を所定の機
能を有する論理セルだけで有効に利用することができ、
自動レイアウト手法を用いる場合の障害となる予備の論
理セルをコア領域部から除くことができる。
したがって、チップサイズが大きくなるのを防止できる
とともに、自動レイアウト手法に適した予備の論理セル
のレイアウトができる。
なお、上記実施例はI/Oセル領域部にナントゲートを
配置した場合を例に採り説明したが、これに限らず、ナ
ントゲートを複数用意しておいたり、ゲートアレイのバ
ルクを用意しておくものであってもよい。
〔発明の効果] 本発明では、コア領域部の領域を所定の機能を有する論
理セルだけで有効に利用することができ、自動レイアウ
ト手法を用いる場合の障害となる予備の論理セルをコア
領域部から除くことができる。
したがって、チップサイズが大きくなるのを防止でき、
自動レイアウト手法に適した半導体集積回路を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体集積回路の原理説明図、第2.
3図は本発明に係る半導体集積回路の一実施例を示し、 第2図はその論理変更前のチップを示す平面図、第3図
はその論理変更後のチップを示す平面図、第4,5図は
従来例の半導体集積回路を示し、第4図はその論理変更
前のチップを示す平面図、第5図はその論理変更後のチ
ップを示す平面図である。 1・・・・・・半導体集積回路、 2・・・・・・コア領域部、 3・・・・・・I/Oセル領域部、 4・・・・・・パッド領域部、 5・・・・・・モジュール、 6・・・・・・既に論理が完成した論理セル、7・・・
・・弓/Oセル、 7a、7b・・・・・・アンプ、 7c・・・・・・バッファ、 8・・・・・・パッド、 8a、8b・・・・・・入力端子、 8c・・・・・・出力端子、 9./O・・・・・・ナントゲート。 本発明の半導体集積回路の原理説明図 第1図 一実施例の論理変更前のチップを示す平面回部 図 一実施例の論理変更後のチップを示す平面図第3図 従来例の論理変更前のチップを示す平面図第4図 従来例の論理変更後のチップを示す平面回部 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 所定の機能を有する論理セルが配置されるコア領域部と
    、 該コア領域部の論理セルと外部との間の信号を伝達する
    入力、および、または出力セルが配置されるI/Oセル
    領域部と、 該I/Oセル領域部の入出力セルの入出力端子となるパ
    ッドが配置されるパッド領域部と、からなるチップ領域
    を有する半導体集積回路であって、 前記I/Oセル領域部には、前記パッドに対応する位置
    に入力、および、または出力セルを設けるとともに、I
    /Oセル領域以外の領域には、既に論理が完成した論理
    セルを設け、前記半導体集積回路の論理を変更する場合
    、該予備の論理セルと前記コア領域部の所定の論理セル
    とを接続して論理変更することを特徴とする半導体集積
    回路。
JP24950590A 1990-09-18 1990-09-18 半導体集積回路 Pending JPH04127462A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5401989A (en) * 1992-07-06 1995-03-28 Fujitsu Limited Semiconductor device having a basic cell region and an I/O cell region defined on a surface thereof
KR20260012267A (ko) 2023-07-24 2026-01-26 테크노 다이나믹스 가부시키가이샤 회전 장치 및 회전 장치의 조립 방법

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US5401989A (en) * 1992-07-06 1995-03-28 Fujitsu Limited Semiconductor device having a basic cell region and an I/O cell region defined on a surface thereof
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