JPH04127584A - 発光素子アレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、光情報の書き込みが可能であって、光情報の
転送機能を有する発光素子アレイに係り、特に光感度が
向上され、かつ論理演算機能が付与された発光素子アレ
イに関する。

［発明の）既要］ 本発明は、発光素子の第１の制御電極に電流を注入する
機構を設けたものであって、この注入電流により少ない
光電流で発光素子をターンオンさせること、即ち光感度
を大きく向上させることを可能ならしめた発光素子アレ
イである。また、さらには光感度を外部から制御でき、
光情報のオア機能、アンド機能を実現できる発光素子ア
レイである。

〔従来の技術〕

従来の発光素子アレイとしては、特開平２−１４５８４
号公報に記載されるものがある。第４図にこのような従
来の発光素子アレイの等価回路図を示す。

第４図において、Ｔ（０）〜Ｔ（５）は発光サイリスタ
（発光素子）であり、Ｄ０〜Ｄ、は発光サイリスタＴ（
０）〜Ｔ（５）のゲート（第１の制御電極）間を接続す
る結合用ダイオード（一方向性を有する電気素子）であ
る。また、ＲＬＯ〜Ｒｔｚはゲート負荷抵抗であり、Ｒ
ＡＧ〜ＲＡ！はアノード負荷抵抗である。

ＶＧＫは直流電源の電源電圧であり、本従来例では５〔
■〕に設定される。φ６、φ２は転送りロックであり、
φＳはスタートパルスである。

次に、第４図に示す発光素子アレイの動作を説明する。

発光サイリスクのＴ（０）〜Ｔ（５）のアノード（第２
の制御電極）とカソードとの間のターンオン電圧はゲー
ト電圧■６より拡散電位■ｄ□（約１　［■〕）だけ高
い。まず最初に、スタートパルスφ、として電源電圧５
〔Ｖ〕より１　〔７３以上高い電圧をその供給ラインに
供給する。この時、発光サイリスタＴ（０）はオンする
。この際、Ｔ（０）のゲートからもゲート負荷抵抗ＰＬ
Ｏを介して電流を吸い込む。

このため、ゲートの電位はほぼ零ボルトとなる。

同時に、結合用ダイオードＤ０にも図の右側の回路から
電流が流れ込み、結合用ダイオードの順方向の立ち上が
り電圧ＶＤｄｉｆＣ約１（Ｖ））の電位差が結合用ダイ
オードＤ０の両端に発生する。従って、発光サイリスタ
Ｔ（０）のゲート電圧は約１　〔Ｖ））となる。

なお、この時、同様に結合用ダイオードＤ０、Ｄ２の両
端電位差の影響で発光サイリスタＴ（２）のゲート電圧
は約２（ＶＬ発光サすリスタＴ（３）のゲート電圧は約
３〔ｖ〕になっている。つまり、ターンオン電圧はＴ（
１）、Ｔ（２）、Ｔ（３）の各々の発光サイリスクで２
　［Ｖ］、３　ＥＶ）、４　（Ｖ）になっている。

この状態で転送りロックφ２として２〜３〔■］の電圧
パルスをその供給ラインに加えると、発光サイリスタＴ
（１）のみがオンすること番こなる。そして、スタート
パルスφ、の供給を停止すると、Ｔ（０）がオフとなり
オン状態が図の右側に移動したことになる。以下同様に
転送りロックφ３、φ２を交互にそれらの供給ラインに
加えて行くことでオン状態が図の右側へ移動していく。

なお、発光サイリスタＴ（２）からＴ（３）にオン状態
が移動する際であるが、オフ状態の発光サイリスタＴ（
１）のゲート電圧は結合用ダイオードＤ、が逆バイアス
になるために電源電圧の５〔Ｖ〕となり、Ｔ（１）のタ
ーンオン電圧は６〔■〕となる。従って、発光サイリス
タＴ（１）がオン状態になることはない。

第４図に示す等価回路は同時に複数の発光サイリスクを
点灯させ、移動させることも可能である。

２相の転送りロック（φ３、φ２）による駆動の場合は
、２つの素子（発光サイリスタ）に１つの素子の割合ま
でオン状態とさせることができる。また、３相の転送り
ロック（φ１〜φ３）による駆動の場合は、３つの素子
に１つの素子の割合までオン状態とさせることができる
。このオン状態（光情報）の書き込みは、スタートパル
スφ、によっても可能であるし、また光によっても可能
である。

これについては発光サイリスクのターンオン電圧が低下
するという現象を利用したものである。

なお、この方法については既に黒田他によって１９９０
年度春季応用物理学関係連合講演会、３０ｐ−Ｆ−１１
にて報告されている。

また、第２の従来の発光素子アレイとして、特開平１−
２３８９６２号公報に記載されるものがある。第５図に
この第２の従来例の等価回路図を示す。第５図に示す構
成では各々の発光サイリスタＴ　（−２）〜Ｔ（２）の
ゲート間の接続を、第４図のような結合用ダイオードＤ
０〜Ｄ５ではなく、結合用抵抗Ｒ４を用いて行ったもの
である。この場合、ゲート電圧の低下という効果はオン
状態の発光サイリスタ（例えばＴ（０）の左右に対象に
広がっていくので、第４図のように２相クロツク（φ１
、φ２）でなく３相の転送りロック（φ１〜φ３）が必
要となる。

次に、第６図に第３の従来例の等価回路図を示す。なお
、第６図において、各々の発光サイリスタＴ　（−２）
〜Ｔ（２）はそれぞれ２つのトランジスタＴ□、Ｔ、に
よって構成されている。また、Ｒ５とＲ８は抵抗である
。

本従来例は発光サイリスクＴ（−２）〜Ｔ（２）のゲー
ト間を結合用抵抗Ｒ１で接続したもので、やはりゲート
電圧が結合用抵抗Ｒ１を介して伝わることを利用してい
る。今、発光サイリスタＴ（０）がオンしているとする
と、そのゲート（即ち、トランジスタＴｒｙ（。、のベ
ース）の電圧が上昇し、発光サイリスタＴ　（１）、Ｔ
（−１）のゲート電圧が上昇する。つまり、トランジス
タＴ　ｒｚ　（１１、Ｔ　ｒｔ　（−１１のベース電圧
が上昇する。従って、これらのトランジスタＴ、２（１
）、Ｔ　ｒｚ　（−１１の電流駆動能力が高まり、発光
サイリスタＴ（１）、Ｔ　（−１）のターンオン電圧が
下がる。

一方、発光サイリスタＴ（２）、Ｔ　（−２）について
は、電流が結合用抵抗ＲＩを介して流れるためゲート電
圧が低下する。この理由により、発光サイリスタＴ（１
）、Ｔ（−１）のターンオン電圧に比べて、発光サイリ
スタＴ（２）、Ｔ　（−２）のターンオン電圧は高くな
る。このターンオン電圧の差を利用して、３相の転送り
ロックφ、〜φ、によってオン状態の転送が可能となる
。

次に、第７図に第４の従来例の等価回路図を示す。なお
、第７図において、各々の発光サイリスタＴ（４）〜Ｔ
（２）はそれぞれ２つのトランジスタＴ１．、Ｔ、によ
って構成されている。なお、Ｒｏは抵抗である。また、
この等価回路はカーレントミラー回路を応用して構成さ
れている。

今、第７図において発光サイリスタＴ（０）がオン状態
（発光状態）であるとする。この時、トランジスタＴ１
□、。、とトランジスタＴ７１．。、とがカーレントミ
ラー回路を構成することとなり、発光サイリスタＴ（０
）に流れる電流と同じ電流がトランジスタＴ　ｒ　：＋
　（。）に流れる。このため、ゲートＧ１はほぼ零ボル
トとなる。従って、発光サイリスタＴ（１）のターンオ
ン電圧は約１　（Ｖ）にまで低下する。−方、発光サイ
リスタＴ　（−１）のゲート電圧は電源電圧ＶＧＫ（通
常５　（Ｖ）　）になっているので、ターンオン電圧は
約６〔■〕となる。このターンオン電圧の差を利用して
２相の転送りロックφ３、φ２によって転送動作を行わ
せることができる。

さらに、第５の従来の発光素子アレイとして、特開平２
−１４５８４号公報に記載されるものがある。第８図に
この第５の従来例の等価回路図を示す。本従来例は光に
よる結合を用いた発光素子アレイである。

第８図において、発光サイリスタＴ　（−２）、Ｔ（２
）は、光が入射すると内部で光電流が流れて、そのター
ンオン電圧が低下する。今、発光サイリスタＴ（０）が
発光しているとすると、その発光による光Ｌ、は隣接す
る発光サイリスタＴ（１）、Ｔ　（−１）に入射し、タ
ーンオン電圧を下げる。発光サイリスタＴ（２）、Ｔ　
（−２）に対しては、光が入射しないためにターンオン
電圧は不変である。これを利用して転送りロックφ１〜
φ３をそれらの供給ラインに供給することで発光状態の
転送を行わせることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来例において述べた自己走査機能を有する発光素
子アレイを光コンピユーテイング等の光情報処理へ応用
する場合、光によって情報を書き込む機能が重要となる
。しかしながら、上記従来技術の各々の発光素子アレイ
は光感度が悪く、発光する側の装置にかなり大きな発光
強度が必要であった。このために、発光する側の装置に
はかなり大きな電力を供給する必要があり、システムと
して低消費電力を達成できないという問題点があった。

本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解消し、少な
い光電流で発光素子をターンオンさせること、即ち光感
度を大きく向上させることを可能ならしめた発光素子ア
レイを提供することである。

また、さらには光感度を外部から制御でき、光情報のオ
ア機能、アンド機能を実現できる発光素子アレイを提供
することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明の発光素子アレイは
、発光動作のためのしきい電圧を制御するための第１の
制御電極をそれぞれ有する複数の発光素子が配列されて
おり、各々の前記発光素子の前記第１の制御電極が近傍
に位置する少なくとも１つの前記発光素子の前記第１の
制御電極に、直接、あるいは第１の電気抵抗や電気的に
一方向性を有する電気素子を介して接続され、各々の前
記発光素子に発光を制御するための第２の制御電極が設
けられており、これらの第２の制御電極の各々に外部か
ら電圧もしくは電流を供給する複数の供給ラインが接続
されている発光素子アレイ、または、発光動作のための
しきい電圧を制御するための第１の制御電極をそれぞれ
有し発光を開始するためのしきい電圧が入射する光強度
によって変化する複数の発光素子が配列されており、各
々の前記発光素子の発光が近傍に位置する少な（とも１
つの前記発光素子に入射するように構成されており、各
々の前記発光素子に発光を制御するための第２の制御電
極が設けられており、これらの第２の制御電極の各々に
外部から電圧もしくは電流を供給する複数の供給ライン
が接続されている発光素子アレイであって、前記発光素
子に対して外部から照射される光情報に応じて前記第１
の制御電極に外部端子から制御可能な電流を流すための
手段を備える。

なお、本発明の発光素子アレイは、その好ましい態様に
よれば、前記外部端子から制御可能な電流を流すための
手段が各々の前記発光素子の前記第１の制御電極と前記
外部端子とを接続するコンデンサを備える。さらに好ま
しくは、前記コンデンサは、各々の前記発光素子に応じ
て異なる静電容量値に設定される。

また、本発明の発光素子アレイは、その好ましい態様に
よれば、前記外部端子から制御可能な電流を流すための
手段が各々の前記発光素子の前記第１の制御電極と前記
外部端子とを接続するダイオードと電気抵抗とを備える
。さらに好ましくは、前記電気抵抗は、各々の前記発光
素子に応じて異なる抵抗値に設定される。

〔作用〕

外部端子から制御可能な電流を流すための手段は、各々
の発光素子の第１の制御電極に電流を注入する機構を有
する。このため、その注入電流により少ない光電流でも
発光素子をターンオンさせることができる。

例えば、上記機構は各々の発光素子の第１の制御電極に
接続したコンデンサを有する。このコンデンサの他端に
外部端子から光感度制御パルスが供給される。そして、
光感度制御パルスが供給されると、電圧変化に応じて変
位電流がそのコンデンサを介して流れる。この変位電流
が発光素子の第１の制御電極に流れる電流となる。発光
素子がターンオンするために必要な電流のかなりの割合
をこの変位電流で充足させておくと、少ない光電流で発
光素子はターンオンすることができる。従って、各々の
発光素子の光感度は大きく向上する。

また、上記の注入電流を発光素子アレイのそれぞれの発
光素子に対して異なった量に設定しておく。すると、１
つの発光素子に２つの光情報が入射された際に、オア機
能又はアンド機能を生じさせることができる。

本発明によれば、光による情報の書き込みをより簡単に
することができる。従って、光コンピユーテイング用の
素子として消費電力の小さいシステムの構築に適する。

〔実施例〕

〈実施例１〉 第１図は本発明の第１の実施例を示す等価回路図である
。第１図において、この等価回路は第４図に示した自己
走査機能を有する発光素子アレイの構成を基本的に採用
している。第１図の発光素子アレイの構成は発光サイリ
スタＴ（１）〜Ｔ（５）の各々のゲート（Ｇ、〜Ｇ５）
にコンデンサＣＩ、又はＣ１が接続され、それらの他端
に光感度を制御するための光感度制御パルスφ、が外部
端子１４から供給される構成となっている点で、第４図
の発光素子アレイと異なっている。なお、第１図では第
４図と同一の物に同一の符号を付している。また、Ａ１
〜Ａ、はアノードである。

次に、第１図に示す発光素子アレイの動作を説明する。

制御パルスφ２がその供給ラインに供給されない場合は
、コンデンサＣ，，Ｃ，は機能せず、第４図に示す従来
例の場合と全く同様に動作する。さて、光書き込みを行
う場合について説明する。２相の転送りロックφいφ２
にて転送動作を行わせる場合には、一つおきの発光サイ
リスタにしか情報を書き込むことはできない、そこで、
転送りロックφ１の供給ラインに接続される発光す１°
リスタＴ（１）、Ｔ（３）、Ｔ（５）のみをオンさせる
場合について説明することにする。

転送りロックφ、の電圧を発光サイリスタＴ（１）、Ｔ
（３）、Ｔ（５）がターンオンしないようなレベルのハ
イレベルに設定する。そして、光情報を各々の発光サイ
リスタＴ（１）〜Ｔ（５）に照射する。この後、光感度
制御パルスφ、をローレベルに設定して、その供給ライ
ンに供給する。この光照射の時点と制御パルスφデの供
給の時点との間にある程度の時間が必要である。それは
光が照射されてから、その光量に比例する電流が発光サ
イリスタＴ（１）〜Ｔ（５）に流れるまで、光電荷が発
光サイリスタＴ（１）〜Ｔ（５）の内部に蓄積される必
要があるためである。

第２図に第１図の発光サイリスタＴ（１）とその周辺回
路とを抜き出した図を示す。第２図において、発光サイ
リスタＴ（１）はＰＮＰＮ構造を有する。そして、アノ
ード（Ａ　Ｉ）になるＰ形半導体層１０に抵抗ＲＡＩを
介して転送りロックφ、が供給され、カソードになるＮ
形半導体層１３は接地されている。ゲート（ＧＯになる
Ｎ形半導体ＪＷＩＩは抵抗ＲＬＩを介して電源電圧ＶＧ
ＩＩの直流電源に接続され、かつコンデンサＣ１を介し
て光感度制御パルスφ。

の供給ラインに接続されている。なお、１２はＰ形半導
体層である。

第２図において、転送りロックφ、の供給ラインに電圧
が供給され、光が発光サイリスタＴ（１）に照射された
とする。この時、光電流Ｓｐが発光サイリスタＴ（１）
に流れる。次に、制御パルスφデの電圧を引き下げると
、その瞬間に変位電流ｉｃがコンデンサＣＩに流れる。

この電流ｉｃはＴ（１）のゲ）（Ｇ＋）から電流ｉｃ＋
を引き出すｅ　”Ｈ′ｆＬＩ　ｃ＋は電流ｉｃより小さ
く、それらの差の電流はゲート負荷抵抗ＲＬＩを通って
流れる電流に相当する。この電流ｉｃ＋は発光サイリス
タＴ（１）のアノード・カソード間を通る電流ｉｃｚを
誘起する。この電流ｉ■は電流ｉｃ＋に電流増幅率βを
乗じた大きさになっている。

発光サイリスタＴ（１）がターンオンするためのしきい
電流をｉｔｈとすると、発光サイリスタＴ（１）のター
ンオンの条件は Ｉ　ｔｈ＜　ｉ　ｐ＋ｉ　ｃｔ＝　ｉ　ｐ＋βｉｃ＋で
ある。この関係から、電流ｉｃｔをしきい電流Ｉｔｈの
近くに設定することで光電流ｉ、を小さくすることがで
きる。即ち、発光サイリスタＴ（１）の光感度を向上さ
せることができる。

なお、第２図では発光サイリスタＴ（１）を例に挙げて
説明したが、第１図に示す他の発光サイリスタＴ（２）
〜Ｔ（５）においても同様に動作する。

第１図において、転送りロックφ、の供給ラインに電圧
が供給されるとともに、光情報が発光サイリスタＴ（１
）に照射され、制御パルスφ、がその供給ラインに供給
されて発光サイリスタＴ（１）がオン状態になったとす
る。この後のオン状態の転送は第４図に示す従来例と全
く同様に行われる。光感度制御パルスφ、として電圧パ
ルスがその供給ラインに供給されない限りコンデンサＣ
，，Ｃ，は動作に影響を与えない。

さて、転送りロックφ、の供給ラインに接続された発光
サイリスタＴ（１）、Ｔ（３）、Ｔ（５）のゲートのそ
れぞれにつながるコンデンサをＣＩとする。また、転送
りロックφ２の供給ラインに接続された発光サイリスタ
Ｔ（２）、Ｔ（４）のゲートのそれぞれにつながるコン
デンサを０２とする。そして、それぞれのコンデンサＣ
＋、Ｃｚの静電容量値を異ならせる。この時、先述の変
位電流ｉＣＯ量がコンデンサＣ４、Ｃ２で異なることに
なり、それぞれの発光サイリスクの光感度を異なった状
態に設定できる。これを利用すると、１つの発光サイリ
スクに２つの光情報が入射された際に、光感度を上げて
おくと、どちらか１つの光情報で発光サイリスクがオン
する。即ち、発光サイリスクはオア機能を果たすことが
できる。

一方、発光サイリスクの光感度を下げておくと、両方の
光情報が入射された時にオンする。即ち、発光サイリス
クはアンド機能を果たすことができる。このように、発
光素子アレイＴ（１）〜Ｔ（５）の光感度を大きく向上
させることができ、それのみならず、光の演算機能まで
も持たせることができる。

〈実施例２〉 第３図は本発明の第２の実施例を示す等価回路図である
。第３図の発光素子アレイの構成は、第１図のコンデン
サＣ１、Ｃ２の代わりに、ダイオードＤ′及び抵抗Ｒ□
、ＲＰ！を設けた点で第１図の発光素子アレイと異なっ
ている。なお第３図において、第１図と同一の物には同
一の符号が付されている。

次に、第３図に示す発光素子アレイの動作を説明する。

今、光感度制御パルスφ、を電源電圧■。と同じ電圧（
例えば５　〔Ｖ）　）に設定する。この場合、ダイオー
ドＤ゛は逆バイアスとなり、ダイオードＤ′に電流は流
れない。従って、本発光素子アレイは第４図に示す従来
例の場合と全く同様に動作する０次に、制御パルスφ、
の電圧を例えば零ボルトに設定したとする。この時、ダ
イオードＤ′は順方向にバイアスされて電流ｉＩ、が流
れる。この電流ｉゎの一部は抵抗Ｒｔ＋　（又はＲＬり
を介して流れるが、大部分は発光サイリスタＴ（１）〜
Ｔ（５）のゲート（Ｃ１〜Ｃ，）から流れ出る。

ダイオードＤ°を流れる電流ｉ、はこれに直列に接続さ
れたＲＰＩ　（又はＲ，りによって制限される。この電
流１０は第１の実施例にて述べたコンデンサＣ１、Ｃ２
での変位電流ｉｃと同じであり、発光サイリスタＴ（１
）〜Ｔ（５）の内部を流れる電流ｉｅ２を誘起する。従
って、第１の実施例と全く同じ理由で発光サイリスタＴ
（１）〜Ｔ（５）の光感度を向上させることができる。

さて第３図において、転送りロックφ１の供給ラインに
接続された発光サイリスタＴ（１）、Ｔ（３）、Ｔ（５
）のゲートのそれぞれにダイオードＤ”を介してつなが
る抵抗をＲＰＩとする。また、転送りロックφ、の供給
ラインに接続された発光サイリスタＴ（２）、Ｔ（４）
のゲートのそれぞれにダイオードＤ゛を介してつながる
抵抗をＲＰ２とする。そして、それぞれの抵抗ＲＰＩ、
ＲＰ□の抵抗値を異ならせる。

この時、先述の電ｉｏの量が抵抗Ｒ□、ＲＰ２で異なる
ことになり、それぞれの発光サイリスクの光感度を異な
った状態に設定できる。これによって、第１の実施例と
同様にしてオア機能、アンド機能が達成され得る。

なお、以上説明した実施例の発光素子アレイは、第４図
に示す発光素子アレイの構成を応用した場合を示してい
る。しかし、本発明はこの構成だけに限られず、他の従
来例についても同様に成立する。

例えば、第５図では発光サイリスタＴ　（−２）〜Ｔ（
２）のゲート（Ｇ−２〜Ｇりの部分にコンデンサＣＩ、
Ｃ２を設けるか、あるいはダイオードＤ゛　と抵抗ＲＦ
Ｉ、ＲＰ２とを設ければよい。また、第６図ではトラン
ジスタＴｒｌ（−４１〜ＴｒｌＨ）のベースの部分にコ
ンデンサＣ１、Ｃ２を設けるか、あるいはダイオードＤ
゛　と抵抗ＲＰ１％　ＲＰ□とを設ければよい。

さらに、第７図では発光サイリスタＴ（−１）〜Ｔ（２
）のゲート（Ｇ−＋＝Ｇｚ）の部分に、第８図では開放
状態になっている発光サイリスタＴ　（−２）〜Ｔ（２
）のゲート（Ｇ−ｔ−Ｇｚ）の部分にそれぞれコンデン
サＣ１、Ｃ２を設けるか、あるいはダイオードＤ゛　と
抵抗ＲＰ１％　Ｒｒｚとを設ければよい。

〔発明の効果］ 本発明は、以上説明したように構成されているので、以
下に記載されるような効果を奏する。

即ち、外部端子から制御可能な電流を流す（光感度制御
パルスを供給する）ことにより、光感度を大きく向上さ
せることを可能ならしめた発光素子アレイを提供するこ
とができる。従って、発光する側の装置は大きな電力を
必要とせず、システムとして低消費電力を達成できる。

また、発光素子の光感度を個別に制御することにより、
光情報のすア機能、アンド機能を実現できる発光素子ア
レイを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例を示す等価回路図、第２
図は第１の実施例の動作を説明するための図、第３図は
本発明の第２の実施例を示す等価回路図、第４図は第１
の従来例を示す等価回路図、第５図は第２の従来例を示
す等価回路図、第６図は第３の従来例を示す等価回路図
、第７図は第４の従来例を示す等価回路図、第８図は第
５の従来例を示す等価回路図である。 なお図面に用いた符号において、 Ｔ　（−２）〜Ｔ　（５）−・−発光サイリスク（発光
素子）Ｇ２−Ｇ５−・−・−−−−−一一一一一−ゲー
ト（第１の制御電極）Ａ、〜Ａｓ−・・−・−一一一−
−−・−アノード（第２の制御電極）Ｒｏ−・−ｍ−−
−−−−−−・・−結合用抵抗（第１の電気抵抗）Ｄ０
〜Ｄ　５−−−−−−−−−−−・−・・ダイオード（
一方向性を有する電気素子） φ１、φ２・・・−・−一−−−−・転送りロックφＦ
　−−−・−・−一−−−−光感度制御パルス１４−・
−・−−−一−・・・・−外部端子ＣＩ、Ｃｔ・・・・
−・−・・・−コンデンサＤ′・−・・−−−−−−ｍ
−・−ダイオードＲ□、ＲＰ□−−一−−−−・−抵抗
（第２の電気抵抗）である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、発光動作のためのしきい電圧を制御するための第１
   の制御電極をそれぞれ有する複数の発光素子が配列され
   ており、各々の前記発光素子の前記第１の制御電極が近
   傍に位置する少なくとも１つの前記発光素子の前記第１
   の制御電極に、直接、あるいは第１の電気抵抗や電気的
   に一方向性を有する電気素子を介して接続され、各々の
   前記発光素子に発光を制御するための第２の制御電極が
   設けられており、これらの第２の制御電極の各々に外部
   から電圧もしくは電流を供給する複数の供給ラインが接
   続されている発光素子アレイ、 または、発光動作のためのしきい電圧を制御するための
   第１の制御電極をそれぞれ有し発光を開始するためのし
   きい電圧が入射する光強度によって変化する複数の発光
   素子が配列されており、各々の前記発光素子の発光が近
   傍に位置する少なくとも１つの前記発光素子に入射する
   ように構成されており、各々の前記発光素子に発光を制
   御するための第２の制御電極が設けられており、これら
   の第２の制御電極の各々に外部から電圧もしくは電流を
   供給する複数の供給ラインが接続されている発光素子ア
   レイであって、 前記発光素子に対して外部から照射される光情報に応じ
   て前記第１の制御電極に外部端子から制御可能な電流を
   流すための手段を備えることを特徴とする発光素子アレ
   イ。 ２、請求項１に記載の発光素子アレイにおいて、前記外
   部端子から制御可能な電流を流すための手段は、各々の
   前記発光素子の前記第１の制御電極と前記外部端子とを
   接続するコンデンサを備えることを特徴とする発光素子
   アレイ。 ３、請求項２に記載の発光素子アレイにおいて、前記コ
   ンデンサは、各々の前記発光素子に応じて異なる静電容
   量値に設定されることを特徴とする発光素子アレイ。 ４、請求項１に記載の発光素子アレイにおいて、前記外
   部端子から制御可能な電流を流すための手段は、各々の
   前記発光素子の前記第１の制御電極と前記外部端子とを
   接続するダイオードと第２の電気抵抗とを備えることを
   特徴とする発光素子アレイ。 ５、請求項４に記載の発光素子アレイにおいて、前記第
   ２の電気抵抗は、各々の前記発光素子に応じて異なる抵
   抗値に設定されることを特徴とする発光素子アレイ。