JPH04129232A - 圧接型半導体装置 - Google Patents
圧接型半導体装置Info
- Publication number
- JPH04129232A JPH04129232A JP25109690A JP25109690A JPH04129232A JP H04129232 A JPH04129232 A JP H04129232A JP 25109690 A JP25109690 A JP 25109690A JP 25109690 A JP25109690 A JP 25109690A JP H04129232 A JPH04129232 A JP H04129232A
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- Japan
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- plate
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電力用半導体装置に係り、熱的、機械的応
力に対して高度に信頼性が維持された半導体装置に関す
るものである。
力に対して高度に信頼性が維持された半導体装置に関す
るものである。
第２図は従来の電力用の圧接型半導体装置を示す断面図
である。半導体素子１は、例えばＰＮＰＮ接合が形成さ
れたシリコン板からなる半導体基板２と、この基板２の
一方の主面にろう付は固着され、この基板２の支持体と
しての作用もな丁、例えばモリブデンからなる第１主電
極３と、上記基板２の他方にアルミニウムなどを蒸着し
て形成された環状の第２主電極４、及びこの中心に位置
Ｔるゲート電極５とからなる。
である。半導体素子１は、例えばＰＮＰＮ接合が形成さ
れたシリコン板からなる半導体基板２と、この基板２の
一方の主面にろう付は固着され、この基板２の支持体と
しての作用もな丁、例えばモリブデンからなる第１主電
極３と、上記基板２の他方にアルミニウムなどを蒸着し
て形成された環状の第２主電極４、及びこの中心に位置
Ｔるゲート電極５とからなる。
上記半導体素子１は第１’ｌｌ、柵体６及び第２３１極
体ｌＯに挟持されており、このうち第１１Ｌ極体６に、
上記半導体素子１の第１主電極３に圧接してこの半導体
素子１を載置Ｔる、例えば無酸素銅からなる円柱状の第
１主電極導電体７と、この第１主電極導電体７の外周面
にろう付固着された、例えば無酸素鋼からなるフランジ
８と、この７ランジ８にろう付固着された、例えば鉄ニ
ツケル合金からなる第１溶接リング９とからなる。また
第２電極体ＩＯは、下面に中心穴Ｕを備え、−側にこの
中心穴１１に連らなる溝りを備えた、例えば無酸素銅か
らなる円柱状の第２主電極導電体Ｂと、上記半導体素子
１の外周に接触配置された例えばアルミナ磁器からなる
筒状絶縁体１４と、上記第２主電極導体簡の外周面及び
筒状絶縁体１４の一端面にそれぞれろう付は固着された
、例えばコバルト合金、鉄ニツケル合金からなる７ラン
ジ迅と、上記第１溶接リング９に接合して溶接されてい
る、例えば鉄ニツケル合金からなる第２溶接リング１６
とからなる。
体ｌＯに挟持されており、このうち第１１Ｌ極体６に、
上記半導体素子１の第１主電極３に圧接してこの半導体
素子１を載置Ｔる、例えば無酸素銅からなる円柱状の第
１主電極導電体７と、この第１主電極導電体７の外周面
にろう付固着された、例えば無酸素鋼からなるフランジ
８と、この７ランジ８にろう付固着された、例えば鉄ニ
ツケル合金からなる第１溶接リング９とからなる。また
第２電極体ＩＯは、下面に中心穴Ｕを備え、−側にこの
中心穴１１に連らなる溝りを備えた、例えば無酸素銅か
らなる円柱状の第２主電極導電体Ｂと、上記半導体素子
１の外周に接触配置された例えばアルミナ磁器からなる
筒状絶縁体１４と、上記第２主電極導体簡の外周面及び
筒状絶縁体１４の一端面にそれぞれろう付は固着された
、例えばコバルト合金、鉄ニツケル合金からなる７ラン
ジ迅と、上記第１溶接リング９に接合して溶接されてい
る、例えば鉄ニツケル合金からなる第２溶接リング１６
とからなる。
上記第２主電極導電体７と上記第２主電極４の間には・
この第２主電極４の径とほぼ同等の、例えばモリブデン
からなる環状の熱補償板１７及び例えば銀または銅から
なる環状の挿入板川が上記半導体基板２にシリコンゴム
で固定され介装されている。
この第２主電極４の径とほぼ同等の、例えばモリブデン
からなる環状の熱補償板１７及び例えば銀または銅から
なる環状の挿入板川が上記半導体基板２にシリコンゴム
で固定され介装されている。
上記第２主電極導電体詔の溝νに対向Ｔる筒状絶縁体１
４の周壁には、例えばコバルト合金からなるゲートパイ
プ１９が挿通してろう付は固着されており、このゲート
パイプ１９内に端部を挿入した、例えば銀からなるゲー
） ＩＪ−ド加が、上記溝ν内に挿通した上で、上記中
心穴Ｈに挿入されて位置を規制されている、例えばアル
ミナ磁器からなるゲート支持棒ムの中心に挿通され、上
記中心穴Ｈに挿入されている皿ばねｎにより平座金器、
マイカワッシャ胸を介して上記ゲート支持棒凪に荷重を
加え、上記半導体素子ｌのゲート電極５に圧接されてい
る。また、このゲートリードＩの中間部は絶縁チューブ
３により被覆されている。
４の周壁には、例えばコバルト合金からなるゲートパイ
プ１９が挿通してろう付は固着されており、このゲート
パイプ１９内に端部を挿入した、例えば銀からなるゲー
） ＩＪ−ド加が、上記溝ν内に挿通した上で、上記中
心穴Ｈに挿入されて位置を規制されている、例えばアル
ミナ磁器からなるゲート支持棒ムの中心に挿通され、上
記中心穴Ｈに挿入されている皿ばねｎにより平座金器、
マイカワッシャ胸を介して上記ゲート支持棒凪に荷重を
加え、上記半導体素子ｌのゲート電極５に圧接されてい
る。また、このゲートリードＩの中間部は絶縁チューブ
３により被覆されている。
このような半導体装置を組立てるには、まず第２電極体
１０の第２主電極導電体肪にある中心穴Ｕに皿ばねρ及
び平座金器、マイカワッシャ胸を挿入する０次いでゲー
ト支持棒ムにゲートリード田のゲートＩＩＥ極５に接触
する端面を引っかけ挿通し、ゲートリードｍを絶縁チュ
ーブ３により被覆して、他端をゲートパイプ１９内に挿
入するとともニ、ケート支持棒■を中心穴Ｈに挿入する
。次に熱補償板ｒ及び挿入板凪をあらかじめシリコンゴ
ムで第２主電極４に固定している半導体素子１を熱補償
板ｒ及び挿入収用が固定されている側を第２電極体ｌＯ
の第２主電極導電体氏に接する向きで筒状絶縁体１４の
内側に挿入する。さらに第１１１Ｅ極体６を第１溶接リ
ング９が第２電極体ｌＯの第２溶接リング１６に接する
向きで第２１！極体ｌＯの筒状絶縁体１４に第１電極体
６のｆｉｌ主電極導電体７が挿通され、第１主電極導電
体７が第１主電極３に接するように截置する。これによ
って、相互に重ね合わされた第１溶接リング９及び第２
溶接リング１６の外周４１部を溶接封止する。この後不
活性ガスにてガス置換を行ない、ゲートパイプ１９及び
ゲートリード２ｏを溶接封止して半導体装置が完成する
。
１０の第２主電極導電体肪にある中心穴Ｕに皿ばねρ及
び平座金器、マイカワッシャ胸を挿入する０次いでゲー
ト支持棒ムにゲートリード田のゲートＩＩＥ極５に接触
する端面を引っかけ挿通し、ゲートリードｍを絶縁チュ
ーブ３により被覆して、他端をゲートパイプ１９内に挿
入するとともニ、ケート支持棒■を中心穴Ｈに挿入する
。次に熱補償板ｒ及び挿入板凪をあらかじめシリコンゴ
ムで第２主電極４に固定している半導体素子１を熱補償
板ｒ及び挿入収用が固定されている側を第２電極体ｌＯ
の第２主電極導電体氏に接する向きで筒状絶縁体１４の
内側に挿入する。さらに第１１１Ｅ極体６を第１溶接リ
ング９が第２電極体ｌＯの第２溶接リング１６に接する
向きで第２１！極体ｌＯの筒状絶縁体１４に第１電極体
６のｆｉｌ主電極導電体７が挿通され、第１主電極導電
体７が第１主電極３に接するように截置する。これによ
って、相互に重ね合わされた第１溶接リング９及び第２
溶接リング１６の外周４１部を溶接封止する。この後不
活性ガスにてガス置換を行ない、ゲートパイプ１９及び
ゲートリード２ｏを溶接封止して半導体装置が完成する
。
従来の圧接型半導体装置に使用されている熱補償板１７
は、厚みが約０．８〜０．５ ａｌｌで端面の面とり加
工無しで＃６００ラップ加工後エツチング処理されて面
粗さが約８〜ｌＯμｍであった。−男手導体素子１の第
２主電極４は４層が約６〜１２戸施されていた。上記熱
補償板■と半導体素子１が接触するように組立されてい
る装置で接触界面をミクロ的にとらえると、熱補償板１
７の粗さ（突起）が第２主電極４の４層に食い込むよう
に接触する。従って半導体装置の断続通電時に可滑動し
にくく、接触面積・圧接圧力、熱的要因等により熱補償
板テと第２主電極４の４層が凝着し、半導体基板２にク
ラックが起こり・特性不良となることがあった。また上
記不具合を無く丁ために熱補償板νの面粗さを鏡面う゛
ツブ加工し約０．１〜１．０Ｐと細かくした場合は・上
記接触界面は半導体装置の断続通電時に面粗さが細かい
ため、滑り易くなり、また熱補償板ｒの面とりが小さい
ため第２主電極４の４層が削られてだれ易くなり、ＧＴ
Ｏ等でハＧ−Ｘ間がショートしたり、接触状態が変化し
ＶＴＭ特性が変動したり、Ｉ？ＧＱ耐量が低下する等の
問題があった◎ この発明に上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、加工時熱補償板１７と第２主電極４が均一に
圧接され易くすると共に、断続通電時に熱補償板１７の
粗さ（突起）が第２を極４のＡｅ層に食い込むことを無
くし、熱補償板１７と第２主を極４の凝着を防ぎ、また
断続通電時に第２主電極４のム１層がだれにくい構造と
し、熱補償板１７と第２主電極４との接触状態が最良に
なされ、電気的特性が安定する圧接型半導体装置を得る
ことを目的とする。
は、厚みが約０．８〜０．５ ａｌｌで端面の面とり加
工無しで＃６００ラップ加工後エツチング処理されて面
粗さが約８〜ｌＯμｍであった。−男手導体素子１の第
２主電極４は４層が約６〜１２戸施されていた。上記熱
補償板■と半導体素子１が接触するように組立されてい
る装置で接触界面をミクロ的にとらえると、熱補償板１
７の粗さ（突起）が第２主電極４の４層に食い込むよう
に接触する。従って半導体装置の断続通電時に可滑動し
にくく、接触面積・圧接圧力、熱的要因等により熱補償
板テと第２主電極４の４層が凝着し、半導体基板２にク
ラックが起こり・特性不良となることがあった。また上
記不具合を無く丁ために熱補償板νの面粗さを鏡面う゛
ツブ加工し約０．１〜１．０Ｐと細かくした場合は・上
記接触界面は半導体装置の断続通電時に面粗さが細かい
ため、滑り易くなり、また熱補償板ｒの面とりが小さい
ため第２主電極４の４層が削られてだれ易くなり、ＧＴ
Ｏ等でハＧ−Ｘ間がショートしたり、接触状態が変化し
ＶＴＭ特性が変動したり、Ｉ？ＧＱ耐量が低下する等の
問題があった◎ この発明に上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、加工時熱補償板１７と第２主電極４が均一に
圧接され易くすると共に、断続通電時に熱補償板１７の
粗さ（突起）が第２を極４のＡｅ層に食い込むことを無
くし、熱補償板１７と第２主を極４の凝着を防ぎ、また
断続通電時に第２主電極４のム１層がだれにくい構造と
し、熱補償板１７と第２主電極４との接触状態が最良に
なされ、電気的特性が安定する圧接型半導体装置を得る
ことを目的とする。
この発明に係る圧接型半導体装ｉｔは、熱補償板の厚み
を第１主電極の厚みに対して熱抵抗、ＶＴＭ等電気的特
性上間脳の無い厚みで、例えば第１主電極の厚みが１〜
２ＭＭでは１ｌａＩ、第１主電極の厚みが８〜４ｆｆで
に１．５〜２ｆｉの厚みとするとともに、熱補強板の表
面を平面度５μｍ以下、平行度５μｍ以下、面粗さ０．
２〜０．５μｍの＃１５００ランプ加工後第２主電極に
接する面のみをエツチングして、面粗さを０．６〜２．
０ ｔｔｍトし、片側［１ｉは０．２〜０．５μｍのま
まとし、外周部を０．１〜０．５４面取り加工したもの
である。
を第１主電極の厚みに対して熱抵抗、ＶＴＭ等電気的特
性上間脳の無い厚みで、例えば第１主電極の厚みが１〜
２ＭＭでは１ｌａＩ、第１主電極の厚みが８〜４ｆｆで
に１．５〜２ｆｉの厚みとするとともに、熱補強板の表
面を平面度５μｍ以下、平行度５μｍ以下、面粗さ０．
２〜０．５μｍの＃１５００ランプ加工後第２主電極に
接する面のみをエツチングして、面粗さを０．６〜２．
０ ｔｔｍトし、片側［１ｉは０．２〜０．５μｍのま
まとし、外周部を０．１〜０．５４面取り加工したもの
である。
この発明における熱補償板の厚みを厚くシタことに・半
導体装置に圧接圧力を加えた時に・熱補償板が第２主電
極のム１層に均一に圧接されるようにし、又熱補償板の
挿入板に接する面の面粗さを０．２〜０，５．！７＋１
としたことで断続通電時、上記両者の接触界面をミクロ
的にとらえると程良く可滑動できるように接触し、第２
主’Ｉ極に接する面の面粗さを０．６〜２．０μｍとし
たことで、断続通電時、上記両者の接触界面をミクロ的
にとらえると可滑動しにくく・粗さ（突起ンが食い込ま
ないように接触しているので、熱補償板と第２主電極の
４層が凝着されないとともに、さらに外周Ｓに面とりが
０．１〜０．５謂施されていることにより、第２主電極
のムｅ層のだれが起こらない。
導体装置に圧接圧力を加えた時に・熱補償板が第２主電
極のム１層に均一に圧接されるようにし、又熱補償板の
挿入板に接する面の面粗さを０．２〜０，５．！７＋１
としたことで断続通電時、上記両者の接触界面をミクロ
的にとらえると程良く可滑動できるように接触し、第２
主’Ｉ極に接する面の面粗さを０．６〜２．０μｍとし
たことで、断続通電時、上記両者の接触界面をミクロ的
にとらえると可滑動しにくく・粗さ（突起ンが食い込ま
ないように接触しているので、熱補償板と第２主電極の
４層が凝着されないとともに、さらに外周Ｓに面とりが
０．１〜０．５謂施されていることにより、第２主電極
のムｅ層のだれが起こらない。
以下１この発明の一実施例を図について説明Ｔるｎなお
、前述した従来のものと同一の構成にっいては、図中に
同一の符号を付し、その説明は省略する。
、前述した従来のものと同一の構成にっいては、図中に
同一の符号を付し、その説明は省略する。
第１図はこの発明の一実施例を示Ｔものであり、熱補強
板１７Ａは第１主電極３の厚みと同等の厚みとされ、表
面を両面：＃１５００ランプ加工後、第２主電極４に接
する面のみをエツチング加工して、面粗さを０．６〜２
，０μｍとし、さらに外周部が０．１〜０．５層面とり
されている。
板１７Ａは第１主電極３の厚みと同等の厚みとされ、表
面を両面：＃１５００ランプ加工後、第２主電極４に接
する面のみをエツチング加工して、面粗さを０．６〜２
，０μｍとし、さらに外周部が０．１〜０．５層面とり
されている。
なお組立てについては、従来技術と同一であるので省略
するｎ以上のＷ成によれば、熱補償板１７Ａの厚みが従
来のものと比べて厚みが２〜４倍になっているため、半
導体装置に圧接圧力を加えた時に熱補償板１７Ａが第２
主電極４の４層に均一に圧接されるようになり、また熱
補償板１７Ａの挿入収拾に接する面の面粗さが０．２〜
０．δμ肩であるので、断続通電時の熱補償板１７Ａと
挿入仮想の接触界面をミクロ的にとらえると程良く滑動
できるように接触し、第２主電極４に接する面の面粗さ
が０．６〜２．０−であるので・ 断続通電時の熱補償
板１７Ａと第２主電極４の４層との接触界面をミクロ的
にとらえると滑動しに＜＜、粗さ（突起）が食い込まな
いように接触しているので、熱補償板１７Ａと第２主電
極４の４層層との凝着が防がれ半導体素子１の半導体基
板２にクランクが発生しなくなるとともに、さらに熱補
償板厖の第２主電極４に接する面の外周部に０．１〜０
．５ ｍの面とりが施されているので、第２主電極４の
ムぎ層のだれが起こらない。以上の作用により断続通電
時、Ｇ−に間がショートしなくなり、接触状態が変化し
に＜＜、第８図に示すようにＶＴＭが変動しなくなり、
Ｘ ＴＧＱ耐量が１．１倍程度向上する。
するｎ以上のＷ成によれば、熱補償板１７Ａの厚みが従
来のものと比べて厚みが２〜４倍になっているため、半
導体装置に圧接圧力を加えた時に熱補償板１７Ａが第２
主電極４の４層に均一に圧接されるようになり、また熱
補償板１７Ａの挿入収拾に接する面の面粗さが０．２〜
０．δμ肩であるので、断続通電時の熱補償板１７Ａと
挿入仮想の接触界面をミクロ的にとらえると程良く滑動
できるように接触し、第２主電極４に接する面の面粗さ
が０．６〜２．０−であるので・ 断続通電時の熱補償
板１７Ａと第２主電極４の４層との接触界面をミクロ的
にとらえると滑動しに＜＜、粗さ（突起）が食い込まな
いように接触しているので、熱補償板１７Ａと第２主電
極４の４層層との凝着が防がれ半導体素子１の半導体基
板２にクランクが発生しなくなるとともに、さらに熱補
償板厖の第２主電極４に接する面の外周部に０．１〜０
．５ ｍの面とりが施されているので、第２主電極４の
ムぎ層のだれが起こらない。以上の作用により断続通電
時、Ｇ−に間がショートしなくなり、接触状態が変化し
に＜＜、第８図に示すようにＶＴＭが変動しなくなり、
Ｘ ＴＧＱ耐量が１．１倍程度向上する。
なおこの実施例でに、一つの構造の例しか説明していな
いが、圧接型半導体装置で第２主電極４と第２主電極導
電体じとの間に熱補償板１７が圧接される構造のものに
ついて適用可能であり、スタッド形・平形どちらでもこ
の実施例と同様の効果を奏Ｔる。
いが、圧接型半導体装置で第２主電極４と第２主電極導
電体じとの間に熱補償板１７が圧接される構造のものに
ついて適用可能であり、スタッド形・平形どちらでもこ
の実施例と同様の効果を奏Ｔる。
またこの実施例では、熱補強板１７Ａの厚みは２つの例
しか説明していないが、熱抵抗、ＶＴ等の１１ｆＩｃ的
特性上問題の無い範囲内で１枚及び２枚以上の重ね合わ
せて適当な厚みにできる。２枚以上積み重ねる場合は、
間に接触を向上させるために柔軟性金属で電気、熱伝導
性の良い銀板、銅板等の挿入板を入れると、熱抵抗は改
善される。
しか説明していないが、熱抵抗、ＶＴ等の１１ｆＩｃ的
特性上問題の無い範囲内で１枚及び２枚以上の重ね合わ
せて適当な厚みにできる。２枚以上積み重ねる場合は、
間に接触を向上させるために柔軟性金属で電気、熱伝導
性の良い銀板、銅板等の挿入板を入れると、熱抵抗は改
善される。
なお上記実施例では、平形のゲート・ターンオフ・サイ
リスタの場合について説明したが、他の電力用半導体装
置であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
リスタの場合について説明したが、他の電力用半導体装
置であってもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のようにこの発明によれば、熱補償板を第１主電極
の厚みに対して、第１主電極の厚みが１〜２Ｍで４！
１ ｔｘの厚み′、第１主電極の厚みが８〜４Ｍでは１
．５〜２ｍの厚みとし、また挿入板に接する面の面粗さ
を０．２〜Ｑ、５Ｊ＃ｌとし、第２主電極に接する面の
面粗さＴｔｏ、６〜２．０μｍとし、外周部を０．１〜
０．Ｓａｗ面とりし、挿入板に接する側の面とりよりも
大きくとったことで、第２主電極の４層との接着がなく
なるとともに、第２主電極の１６層がだれない構造とな
り、熱補償板と第２主電極のム１層との接触状態の向上
が図れ、電気的特性が安定し精度の高いものが得られる
効果がある。
の厚みに対して、第１主電極の厚みが１〜２Ｍで４！
１ ｔｘの厚み′、第１主電極の厚みが８〜４Ｍでは１
．５〜２ｍの厚みとし、また挿入板に接する面の面粗さ
を０．２〜Ｑ、５Ｊ＃ｌとし、第２主電極に接する面の
面粗さＴｔｏ、６〜２．０μｍとし、外周部を０．１〜
０．Ｓａｗ面とりし、挿入板に接する側の面とりよりも
大きくとったことで、第２主電極の４層との接着がなく
なるとともに、第２主電極の１６層がだれない構造とな
り、熱補償板と第２主電極のム１層との接触状態の向上
が図れ、電気的特性が安定し精度の高いものが得られる
効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による圧接型半導体装置を
示す断面図、第２図は従来の圧接型半導体装置を示す断
面図、第８図は従来の装置と本発明装置の断続通電によ
るＶＴＭの変化を比較したグラフである。
示す断面図、第２図は従来の圧接型半導体装置を示す断
面図、第８図は従来の装置と本発明装置の断続通電によ
るＶＴＭの変化を比較したグラフである。
Claims (1)
- 半導体素子の第１主電極に圧接する第１主電極導電体
を備えた第１電極体及び半導体素子の外周に位置する筒
状絶縁体を備え、上記半導体素子の環状の第２主電極に
環状の熱補償板及び挿入板を介して接触している中心穴
の形成された第２主電極導電体を備えた第２電極体と、
上記第２主電極導電体の中心穴に挿入されたゲート支持
棒に支持され、上記半導体素子のゲート電極に皿ばねに
より圧接されているゲートリードを有する半導体装置に
おいて、上記熱補償板の厚みを第１電極の厚みの少くと
も半分以上とすると共に、上記熱補償板の第２主電極に
接する面を０．１〜０．５ｍｍ面とり加工し、挿入板に
接する面より面とりを大きくしさらに上記熱補償板と半
導体素子の第２主電極に接する面の面粗さを０．６〜２
．０μｍとし、他方の面に接する面の面粗さを０．２〜
０．５μｍとしたことを特徴とする圧接型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25109690A JPH04129232A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 圧接型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25109690A JPH04129232A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 圧接型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04129232A true JPH04129232A (ja) | 1992-04-30 |
Family
ID=17217589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25109690A Pending JPH04129232A (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 圧接型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04129232A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801429A (en) * | 1994-04-12 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP25109690A patent/JPH04129232A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5801429A (en) * | 1994-04-12 | 1998-09-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
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