JPH04128290A - チアゾリルアセトアミドセフェム誘導体 - Google Patents
チアゾリルアセトアミドセフェム誘導体Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、新規なチアゾリルアセトアミドセフェム誘導
体に関する。
体に関する。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕特開昭
59−89689号公報には、7−置換−3−ビニル−
3−セフェム化合物として、−数式で表わされる化合物
はすでに開示されている。
59−89689号公報には、7−置換−3−ビニル−
3−セフェム化合物として、−数式で表わされる化合物
はすでに開示されている。
方、特開昭62−491号公報には、下記−数式で表わ
される化合物も開示されている。
される化合物も開示されている。
しかし、さらに抗菌力のすぐれた化合物が要望されてい
る。
る。
本発明者らは、3位にシクロプロピルビニル基を有する
新規なチアゾリルアセトアミドセフェム誘導体がすぐれ
た抗菌力を有することを見い出し、すでに特許出願した
。
新規なチアゾリルアセトアミドセフェム誘導体がすぐれ
た抗菌力を有することを見い出し、すでに特許出願した
。
さらに検討の結果、3位に上記と異なる特定の置換基を
有するビニル基を導入することにより、さらにすぐれた
抗菌力を有することを見い出した。
有するビニル基を導入することにより、さらにすぐれた
抗菌力を有することを見い出した。
さらに詳細には、本発明は、種々の病原菌に対して高い
活性を有する抗菌剤、特に経口投与用に有用な新規チア
ゾリルアセトアミドセフェム誘導体及びその医薬として
許容される塩を提供するものである。
活性を有する抗菌剤、特に経口投与用に有用な新規チア
ゾリルアセトアミドセフェム誘導体及びその医薬として
許容される塩を提供するものである。
即ち、本発明は、−数式(1)
〔式中、R1は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。R
2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキシ
ル基を示す。R’、R5は同一あるいは異なる低級アル
キル基を示すか、またはそれらが結合している窒素原子
と共に、−緒になってモルホリン環を形成してもよい。
2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキシ
ル基を示す。R’、R5は同一あるいは異なる低級アル
キル基を示すか、またはそれらが結合している窒素原子
と共に、−緒になってモルホリン環を形成してもよい。
〕
で表わされるチアゾリルアセトアミドセフェム誘導体及
び薬理学的に許容できる塩;その製造方法ならびに、そ
れを含有する抗菌剤である。
び薬理学的に許容できる塩;その製造方法ならびに、そ
れを含有する抗菌剤である。
ここでR1で示す低級アルコキシ基としては、メトキシ
、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポキシ、n−ブ
トキシ、5ec−ブトキシ、t−ブトキシなどC1から
04のアルコキシ基があげられる。
、エトキシ、n−プロポキシ、i−プロポキシ、n−ブ
トキシ、5ec−ブトキシ、t−ブトキシなどC1から
04のアルコキシ基があげられる。
R2のカルボキシル基の保護基としては、メチル、エチ
ル、t−ブチルなと低級アルキル基、p−メトキシベン
ジル、p−ニトロベンジル、3.4−ジメトキシベンジ
ル、ジフェニルメチル、トリチル、フェネチルなどの(
置換基を有していてもよいフェニル基)で置換された低
級アルキル基:2.2.2− ) IJクロロエチル、
2−ヨードエチルなどのハロゲン化低級アルキル基;ピ
バロイルオキシメチル、アセトキシメチル、プロピオニ
ルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、バレリルオキ
シメチル、1−アセトキシエチル、2−アセトキシエチ
ル、1−ピバロイルオキシエチル、2−アセトキシエチ
ル、1−ピバロイルオキシエチル、2−ピバロイルオキ
シエチルなどの低級アルカノイルオキシ低級アルキル基
;バルミトイルオキシエチル、ヘプタペカノイルオキシ
メチル、1−バルミトイルオキシエチルなどの高級アル
カノイルオキシ低級アルキル基;メトキシカルボニルオ
キシメチル、1−ブトキシカルボニルオキシエチル、1
−t−ブトキシカルボニルオキシエチル、1−エトキシ
カルボニルオキシエチル、1−(イソプロポキシカルボ
ニルオキシ)エチルなどの低級アルコキシカルボニルオ
キシ低級アルキル基;カルボキシメチル、2−カルボキ
シエチルなどのカルボキシ低級アルキル基;3−フタリ
ジルなどの複素環基;4−グリシルオキシベンゾイルオ
キシメチル、4−(N−(t−ブトキシカルボニル)グ
リシルオキシベンゾイルオキシメチルなどの置換基を有
していてもよいベンゾイルオキシ低級アルキル基; (
5−メチル−2−オキソ−1,3−ジオキソレン−4−
イル)メチルなどの(置換ジオキソレン)低級アルキル
基、1−シクロへキシルアセチルオキシエチルなどのシ
クロアルキル置換低級アルカノイルオキシ低級アルキル
基、1−シクロへキシルオキシカルボニルオキシエチル
などのシクロアルキルオキシカルボニルオキシ低級アル
キル基等があげられるが、要するに、何らかの手段で分
解されてカルボン酸となり得る保護基であればいかなる
基でもよい。
ル、t−ブチルなと低級アルキル基、p−メトキシベン
ジル、p−ニトロベンジル、3.4−ジメトキシベンジ
ル、ジフェニルメチル、トリチル、フェネチルなどの(
置換基を有していてもよいフェニル基)で置換された低
級アルキル基:2.2.2− ) IJクロロエチル、
2−ヨードエチルなどのハロゲン化低級アルキル基;ピ
バロイルオキシメチル、アセトキシメチル、プロピオニ
ルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、バレリルオキ
シメチル、1−アセトキシエチル、2−アセトキシエチ
ル、1−ピバロイルオキシエチル、2−アセトキシエチ
ル、1−ピバロイルオキシエチル、2−ピバロイルオキ
シエチルなどの低級アルカノイルオキシ低級アルキル基
;バルミトイルオキシエチル、ヘプタペカノイルオキシ
メチル、1−バルミトイルオキシエチルなどの高級アル
カノイルオキシ低級アルキル基;メトキシカルボニルオ
キシメチル、1−ブトキシカルボニルオキシエチル、1
−t−ブトキシカルボニルオキシエチル、1−エトキシ
カルボニルオキシエチル、1−(イソプロポキシカルボ
ニルオキシ)エチルなどの低級アルコキシカルボニルオ
キシ低級アルキル基;カルボキシメチル、2−カルボキ
シエチルなどのカルボキシ低級アルキル基;3−フタリ
ジルなどの複素環基;4−グリシルオキシベンゾイルオ
キシメチル、4−(N−(t−ブトキシカルボニル)グ
リシルオキシベンゾイルオキシメチルなどの置換基を有
していてもよいベンゾイルオキシ低級アルキル基; (
5−メチル−2−オキソ−1,3−ジオキソレン−4−
イル)メチルなどの(置換ジオキソレン)低級アルキル
基、1−シクロへキシルアセチルオキシエチルなどのシ
クロアルキル置換低級アルカノイルオキシ低級アルキル
基、1−シクロへキシルオキシカルボニルオキシエチル
などのシクロアルキルオキシカルボニルオキシ低級アル
キル基等があげられるが、要するに、何らかの手段で分
解されてカルボン酸となり得る保護基であればいかなる
基でもよい。
R’ R’で示す低級アルキル基としては、メチル、
エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、5
ec−ブチル、t−ブチルなどの炭素数1〜4のアルキ
ル基が挙げられる。
エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、5
ec−ブチル、t−ブチルなどの炭素数1〜4のアルキ
ル基が挙げられる。
また、医薬として許容される塩としては、例えばナトリ
ウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩;アンモニウ
ム塩;テトラエチルアンモニウム塩、ベタイン塩などの
4級アンモニウム塩:カルシウム塩、マグネシウム塩な
どのアルカリ土類金属塩;塩酸塩、臭化水素酸塩、沃化
水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩などの無機酸塩;
酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸塩などの有機カ
ルボン酸塩;メタンスルホン酸塩、ヒドロキシメタンス
ルホン酸塩、ヒドロキシェタンスルホン酸塩、タウリン
塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩など
の有機スルホン酸塩:アルギニン塩、リジン塩、セリン
塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩、グリシン塩な
どのアミノ酸塩;トリメチルアミン酸、トリエチルアミ
ン塩、ピリジン塩、プロカイン塩、ピコリン塩、ジシク
ロヘキシルアミン塩、N、N’−ジベンジルエチレンジ
アミン塩、N−メチルグルカミン塩、ジェタノールアミ
ン塩、トリエタノールアミン塩、トリス(ヒドロキシメ
チルアミノ)メタン塩、フェネチルベンジルアミン塩な
どのアミン塩などがあげられる。
ウム塩、カリウム塩などのアルカリ金属塩;アンモニウ
ム塩;テトラエチルアンモニウム塩、ベタイン塩などの
4級アンモニウム塩:カルシウム塩、マグネシウム塩な
どのアルカリ土類金属塩;塩酸塩、臭化水素酸塩、沃化
水素酸塩、硫酸塩、炭酸塩、重炭酸塩などの無機酸塩;
酢酸塩、マレイン酸塩、乳酸塩、酒石酸塩などの有機カ
ルボン酸塩;メタンスルホン酸塩、ヒドロキシメタンス
ルホン酸塩、ヒドロキシェタンスルホン酸塩、タウリン
塩、ベンゼンスルホン酸塩、トルエンスルホン酸塩など
の有機スルホン酸塩:アルギニン塩、リジン塩、セリン
塩、アスパラギン酸塩、グルタミン酸塩、グリシン塩な
どのアミノ酸塩;トリメチルアミン酸、トリエチルアミ
ン塩、ピリジン塩、プロカイン塩、ピコリン塩、ジシク
ロヘキシルアミン塩、N、N’−ジベンジルエチレンジ
アミン塩、N−メチルグルカミン塩、ジェタノールアミ
ン塩、トリエタノールアミン塩、トリス(ヒドロキシメ
チルアミノ)メタン塩、フェネチルベンジルアミン塩な
どのアミン塩などがあげられる。
本発明化合物は次に示す方法に従って製造することがで
きる。
きる。
〔式中、phはフェニル基、R1は水酸基、低級アルコ
キシ基又は保護基で保護された水酸基を示す。
キシ基又は保護基で保護された水酸基を示す。
Rzはカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキ
シル基を示す。R4はアミノ基又は保護基で保護された
アミノ基を示す、〕 で表される化合物あるいはそれらの塩と次の式〔式中、
Ra、Rsは同一あるいは、異なる低級アルキル基を示
すか、またはそれらが結合している窒素原子と共に、−
緒になってモルホリン環を形成してもよい、〕で表わさ
れる化合物と反応させ、必要によりアミノ基、水酸基、
又はカルボキシル基の保護基を脱離することにより、〔
式中R′は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。
シル基を示す。R4はアミノ基又は保護基で保護された
アミノ基を示す、〕 で表される化合物あるいはそれらの塩と次の式〔式中、
Ra、Rsは同一あるいは、異なる低級アルキル基を示
すか、またはそれらが結合している窒素原子と共に、−
緒になってモルホリン環を形成してもよい、〕で表わさ
れる化合物と反応させ、必要によりアミノ基、水酸基、
又はカルボキシル基の保護基を脱離することにより、〔
式中R′は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。
R2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボキ
シル基を示す。R’、R’は同一あるいは異なる低級ア
ルキル基を示すか、またはそれらが結合している窒素原
子と共に、−緒になってモルホリン環を形成してもよい
。〕で表わされるチアゾリルアセトアミドセフェム誘導
体及びその医薬として許容される塩を得ることができる
。
シル基を示す。R’、R’は同一あるいは異なる低級ア
ルキル基を示すか、またはそれらが結合している窒素原
子と共に、−緒になってモルホリン環を形成してもよい
。〕で表わされるチアゾリルアセトアミドセフェム誘導
体及びその医薬として許容される塩を得ることができる
。
上記反応は、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラハ
イドロフラン、アセトン、酢酸エム、テトラハイドロフ
ラン、アセトン、酢酸エチル、メタノール、エタノール
、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン、ヘキサ
ン等の不活性溶媒中、反応温度−50℃〜50℃で行う
ことができる。
イドロフラン、アセトン、酢酸エム、テトラハイドロフ
ラン、アセトン、酢酸エチル、メタノール、エタノール
、ジメチルスルホキシド、ベンゼン、トルエン、ヘキサ
ン等の不活性溶媒中、反応温度−50℃〜50℃で行う
ことができる。
保護基の脱離は、用いた保護基の種類に応じて、常法に
より行うことができる。
より行うことができる。
アミノ基の保護基としては、例えばホルミル基、アセチ
ル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、フェニ
ルアセチル基、チエニルアセチル基、t−ブトキシカル
ボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリチル基、
p−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、ベンジ
リデン基、p−ニトロベンジリデン基、m−ニトロベン
ジリデン基、3.4−メチレンジオキシベンジリデン基
、m−クロルベンジリデン基などがあげられる。
ル基、クロルアセチル基、ジクロルアセチル基、フェニ
ルアセチル基、チエニルアセチル基、t−ブトキシカル
ボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、トリチル基、
p−メトキシベンジル基、ジフェニルメチル基、ベンジ
リデン基、p−ニトロベンジリデン基、m−ニトロベン
ジリデン基、3.4−メチレンジオキシベンジリデン基
、m−クロルベンジリデン基などがあげられる。
ハイドロキシイミノ基の保護基としてはトリチル基、テ
トラハイドロピラニル基などがあげられる。
トラハイドロピラニル基などがあげられる。
次に、本発明化合物の有用性を示すために、本発明の代
表化合物について抗菌活性の試験データを実験例によっ
て示す。
表化合物について抗菌活性の試験データを実験例によっ
て示す。
1、試験化合物
化合物A: 7− [(Z)−2−(2−アミノチアゾ
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
) −3−[(Z)−3−(N、N−ジメチルカルバモ
イルオキシ)−1−プロペニル]−3−セフェムー4−
カルボン酸 ナトリウム塩(実施例1) 化合物B : 7− ((Z)−2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド)−3−((Z)−3−(1−モルポリニルカルボニ
ルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェムー4−カ
ルボン酸 ナトリウム塩(実施例3) 2、結果 表に示す0表1の数値はMIC(μg /s 1 )を
示す。
ール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド
) −3−[(Z)−3−(N、N−ジメチルカルバモ
イルオキシ)−1−プロペニル]−3−セフェムー4−
カルボン酸 ナトリウム塩(実施例1) 化合物B : 7− ((Z)−2−(2−アミノチア
ゾール−4−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミ
ド)−3−((Z)−3−(1−モルポリニルカルボニ
ルオキシ)−1−プロペニル〕−3−セフェムー4−カ
ルボン酸 ナトリウム塩(実施例3) 2、結果 表に示す0表1の数値はMIC(μg /s 1 )を
示す。
本発明化合物を抗菌剤として使用する際には、症状の程
度;患者の年令;性別;体重;惑学性差;投与方法;投
与の時期;間隔;医薬製剤の性質、有効成分の種類など
によって異なり、特に限定されないが、通常1日IO・
0−g〜5gを1〜4回にわけて経口あるいは非経口的
に投与することができる。
度;患者の年令;性別;体重;惑学性差;投与方法;投
与の時期;間隔;医薬製剤の性質、有効成分の種類など
によって異なり、特に限定されないが、通常1日IO・
0−g〜5gを1〜4回にわけて経口あるいは非経口的
に投与することができる。
本発明化合物の急性毒性値(LD、。(マウス・経口)
〕は、いずれも2g/kg以上であった。
〕は、いずれも2g/kg以上であった。
本則としては、錠剤、顆粒剤、散剤、カプセル剤、・シ
ロップ剤、液剤などがあげられる。これらは、公知の製
剤担体を加え、常法により製造することができる。
ロップ剤、液剤などがあげられる。これらは、公知の製
剤担体を加え、常法により製造することができる。
次に実施例を示し、本発明を更に詳しく説明するが、本
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
尚、本発明の化合物の原料となる化合物の合成例を実施
例に先んじて製造例として示す。
例に先んじて製造例として示す。
下記の式中、Trtはトリチル基を意味する。
l」−=ルノJ−に
7− ((Z)−2−(2−)ジチルアミノチアゾール
−4−イル)−2−)リチルオキシイミノアセトアミド
)−3−(1−トリフェニルホスホラニリデン)メチル
−3−セフェム−4−カルボン酸 4−メトキシフェニ
ルメチル34.46g(27,63mmojりとN、N
−ジメチルカルバモイルオキシアセトアルデヒド4 g
(30,53ma+of)とのジクロロメタン15
0mj!溶液を室温下16時間撹拌した。
−4−イル)−2−)リチルオキシイミノアセトアミド
)−3−(1−トリフェニルホスホラニリデン)メチル
−3−セフェム−4−カルボン酸 4−メトキシフェニ
ルメチル34.46g(27,63mmojりとN、N
−ジメチルカルバモイルオキシアセトアルデヒド4 g
(30,53ma+of)とのジクロロメタン15
0mj!溶液を室温下16時間撹拌した。
溶媒を減圧留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィー(n−ヘキサン:酢酸エチル=1=1)で精製
し、目的物を11.3 g (10,26w+mof
。
ラフィー(n−ヘキサン:酢酸エチル=1=1)で精製
し、目的物を11.3 g (10,26w+mof
。
37.1%)得た。
NMR(CDC1s)δ: 2.84(68,s、N(
CH1)z)、3.32(2B。
CH1)z)、3.32(2B。
ABq、 J=18.0Hz、 CHz) 、 3.7
8 (3B、 s、 0CR3) 、 4.30〜4.
70(2H,ta、 CHz) 、 5.06 (18
,d、 J=4.8Hz、 CI) 、 5.16 (
2H,bs 。
8 (3B、 s、 0CR3) 、 4.30〜4.
70(2H,ta、 CHz) 、 5.06 (18
,d、 J=4.8Hz、 CI) 、 5.16 (
2H,bs 。
CO□GHz−)、5.50〜6.10(2H,m、C
H,=Cjl−)、6.26(IH,d。
H,=Cjl−)、6.26(IH,d。
J=11.8)1z、−CH=)、6.40〜7.50
(35H,m、チアゾールH,Ph−HX34) −4−カルボン ラム 製造例1の化合物3.5 g (3,179o+5of
)のアニソール28111溶液に氷冷下、トリフルオロ
酢酸30−2を滴下し、その後室温で2時間撹拌した。
(35H,m、チアゾールH,Ph−HX34) −4−カルボン ラム 製造例1の化合物3.5 g (3,179o+5of
)のアニソール28111溶液に氷冷下、トリフルオロ
酢酸30−2を滴下し、その後室温で2時間撹拌した。
減圧上濃縮後、濃縮溶液をIPE(イソプロピルエーテ
ル) 60 ++f!、 n−ヘキサン180+w4
の混合液に滴下し析出した結晶を炉底した。結晶を90
%ギ酸30ya1.に加え室温下3時間撹拌した。
ル) 60 ++f!、 n−ヘキサン180+w4
の混合液に滴下し析出した結晶を炉底した。結晶を90
%ギ酸30ya1.に加え室温下3時間撹拌した。
減圧下溶媒留去後、残留物をTPEで摩砕し結晶を炉底
した。結晶をメタノール60mfに溶かし、酢酸ナトリ
ウム782mg (9,533mmof)を加え減圧上
溶媒留去した。粗生成物を2−プロパツールで摩砕し粗
結晶を炉底した。粗結晶をODSカラムクロマトグラフ
ィー(8%水性メタノール)で精製し、溶出液を減圧上
濃縮後、凍結乾燥し、目的化合物を310+wg (0
,598mmoffi、 18.8%)得た。
した。結晶をメタノール60mfに溶かし、酢酸ナトリ
ウム782mg (9,533mmof)を加え減圧上
溶媒留去した。粗生成物を2−プロパツールで摩砕し粗
結晶を炉底した。粗結晶をODSカラムクロマトグラフ
ィー(8%水性メタノール)で精製し、溶出液を減圧上
濃縮後、凍結乾燥し、目的化合物を310+wg (0
,598mmoffi、 18.8%)得た。
NMR(DMSO−da) δ: 2.83(fJ、s
、N(CHs)z)、3.53(2B、 ABq 、
J= 18.0Hz 、 CHz) 、 4.55〜4
.75 (2H,d+n、 CHz) 。
、N(CHs)z)、3.53(2B、 ABq 、
J= 18.0Hz 、 CHz) 、 4.55〜4
.75 (2H,d+n、 CHz) 。
5.02 (IH,d、 J=4.1Hz、 CI)
、 5.15〜5.20 (IH,ra、 =CH−)
。
、 5.15〜5.20 (IH,ra、 =CH−)
。
5、57 (IH,dd、 J=8.2.4.7Hz、
CI) 、 6.62 (18,d、 J=12.1
Hz。
CI) 、 6.62 (18,d、 J=12.1
Hz。
−CH・)、6.65(IH,S、チアゾールH)、7
.09(2H,s、NHt)。
.09(2H,s、NHt)。
9.37(IH,d、J・8.2Hz、C0NH)。
Mass(m/z) :51B (M” )、 51
9(M” +1)Z −3−NN−ジ チルカルバモ イルオキシ 1−プロペニル −3−セフェム −4−カルボン ビバ′ロイルオキシメチル 製造例1の化合物120mg (0,232mmof)
の乾燥ジメチルホルムアミド2 ml溶液に氷冷下ヨー
ドメチルビバレート56mg (0,231mmo1)
の乾燥ジメチルホルムアミド0.5+nff1溶液を滴
下し30分撹拌した。反応液に酢酸エチルを加え水洗、
飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え乾燥した
。減圧下濃縮し、濃縮溶液をn−ヘキサン50mfに滴
下した。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的化合物を9
8 mg (0,161a+moj! 、69.2%)
得た。
9(M” +1)Z −3−NN−ジ チルカルバモ イルオキシ 1−プロペニル −3−セフェム −4−カルボン ビバ′ロイルオキシメチル 製造例1の化合物120mg (0,232mmof)
の乾燥ジメチルホルムアミド2 ml溶液に氷冷下ヨー
ドメチルビバレート56mg (0,231mmo1)
の乾燥ジメチルホルムアミド0.5+nff1溶液を滴
下し30分撹拌した。反応液に酢酸エチルを加え水洗、
飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムを加え乾燥した
。減圧下濃縮し、濃縮溶液をn−ヘキサン50mfに滴
下した。析出した結晶を濾過後乾燥し、目的化合物を9
8 mg (0,161a+moj! 、69.2%)
得た。
NMR(DMSO−da) δ: 1.15(9H,
s、C(CHs)g)、2.81(6H,s、 N (
CIり z) 、 3.61 (2)1. ABq、
J=18.0Hz、 CHz) 、 4.40〜4.6
0 (28,dm、 CHり 、 5.24 (IH,
d、 J=5.1Hz、 CH) 、 5.65〜5.
70 (1)1. m、 =CH−) 、5 、80
(2H,ABq、 JJ、 OHz、 COgCHzO
) 。
s、C(CHs)g)、2.81(6H,s、 N (
CIり z) 、 3.61 (2)1. ABq、
J=18.0Hz、 CHz) 、 4.40〜4.6
0 (28,dm、 CHり 、 5.24 (IH,
d、 J=5.1Hz、 CH) 、 5.65〜5.
70 (1)1. m、 =CH−) 、5 、80
(2H,ABq、 JJ、 OHz、 COgCHzO
) 。
5、80〜5.85 (ill、 m、 CH) 、
6.28 (IH,d、 J=11.7)1z 、 −
CH=) 。
6.28 (IH,d、 J=11.7)1z 、 −
CH=) 。
6.66(IH,S、チアゾールH)+7−IH2H9
s、N1h)、9.46(IHld、J=8.1Hz、
C0NH) 、 11.29(IH,s、=N−OH)
Mass(+n/z) : 610 (M” )、
611(M” +1)また、上記目的化合物80
mg (0,131mmolの酢酸エチル2 valt
溶液に氷冷下7 N−HCj2 /ジメチルエーテル溶
液0.04mj2を滴下し20分撹拌した。減圧上溶媒
留去後、残渣をテトラヒドロフラン21II2に溶かし
、n−ヘキサン20+nj!に滴下した。析出した結晶
を濾過後乾燥し、目的化合物の塩酸塩を42+++g
(0,065mmo1.49.6%)得た。
s、N1h)、9.46(IHld、J=8.1Hz、
C0NH) 、 11.29(IH,s、=N−OH)
Mass(+n/z) : 610 (M” )、
611(M” +1)また、上記目的化合物80
mg (0,131mmolの酢酸エチル2 valt
溶液に氷冷下7 N−HCj2 /ジメチルエーテル溶
液0.04mj2を滴下し20分撹拌した。減圧上溶媒
留去後、残渣をテトラヒドロフラン21II2に溶かし
、n−ヘキサン20+nj!に滴下した。析出した結晶
を濾過後乾燥し、目的化合物の塩酸塩を42+++g
(0,065mmo1.49.6%)得た。
−4−カルボン
ラム
(1) 7−〔(Z)−2−(2−)ジチルアミノチ
アゾール−4−イル)−2−)リチルオキシイミノアセ
トアミド)−3−((Z)−3−(1−モルホリニルカ
ルボニルオキシ)−1−プロペニルツー3−セフヱムー
4−カルボン酸 4−メトキシフェニルメチルの合成 7− ((Z)−2−(2−)ジチルアミノチアゾール
−4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド
)−3−()リフェニルホスホラニリデン)メチル−3
−セフェム−4−カルボン酸4−メトキシフェニルメチ
ル24 g (17,46++u++of)と1−モル
ホリニルカルボニルオキシアセトアルデヒド4 g (
23,12mmof) とのジクロロメタン100+a
j!溶液を室温下16時間撹拌した。溶媒を減圧留去後
、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘ
キサン:酢酸エチル=1 : 1)で精製し標記化合物
を3.4 g (2,98++++no1.17.1%
)得た。
アゾール−4−イル)−2−)リチルオキシイミノアセ
トアミド)−3−((Z)−3−(1−モルホリニルカ
ルボニルオキシ)−1−プロペニルツー3−セフヱムー
4−カルボン酸 4−メトキシフェニルメチルの合成 7− ((Z)−2−(2−)ジチルアミノチアゾール
−4−イル)−2−トリチルオキシイミノアセトアミド
)−3−()リフェニルホスホラニリデン)メチル−3
−セフェム−4−カルボン酸4−メトキシフェニルメチ
ル24 g (17,46++u++of)と1−モル
ホリニルカルボニルオキシアセトアルデヒド4 g (
23,12mmof) とのジクロロメタン100+a
j!溶液を室温下16時間撹拌した。溶媒を減圧留去後
、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(n−ヘ
キサン:酢酸エチル=1 : 1)で精製し標記化合物
を3.4 g (2,98++++no1.17.1%
)得た。
(2)7−((Z)−2−(2−アミノチアゾール−4
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド) −3
−((Z)−3−(1−モルホリニルカルボニルオキシ
)−1−プロペニル〕−3−セフェムー4−カルボン酸
ナトリウム塩の合成(1)の方法により得られた7−
((Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−
イル)−2−トリメチルオキシイミノアセトアミド〕−
3−((Z)−3−(1−モルホニルカルボニルオキシ
)−1−プロペニル〕−3−セフェムー4−カルボン酸
4−メトキ゛ジフェニルメチル3.0g(2,63m
moj2)のアニソール22aj!溶液に水冷下、トリ
フルオロ酢酸24m1を滴下し、その後、室温で2時間
撹拌した。減圧上濃縮後、濃縮溶液をイソプロピルエー
テル60wf!Sn−ヘキサン180m1の混合液に滴
下し、析出した結晶を炉底した。結晶を90%ギ酸30
mj!に加へ室温下3時間撹拌した。減圧下溶媒留去後
、残留物をイソプロピルエーテルで摩砕し結晶を炉底し
た。結晶をメタノール60+nj!に溶かし酢酸ナトリ
ウム647+*g (7,89IIn+oj! )を加
え、減圧上溶媒留去した。粗生成物を2−プロパツール
で摩砕し、粗結晶を炉底した。粗結晶をODSカラムク
ロマトグラフィー(8%水性メタノール)で精製し、溶
出液を減圧上濃縮後、凍結乾燥し目的物である標記化合
物を300mg (0,54mmof、 20.4%
)得た。
−イル)−2−ヒドロキシイミノアセトアミド) −3
−((Z)−3−(1−モルホリニルカルボニルオキシ
)−1−プロペニル〕−3−セフェムー4−カルボン酸
ナトリウム塩の合成(1)の方法により得られた7−
((Z)−2−(2−トリチルアミノチアゾール−4−
イル)−2−トリメチルオキシイミノアセトアミド〕−
3−((Z)−3−(1−モルホニルカルボニルオキシ
)−1−プロペニル〕−3−セフェムー4−カルボン酸
4−メトキ゛ジフェニルメチル3.0g(2,63m
moj2)のアニソール22aj!溶液に水冷下、トリ
フルオロ酢酸24m1を滴下し、その後、室温で2時間
撹拌した。減圧上濃縮後、濃縮溶液をイソプロピルエー
テル60wf!Sn−ヘキサン180m1の混合液に滴
下し、析出した結晶を炉底した。結晶を90%ギ酸30
mj!に加へ室温下3時間撹拌した。減圧下溶媒留去後
、残留物をイソプロピルエーテルで摩砕し結晶を炉底し
た。結晶をメタノール60+nj!に溶かし酢酸ナトリ
ウム647+*g (7,89IIn+oj! )を加
え、減圧上溶媒留去した。粗生成物を2−プロパツール
で摩砕し、粗結晶を炉底した。粗結晶をODSカラムク
ロマトグラフィー(8%水性メタノール)で精製し、溶
出液を減圧上濃縮後、凍結乾燥し目的物である標記化合
物を300mg (0,54mmof、 20.4%
)得た。
NMR(DMSO−di) δ: 3.15(40,
S、CI!X2)、3.55(4H,II、 CH2X
2) 、 3.68(2H,ABq、 J=18.O
H2,CTo) 、 4.60〜4.75(2H,da
e、 CI(t) 、5.06(IH,d、 J=4.
9H2,CI) 、 5.30〜5.35(IH,m、
=CH−)、5.62(IH,dd、J=8.0,4.
9112.CI)。
S、CI!X2)、3.55(4H,II、 CH2X
2) 、 3.68(2H,ABq、 J=18.O
H2,CTo) 、 4.60〜4.75(2H,da
e、 CI(t) 、5.06(IH,d、 J=4.
9H2,CI) 、 5.30〜5.35(IH,m、
=CH−)、5.62(IH,dd、J=8.0,4.
9112.CI)。
6.62(1B、d、J=10.2Hz、−CH=)、
6.63(IH,s、チアゾールH)、7.14(28
,s、Nut)+9.44(IH,d、J=8.0Hz
、C0NH)。
6.63(IH,s、チアゾールH)、7.14(28
,s、Nut)+9.44(IH,d、J=8.0Hz
、C0NH)。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。 R^2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボ
キシル基を示す。R^4、R^5は同一あるいは異なる
低級アルキル基を示すか、またはそれらが結合している
窒素原子と共に、一緒になってモルホリン環を形成して
もよい。〕 で表わされるチアゾリルアセトアミドセフェム誘導体及
びその医薬として許容される塩。 2)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Phはフェニル基を示す。R^1は水酸基、低
級アルコキシ基又は保護基で保護された水酸基を示す。 R^2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボ
キシル基を示す。 R^3はアミノ基又は保護基で保護されたアミノ基を示
す。〕で表わされる化合物あるいはそれらの塩と次の式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R^4、R^5は同一あるいは異なる低級アル
キル基を示すか、またはそれらが結合している窒素原子
と共に、一緒になってモルホリン環を形成してもよい。 〕 で表わされる化合物と反応させ、必要によりアミノ基、
水酸基又はカルボキシル基の保護基を脱離することを特
徴とする、 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1、R^2、R^4およびR^5は前記と同
様の意味を有する。〕で表わされるチアゾリルアセトア
ミドセフェム誘導体またはその薬理学的に許容できる塩
の製造法。 3)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中R^1は水酸基又は低級アルコキシ基を示す。 R^2はカルボキシル基又は保護基で保護されたカルボ
キシル基を示す。R^4、R^5は同一あるいは異なる
低級アルキル基を示すか、またはそれらが結合している
窒素原子と共に、一緒になってモルホリン環を形成して
もよい。] で表わされるチアゾリルアセトアミドセフェム誘導体又
はその薬理学的に許容できる塩を有効成分とする抗菌剤
。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24492889 | 1989-09-22 | ||
| JP1-244928 | 1989-09-22 | ||
| JP2-148577 | 1990-06-08 | ||
| JP14857790 | 1990-06-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04128290A true JPH04128290A (ja) | 1992-04-28 |
| JP2959821B2 JP2959821B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=26478729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2250137A Expired - Fee Related JP2959821B2 (ja) | 1989-09-22 | 1990-09-21 | チアゾリルアセトアミドセフェム誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2959821B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4094978A (en) | 1976-07-29 | 1978-06-13 | Syntex (U.S.A.) Inc. | 3-propenyl derivatives of cephalosporin, compositions and their use |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2250137A patent/JP2959821B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2959821B2 (ja) | 1999-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |