JPH0633047A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH0633047A JPH0633047A JP4184229A JP18422992A JPH0633047A JP H0633047 A JPH0633047 A JP H0633047A JP 4184229 A JP4184229 A JP 4184229A JP 18422992 A JP18422992 A JP 18422992A JP H0633047 A JPH0633047 A JP H0633047A
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- Japan
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- thin film
- organic thin
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】高輝度かつ安定な緑色発光が得られる上成膜性
が良好で量産性に優れる有機薄膜発光素子を得る。 【構成】発光物質に次式のエチレン系化合物を用いる。 〔式中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 ,R8 ,R9 ,
R10,R11,R12はそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,
アルキル基,アルコキシ基またはアリール基、R6 ,R
7 は水素原子,アルキル基を表す。〕
が良好で量産性に優れる有機薄膜発光素子を得る。 【構成】発光物質に次式のエチレン系化合物を用いる。 〔式中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 ,R8 ,R9 ,
R10,R11,R12はそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,
アルキル基,アルコキシ基またはアリール基、R6 ,R
7 は水素原子,アルキル基を表す。〕
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は各種表示装置の発光源
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の発光
層に用いられる発光物質に関する。
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の発光
層に用いられる発光物質に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子(以下EL素子とする)もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にZnS/Mn系を用いた無機材料からなるEL素
子である。しかるに、この種の無機EL素子は発光に必
要な駆動電圧が100V以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子(以下EL素子とする)もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にZnS/Mn系を用いた無機材料からなるEL素
子である。しかるに、この種の無機EL素子は発光に必
要な駆動電圧が100V以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
【0003】特に、電極/正孔注入層/発光層/電極か
らなる積層型において、発光剤にトリス(8−ヒドロキ
シキノリン)アルミニウムを、正孔注入剤に1,1’−
ビス(4−N,N−ジトリアミノフェニル)シクロヘキ
サンを用いることにより、10V以下の印加電圧で10
00cd/cm2 以上の輝度が得られたという報告がな
されて以来開発に拍車がかけられた(Appl.Phys.Lett.
51,913,(1987))。
らなる積層型において、発光剤にトリス(8−ヒドロキ
シキノリン)アルミニウムを、正孔注入剤に1,1’−
ビス(4−N,N−ジトリアミノフェニル)シクロヘキ
サンを用いることにより、10V以下の印加電圧で10
00cd/cm2 以上の輝度が得られたという報告がな
されて以来開発に拍車がかけられた(Appl.Phys.Lett.
51,913,(1987))。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この様に、有機材料を
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。特に約1万時間の
長時間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければな
らない課題である。また、フルカラー化におけるRGB
三原色の発光を可能にする発光材料の開発、また有機層
の膜厚が1μm以下であるために、成膜性が良好でピン
ホール等の電気的欠陥がなく、電子,正孔の輸送能力に
優れた有機材料の開発、有機層への電荷の注入性に優れ
る電極材料の選択等がある。
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面で解決しなけれ
ばならない課題が多く残されている。特に約1万時間の
長時間駆動に伴う特性劣化の問題は乗り越えなければな
らない課題である。また、フルカラー化におけるRGB
三原色の発光を可能にする発光材料の開発、また有機層
の膜厚が1μm以下であるために、成膜性が良好でピン
ホール等の電気的欠陥がなく、電子,正孔の輸送能力に
優れた有機材料の開発、有機層への電荷の注入性に優れ
る電極材料の選択等がある。
【0005】さらには量産性の観点から大量製造が可能
で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等も重要
な課題である。この発明は上述の点に鑑みてなされその
目的は、高輝度で安定性に優れるうえに成膜性が良好な
新規な緑色発光物質を開発することにより高輝度で安定
性に優れ、安価かつ容易に製造可能な有機薄膜発光素子
を提供することにある。
で安価な有機材料の開発や素子形成方法の改良等も重要
な課題である。この発明は上述の点に鑑みてなされその
目的は、高輝度で安定性に優れるうえに成膜性が良好な
新規な緑色発光物質を開発することにより高輝度で安定
性に優れ、安価かつ容易に製造可能な有機薄膜発光素子
を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた電荷注入層と発光層とを有し、電荷注入層は電子
注入層と正孔注入層の内の少なくとも一方からなり、発
光層は電荷注入層に挟まれてなり、注入された電子と正
孔を再結合させて発光するものであり、下記一般式
(I)のエチレン系化合物を含むものであるとすること
により達成される。
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた電荷注入層と発光層とを有し、電荷注入層は電子
注入層と正孔注入層の内の少なくとも一方からなり、発
光層は電荷注入層に挟まれてなり、注入された電子と正
孔を再結合させて発光するものであり、下記一般式
(I)のエチレン系化合物を含むものであるとすること
により達成される。
【0007】
【化2】
【0008】〔式(I)中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,
R5 ,R8 ,R9 ,R10,R11,R12はそれぞれ水素原
子,ハロゲン原子,アルキル基,アルコキシ基またはア
リール基、R6 ,R7 は水素原子,アルキル基を表
す。〕一般式(I)で示されるエチレン系化合物の具体
例が以下に示される。
R5 ,R8 ,R9 ,R10,R11,R12はそれぞれ水素原
子,ハロゲン原子,アルキル基,アルコキシ基またはア
リール基、R6 ,R7 は水素原子,アルキル基を表
す。〕一般式(I)で示されるエチレン系化合物の具体
例が以下に示される。
【0009】
【化3】
【0010】
【化4】
【0011】
【作用】本発明者等は前記目的を達成するために各種物
質について多くの実験を重ねた結果、詳細は不明である
が前記一般式(I)で示されるエチレン系化合物が有効
であることを見い出した。
質について多くの実験を重ねた結果、詳細は不明である
が前記一般式(I)で示されるエチレン系化合物が有効
であることを見い出した。
【0012】
【実施例】本発明におけるエチレン系化合物を用いた有
機薄膜発光素子の具体的実施例について、図面を参照し
ながら説明する。一般式(I)に示すエチレン系化合物
のうち対称な化合物は一般式(IV)に示す中間体を用
い、テトラヒドロフラン等の有機溶媒中で四塩化チタン
と亜鉛とによるカプリング反応により合成することがで
きる。
機薄膜発光素子の具体的実施例について、図面を参照し
ながら説明する。一般式(I)に示すエチレン系化合物
のうち対称な化合物は一般式(IV)に示す中間体を用
い、テトラヒドロフラン等の有機溶媒中で四塩化チタン
と亜鉛とによるカプリング反応により合成することがで
きる。
【0013】
【化5】
【0014】〔式(I)中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,
R5 はそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,アルキル基,
アルコキシ基またはアリール基、R6 は水素原子,アル
キル基を表す。〕図1はこの発明の実施例に係る有機薄
膜発光素子を示す断面図である。図2はこの発明の異な
る実施例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。
R5 はそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,アルキル基,
アルコキシ基またはアリール基、R6 は水素原子,アル
キル基を表す。〕図1はこの発明の実施例に係る有機薄
膜発光素子を示す断面図である。図2はこの発明の異な
る実施例に係る有機薄膜発光素子を示す断面図である。
【0015】図3はこの発明のさらに異なる実施例に係
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。1は絶縁性基
板、2は正極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子
注入層、6は負極である。絶縁性基板1は素子の支持体
でガラス,樹脂等を用いる。発光面となるときは透明な
材料を用いる。
る有機薄膜発光素子を示す断面図である。1は絶縁性基
板、2は正極、3は正孔注入層、4は発光層、5は電子
注入層、6は負極である。絶縁性基板1は素子の支持体
でガラス,樹脂等を用いる。発光面となるときは透明な
材料を用いる。
【0016】正極2は金,ニッケル等の半透膜やインジ
ウムスズ酸化物(ITO),酸化スズ(SnO2 )等の
透明導電膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、ス
パッタ法により形成する。該正極2は、透明性を持たせ
るために、100〜3000Åの厚さにすることが望ま
しい。正孔注入層3は正孔を効率良く輸送し、且つ注入
することが必要で発光した光の発光極大領域においてで
きるだけ透明であることが望ましい。成膜方法としてス
ピンコ−ト、キャスティング、LB法、抵抗加熱蒸着、
電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的であ
る。膜厚は200ないし5000Åであり、好適には3
00ないし800Åである。正孔注入物質としてはヒド
ラゾン化合物,ピラゾリン化合物,スチルベン化合物,
アミン系化合物などが用いられる。代表的な正孔注入物
質が以下に示される。
ウムスズ酸化物(ITO),酸化スズ(SnO2 )等の
透明導電膜からなり抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、ス
パッタ法により形成する。該正極2は、透明性を持たせ
るために、100〜3000Åの厚さにすることが望ま
しい。正孔注入層3は正孔を効率良く輸送し、且つ注入
することが必要で発光した光の発光極大領域においてで
きるだけ透明であることが望ましい。成膜方法としてス
ピンコ−ト、キャスティング、LB法、抵抗加熱蒸着、
電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的であ
る。膜厚は200ないし5000Åであり、好適には3
00ないし800Åである。正孔注入物質としてはヒド
ラゾン化合物,ピラゾリン化合物,スチルベン化合物,
アミン系化合物などが用いられる。代表的な正孔注入物
質が以下に示される。
【0017】
【化6】
【0018】発光層は正孔注入層または正極から注入さ
れた正孔と、負極または電子注入層より注入された電子
の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピン
コ−ト、キャスティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電子
ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜
厚は200ないし5000Åであるが好適には300な
いし800Åである。
れた正孔と、負極または電子注入層より注入された電子
の再結合により効率良く発光を行う。成膜方法はスピン
コ−ト、キャスティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電子
ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜
厚は200ないし5000Åであるが好適には300な
いし800Åである。
【0019】電子注入層5は電子を効率良く発光層に注
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等
があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は200な
いし5000Åであるが好適には300ないし800Å
である。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導
体,ペリレン誘導体などが用いられる。以下に代表的な
電子注入物質が示される。
入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キャ
スティング、LB法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等
があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は200な
いし5000Åであるが好適には300ないし800Å
である。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導
体,ペリレン誘導体などが用いられる。以下に代表的な
電子注入物質が示される。
【0020】
【化7】
【0021】負極6は電子を効率良く有機層に注入する
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着,電
子ビーム蒸着,スパッタ法が用いられる。負極6用材料
としては、仕事関数の小さいMg,Ag,In,Ca,
Al等およびこれらの合金,積層体等が用いられる。 実施例1 膜厚約1000ÅのITOを設けた50mm角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、前
記図1に示すように正孔注入層、発光層と順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は8×10-4Paとし
た。正孔注入層には前記化学式(II−1)に示される化
合物を用い600Å形成した。続けて発光層として前記
化学式(I−1)に示されるエチレン系化合物を用いボ
−ト温度約210ないし240℃にて加熱し、成膜速度
を約2Å/sとして600Å形成した。この後、基板を
真空槽から取り出し、直径5mmドットパタ−ン用ステ
ンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内
にセットし負極6として Mg/In(10:1の重量
比率)を形成した。
ことが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着,電
子ビーム蒸着,スパッタ法が用いられる。負極6用材料
としては、仕事関数の小さいMg,Ag,In,Ca,
Al等およびこれらの合金,積層体等が用いられる。 実施例1 膜厚約1000ÅのITOを設けた50mm角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、前
記図1に示すように正孔注入層、発光層と順次成膜し
た。成膜に際して、真空槽内圧は8×10-4Paとし
た。正孔注入層には前記化学式(II−1)に示される化
合物を用い600Å形成した。続けて発光層として前記
化学式(I−1)に示されるエチレン系化合物を用いボ
−ト温度約210ないし240℃にて加熱し、成膜速度
を約2Å/sとして600Å形成した。この後、基板を
真空槽から取り出し、直径5mmドットパタ−ン用ステ
ンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内
にセットし負極6として Mg/In(10:1の重量
比率)を形成した。
【0022】上記実施例1において、該エチレン系化合
物からなる発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径5
mmの有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、
緑色(発光中心波長510〜530nm)の均一な発光
が得られた。また発光輝度120cd/cm2 で100
h以上の安定性を確認した。 実施例2 膜厚約1000ÅのITOを設けた50mm角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、発
光層、電子注入層と順次成膜した。成膜に際して、真空
槽内圧は8×10-4Paとした。発光層には前記化学式
(I−1)に示される化合物を用いボ−ト温度約210
ないし240℃にて加熱し、成膜速度を約2Å/sとし
て600Å形成した。続けて電子注入層として化学式
(III −4)に示される化合物を用い600Å形成し
た。この後、基板を真空槽から取り出し、直径5mmド
ットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつけ、新たに
抵抗加熱蒸着装置内にセットし負極6として Mg/I
n(10:1の重量比率)を形成した。
物からなる発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径5
mmの有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、
緑色(発光中心波長510〜530nm)の均一な発光
が得られた。また発光輝度120cd/cm2 で100
h以上の安定性を確認した。 実施例2 膜厚約1000ÅのITOを設けた50mm角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内にセットし、発
光層、電子注入層と順次成膜した。成膜に際して、真空
槽内圧は8×10-4Paとした。発光層には前記化学式
(I−1)に示される化合物を用いボ−ト温度約210
ないし240℃にて加熱し、成膜速度を約2Å/sとし
て600Å形成した。続けて電子注入層として化学式
(III −4)に示される化合物を用い600Å形成し
た。この後、基板を真空槽から取り出し、直径5mmド
ットパタ−ン用ステンレス製マスクを取りつけ、新たに
抵抗加熱蒸着装置内にセットし負極6として Mg/I
n(10:1の重量比率)を形成した。
【0023】上記実施例2において、該エチレン系化合
物からなる発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径5
mmの有機発光素子に直流電圧を印加したところ、緑色
(発光中心波長510〜530nm)の均一な発光が得
られた。また発光輝度100cd/cm2 で120h以
上の安定性を確認した。 実施例3 膜厚約1000ÅのITOを設けた50mm角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、前記
図3に示す様に正孔注入層、発光層、電子注入層と順次
成膜した。真空槽内圧は8×10-4Paとした。正孔注
入層には前記化学式(II−1)に示される化合物を用い
600Å形成した。続いて発光層として前記エチレン系
化合物のうち化学式(I−1)で示される化合物を用い
ボ−ト温度約210ないし240℃にて加熱し、成膜速
度を約2Å/sとして600Å形成した。さらに続けて
電子注入層として前記化学式(III −4)で示される化
合物をを用い、600Å形成した。この後該基板を真空
槽から取り出し、直径5mmのドットパタ−ンからなる
ステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装
置内に装着し負極6としてMg/In(10:1の比
率)を形成した。
物からなる発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径5
mmの有機発光素子に直流電圧を印加したところ、緑色
(発光中心波長510〜530nm)の均一な発光が得
られた。また発光輝度100cd/cm2 で120h以
上の安定性を確認した。 実施例3 膜厚約1000ÅのITOを設けた50mm角のガラス
を基板とし該基板を抵抗加熱蒸着装置内に装着し、前記
図3に示す様に正孔注入層、発光層、電子注入層と順次
成膜した。真空槽内圧は8×10-4Paとした。正孔注
入層には前記化学式(II−1)に示される化合物を用い
600Å形成した。続いて発光層として前記エチレン系
化合物のうち化学式(I−1)で示される化合物を用い
ボ−ト温度約210ないし240℃にて加熱し、成膜速
度を約2Å/sとして600Å形成した。さらに続けて
電子注入層として前記化学式(III −4)で示される化
合物をを用い、600Å形成した。この後該基板を真空
槽から取り出し、直径5mmのドットパタ−ンからなる
ステンレス製マスクを取りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装
置内に装着し負極6としてMg/In(10:1の比
率)を形成した。
【0024】前記実施例3において、該エチレン系化合
物からなる発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径5
mmの有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、
緑色(発光中心波長510〜530nm)の均一な発光
が得られた。また発光輝度180cd/cm2 で150
h以上の安定性を確認した。
物からなる発光層は均一な蒸着膜となり、かつ該直径5
mmの有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したところ、
緑色(発光中心波長510〜530nm)の均一な発光
が得られた。また発光輝度180cd/cm2 で150
h以上の安定性を確認した。
【0025】
【発明の効果】この発明によれば正極と負極とからなる
一対の電極と、その間に挟まれた電荷注入層と発光層と
を有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の少
なくとも一方からなり、発光層は電荷注入層に挟まれて
なり、注入された電子と正孔を再結合させて発光するも
のであり、下記一般式(I)のエチレン系化合物を含む
ものであるので高輝度かつ安定な緑色発光が実現する。
また成膜性に優れ、安価かつ容易に合成されることか
ら、大量製造が容易な有機薄膜発光素子が得られる。
一対の電極と、その間に挟まれた電荷注入層と発光層と
を有し、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の少
なくとも一方からなり、発光層は電荷注入層に挟まれて
なり、注入された電子と正孔を再結合させて発光するも
のであり、下記一般式(I)のエチレン系化合物を含む
ものであるので高輝度かつ安定な緑色発光が実現する。
また成膜性に優れ、安価かつ容易に合成されることか
ら、大量製造が容易な有機薄膜発光素子が得られる。
【0026】
【化8】
【0027】〔式(I)中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,
R5 ,R8 ,R9 ,R10,R11,R12はそれぞれ水素原
子,ハロゲン原子,アルキル基,アルコキシ基またはア
リール基、R6 ,R7 は水素原子,アルキル基を表
す。〕
R5 ,R8 ,R9 ,R10,R11,R12はそれぞれ水素原
子,ハロゲン原子,アルキル基,アルコキシ基またはア
リール基、R6 ,R7 は水素原子,アルキル基を表
す。〕
【図1】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
【図2】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す断面図
子を示す断面図
【図3】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子を示す断面図
発光素子を示す断面図
1 絶縁性透明基板 2 正極 3 正孔注入層 4 発光層 5 電子注入層 6 負極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古庄 昇 神奈川県川崎市川崎区田辺新田1番1号 富士電機株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間に挟まれた電荷注入層と発光層とを有し、 電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の少なくとも
一方からなり、 発光層は電荷注入層に挟まれてなり、注入された電子と
正孔を再結合させて発光するものであり、下記一般式
(I)のエチレン系化合物を含むものであることを特徴
とする有機薄膜発光素子。 【化1】 〔式(I)中、R1 ,R2 ,R3 ,R4 ,R5 ,R8 ,
R9 ,R10,R11,R12はそれぞれ水素原子,ハロゲン
原子,アルキル基,アルコキシ基またはアリール基、R
6 ,R7 は水素原子,アルキル基を表す。〕 - 【請求項2】請求項1記載の素子において、アルキル基
はメチル基であることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項3】請求項1記載の素子において、アルコキシ
基はメトキシ基であることを特徴とする有機薄膜発光素
子。 - 【請求項4】請求項1記載の素子において、アリール基
はフェニル基であることを特徴とする有機薄膜発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04184229A JP3099529B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04184229A JP3099529B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 有機薄膜発光素子 |
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|---|---|
| JPH0633047A true JPH0633047A (ja) | 1994-02-08 |
| JP3099529B2 JP3099529B2 (ja) | 2000-10-16 |
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ID=16149638
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|---|---|---|---|
| JP04184229A Expired - Lifetime JP3099529B2 (ja) | 1992-07-13 | 1992-07-13 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3099529B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074601A3 (en) * | 1999-08-02 | 2004-12-01 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic electroluminescent material and electroluminescent device using the same |
| JP2008106054A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | スチルベン誘導体、発光素子、表示装置、及び電子機器 |
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-
1992
- 1992-07-13 JP JP04184229A patent/JP3099529B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1074601A3 (en) * | 1999-08-02 | 2004-12-01 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic electroluminescent material and electroluminescent device using the same |
| EP1744380B1 (en) * | 2005-07-15 | 2008-12-10 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| US7646011B2 (en) | 2005-07-15 | 2010-01-12 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| JP2008106054A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | スチルベン誘導体、発光素子、表示装置、及び電子機器 |
| US8704215B2 (en) | 2006-09-29 | 2014-04-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device |
| US9174927B2 (en) | 2006-09-29 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Stilbene derivatives, light-emitting element, display device, and electronic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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