JPH04129191A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造法Info
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- JPH04129191A JPH04129191A JP2248631A JP24863190A JPH04129191A JP H04129191 A JPH04129191 A JP H04129191A JP 2248631 A JP2248631 A JP 2248631A JP 24863190 A JP24863190 A JP 24863190A JP H04129191 A JPH04129191 A JP H04129191A
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- electrode
- substrate
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、平面光源やデイスプレィ等に利用される有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造法に関する。
エレクトロルミネッセンス素子の製造法に関する。
エレクトロルミネッセンス素子（以下、ＥＬ素子という
）は、自己発光型のため視認性か高く、完全固体素子で
あるため耐衝撃性に優れ、大面積の面発光体か製造てき
るという特徴を有しており、現在、無機蛍光体であるＺ
ｎＳ：Ｍｎを用いたたＥＬ素子が実用化されている。し
かしなから、無機ＥＬ素子は発光させるために２００Ｖ
程度の高い印加電圧が必要であり、又、駆動方法も複雑
である。
）は、自己発光型のため視認性か高く、完全固体素子で
あるため耐衝撃性に優れ、大面積の面発光体か製造てき
るという特徴を有しており、現在、無機蛍光体であるＺ
ｎＳ：Ｍｎを用いたたＥＬ素子が実用化されている。し
かしなから、無機ＥＬ素子は発光させるために２００Ｖ
程度の高い印加電圧が必要であり、又、駆動方法も複雑
である。
一方、有機ＥＬ素子は印加電圧を大幅に低下させること
かでき、最近、有機薄膜を二層構造にした新しいタイプ
の、より低電圧印加（１０Ｖ以下）で高輝度（１０００
ｃｄ／ｒｄ以上）の得られる有機ＥＬ素子か報告されて
いる（アプライド・フィジックス・レターズ ５１巻、
９１３頁、１９８７年）。又、特開平２−８２８７、特
開平−２８２８８、特開平２−８２８９等に記載された
新しい有機蛍光体の開発や層構成を変化させる事（化学
と工業、第４２巻、２０２３頁、１９８９年）等により
赤色光〜青色光まで各種の波長域の発光例が報告されて
いる。このように有機ＥＬ素子は各色の発光か可能で且
つ、構成が簡単で、容易に作製できる事から、例えば安
価な大面積フルカラー表示素子等として注目されている
。
かでき、最近、有機薄膜を二層構造にした新しいタイプ
の、より低電圧印加（１０Ｖ以下）で高輝度（１０００
ｃｄ／ｒｄ以上）の得られる有機ＥＬ素子か報告されて
いる（アプライド・フィジックス・レターズ ５１巻、
９１３頁、１９８７年）。又、特開平２−８２８７、特
開平−２８２８８、特開平２−８２８９等に記載された
新しい有機蛍光体の開発や層構成を変化させる事（化学
と工業、第４２巻、２０２３頁、１９８９年）等により
赤色光〜青色光まで各種の波長域の発光例が報告されて
いる。このように有機ＥＬ素子は各色の発光か可能で且
つ、構成が簡単で、容易に作製できる事から、例えば安
価な大面積フルカラー表示素子等として注目されている
。
しかしなから、有機ＥＬ用薄膜は膜厚０．１〜０．３μ
ｍであるためピンホールか生し易く、大面積化か困難で
ある。蒸着法によれば、形成される膜の均一性は向上し
、ピンホールも生しにくくなるが、蒸着膜の結晶化か進
行し微結晶集合体薄膜として得られることか多い。
ｍであるためピンホールか生し易く、大面積化か困難で
ある。蒸着法によれば、形成される膜の均一性は向上し
、ピンホールも生しにくくなるが、蒸着膜の結晶化か進
行し微結晶集合体薄膜として得られることか多い。
蒸着法により有機ＥＬ用薄膜を形成する場合において、
結晶化か進行し微結晶集合体薄膜として得られることが
多く、このような場合には結晶化による膜方向の均一性
か失なわれ、発光強度にムラか生し、大面積で均一な発
光を示す有機ＥＬ素子か得られない。
結晶化か進行し微結晶集合体薄膜として得られることが
多く、このような場合には結晶化による膜方向の均一性
か失なわれ、発光強度にムラか生し、大面積で均一な発
光を示す有機ＥＬ素子か得られない。
本発明は、上述の欠点を改良した有機ＥＬ素子を製造す
るための製造法を提供する事を目的とする。
るための製造法を提供する事を目的とする。
本発明者らは、有機ＥＬ素子において発光強度ムラが観
察される原因は蒸着膜の結晶化による事を見い出し、蒸
着法により基板上に薄膜を形成させ有機ＥＬ素子を製造
する場合において、蒸着工程時、基板を充分に冷却して
蒸着薄膜の結晶化を防きアモルファス状に形成させる事
により発光強度にムラのない有機ＥＬ素子を製造できる
事を見い出し本発明に到った。
察される原因は蒸着膜の結晶化による事を見い出し、蒸
着法により基板上に薄膜を形成させ有機ＥＬ素子を製造
する場合において、蒸着工程時、基板を充分に冷却して
蒸着薄膜の結晶化を防きアモルファス状に形成させる事
により発光強度にムラのない有機ＥＬ素子を製造できる
事を見い出し本発明に到った。
すなわち、本発明は、蒸着法により基板上に薄膜を形成
して成る有機ＥＬ素子において、その蒸着工程の際に基
板を冷却する事を特徴とする有機ＥＬ素子の製造法であ
る。
して成る有機ＥＬ素子において、その蒸着工程の際に基
板を冷却する事を特徴とする有機ＥＬ素子の製造法であ
る。
有機ＥＬ素子には、二層構造と三層構造のものか有り、
これらの層構成を基板となる透明電極上に設け、その上
に対電極を設けて有機ＥＬ素子を製造する。二層構造の
場合は、正孔輸送層と電子輸送性発光層の組み合せある
いは電子輸送層と正孔輸送性発光層の組み合せから成り
、三層構造の場合は正孔輸送層と電子輸送層で発光層を
サンドイッチした構成となる。
これらの層構成を基板となる透明電極上に設け、その上
に対電極を設けて有機ＥＬ素子を製造する。二層構造の
場合は、正孔輸送層と電子輸送性発光層の組み合せある
いは電子輸送層と正孔輸送性発光層の組み合せから成り
、三層構造の場合は正孔輸送層と電子輸送層で発光層を
サンドイッチした構成となる。
電荷輸送剤としては、電子写真用有機感光体に使用され
ている化合物や電荷輸送能を有す化合物か利用できる。
ている化合物や電荷輸送能を有す化合物か利用できる。
正孔輸送剤としては、例えば、ポルフィン、テトラフェ
ニルポルフィン鋼、フタロシアニン、銅フタロシアニン
、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリ
ン化合物、１１−ビス（４−（ジーＰ−トリルアミノ）
フェニル）シクロヘキサン、４．４’ 、４”−トリメ
チルトリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’ −
テトラキス（Ｐ−１−リル’Ｉ−Ｐ−フェニレンジアミ
ン、１−（Ｎ、Ｎ−ジーＰ−）リルアミノ）ナフタリン
、４，４゛−ビス（ジメチルアミノ）−２゜２°−ジメ
チルトリフェニルメタン、Ｎ、Ｎ。
ニルポルフィン鋼、フタロシアニン、銅フタロシアニン
、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポルフィリ
ン化合物、１１−ビス（４−（ジーＰ−トリルアミノ）
フェニル）シクロヘキサン、４．４’ 、４”−トリメ
チルトリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’ 、Ｎ’ −
テトラキス（Ｐ−１−リル’Ｉ−Ｐ−フェニレンジアミ
ン、１−（Ｎ、Ｎ−ジーＰ−）リルアミノ）ナフタリン
、４，４゛−ビス（ジメチルアミノ）−２゜２°−ジメ
チルトリフェニルメタン、Ｎ、Ｎ。
Ｎ’ 、Ｎ’−テトラフェニル−４，４“ −ジアミノ
ビフェニル、Ｎ、Ｎ’ −ジフェニル−Ｎ、 Ｎ−ジ
−ｍ−トリル−４，４° −ジアミノビフェニル、Ｎ−
フェニルカルバゾール等の芳香族三級アミン、４−ジー
Ｐ−）リルアミノスチルベン、４−（ジーＰ−トリルア
ミノ）−４“ −〔４−（ジＰ−トリルアミノ）スチリ
ル〕スチルベン等のスチルベン化合物等である。電子輸
送剤としては、例えば、２−（Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−５−（Ｐ−ビフェニリル）−１，３，５−オ
キサジアゾール、テトラシアノキノンメタン、３，５ジ
メチル−３°、５゛ −ジーｔｅｒｔ−ブチル−４゜４
′ −ジフェノキノン等である。
ビフェニル、Ｎ、Ｎ’ −ジフェニル−Ｎ、 Ｎ−ジ
−ｍ−トリル−４，４° −ジアミノビフェニル、Ｎ−
フェニルカルバゾール等の芳香族三級アミン、４−ジー
Ｐ−）リルアミノスチルベン、４−（ジーＰ−トリルア
ミノ）−４“ −〔４−（ジＰ−トリルアミノ）スチリ
ル〕スチルベン等のスチルベン化合物等である。電子輸
送剤としては、例えば、２−（Ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−５−（Ｐ−ビフェニリル）−１，３，５−オ
キサジアゾール、テトラシアノキノンメタン、３，５ジ
メチル−３°、５゛ −ジーｔｅｒｔ−ブチル−４゜４
′ −ジフェノキノン等である。
発光層用有機蛍光物質としては、例えば、トリス（８−
キノリツール）アルミニウム、ビス（８キノリツール）
マグネシウム、トリス（５−クロロ−８−キノリツール
）ガリウム等のキレート化オキンノイド化合物、１．４
−ビス（４−エチルスチリル）ベンセン、ｌ、２，３．
４−テトラフェニルシクロペンタジェン、１．２，３．
４゜５−ペンタフェニルンクロペンタジェン等の芳香族
系化合物、ペリレン系顔料、キレート化２．２−ビピリ
ジン化合物やサリチリデン−０−アミノフェノール誘導
体のキレート化合物、及び、４−（ジーＰ−トリルアミ
ノ）−４゛ −クロロスチルベン、４−（ジーＰ−トリ
ルアミノ）−β−フェニルスチルベン、４．４° −ジ
メトキシ−４（１−ナフチルビニル）トリフェニルアミ
ン等のスチルベン型化合物なとである。
キノリツール）アルミニウム、ビス（８キノリツール）
マグネシウム、トリス（５−クロロ−８−キノリツール
）ガリウム等のキレート化オキンノイド化合物、１．４
−ビス（４−エチルスチリル）ベンセン、ｌ、２，３．
４−テトラフェニルシクロペンタジェン、１．２，３．
４゜５−ペンタフェニルンクロペンタジェン等の芳香族
系化合物、ペリレン系顔料、キレート化２．２−ビピリ
ジン化合物やサリチリデン−０−アミノフェノール誘導
体のキレート化合物、及び、４−（ジーＰ−トリルアミ
ノ）−４゛ −クロロスチルベン、４−（ジーＰ−トリ
ルアミノ）−β−フェニルスチルベン、４．４° −ジ
メトキシ−４（１−ナフチルビニル）トリフェニルアミ
ン等のスチルベン型化合物なとである。
有機ＥＬ素子の支持体にはガラス、プラスチッり、石英
などが用いられ、この基板上に、金、アルミニウム、イ
ンジウム、銀、マグネシウム等の金属やインジウム−チ
ン−オキサイド（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化亜鉛なとか
ら成る極薄膜の電極を蒸着法等で形成し、半透明あるい
は透明電極とする。この上に電荷輸送層や発光層を積層
し、更にその上に前述したのと同様な電極を形成して有
機ＥＬ素子を製造する。これに直流電圧を印加し発光を
行なう。
などが用いられ、この基板上に、金、アルミニウム、イ
ンジウム、銀、マグネシウム等の金属やインジウム−チ
ン−オキサイド（ＩＴＯ）、酸化スズ、酸化亜鉛なとか
ら成る極薄膜の電極を蒸着法等で形成し、半透明あるい
は透明電極とする。この上に電荷輸送層や発光層を積層
し、更にその上に前述したのと同様な電極を形成して有
機ＥＬ素子を製造する。これに直流電圧を印加し発光を
行なう。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例１
市販のＩＴＯガラス電極（松綺真空■製 透明導電膜（
標準タイプ））を蒸着装置（真空器械工業■製ＬＣ−６
Ｆ型）の基板ホルダーに固定し、加熱ポートに銅フタロ
シアニン（Ｃｕ−ＰＣ）を入れて、Ｉ ｘ Ｉ Ｏ−’
Ｔｏｒｒまで減圧した。加熱ポートを３００°Ｃに加
熱し、５００人／分の蒸着速度で蒸着を行ない、膜厚１
０００人の銅フタロシアニンの正孔注入層をＩＴＯガラ
ス電極上に形成した。この際、ＩＴＯガラス電極は一１
’００℃に冷却し、図−１に示すように銅フタロシアニ
ンのアモルファス状の蒸着膜を得た。次に、トリス（８
−キノリツール）アルミニウム（Ａ１ｑ３） ヲ入れた
もう一方の加熱ポートを１８０°Ｃまて加熱して５００
人／分の蒸着速度て膜厚１０００人の発光層を正孔注入
層の上に形成した。更にその上に膜厚５０００人のマグ
ネシウム蒸着膜を３Ｂ×８即の大きさで形成して対電極
とし、有機ＥＬ素子を作成した。
標準タイプ））を蒸着装置（真空器械工業■製ＬＣ−６
Ｆ型）の基板ホルダーに固定し、加熱ポートに銅フタロ
シアニン（Ｃｕ−ＰＣ）を入れて、Ｉ ｘ Ｉ Ｏ−’
Ｔｏｒｒまで減圧した。加熱ポートを３００°Ｃに加
熱し、５００人／分の蒸着速度で蒸着を行ない、膜厚１
０００人の銅フタロシアニンの正孔注入層をＩＴＯガラ
ス電極上に形成した。この際、ＩＴＯガラス電極は一１
’００℃に冷却し、図−１に示すように銅フタロシアニ
ンのアモルファス状の蒸着膜を得た。次に、トリス（８
−キノリツール）アルミニウム（Ａ１ｑ３） ヲ入れた
もう一方の加熱ポートを１８０°Ｃまて加熱して５００
人／分の蒸着速度て膜厚１０００人の発光層を正孔注入
層の上に形成した。更にその上に膜厚５０００人のマグ
ネシウム蒸着膜を３Ｂ×８即の大きさで形成して対電極
とし、有機ＥＬ素子を作成した。
ＩＴＯ電極を正極、マグネシウム電極を負極として直流
２２Ｖを印加したところ明るい緑色に発光した。発光面
を８個の小エリヤに区分し、各々の小エリヤについて１
ＩＩＩＩＩＩφの大きさの測定点て、輝度計（ミノルタ
カメラ算製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定した
ところ表−１の結果を得た。
２２Ｖを印加したところ明るい緑色に発光した。発光面
を８個の小エリヤに区分し、各々の小エリヤについて１
ＩＩＩＩＩＩφの大きさの測定点て、輝度計（ミノルタ
カメラ算製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定した
ところ表−１の結果を得た。
表−
平均輝度は４３７ｃｄ／ｍてあり、発光ムラの小さい有
機ＥＬ素子が得られた。
機ＥＬ素子が得られた。
比較例１
実施例１て蒸着の際、ＩＴＯガラス電極を冷却すること
なく室温で実施した以外゛は実施例１と同様に行なって
表−２に示す結果を得た。
なく室温で実施した以外゛は実施例１と同様に行なって
表−２に示す結果を得た。
表
平均輝度は１５４ｃｄ／ｎｆであり、実施例１に比較し
て発光効率が低く、発光ムラの大きいものであった。こ
の比較例により本発明による効果が顕著である事がわか
る。
て発光効率が低く、発光ムラの大きいものであった。こ
の比較例により本発明による効果が顕著である事がわか
る。
実施例２
市販のＩＴＯガラス電極（松崎真空■製 透明導電膜（
標準タイプ））を蒸着装置（真空器械工業■製 ＬＣ−
６Ｆ型）の基板ホルダーに固定し加熱ボートに銅フタロ
シアニン（Ｃｕ−Ｐｃ）を入れて、Ｉ Ｘ １ ’０−
’ Ｔｏｒｒまで減圧した。加熱ボートを３００°Ｃに
加熱し、５００人／分の蒸着速度て蒸着を行ない、膜厚
１０００人の銅フタロシアニンの正孔注入層をＩＴＯガ
ラス電極上に形成した。この際、ＩＴＯガラス電極は一
１００℃に冷却し、銅フタロシアニンのアモルファス状
の蒸着膜を得た。次に、真空度をＩ ＸＩ Ｏ−’ Ｔ
ｏｒｒまてあげてサリチリデン−〇−アミノフェノール
のＡｌ錯体を入れたもう一方の加熱ボートを３２０℃ま
で加熱して５００人／分の蒸着速度て膜厚２０００人の
発光層を正孔注入層の上に形成した。
標準タイプ））を蒸着装置（真空器械工業■製 ＬＣ−
６Ｆ型）の基板ホルダーに固定し加熱ボートに銅フタロ
シアニン（Ｃｕ−Ｐｃ）を入れて、Ｉ Ｘ １ ’０−
’ Ｔｏｒｒまで減圧した。加熱ボートを３００°Ｃに
加熱し、５００人／分の蒸着速度て蒸着を行ない、膜厚
１０００人の銅フタロシアニンの正孔注入層をＩＴＯガ
ラス電極上に形成した。この際、ＩＴＯガラス電極は一
１００℃に冷却し、銅フタロシアニンのアモルファス状
の蒸着膜を得た。次に、真空度をＩ ＸＩ Ｏ−’ Ｔ
ｏｒｒまてあげてサリチリデン−〇−アミノフェノール
のＡｌ錯体を入れたもう一方の加熱ボートを３２０℃ま
で加熱して５００人／分の蒸着速度て膜厚２０００人の
発光層を正孔注入層の上に形成した。
更にその上に膜厚５０００人のマグネシウム蒸着膜を３
ａｎＸ８ｍｍの大きさて形成して対電極とし、有機ＥＬ
素子を作成した。
ａｎＸ８ｍｍの大きさて形成して対電極とし、有機ＥＬ
素子を作成した。
ＩＴＯ電極を正極、マグネシウム電極を負極として直流
２５Ｖを印加したところ青緑色に発光した。発光面を８
個の小エリヤに区分し、各々の小エリヤについてＩＩＩ
Ｉｏφの大きさの測定点で、輝度計（ミノルタカメラ■
製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定したところ表
−３の結果を得た。
２５Ｖを印加したところ青緑色に発光した。発光面を８
個の小エリヤに区分し、各々の小エリヤについてＩＩＩ
Ｉｏφの大きさの測定点で、輝度計（ミノルタカメラ■
製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定したところ表
−３の結果を得た。
表−３
平均輝度は２０１ｃｄ／ｍであり、発光ムラの小さい有
機ＥＬ素子か得られた。
機ＥＬ素子か得られた。
比較例２
実施例２で蒸着の際、ＩＴＯガラス電極を冷却すること
なく室温で実施した以外は実施例２と同様に行なって表
−４に示す結果を得た。
なく室温で実施した以外は実施例２と同様に行なって表
−４に示す結果を得た。
表−４
平均輝度は９
１ ｃｄ／−であり、
実施例２に比較し
て発光効率が低（、
発光ムラの大きいものであった。
この比較例により本発明による効果が顕著である事がわ
かる。
かる。
実施例３
市販のＩＴＯガラス電極
（松崎真空■製
透明
導電膜（標準タイプ））を蒸着装置（真空器械工業■製
ＬＣ−６Ｆ型）の基板ホルダーに固定し、加熱ボート
にＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’ジーｍ−トリル−４
，，４’ −ジアミノビフェニルを入れて、Ｉ Ｘ
Ｉ Ｏ−’ Ｔｏｒｒまて減圧した。加熱ボートを２０
０℃に加熱し、５００人／分の蒸着速度て蒸着を行ない
、膜厚１５００人のＮ、 Ｎジフェニル−Ｎ、Ｎ’
−ジーｍ−）リルー４゜４′ −ジアミノビフェニルの
正孔注入層をＩＴＯガラス電極上に形成した。この際、
ＩＴＯガラス電極は一１００℃に冷却し、Ｎ、Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４，４′
−ジアミノビフェニルのアモルファス状の蒸着膜を得た
。
ＬＣ−６Ｆ型）の基板ホルダーに固定し、加熱ボート
にＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’ジーｍ−トリル−４
，，４’ −ジアミノビフェニルを入れて、Ｉ Ｘ
Ｉ Ｏ−’ Ｔｏｒｒまて減圧した。加熱ボートを２０
０℃に加熱し、５００人／分の蒸着速度て蒸着を行ない
、膜厚１５００人のＮ、 Ｎジフェニル−Ｎ、Ｎ’
−ジーｍ−）リルー４゜４′ −ジアミノビフェニルの
正孔注入層をＩＴＯガラス電極上に形成した。この際、
ＩＴＯガラス電極は一１００℃に冷却し、Ｎ、Ｎ’
−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｍ−トリル−４，４′
−ジアミノビフェニルのアモルファス状の蒸着膜を得た
。
次ニ、トリス（８−キノリツール）アルミニウムを入れ
たもう一方の加熱ボートを１８０’Ｃまて加熱して５０
０人／分の蒸着速度で膜厚１ｏｏｏ人の発光層を正孔注
入層の上に形成した。更に その上に膜厚５０００人の
マグネシウム蒸着膜を３ｗ Ｘ ８ ｔｉｎの大きさで
形成して対電極とし、有機ＥＬ素子を作成した。
たもう一方の加熱ボートを１８０’Ｃまて加熱して５０
０人／分の蒸着速度で膜厚１ｏｏｏ人の発光層を正孔注
入層の上に形成した。更に その上に膜厚５０００人の
マグネシウム蒸着膜を３ｗ Ｘ ８ ｔｉｎの大きさで
形成して対電極とし、有機ＥＬ素子を作成した。
ＩＴＯ電極を正極、マグネノウム電極を負極として直流
４０Ｖを印加したところ緑色に発光した。
４０Ｖを印加したところ緑色に発光した。
発光面を８個の小エリヤに区分し、各々の小エリヤにつ
いて１ｌｎＩＩｌφの大きさの測定点で、輝度計（ミノ
ルタカメラ■製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定
したところ表−５の結果を得た。
いて１ｌｎＩＩｌφの大きさの測定点で、輝度計（ミノ
ルタカメラ■製 ＬＳ−１１０型）を用いて輝度を測定
したところ表−５の結果を得た。
表−５
平均輝度は２９６ｃｄ／ｒｒｌ’であり、発光ムラの小
さい有機ＥＬ素子か得られた。
さい有機ＥＬ素子か得られた。
第１図は、本発明で得られる有機エレクトロルミネッセ
ンス素子の構成層を示すものである。 第２図は、Ｃｕ−Ｐｃ薄膜のＸ−線回折パターンを示す
ものてあり、ＩＴ○ガラス電極（基板）の冷却温度（−
１６０℃、−１００℃、−４０℃、室温）と回折強度と
の関係を示しており、横軸は回折角（２θ）を、縦軸は
回折強度を表わす。
ンス素子の構成層を示すものである。 第２図は、Ｃｕ−Ｐｃ薄膜のＸ−線回折パターンを示す
ものてあり、ＩＴ○ガラス電極（基板）の冷却温度（−
１６０℃、−１００℃、−４０℃、室温）と回折強度と
の関係を示しており、横軸は回折角（２θ）を、縦軸は
回折強度を表わす。
Claims (1)
- 蒸着法により基板上に薄膜を形成して成る有機エレク
トロルミネッセンス素子において、その蒸着工程の際に
、基板を冷却する事を特徴とする有機エレクトロルミネ
ッセンス素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248631A JP3011277B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248631A JP3011277B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129191A true JPH04129191A (ja) | 1992-04-30 |
| JP3011277B2 JP3011277B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17180987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2248631A Expired - Lifetime JP3011277B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3011277B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08298342A (ja) * | 1995-04-26 | 1996-11-12 | Sony Corp | 電界発光素子 |
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