JPH04129010A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ディスク装置及びビデオテープレコーダな
どの民生用磁気記録装置に用いられる薄膜磁気ヘッドに
係り、特に、再生能力の優れた薄膜磁気ヘッドに関する
。

〔従来の技術〕

第３図に薄膜磁気ヘッドの概要を示す。薄膜磁気ヘッド
は基板上に形成した一対の磁気コア１１゜１２、絶縁層
９及びコイル１０よりなる。記録時にはコイル１０に記
録電流を流してコア１１゜１２を磁化しギャップ８から
漏れる磁界で媒体に書き込む。一方、再生は媒体からの
もれ磁界を磁気ギャップ８から吸い込みコイル１０の誘
導起電力として検出する。磁気コア１１．１２には高周
波透磁率が高い軟磁性薄膜を用いる。磁気コア１１．１
２には磁路と直交する方向に一軸磁気異方性を付与し、
高周波での磁化の応答性が良いようにして翔いる。磁気
コア１１．１２はパーマロイやＣｏ系の非晶質やセンダ
ストなどが用いられている。

コンピュータの高速化、大容量化に伴い、磁気ディスク
装置は高転送速度化、高記録密度化が必須となっている
。このため、薄膜磁気ヘッドの動作周波数が高くなり、
２０　Ｍ　Ｈｚ付近での動作が検討されている。従って
、磁気コアには２０ＭＨｚ以上での初透磁率が大きいこ
とが望まれる。

ところが、磁気コアは以下の理由によって高周波領域の
透磁率が低下する。磁気コアは第２図にように還流磁区
構造をとる。磁気コア端部に還流磁区が存在し、還流磁
区内の磁化は磁路と並行である。媒体からの磁界は磁路
と並行であるために、還流磁区内の磁化は磁壁移動によ
って磁化する。

一方、主磁区内では磁化は磁路と直行するために磁化回
転によって磁化する。磁壁移動は周波数が高くなると追
随しなくなるため、媒体からの磁界の周波数が高くなる
と還流磁区領域は磁束を通しにくくなる。このため、動
作周波数が高くなると再生出力の低下が起こる。

さらに、磁壁移動は、同じを条件で高周波磁界を与えて
も、磁壁が動いたり、動かなかったりするという磁壁移
動の不可逆性を伴い、このために再生時の波形がひずむ
という現象（波形歪とよぶ）を伴い、再生時の読みだし
エラーとなる。さらに。

こうした磁壁移動は記録直後の再生時でのエラー即ち、
ライト後ノイズの原因ともなる。

そこで、磁壁移動に起因する問題点を解決するために、
例えば、アイ−イーイー、トランザクション、オン、マ
グネティクス、エムエイシイ１３゜１５２１ペ一ジ１９
７７年（ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ、Ｍａｇｎ。

ＭＡＧ−１３，１５２１（１９７７））に発表されるよ
うに、非磁性の眉間膜を介して磁性膜を多層化し単磁区
構造とする試みが行われている。磁性膜が単磁区になる
と再生相当の磁界では磁化過程に磁壁移動が起こらない
ために、高周波での透磁率の低下が小さく、再生波形歪
も生じにくい。

ところが、アイ−イーイー　トランザクション。

オン、マグネティクス、２４巻２０４５ペ一ジ１９８８
年（ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ、Ｍａ（ｎ、　２４２０４５
（１９８８））の計算によると異方性磁界Ｈｋ＝３０ｅ
で幅６μｍのストライブで一層あたりの磁性層厚さを０
．２μｍとすると非磁性層間膜厚を１０ｎｍ以下としな
ければならない、非磁性層間膜は磁性膜間を磁気的に分
離することが必要であり、ピンホールのない連続膜とす
る必要がある。

本発明者らの実験によると１０ｎｍの厚さのピンホール
のない連続膜を生産性良く作製することは難しく、磁気
コアを非磁性中間層を用いて多層化しても磁気コア先端
部分では還流磁区構造をとる場合が多く、生産性を考慮
した場合、現状では多層膜化により磁気コアを単磁区化
する技術は確立されていない。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術では、動作周波数が高くなるにつれて再生
出力が低下し、再生波形歪や記録後のノイズが生じると
いう問題点が未解決である。

本発明の目的はこれらの欠点を除去した薄膜磁気ヘッド
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するため、本発明の薄膜磁気ヘッドは、
基板上に下部磁気コアと絶縁層を介して上部磁気コアが
積層され、前記上下両磁気コアが一端で接し他端が磁気
ギャップをもって形成され、前記上、下両磁気コアの接
点を巻回する導体層が設けられている薄膜磁気ヘッドに
おいて、磁気コアの磁化が実質上磁路と直行する面内で
還流する構造をもつ。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板上に下部磁気コ
アと絶縁層を介して上部磁気コアが積層され、前記上、
下両磁気コアが一端で接し他端が磁気ギャップをもって
形成され、前記上下両磁気コアの接点を巻回する導体層
が設けられており、磁気コアの媒体対向面は単層の磁性
膜によって形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気コ
アの磁化が実質上磁路と直行する面内で還流する構造を
有するものである。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板上に下部磁気コ
アと絶縁層を介して上部磁気コアが積層され、前記上、
下両磁気コアが一端で接し他端が磁気ギャップをもって
形成され、前記上下両磁気コアの接点を巻回する導体層
が設けられている薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気コアの
媒体対向面の磁化が実質上媒体対向面内で還流する構造
をもったものである。

また１本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板上に下部磁気コ
アと絶縁層を介して上部磁気コアが積層され、前記上、
下両磁気コアが一端で接し、他端が磁気ギャップをもっ
て形成され、前記上下両磁気コアの接点を巻回する導体
層が設けられており、磁気コアの媒体対向面は単層の磁
性膜によって形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気
コアの媒体対向面内の磁化が実質上媒体対向面内で還流
する構造をもったものである。

また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板上に下部磁気コ
アと絶縁層を介して上部磁気コアが積層され、前記上下
両磁気コアが一端で接し、他端が磁気ギャップをもって
形成され、前記上下両磁気コアの接点を巻回する導体層
が設けられており、磁気コアの媒体対向面は単層の磁性
膜によって形成され、磁気コアの媒体対向面形状が台形
状である薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気コアの媒体対向
面の台形形状の長辺をＷ、高さをｄ、最も角度の小さい
頂点の角度をαとし、磁気ギャップの磁路方向の長さを
Ｌとするとき上下磁気コアの少なくともいずれか一方が
以下の関係式をすべて満たすことを特徴とする。

Ｌ＜２μｍ　　　　　　　　　…（１）α＜７５°　　
　　　　　　　　…（２）ｄ／Ｗ＞０．５５　　　　　
　　　　　…（３）また１本発明の薄膜磁気ヘッドは、
基板状に下部磁気コア、絶縁層及び上部磁気コアが積層
され、 上下磁気コアが一端で接し、かつ同接点を巻回す導体層
をもち、上下磁気コア他端が磁気ギャップを構成し、上
下磁気コアの少なくとも一方が複数の磁気コアから成り
、その媒体対向面側の磁気コアの少なくとも一方が媒体
対向面形状が台形状であり磁路方向に断面形状が変化し
ない薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気コアの媒体対向面の
台形形状の長いほうの底辺をＷ、高さをｄ、最も角度の
小さい頂点の角度をαとし、磁気ギャップの磁路方向の
長さをＬとするとき、以下の関係式を満たすことを特徴
とする。

α＜７５°　　　　　　　　　…（４）ｄ／’Ｗ＞０．
５５　　　　　　　　　　…（５）〔作用〕 先ず、このような磁区構造をとることによって再生波形
歪が生じにくくなり、高周波での透磁率の低下が小さく
なり、高速で再生を行っても再生出力が低下しない理由
について説明する。従来の磁気ヘッドのように磁気コア
の磁化が膜面内で還流する場合、第２図ののツチングで
示す還流磁区領域の磁化は媒体からの磁界に並行となる
。従って、還流磁区領域は磁壁移動によって磁化する。

このため不連続的な磁化変化が起こり、高速で磁化が動
作し難い。ゆえに、再生波形歪が生しやすく、転送速度
が高くなると再生出力の低下が大きい。これに対して、
第１図に示すように、磁化が磁路と直交するに還流する
場合、どの磁区内の磁化も媒体からの磁界に対して直交
するために磁化回転によって磁化し、磁壁移動は生じな
い。このために、不連続的な磁化変化は生じず、高速で
磁化が動作し易い。従って、転送速度が高くなっても再
生波形歪を生じにく、再生出力の低下は小さい。磁気コ
ア全体の磁化がこのような磁路と直交する面内に還流す
る磁区構造をもっていれば、磁気コアの全領域で磁壁移
動が生じないために上記の望ましい効果が得られるが、
再生波形歪は、特に、磁気コア先端の磁束の集中する媒
体対向面近傍の磁壁の不連続的な移動によるので、磁気
コア先端の媒体対向面近傍のみがこのような磁区構造を
有していてもこの効果は得られる。

次に、このような磁路と直交する面内での還流磁区構造
はどうすれば実現できるかについて説明する。磁束の集
中する磁気コア先端部分が磁路と直交する面内で還流凹
構造となるにはどうすればよいかについて述べる。第４
図に磁気コアの先端部分を示す、磁気コア先端部分が第
１図に示すような磁路と直交する面内での還流磁区構造
をもつときの磁気的エネルギーをＥｓとし、第２図に示
すように磁気コアの磁性膜面内で還流磁区となるときの
磁気的エネルギをＥｐとする。Ｅｓ及びＥｐは静磁エネ
ルギ、磁気異方性エネルギ及び磁壁エネルギの和である
。Ｅｓ及びＥｐは以下の式で表せる。

…（７） こ−こに磁化は還流構造となるため磁極が現れないので
静磁エネルギはゼロとした。また、Ｋｕは誘導磁気異方
性エネルギσ８は隣接する磁区の磁化が互いにＸ度傾い
た磁壁の磁壁エネルギである。

第一項は磁気異方性エネルギに起因する項であり、第二
項と第三項は磁壁エネルギに起因する項である。

磁気コアには飽和磁束密度１．３Ｔで異方性磁界６０ｅ
のＣｏＦｚＴ　ａａＺ　ｒａ用いるとして（３）式及び
（４）式の計算を行った。この材料の磁壁エネルギは知
られていないのでＳ　、　Ｍｉｄｄｅｅｌｈｏｅｋによ
って計算された（Ｓ　、　Ｍｉｄｄｅｅｌｈｏｅｋ　：
　ＦｅｒｏｍａｇｎｅｃｔｉｃＤｏｍａｉｎ　　ｉｎ　
　Ｎｉ−Ｆｅ　　Ｔｈ１ｎ　　Ｆｉｍｓ、Ｐｈ、Ｄ、Ｔ
ｈｅｓｉｓ、ｐｐ６８−８５＋　ＩＪｎｉｖｅｒｓｉｔ
ｙ　ｏｆ　Ａｍｓｔｅｒｄａｍ）厚さ１μｍの８２％Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜のネール磁壁の計算値σ１６０＝７　、５　
ｅｒｇ／　ｃｄを用いた。また、σ。は次の式を用いた
。

先ず、ｄ／Ｗ依存性について調べた。Ｗ＝５ｐｍ、Ｌ＝
３ｐｍ、ａ＝７０”としｄを変化させた。第５図にその
結果を示す。Ｅｓはｄ／Ｗが大きくなると徐々に増加す
るが、ＥＰはｄ／Ｗが大きくなると急激に増大する。ｄ
／Ｗ＝０．５５　でＥｓとＥｐは交差し、ｄ／Ｗ＞０．
５５　ではＥｓ（Ｅｐとなることから、磁路と直交する
面内での還流磁区はｄ／Ｗが大きいほど安定である。

次に、Ｌ依存性について調べた。Ｗ＝５μｍ。

ｄ＝３μｍ、ａニア０°としＬを変化させた。第６図に
その結果を示す。Ｌに対してＥｓ、Ｅｐともに直線的に
増加しＥｓの方がＥＰより増加率が大きい。Ｌ＜３μｍ
でＥｓ＜Ｅｐとなることから、磁路と直交する面内での
還流磁区はＬが小さいほど安定である。

次に、ａ依存性について調べた。Ｗ＝５μｍ。

ｄ＝２゜８μｍ　、Ｌ＝３μｍとしαを変化させた。

第７図にその結果を示す。Ｅｓはａに対して上に凸に増
大し、Ｅｐはａに対して下に凸に増大する。

Ｅｓ（Ｅｐとなるのはα＜７５°またはα〉１０５゜の
ときである。即ち、磁路と直交する面内での還流磁区は
αが９０’よりできるだけ離れていたほうが安定である
。

次ニ、Ｋｕ依存性について調へた。Ｗ＝５μｍ。

ｄ　＝　３　μｍ　、　Ｌ　＝３　ｐ　ｍ　、　　ａ　
：　７０　”　とし、Ｋｕを変化させた。第８図にその
結果を示す。Ｅｓ。

Ｅｐ共にＫｕ依存性は小さい。軟磁性薄膜のＫｕは５０
００ｅｒｇ／ｃｃ以下であるので、ＫｕはＥｓ。

Ｅｐの大小関係に影響しない。

以上のことがら磁路と直交する面内での還流磁区は、定
性的には次のような場合に安定となる。

（Ａ）　　ｄ／Ｗが大きい。

（Ｂ）　　Ｌが小さい。

（Ｃ）　　αが９０″よりできるだけはなれている。

次に、磁気コア先端の構造を制御する方法について述べ
る。磁気コアとなる磁性膜はスパッタリング法または蒸
看法によって所望の膜厚ｄになるように作製する。磁性
膜上にフォトレジストを作製し、イオンミリング法によ
り磁気コア形状に加工する。フォトレジストを露光する
際のフォトマスクの寸法を変えることによりＷとＬを変
えることができる。フォトレジストの膜厚を変えること
により角度αをコントロールすることができる。

〔実施例〕

（実施例１） 本発明は磁気コア形状で磁路方向と直交する面内で還流
磁区構造をもつ場合、磁気コアの透磁率が高周波領域で
も低下し難く、不連続的な磁化変化も生じないことに特
徴があるが、磁気コア形状で透磁率を測定するのは難し
いので、磁性膜を磁気コアのトラック幅に相当するＡ：
６μｍ、Ｂ：１２μｍ、Ｃ：１．８μｍのストライプ形
状に加工して、磁区観察を行うと共に透磁率の測定を行
った。

磁性膜には非晶質ＣｏｅｚＴａδＺｒｓ膜を用いた。

膜厚ひ４．μｍとした。磁性膜の異方性磁界は６０ｅで
あった。三種類の膜をイオンミリング法を用いて、長手
方向が磁化容易方向と直交するようにストライプ状に加
工した。これら三種類のストライプ状試料磁区をスピン
ＳＥＭ装置を用いて観察した。その結果、試料Ｂ及びＣ
は磁化が膜面内に還流する構造であり、Ａはストライプ
長手方向と垂直な面内に磁化が還流する構造であった。

これらＡ、Ｂ、Ｃの試料の長手方向の透磁率を測定した
結果を第９図に示す。試料ＢとＣは１０ＭＨ２以下の低
周波領域では透磁率が高いがＩＯＭＨ２以上で急激に低
下する。一方、試料ＡはＩＯＭＨｚ以下の低周波領域で
はＢやＣに比べて透磁率が低いが、ＢやＣのように１０
ＭＨｚ以上での透磁率の急激な低下は見られず、高周波
領域ではＢやＣより透磁率が大きくなっており、磁路と
直交する面内の還流磁区構造は高速で動作する場合に有
利であることがわかる。

（実施例２） 誘導磁気異方性エネルギＫｕ＝１２００ｅｒｇ／閃のパ
ーマロイ磁性膜を第１図のような磁気コア形状にパタニ
ングし磁気コア１の先端の磁区構造を観察した。以下に
磁気コア１の形状とその先端の磁区構造を示す。表の磁
区構造の桐で記号Ｓは第１図のように磁気コア１の先端
が磁路４と直交する面内での還流磁区構造を示し、記号
Ｐは第２図のように磁気コア先端が磁性膜面内での還流
磁区構造を示す。

表１ 磁気コア形状とコア先端の磁区構造 ＆１〜嵐３から分かるようにＬ＝２．α＝７５ではｄ／
Ｗ＜０．５５　のときに磁路４と直交する面内の還流磁
区構造が実現する。＆４〜６から分かるようにｄ／Ｗ＝
０．５５ではα〉７５では磁路４と直交する面内での還
流磁区構造とならず、α≦７５では磁路４と直交する面
内での還流磁区構造となる。＆７〜９から分かるように
ｄ／Ｗ＝０．５５．α＝７５のときＬ＞２では磁路４と
直交する面内での還流磁区構造とならず、Ｌ≦２で磁路
４と直交する面内での還流磁区構造となる。

＆１０〜１８から分かるように上記の傾向はｄ＝２のと
きも成り立つ、従って、磁気コア１の先端が磁路４と直
交する面内での還流磁区構造となるのは以下の三条性を
同時に満たすときである。

Ｌ≦２　　　　　　　　　　　　…（１）α≦７５　　
　　　　　　　　　…（２）ｄ／Ｗ≦０．５５　　　　
　　　　　…（３）（実施例３） 誘導磁気異方性エネルギＫｕ＝３１００ａｒｇ／艶のＣ
ｏ５ｚＴａＢＺｒｓパーマロイ磁性膜を第１図のような
磁気コア形状にパタニングし磁気コア先端の磁区構造を
観察した。以下に磁気コア形状とその先端の磁区構造を
示す。表の磁区構造の欄で記号Ｓは第１図のように磁気
コア先端が磁路と直交する面内での還流磁区構造を示し
、記号Ｐは第２図のように磁気コア先端が磁性膜面内で
の還流磁区構造を示す。

表２ 磁気コア形状とコア先端の磁区構造 Ｎ１１２１〜＆２３から分かるようにＬ＝２．α＝７５
ではｄ／Ｗ＜０．５５　のときに磁路と直交する面内の
還流磁区構造が実現する。Ｎ［Ｌ２４〜２６から分かる
ようにｄ／Ｗ＝０．５５　ではα〉７５では磁路と直交
する面内での還流磁区構造とならず、α≦７５では磁路
と直交する面内での還流磁区構造となる。＆２７〜２９
から分かるようにｄ／Ｗ＝０．５５　、α＝７５のとき
Ｌ＞２では磁路と直交する面内での還流磁区構造となら
ず、Ｌ≦２で磁路と直交する面内での還流磁区構造とな
る。

翫３０〜３８から分かるように上記の傾向はｄ＝２のと
きも成り立つ。従って、磁気コア先端が磁路と直交する
面内での還流磁区構造となるのは以下の三条性を同時に
満たすときである。

Ｌ≦２　　　　　　　　　　　　…（１）α≦７５　　
　　　　　　　　　…（２）ｄ／Ｗ≦０．５５　　　　
　　　　　−（３）（実施例４） 第１０図に示すように、磁気コアを先端部分１３とその
後ろの部分１４の二つに分けることによってより容易に
磁気コア先端部分で磁路と直交する面内での還流磁区構
造を実現することができる。Ｋｕ＝１２００ｅｒｇ／ｃ
ｃ　のパーマロイとＫｕ＝　３１００ｅｒｇ／ｃｃ　の
Ｃｏ５ｚＴａｓＺｒ３膜を用いて（実施例２，３）と同
様の検討を行った。その結果、次の三条性を同時に満た
すときに磁気コア先端部が磁路と直交する面内での還流
磁区構造をとることがわかった。

α≦７５　　　　　　　　　　　…（４）ｄ／Ｗ≦０．
５５　　　　　　　　　…（５）〔発明の効果〕 本発明の薄膜磁気ヘッドによれば、磁気コアの高周波透
磁率が高く、大きな再生出力が得られる。

また、波形歪と記録後のノイズが生じにくくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は磁気コアの先端形状及び磁区構造を
示す説明図、第３図は磁気ヘッドの説明図、第４図は磁
気コア先端の形状を示す説明図、第５図ないし第７図は
磁気コア先端部の磁気エネルギと先端形状の関係を示す
説明図、第８図は磁気コア先端部の磁気エネルギと誘導
磁気異方性エネルギの関係を示す説明図、第９図は磁区
構造が異なる場合の透磁率の周波数特性図、第１０図は
磁気コアが先端部と後部で二つに分かれた磁気コアの説
明図である。 ｌ…磁気コア、２…媒体対向面、３…磁化の方向、４…
磁路方向、５…媒体からの磁界。 第 因 第 図 第 図 ｚ 第４図 第 図 ０．２ ０．４ ０、乙 ０、Ｆｒ 第６図 第７因 ｘｌＯ’″７ ＣＩ（ｄグ） 第８図 〆ｕ　（ｊｖ／Ｃす 第９図 第 １左 Ｉｆｌｙ皮！（ （ＭＨｚ　） β； ８Ｃ。 刃舷外と直交する面内の還流」ｎ区埼透のｔ篇合石註性
印ｐ面で・°厘２鼠り臆Ｅ積ｊ駈を　とる場４ｉ第１０
図 ／４

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に絶縁層をもち、前記絶縁層上に下部磁気コ
   ア、前記絶縁層及び上部磁気コアが積層され、前記上、
   下磁気コアが一端で接し、かつ同接点を巻回する導体層
   をもち、前記上、下磁気コアの他端が磁気ギャップを構
   成する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気コアの磁化が実質上磁路と直交する面内に還流
   する構造をもつことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、基板上に絶縁層をもち、前記絶縁層上に下部磁気コ
   ア、前記絶縁層及び上部磁気コアが積層され、前記上、
   下磁気コアが一端で接し、かつ同接点を巻回する導体層
   をもち、前記上、下磁気コアの他端が磁気ギャップを構
   成し、前記上、下磁気コアのの媒体対向面は共に単層の
   磁性膜によつて形成される薄膜磁気ヘッドにおいて、前
   記磁気コアの磁化が実質的に磁路と直交する面内に還流
   する構造をもつことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ３、基板上に絶縁層をもち、前記絶縁層上に下部磁気コ
   ア、前記絶縁層及び上部磁気コアが積層され、前記上、
   下磁気コアが一端で接し、かつ同接点を巻回する導体層
   をもち、前記上、下磁気コアの他端が磁気ギャップを構
   成し媒体と対向する薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気コアの媒体対向面の磁化が媒体対向面内に還流
   する構造をもつことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ４、基板上に絶縁層をもち、前記絶縁層上に下部磁気コ
   ア、前記絶縁層及び前記上部磁気コアが積層され、前記
   上、下磁気コアが一端で接し、かつ同接点を巻回する導
   体層をもち、前記上、下磁気コアの他端が磁気ギャップ
   を構成し媒体と対向し、前記上、下磁気コアの媒体対向
   面は共に単層の磁性膜によつて形成される薄膜磁気ヘッ
   ドにおいて、 前記磁気コアの媒体対向面の磁化が媒体対向面内に還流
   する構造をもつことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ５、基板上に絶縁層をもち、前記絶縁層上に下部磁気コ
   ア、前記絶縁層及び上部磁気コアが積層され、前記上、
   下磁気コアが一端で接し、かつ同接点を巻回する導体層
   をもち、前記上、下磁気コアの他端が磁気ギャップを構
   成し、前記磁気コアの媒体対向面形状が台形状である薄
   膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気コアの媒体対向面の台形形状の長いほうの底辺
   をＷ、高さをｄ、最も角度の小さい頂点の角度をαとし
   、磁気ギャップの磁路方向の長さをＬとするとき以下の
   関係式を満たすことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 Ｌ＜２μｍ…（１） α＜７５゜…（２） ｄ／Ｗ＞０．５５…（３） ６、基板上に絶縁層をもち、前記絶縁層上に下部磁気コ
   ア、前記絶縁層及び上部磁気コアが積層され、前記上、
   下磁気コアが一端で接し、かつ同接点を巻回する導体層
   を有し、上下磁気コア他端が磁気ギャップを構成し、前
   記上、下磁気コアの少なくとも一方が複数の磁気コアか
   ら成り、その媒体対向面側の前記磁気コアの少なくとも
   一方が媒体対向面形状が台形状であり磁路方向に断面形
   状が変化しない薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気コアの媒体対向面の台形形状の長いほうの底辺
   をＷ、高さをｄ、最も角度の小さい頂点の角度をαとし
   、磁気ギャップの磁路方向の長さをＬとするとき、以下
   の関係式を満たすことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 α＜７５゜…（４） ｄ／Ｗ＞０．５５…（５）